Rudolf Theoderich Bühler

Atualmente, sou Professor em tempo integral com dedicação exclusiva e Coordenador dos cursos de graduação em Ciência da Computação, Sistemas de Informação, Inteligência Artificial e Ciência de Dados no Instituto Mauá de Tecnologia, onde atuo em regime de dedicação exclusiva. Anteriormente, fui Professor no Centro Universitário FEI, dentro do Departamento de Engenharia Elétrica. Também fui membro do grupo de pesquisa de Sistemas Eletrônicos e Nanoeletrônicos Aplicados (http://bit.ly/senafei) e pesquisador bolsista pela Toledo do Brasil, com foco em pesquisa e desenvolvimento na transformação digital aplicada à engenharia de pesagem.Minha formação inclui graduação (2007) e mestrado (2009) pela FEI, doutorado em dispositivos MuGFET avançados pela USP (2014) e pós-doutorado pela FEI (2019). Realizei pesquisas em instituições renomadas, como o Departamento de Engenharia da Computação e Elétrica da Universidade da Flórida (UF) e o Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC) na Bélgica. Minhas atividades de pesquisa concentram-se no desenvolvimento de tecnologias avançadas de dispositivos semicondutores. Fui coordenador do Projeto Universal CNPq (2019-2023), focado no desenvolvimento de sensores com materiais inteligentes, em colaboração com a UNICAMP. Atualmente, participo de projetos em Circuitos Integrados Tolerantes à Radiação (CITAR) e de um projeto com o Centro de Pesquisa e Análise de São Paulo, voltado à física de altas energias.Ao longo da minha carreira, publiquei 13 artigos completos em periódicos, 25 trabalhos completos em anais de congressos, 7 resumos e apresentei 16 trabalhos. Também concedi 42 entrevistas, participei de 15 bancas examinadoras e orientei 11 alunos, incluindo uma coorientação de mestrado. Fui membro do comitê organizador do evento internacional SBMicro em 2010.Na graduação, sou responsável por disciplinas dos cursos de Ciência da Computação, Sistemas de Informação e Inteligência Artificial e Ciência de Dados. Minha experiência inclui o ensino em áreas como Desenvolvimento de Algoritmos, Sistemas Digitais, Microcontroladores, Eletrônica Embarcada, IoT e Lógica de Programação, além da orientação de trabalhos de conclusão de curso e projetos de iniciação científica.

Informações coletadas do Lattes em 21/07/2025

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Engenharia Elétrica

2010 - 2014

Universidade de São Paulo
Título: Estudo de Transistores Avançados de Canal Tensionado
Orientador: em Interuniversity Microelectronics Centre ( Eddy Simoen)
com , Ano de obtenção: 2014. João Antonio Martino. Coorientador: Renato Camargo Giacomini. Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. Palavras-chave: Tecnologia SOI; finfet; Múltiplas portas; Baixa Temperatura; Canal Tensionado; MuGFET. Grande área: EngenhariasSetores de atividade: Pesquisa e desenvolvimento científico.

Mestrado em Engenharia Elétrica

2008 - 2009

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros
Título: INFLUÊNCIA DE VARIAÇÕES DIMENSIONAIS DECORRENTES DO PROCESSO DE FABRICAÇÃO SOBRE PARÂMETROS ELÉTRICOS DE FINFETS
, Ano de Obtenção: 2009.Renato Camargo Giacomini.Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. Palavras-chave: Tecnologia SOI; finfet; Porta Tripla; Secção Transversal Trapezoidal; Paredes Laterais não Paralelas.Grande área: Engenharias

Aperfeiçoamento em Simulador Numérico

2010 - 2010

University of Florida
Título: Interesses na influência do strain no desempenho da tecnologia MOSFET. Ano de finalização: 2010
Orientador: Toshikazu Nishida
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.

Graduação em Engenharia Elétrica

2003 - 2007

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros
Título: Sistema de Informação de Tráfego Urbano para Apoio ao Usuário.
Orientador: Prof. Dr. Orlando Del Bianco Filho

Pós-doutorado

2015 - 2019

Pós-Doutorado. , FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS, FEI, Brasil. , Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil. , Grande área: Engenharias, Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos / Especialidade: Circuitos Eletrônicos. , Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação / Especialidade: Medidas Elétricas.

Formação complementar

2023 - 2023

Parametrização de Conversores de Frequência MOVIDRIVE® B. (Carga horária: 12h). , SEW EURODRIVE BRASIL, SEW, Brasil.

2022 - 2022

Lei Geral de Proteção de Dados - LGPD. (Carga horária: 2h). , FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS, FEI, Brasil.

2011 - 2011

Tutorial Day - Silicon on Insulator Technology. (Carga horária: 8h). , EUROSOI 2011, EUROSOI 2011, Espanha.

2008 - 2008

Microeletrônica Experimental. (Carga horária: 12h). , FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS, FEI, Brasil.

Idiomas

Inglês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Espanhol

Compreende Bem, Fala Razoavelmente, Lê Bem, Escreve Pouco.

