Antonio Luis Pacheco Rotondaro

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Produções bibliográficas

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• Rotondaro, A. L. P. ; VISOKAY, M. R. ; CHAMBERS, J. J. ; Appel, C. M. ; COLOMBO, L. ; Misra, A. ; Schmidt, B. ; Anderson, S. . Investigation of analytical techniques to measure zirconium and hafnium on silicon wafer surfaces. In: Sematech Workshop on Surface Preparation, 2001, Austin, TX, EUA. Abstracts of the Sematech Workshop on Surface Preparation, 2001.

• Heyns, M. M. ; Cornelissen, I. ; Mertens, P. W. ; Meuris, M. ; Rotondaro, A. L. P. ; Schaekers, M. ; Teerlinck, I. ; Vos, R. ; Wolke, K. . New technologies for reducing chemical costs and environmental impact. In: Semicon Geneva, 1998, Genebra, Suiça. Abstracts of Semicon Geneva 2001, 1998.

• Heyns, M. M. ; Cornelissen, I. ; De Gendt, S. ; Degraeve, R. ; Knotter, D. M. ; Mertens, P. W. ; Mertens, S. ; Meuris, M. ; Nigan, T. ; Rotondaro, A. L. P. ; Schaekers, M. ; Teerlinck, I. ; Vos, R. ; Wolke, K. . Advanced cleaning and ultra-thin oxide technology. In: 5th International Santa Clara Plastics Symposium on Cleaning Technology, 1998, Boise, ID, EUA. Abstracts of the 5th International Santa Clara Plastics Symposium on Cleaning Technology, 1998.

• Rotondaro, A. L. P. . Advanced technologies in semiconductor fabrication. 2006. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• Rotondaro, A. L. P. . Surface preparation for 300mm and beyond. 1997. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• Bulbow, Viviane ; Rotondaro, A. L. P. . Menor a mais eficiente - Eletrônica dá passos firmes rumo à tecnologia de 45 nanômetros. São Paulo, SP, Brasil: Saber Ltda, 2007 (Entrevista concedida a Revista Saber Eletrônica número 411, páginas 20-22).

Outras produções

Projetos de pesquisa

• 2001 - 2006

  Integração de transistores CMOS de alto desempenho em tecnologia de 65nm, Descrição: Responsável pela integração de transistores CMOS de alto desempenho em tecnologia de 65nm para fabricação de microprocessadores. Introduziu vários processos inovadores na fabricação dos transistores aumentando o seu desempenho e viabilizando alto rendimento. Gerenciou vários times de engenheiros de processo visando o desenvolvimento de novos processos que atendessem os requisitos de desempenho com elevado Cp e Cpk. Coordenou mudanças no fluxo de fabricação através do uso de metodologia 6-sigma e controle estatístico de processos para atingir valores de pré-produção de Cp e Cpk.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Antonio Luis Pacheco Rotondaro - Coordenador / Sridhar, S. - Integrante / Mehrotra, M. - Integrante / Kohli, P. - Integrante / Ashburn, S. - Integrante / Hu, J. C. - Integrante / Rodder, M. - Integrante / Rost, T. - Integrante., Financiador(es): Texas Instruments Incorporated - Remuneração., Número de produções C, T & A: 15

• 2000 - 2002

  Estudo da estabilidade de compostos de háfnio-silício e zircônio-silício, Descrição: Coordenou a colaboração entre a Texas Instruments Incorporated e o Instituto de Física da Universidade Federal do Rio Grande do Sul para o estudo de filmes dielétricos fabricados com compostos de háfnio e zircônio. A colaboração abrangeu o estudo da estabilidade de filmes finos (Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Antonio Luis Pacheco Rotondaro - Coordenador / Luigi Colombo - Integrante / Mark R. Visokay - Integrante / James J. Chambers - Integrante / Baumvol, I. J. R. - Integrante., Financiador(es): Texas Instruments Incorporated - Remuneração., Número de produções C, T & A: 5

• 1999 - 2002

  Integração de dielétricos de porta de alta constante dielétrica em tecnologias CMOS avançadas, Descrição: Responsável pela integração de dielétricos de porta de alta constante dielétrica (High-k Gate Dielectrics) em tecnologias CMOS avançadas. Fabricou o primeiro transistor MOS sub-100nm com dielétrico de porta de alta constante dielétrica da Texas Instruments. Realizou a integração de HfSiON como dielétrico de porta na tecnologia de 90nm. Obteve transistores com comprimento de porta de 90nm, dielétrico de porta com espessura de óxido equivalente de 1,3nm e corrente de dreno de 740uA/um a uma corrente de fuga de 10nA/um.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Antonio Luis Pacheco Rotondaro - Coordenador / Luigi Colombo - Integrante / Mark R. Visokay - Integrante / James J. Chambers - Integrante / A. Shanware - Integrante., Financiador(es): Texas Instruments Incorporated - Remuneração., Número de produções C, T & A: 46

• 1999 - 2002

  Pesquisa e desenvolvimento do uso de portas metálicas em tecnologias CMOS de 65nm, Descrição: Coordenou a pesquisa e desenvolvimento do uso de portas metálicas em tecnologias CMOS de 65nm Pesquisou a implementação de portas metálicas com função de trabalho de meia banda proibida do silício em dielétricos de porta SiON e HfSiON Pesquisou a implementação de portas metálicas com função de trabalho ajustável em dielétricos de porta SiON e HfSiON. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Antonio Luis Pacheco Rotondaro - Coordenador / Luigi Colombo - Integrante / Mark R. Visokay - Integrante / James J. Chambers - Integrante / A. Shanware - Integrante., Financiador(es): Texas Instruments Incorporated - Remuneração., Número de produções C, T & A: 12

Projetos de desenvolvimento

• 2008 - 2009

  Determinação e verificação das regras de projeto para o Front-End-Of-the-Line (FEOL) da tecnologia SOI de 32nm, Descrição: Responsável pela determinação e verificação das regras de projeto para o Front-End-Of-the-Line (FEOL) da tecnologia SOI de 32nm.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Antonio Luis Pacheco Rotondaro - Coordenador / Mahender Kumar - Integrante., Financiador(es): IBM - Hopewell Junction - Remuneração.

• 2007 - 2008

  Integração dos transistores CMOS da tecnologia de 32nm em silício sobre isolante (SOI), Descrição: Coordenou a implementação e verificação do chip teste, com mais de 50 máscaras, para a qualificação da tecnologia SOI de 32nm, na linha de produção dentro do cronograma previsto.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Antonio Luis Pacheco Rotondaro - Coordenador / Mahender Kumar - Integrante / Dan Mocuta - Integrante., Financiador(es): IBM - Hopewell Junction - Remuneração.

• 2005 - 2007

  Transferência da tecnologia de 65nm do P&D em 200mm para produção em 300mm, Descrição: Responsável pela transferência dos transistores CMOS da tecnologia de 65nm da linha de P&D em 200mm para a fábrica de produção em 300mm. Gerenciou um time de 10 engenheiros de processo da fábrica de produção em 300mm para que todas as características dos dispositivos fossem obtidas. Obteve rendimento em 3 protótipos diferentes, enviando unidades funcionais aos clientes antes da data prometida.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Antonio Luis Pacheco Rotondaro - Coordenador / Mehrotra, M. - Integrante / Kohli, P. - Integrante / Ashburn, S. - Integrante., Financiador(es): Texas Instruments Incorporated - Remuneração., Número de produções C, T & A: 4

Prêmios