Português

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Alemão

Compreende Pouco, Fala Pouco, Lê Pouco, Escreve Pouco.

Áreas de atuação

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.

Grande área: Outros / Área: Microeletrônica.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação/Especialidade: Medidas Elétricas.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais Dielétricos, Piezoelétricos e Ferroelétricos.

Organização de eventos

BÜHLER, R. T. . Session Chair - Chip on the Sands - 2nd IEEE International Symposium on Instrumentation Systems, Circuits and Transducers (INSCIT). 2017. (Congresso).

MARTINO, João Antonio ; CLAEYS, C. ; Giacomini, R ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; BÜHLER, Rudolf Theoderich ; ARAUJO, G. ; ORAILOGLU, A. ; de Souza, Michelly ; Agopian, P. G. D. ; Sonnenberg, Victor ; YUNAKA, C. K. M. ; ORDONEZ, N. ; SWART, J. ; Diniz, José Alexandre ; MORIMOTO, N. ; SANTANA, W. ; BAMPI, S. ; LUBASZEWSKI, M. ; KLEIN, F. ; HARTENSTEIN, R. ; et.al . Chip in Sampa - SBMicro 2010, SBCC 2010, SForum 2010. 2010. (Congresso).

Participação em eventos

31st IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures. Open Model for External Mechanical Stress of Semiconductors and MEMS. 2018. (Congresso).

2017 2nd International Symposium on Instrumentation Systems, Circuits and Transducers (INSCIT).Semiconductor Bending Setup for Electrical Characterization of Mechanical Stress. 2017. (Simpósio).

Chip on the Sands. PIN Sensor Array Response to Heavy-Ion Particles in Bulk and SOI Technologies. 2017. (Congresso).

IEEE Electron Devices Society Distinguished. 2017. (Seminário).

InovaFEI 2017. 2017. (Feira).

SICFEI 2017. 2017. (Feira).

2016 1st Symposium on Instrumentation Systems, Circuits and Transducers (INSCIT). Experimental Equipment Design and Setup for Measuring Electronic Devices Under Magnetic Fields. 2016. (Congresso).

2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro).Analysis of Heavy-Ion Particles Striking Regions Inside and Between SiGe PIN Photodetectors. 2016. (Simpósio).

2016 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon. Gated SiGe PIN Diodes Exposed to Visible Light Spectrum and Heavy-Ion Radiation. 2016. (Congresso).

2011 IEEE International SOI Conference. Uniaxial Stress Efficiency for Different Fin Dimensions of Triple-Gate SOI nMOSFETs. 2011. (Congresso).

26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2011.Strain Effectiviness Dependence on Fin Dimensions and Shape for n-type Triple-Gate MuGFETs. 2011. (Simpósio).

Seventh Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator technology, devices and circuits.. Fin Shape Influence on Analog Performance of MuGFETs at Room and at Low Temperature. 2011. (Congresso).

VI SEMINATEC - Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology.Fin Shape Influence on Analog Performance of Standard and Strained MuGFETs at Room and at Low Temperature. 2011. (Seminário).

25th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2010.Analog Parameters of Strained Non-Rectangular Triple Gate FinFETs. 2010. (Simpósio).

Ninth International Workshop on Low Temperature Electronics (WOLTE9). Analog Operation of Non-Rectangular Channel Shape FinFETs at Low Temperature. 2010. (Congresso).

24th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2009. 2009. (Congresso).

EuroSOI 2009 - Fifth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Technology, Devices and Circuits. Cross-Section Shape Influence on Trapezoidal Triple-Gate SOI MOSFET Analog Parameters. 2009. (Congresso).

FDSOI Workshop. 2009. (Seminário).

ISDRS 2009 - International Semiconductor Device Research Symposium.From Micro to Nano FinFETs: The Impact of Channel-Shape on Analog Parameters. 2009. (Simpósio).

V SEMINATEC - Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology.Undoped FinFET Analog Parameters Dependence on Cross-Section Shape. 2009. (Seminário).

23rd Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2008. 2008. (Congresso).

IV SEMINATEC - Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology. 2008. (Seminário).

XXXIII ELEXPO - Exposição de Projetos de Formatura FEI.Sistema de informação de tráfego urbano para apoio ao usuário. 2007. (Outra).

Participação em bancas

Aluno: AUGUSTO ERNI KLAUS EINSFELDT

GIACOMINI, R. C.BUHLER, R. T.; MARTINI, S.. Falhas por eventos únicos em máquinas de estado finitas - análise e proposta de arquitetura tolerante. 2019. Dissertação (Mestrado em Mestrado em Dispositivos Eletrônicos Integrados) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

Aluno: CAMILA RESTANI ALVES

de Souza, MichellySILVA, G. M.BUHLER, R. T.. Análise de Descasamento nas Características Elétricas de SOI nMOSFET de Canal Gradual Operando em Saturação. 2017. Dissertação (Mestrado em Mestrado em Dispositivos Eletrônicos Integrados) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

Aluno: Thales Augusto Ribeiro

Pavanello, M ABUHLER, R. T.Diniz, José Alexandre. Impacto da rotação do substrato sobre as características elétricas de FinFETs de porta tripla. 2016. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

Aluno: Bruna Cardoso Paz

Pavanello, M ABÜHLER, R. T.GIACOMINI, R. C.PERIN, A. L.; ROMERO, M. A.. Avaliação da influência da evolução das tecnologias de fabricação de nanofios transistores MOS sobre suas características elétricas. 2018. Tese (Doutorado em Doutorado em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

Aluno: Flávio Enrico Bergamaschi

PAVANELLO, M.BUHLER, R. T.PEREIRA, A. S. N.. Estudo do transporte de cargas de nanofios transistores SOI MOSFet de porta-ômega sob influência da polarização de substrato. 2020. Exame de qualificação (Doutorando em Doutorado em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

Aluno: Thales Augusto Ribeiro

Pavanello, M ABUHLER, R. T.PEREIRA, A. S. N.. Avaliação e modelagem do transporte de carga em transistores MOS nanométricos para projeto de circuitos CMOS. 2018. Exame de qualificação (Doutorando em Doutorado em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

Aluno: Bruna Cardoso Paz

PAVANELLO, Marcelo A.BUHLER, R. T.PERIN, A. L.. Uma ampla e detalhada investigação sobre as propriedades elétricas de transistores MOS com diferentes arquiteturas. 2017. Exame de qualificação (Doutorando em Doutorado em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

Aluno: Ricardo Germano Stolf

BUHLER, R. T.GIACOMINI, R. C.LIMA, M. R. H.. Efeitos da Radiação Ionizante em Dispositivos Sensores CMOS - 1a Banca. 2015. Exame de qualificação (Doutorando em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

Aluno: Ricardo Germano Stolf

GIACOMINI, R. C.LIMA, M. R. H.BÜHLER, R. T.. Efeitos da Radiação Ionizante em Dispositivos Sensores CMOS - 2a Banca. 2015. Exame de qualificação (Doutorando em Doutorado em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

Aluno: Felipe Furlan Tucciarelli

de Souza, MichellyBUHLER, R. T.SILVA, G. M.. Estudo de células solares implementadas em tecnologia SOI. 2020. Exame de qualificação (Mestrando em Mestrado em Dispositivos Eletrônicos Integrados) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

Aluno: NATASHA CRISTINE CEZARINO MERZBAHCER

GIACOMINI, R. C.de Souza, MichellyBÜHLER, R. T.. Análise da densidade de carga de inversão na condição de limiar em função da temperatura em utbb soi mosfets. 2019. Exame de qualificação (Mestrando em Mestrado em Dispositivos Eletrônicos Integrados) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

Aluno: Fernando Oliveira Souza da Silva

Doria, Rodrigo TrevisoliBUHLER, R. T.GIACOMINI, R. C.. Estudo de diodos PIN fabricados em substratos SOI operando como céculas solares. 2017. Exame de qualificação (Mestrando em Mestrado em Dispositivos Eletrônicos Integrados) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

Aluno: CAMILA RESTANI ALVES

de Souza, MichellyGIMENEZ, S. P.BUHLER, R. T.. Análise de descasamento nas características elétricas de transistores SOI MOSFET de canal gradual operando em saturação. 2017. Exame de qualificação (Mestrando em Mestrado em Dispositivos Eletrônicos Integrados) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

Aluno: Felipe Gustavo Hernandes Leite

GIACOMINI, R. C.BUHLER, R. T.BENKO, P.. Metodologia de testes para sistemas eletrônicos expostos à radiação ionizante. 2017. Exame de qualificação (Mestrando em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

Aluno: Juliano Alves de Oliveira

GIACOMINI, R. C.BÜHLER, R. T.MELO, M. A. A.. Efeito de Eventos Únicos em Transistores MOS: Desenvolvimento de Procedimentos Esperimentais. 2016. Exame de qualificação (Mestrando em Mestrado em Dispositivos Eletrônicos Integrados) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

BÜHLER, R. T.. Banca Avaliadora - InovaFEI. 2017. FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

BÜHLER, R. T.. Avaliador - SICFEI. 2017. FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

BÜHLER, R. T.. Banca Avaliadora - InovaFEI. 2016. FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS.

Orientou

Nascimento; F; Berard; P; Eugman; R; Soares; Y; Rodrigues; Linha de Bloqueio; Início: 2022; Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS; (Orientador);

FERNANDO HENRIQUE O SILVA

SIMULAÇÃO DE SENSORES EM MATERIAIS INTELIGENTES; Início: 2021; Iniciação científica (Graduando em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS; (Orientador);

Gustavo Justo Montesani

Desenvolvimento, simulação e modelagem de sensores e materiais depositados sobre SiO2; 2021; Dissertação (Mestrado em Mestrado em Dispositivos Eletrônicos Integrados) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS, ; Coorientador: Rudolf Theoderich Bühler;

H; BOTELHO; G; S; BELLEMO; R; CORREA; R; P; MENOLLI; SISTEMA DE MOBILIDADE URBANA PARA DEFICIENTES VISUAIS; 2022; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS; Orientador: Rudolf Theoderich Bühler;

GRANADO; J; JÚNIOR; L; FERNANDES; M; TAKARADA; PROJETO SMARTLIGHT: Controle dinâmico e eficiente de iluminação; 2022; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS; Orientador: Rudolf Theoderich Bühler;

PARANHOS; J; SILVA; L; SANTOS; N; MUNHOZ; AUTOMAÇÃO DE VIDRO ELETROCRÔMICO PARA CONTROLE DE ILUMINAÇÃO NATURAL E TEMPERATURA DE AMBIENTES INTERNOS; 2022; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS; Orientador: Rudolf Theoderich Bühler;

U; SILVA; V; O; B; DAMIÃO; V; O; VALÉRIO; V; S; BARBOSA; MAPEAMENTO CEREBRAL DURANTE ATIVIDADE COGNITIVA: Proposta de Metodologia De Acompanhamento Por Eletroencefalografia; 2021; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS; Orientador: Rudolf Theoderich Bühler;

Carvalho; D; Leite; L; Novais; P; Lima; R; Casassa; S; A; I COVID-19 - Sistema de Análise Inicial para Monitoramento da COVID-19; 2021; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS; Orientador: Rudolf Theoderich Bühler;

JUNIOR; ARAUJO; SANTIAGO; COSTA; GAZIGNATO; MACEDO

ROTAS SUSTENTÁVEIS PARA VEÍCULOS URBANOS; 2020; Trabalho de Conclusão de Curso; (Graduação em Engenharia de Automação e Controle) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS; Orientador: Rudolf Theoderich Bühler;

Gustavo Justo Montesani

Automatização do Equipamento de Tensionamento Mecânico; 2018; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS; Orientador: Rudolf Theoderich Bühler;

Guilherme Ferreira Paschoal

Projeto e implementação de estruturas de teste e foto-sensores; 2016; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS, FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS; Orientador: Rudolf Theoderich Bühler;

Edgard Teixeira Cansio

Simulação e Análise de Diodos PIN SOI em Ambientes Hostis; 2016; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS; Orientador: Rudolf Theoderich Bühler;

Gustavo Justo Montesani

Efeito do Tensionamento Mecânico em Fotodiodos PIN; 2016; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Elétrica) - FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS; Orientador: Rudolf Theoderich Bühler;

Produções bibliográficas

SERRALVO NETO, RAFAEL ; PALERMO, JOAO BRUNO ; GIACOMINI, RENATO ; RODRIGUES, MICHELE ; DELATORE, FABIO ; ROSSI, GIOVANA BETONI ; Galeti, Milene ; BÜHLER, Rudolf Theoderich . Performance Prediction of a 4WD High-Performance Electric Vehicle Using a Model-Based Torque-Vectoring Approach. World Electric Vehicle Journal , v. 14, p. 183, 2023.
BARSOCCHI TESTA PESSOA, BEATRIZ ; FIDELIX PEREIRA, CLEITON ; LUIZ BENKO, PEDRO ; GERMANO STOLF, RICARDO ; LUIZ PERIN, ANDRÉ ; CESAR LUCCHI, JULIO ; Galeti, Milene ; THEODERICH BUHLER, RUDOLF ; CAMARGO GIACOMINI, RENATO . Pseudo-Resistor-Based ECG Amplifier: Design, Implementation and Temperature Characterization. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS) , v. 18, p. 1-7, 2023.
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NOVO, CARLA ; BUHLER, RUDOLF ; ZAPATA, RENATO ; GIACOMINI, RENATO . Responsivity improvement for short wavelenghts using full-gated PIN lateral SiGe diode. In: 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2016, Belo Horizonte. 2016 31st Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). p. 1.
BÜHLER, R. T. ; ENEMAN, G. ; FAVIA, P. ; WITTERS, L. ; VINCENT, B. ; HIKAVYY, A. ; LOO, R. ; BENDER, H. ; COLLAERT, N. ; Simoen, E. ; Martino, J A ; CLAEYS, C. . Strain characterization and simulation for MOSFETs with embedded source/drain stressors. In: IX SEMINATEC - Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2014, São Paulo. IX SEMINATEC - Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2014.
BÜHLER, R. T. ; Simoen, E. ; Agopian, P. G. D. ; Claeys, C. ; Martino, J A . Fin Dimension Influence on Mechanical Stressors in Triple-Gate SOI nMOSFETs. In: 223rd Electrochemical Society Meeting - Advanced Semiconductor-On-Insulator Technology and Related Physics, 2013, Toronto. ECS Transactions - Advanced Semiconductor-On-Insulator Technology and Related Physics, 2013. v. 1.
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Bühler, R T ; Agopian, P. G. D. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Martino, J A . Biaxial Stress Influence on Total Resistance and Transconductance in Triple-Gate n-type SOI MuGFETs. In: VII SEMINATEC - Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2012, São Bernardo do Campo. VII SEMINATEC - Conference Proceedings, 2012. v. 1.
BÜHLER, R. T. ; Agopian, P. G. D. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Martino, J A . Biaxial Stress Simulation and Electrical Characterization of Triple-Gate SOI nMOSFETs. In: 27th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro2012, 2012, Brasilia. ECS Transactions - Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2012, 2012. v. 1.
Bühler, R T ; Agopian, P. G. D. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Martino, J A . SEG and Fin Dimensions Influence on Biaxial Stress Effectiveness in Tri-Gate SOI nMOSFETs. In: Seventh Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator technology, devices and circuits., 2012, Montpellier. EUROSOI 2012 - Conference Proceedings, 2012. v. 1. p. 121-122.
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BU'HLER, RUDOLF T. ; GIACOMINI, RENATO C. ; AGOPIAN, PAULA G. ; MARTINO, JOA'O A. . Strain Effectiveness Dependence on Fin Dimensions and Shape for n-type Triple-Gate MuGFETs. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2011), 2011, Joao Pessoa. v. 1. p. 207-214.
BUHLER, R. T. ; Agopian, P. G. D. ; GIACOMINI, R. ; Simoen, E. ; CLAEYS, C. ; MARTINO, J. A. . Uniaxial stress efficiency for different fin dimensions of triple-gate SOI nMOSFETs. In: 2011 IEEE International SOI Conference, 2011, Tempe. IEEE 2011 International SOI Conference. v. 1. p. 1.
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BU'HLER, RUDOLF T. ; GIACOMINI, RENATO C. ; MARTINO, JOA'O A. ; PAVANELLO, M. ; CLAEYS, C. ; MARTINO, J. . Analog Parameters of Strained Non-Rectangular Triple Gate FinFETs. In: 25th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2010, Sao Paulo. v. 31. p. 21.
Bühler, R T ; Martino, J A ; Agopian, P. G. D. ; Giacomini, R ; Simoen, E. ; Claeys, C. . Fin Shape Influence on the Analog Performance of Standard and Strained MuGFETs. In: 2010 IEEE International SOI Conference, 2010, San Diego. 2010 IEEE International SOI Conference Proceedings, 2010. v. 1. p. 84-85.
BÜHLER, Rudolf Theoderich ; MARTINO, João Antonio ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; GIACOMINI, Renato Camargo . Cross-Section Shape Influence on Trapezoidal Triple-Gate SOI MOSFET Analog Parameters. In: EuroSOI 2009 - Fifth Workshop of the Thematic Network on Silicon-On-Insulator Technology, Devices and Circuits, 2009, Göteborg. EUROSOI 2009 - Conference Proceedings, 2009. v. 1. p. 49-50.
Bühler, R T ; Giacomini, R ; Pavanello, M A ; Martino, J A . From micro to nano FinFETs: The impact of channel-shape on analog parameters. In: ISDRS 2009 - International Semiconductor Device Research Symposium, 2009, College Park. 2009 International Semiconductor Device Research Symposium - Symposium Proceedings, 2009. v. 1.
DONATO, G. ; BÜHLER, R. T. ; GIACOMINI, R. C. . Temperature and Wavelegth Impact in Lateral PIN SOI Photodiode?s Current with Second Interface Bias. In: 16th Student Forum on Microelectronics (SForum), 2016, Minas gerais. 2016 16th Student Forum on Microelectronics (SForum), 2016.
PERIN, A. L. ; PEREIRA, A. S. N. ; BUHLER, R. T. ; SILVEIRA, M. A. G. ; GIACOMINI, R. C. . Assessment of Single-Event Effects Hardness on Logic Circuits Based on SOI Stacked Devices. In: VI WERICE AEROESPACIAL ? WERICE 2015, 2015, São José dos Campos. VI WORKSHOP SOBRE OS EFEITOS DAS RADIAÇÕES IONIZANTES EM COMPONENTES ELETRÔNICOS E FOTÔNICOS DE USO AEROESPACIAL, 2015. v. 1.
Bühler, R T ; Agopian, P. G. D. ; Giacomini, R ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Martino, J A . Fin Shape Influence on Analog Performance of Standard and Strained MuGFETs at Room and at Low Temperature. In: VI SEMINATEC - Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2011, Campinas. VI SEMINATEC - Conference Proceedings, 2011. v. 1.
BÜHLER, R. T. ; Agopian, P. G. D. ; GIACOMINI, Renato Camargo ; MARTINO, João Antonio . First and Second Order Substrate Bias Influence on FinFETs. In: 9th Student Forum on Microelectronics, 2009, Chip on the Dunes - Natal. Proceedings of IX Student Forum on Microelectronics, 2009.
BÜHLER, Rudolf Theoderich ; MARTINO, João Antonio ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; GIACOMINI, Renato Camargo . Undoped FinFET Analog Parameters Dependence on Cross-Section Shape. In: V SEMINATEC - Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology, 2009, Campinas. V SEMINATEC - Conference Proceedings, 2009. v. 1.
BÜHLER, Rudolf Theoderich ; GIACOMINI, Renato Camargo . Study of Transconductance for Doped Triple Gate Transistors. In: 8th Student Forum on Microelectronics, 2008, Chip on the Pampa - Gramado. Proceedings of VIII Student Forum on Microelectronics, 2008.
MONTESANI, G. J. ; SANTOS, M. V. P. ; LIMA, L. P. B. ; PERIN, A. L. ; PEREIRA, C. F. ; BUHLER, R. T. ; GIACOMINI, R. C. . Electrical Conduction Simulation of Nanogranular Systems Using Conventional TCAD Semiconductor Numerical Simulator Tool. In: SEMINATEC (Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology), 2021, São Paulo. SEMINATEC (Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology), 2021.
Bühler, R T ; NOVO, C. ; SILVEIRA, M. A. G. ; GIACOMINI, R. C. . Gated SiGe PIN Diodes Exposed to Visible Light Spectrum and Heavy-ion Radiation. 2016. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
BÜHLER, R. T. ; PERIN, A. L. ; NOVO, C. D. ; SILVEIRA, M. A. G. ; GIACOMINI, R. C. . Analysis of Heavy-Ion Particles Striking Regions Inside and Between SiGe PIN Photodetectors. 2016. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
PERIN, A. L. ; BÜHLER, R. T. ; GIACOMINI, R. C. . Experimental equipment design and setup for measuring electronic devices under magnetic fields. 2016. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
Bühler, R T ; Agopian, P. G. D. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Martino, J A . Biaxial Stress Influence on Total Resistance and Transconductance in Triple-Gate n-type SOI MuGFETs. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
BÜHLER, R. T. ; Agopian, P. G. D. ; Giacomini, R ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Martino, J A . Uniaxial Stress Efficiency for Different Fin Dimensions of Triple-Gate SOI nMOSFETs. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
Bühler, R T ; Giacomini, R ; Agopian, P. G. D. ; MARTINO, João Antonio . Strain Effectiviness Dependence on Fin Dimensions and Shape for n-type Triple-Gate MuGFETs. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
Bühler, R T ; Agopian, P. G. D. ; Giacomini, R ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Martino, J A . Fin Shape Influence on Analog Performance of Standard and Strained MuGFETs at Room and at Low Temperature. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
BÜHLER, R. T. ; Martino, J A ; Agopian, P. G. D. ; Giacomini, R ; Simoen, E. ; Claeys, C. . Fin Shape Influence on Analog Performance of MuGFETs at Room and at Low Temperature. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
BÜHLER, R. T. ; Giacomini, R ; Martino, J A . Analog Parameters of Strained Non-Rectangular Triple Gate FinFETs. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
BÜHLER, R. T. ; Martino, J A ; Agopian, P. G. D. ; Giacomini, R ; Simoen, E. ; Claeys, C. . Fin Shape Influence on the Analog Performance of Standard and Strained MuGFETs. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
BÜHLER, Rudolf Theoderich ; GIACOMINI, Renato Camargo ; MARTINO, João Antonio . Analog Operation of Non-Rectangular Channel Shape FinFETs at Low Temperature. 2010. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
BÜHLER, Rudolf Theoderich ; MARTINO, João Antonio ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; GIACOMINI, Renato Camargo . Undoped FinFET Analog Parameters Dependence on Cross-Section Shape. 2009. (Apresentação de Trabalho/Seminário).
Bühler, R T ; Giacomini, R ; Pavanello, M A ; Martino, J A . From Micro to Nano FinFETs: The Impact of Channel-Shape on Analog Parameters. 2009. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).
BÜHLER, R. T. ; Agopian, P. G. D. ; GIACOMINI, Renato Camargo ; MARTINO, João Antonio . First and Second Order Substrate Bias Influence on FinFETs. 2009. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
BÜHLER, Rudolf Theoderich ; MARTINO, João Antonio ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; GIACOMINI, Renato Camargo . Cross-Section Shape Influence on Trapezoidal Triple-Gate SOI MOSFET Analog Parameters. 2009. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
Bühler, R T ; GIACOMINI, Renato Camargo . Study of Transconductance for Doped Triple Gate Transistors. 2008. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

Outras produções

BUHLER, R. T. ; UOL, G. . Qual é o segredo da balança digital, queridinha dos brasileiros na cozinha?. 2023. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

BUHLER, R. T. ; UOL, G. . Computador e notebook mais lentos no verão? Saiba o que fazer para resolver. 2023. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

GLOBO, R. ; BUHLER, R. T. . Sanduicheira toaster ou grill? g1 testa modelos que vão do lanche ao ovo 'frito'. 2022. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

GLOBO, R. ; BUHLER, R. T. . Mulher morre em São Paulo depois de encostar em poste energizado. 2022. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

BANDEIRANTES, R. ; BUHLER, R. T. . Cigarro eletrônico - Riscos de explosão. 2022. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

GLOBO, R. ; BUHLER, R. T. . Como escolher lava-louças. 2022. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

UOL, G. ; BUHLER, R. T. . Tamanho da air fryer importa? Causa câncer? Confira dicas de quem manja. 2022. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

UOL, G. ; BUHLER, R. T. . MÚSCULO OU GORDURA? Saiba como funcionam as balanças de bioimpedância. 2022. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

UOL, G. ; BUHLER, R. T. . Controle remoto: como celular já consegue comandar seu carro à distância. 2022. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

BUHLER, R. T. ; UOL, G. . Meu celular não carrega, o que fazer? Veja 6 dicas caseiras. 2022. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

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BUHLER, R. T. ; UOL, G. . Panela de pressão elétrica é segura? Pode explodir? Cozinha mais rápido?. 2022. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

PAULO, F. S. ; BUHLER, R. T. . Manutenção de ar-condicionado comercial ganha mais relevância. 2021. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

AECWEB, P. ; BUHLER, R. T. . 5 cuidados para garantir segurança à instalação elétrica de ar-condicionado. 2021. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

S.A, R. E. T. R. ; BUHLER, R. T. . Devo tirar aparelhos elétricos da tomada quando está caindo raio?. 2021. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

UOL, G. ; BUHLER, R. T. . Fones de ouvido podem matar de choque? Veja o que dizem os especialistas. 2021. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

FEI, C. U. ; BUHLER, R. T. . Vale iniciar a graduação no próximo semestre?. 2021. (Programa de rádio ou TV/Mesa redonda).

S.A, R. E. T. R. ; BUHLER, R. T. . O tempo de banho ideal para ser saudável sem pesar tanto no bolso. 2021. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

UOL, G. ; BUHLER, R. T. . Rainha da área de serviço: como é a tecnologia por trás da máquina de lavar. 2021. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

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EDUCADORA, R. ; BUHLER, R. T. . PIX. 2021. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

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PAULO, O. E. S. ; LTDA, T. N. B. ; BUHLER, R. T. . QR Code ou Código QR: saiba o que é, como usar e como criar o seu. 2020. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

UOL, G. ; BUHLER, R. T. . Carregador sem fio pode estragar bateria do celular? Entenda como funciona. 2020. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

UOL, G. ; BUHLER, R. T. . Ponte entre aparelhos: como cabos USB conseguem transmitir dados e energia?. 2020. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

UOL, G. ; BUHLER, R. T. . O que quer dizer wi-fi e por que ele te deixa conectado à web sem fios?. 2020. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

FM, R. L. ; BUHLER, R. T. . PIX: Especialista destaca mudanças previstas no mercado. 2020. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

EDUCADORA, R. ; BUHLER, R. T. . PIX: NOVA FORMA DE PAGAMENTO PODE MUDAR DRASTICAMENTE O MERCADO. 2020. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

PAN, R. J. ; BUHLER, R. T. . PIX inicia fase de testes em 3 de novembro. 2020. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

SANTOS, R. M. F. ; BUHLER, R. T. . PIX. 2020. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

PAULO, O. E. S. ; BUHLER, R. T. . Como escolher o processador certo. 2020. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

UOL, G. ; BUHLER, R. T. . O que fazer quando a energia vai e volta? Veja cuidados com os eletrônicos. 2020. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

FEI, C. U. ; BUHLER, R. T. . PLAYSTATION 5: ENTENDA A ENGENHARIA POR TRÁS DO NOVO CONSOLE. 2020. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

S.A, R. E. T. R. ; BUHLER, R. T. . Altas temperaturas do verão podem causar danos ao celular. 2020. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

GLOBO, R. ; BUHLER, R. T. . Por que incêndios começam em aparelhos de ar condicionado. 2019. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

BANDEIRANTES, R. ; BUHLER, R. T. . Ar condicionado: riscos e manutenção. 2019. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

GLOBO, R. ; BÜHLER, R. T. . Entenda as bandeiras tarifárias da conta de luz. 2019. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

UOL, G. ; BUHLER, R. T. . Faz mal para a saúde? Veja como micro-ondas funciona e salva nosso tempo. 2019. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

UOL, G. ; BUHLER, R. T. . Como saber se é hora de trocar computador que lento ou travando?. 2019. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

ITAQUERA, D. ; BUHLER, R. T. . Dicas para deixar a casa segura. 2019. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

BÜHLER, R. T. ; Giacomini, R ; PAVANELLO, Marcelo Antonio ; de Souza, Michelly ; GIMENEZ, S. P. ; Doria, Rodrigo Trevisoli . Microeletrônica Experimental. 2018. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).

de Souza, Michelly ; GIACOMINI, R. C. ; BUHLER, R. T. ; Doria, Renan Trevisoli ; Doria, Rodrigo Trevisoli ; GIMENEZ, S. P. ; PEREIRA, A. S. N. . Microeletrônica Experimental. 2017. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).

Projetos de pesquisa

2020 - Atual

Centro de Pesquisa e Análise de São Paulo, Descrição: Durante os últimos 15 anos, o Centro de Pesquisa e Análise de São Paulo (SPRACE) consolidou sua participação no experimento Compact Muon Solenoid (CMS) do Large Hadron Collider do CERN. O presente projeto dá prosseguimento à história bem sucedida do SPRACE como um grupo de física de altas energias que realiza análises físicas em Física Além do Modelo Padrão e em Heavy Ions, além de operar o BR-SP-SPRACE, a primeira Tier-2 oficial do Worldwide LHC Computing Grid na América Latina. Além de um programa relevante de pesquisa em física fundamental das interações eletrofracas e fortes, nos próximos 5 anos vamos alavancar nosso trabalho em instrumentação científica, em uníssono com o setor privado, para contribuir com projetos de P&D audaciosos para a Fase 2 do upgrade do detector CMS, procurando promover a transferência de tecnologias de ponta para a indústria brasileira. Além disso, o SPRACE pretende manter os tradicionais programas de divulgação para disseminar as ideias e conceitos de física de altas energias para estudantes do ensino médio e para o público em geral.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / Renato Camargo Giacomini - Integrante / Marcilei A. G. da Silveira - Integrante / Sergio Ferraz Novaes - Coordenador.
2018 - 2023

Desenvolvimento de sensores em materiais inteligentes: simulação, processo de fabricação e caracterização de dispositivos, Descrição: Os sensores possuem papel de destaque na sociedade moderna, sendo peças chave em aplicações industriais, acadêmicas e sociais, contribuindo para melhora da qualidade de vida. Inovações surgem diariamente através do uso de novos materiais inteligentes em um mercado que cresce rápido e cujo impacto econômico estimado alcançará em 2025 entre $3,9 e $11,1 trilhões de dólares, comparável ao PIB entre Alemanha e China. Para que o mercado consiga atender a essa crescente demanda, a pesquisa e o desenvolvimento de novos materiais e novas tecnologias que auxiliem na sua miniaturização se faz por necessária em um momento único na economia para a pesquisa nacional e é onde este projeto (Processo: 436207/2018-4) se encaixa. Sua finalidade é contornar os problemas presentes no cenário nacional ao abordar de forma direta o desenvolvimento de sensores magnéticos, de deformação mecânica, luz e umidade, utilizando materiais inteligentes através de etapas de desenvolvimento que compreenderão a simulação numérica, processo de fabricação e caracterização elétrica dos sensores. Os sensores serão fabricados utilizando materiais inteligentes cujas propriedades podem ser significativamente alteradas de maneira controlada por estímulos externos. Isso permitirá o desenvolvimento e fabricação de sensores de deformação mecânica, campo magnético, luz e umidade em estruturas nanofio. A fabricação utilizará a infraestrutura dos laboratórios do CCS Nano, LPD, Laboratório de filmes finos e IF-LMBT da Universidade Estadual de Campinas e os laboratórios avançados de caracterização e simulação elétrica do Centro Universitário FEI. O projeto contará com a experiência dos pesquisadores associados para expansão dos conhecimentos físicos teóricos e práticos, permitindo manter a sintonia com a pesquisa de microeletrônica internacional em seu estado da arte, fomentando a indústria nacional com tecnologia de alto nível através da capacitação e execução de projetos que desenvolvam estas tecnologias no país.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Coordenador / Renato Camargo Giacomini - Integrante / André Luiz Perin - Integrante / Marcos Vinicius Puydinger dos Santos - Integrante / Lucas Petersen Barbosa Lima - Integrante / Cleiton Fidelix Pereira - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2012 - Atual

Projeto CITAR, Descrição: Desenvolvimento de metodologias e de projetos de circuitos integrados tolerantes a radiação para aplicações médicas e espaciais. O objetivo do projeto é consolidar, no Brasil, a competência para a realização do ciclo completo de desenvolvimento (especificação, projeto, simulação, layout, envio para fabricação, encapsulamento, teste e qualificação) de Circuitos Integrados tolerantes a radiações, para aplicações aeroespaciais e afins como médica e automotiva. As atividades serão focadas no desenvolvimento de CI´s demandados pelo programa espacial brasileiro.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / Renato Camargo Giacomini - Integrante / André Luiz Perin - Integrante / Marcilei A. G. da Silveira - Integrante / Saulo Finco - Coordenador / Carla Novo - Integrante., Financiador(es): FINEP - Outra.
2010 - 2012

Modelagem e simulação de transistores de múltiplas portas em escala nanométrica, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Renato Camargo Giacomini em 03/04/2019., Descrição: A tecnologia Silício-sobre-Isolante (Silicon-on-Insulator - SOI) tem evoluído e oferecido novas geometrias para os dispositivos, como os transistores SOI de múltiplas portas, que possuem excelentes características elétricas. Entre os novos dispositivos, o FinFET tem se mostrado um considerável candidato às futuras aplicações industriais. Por sua complexidade construtiva e dimensões reduzidas, o FinFET não conta ainda com um modelo analítico consolidado e nem mesmo seu funcionamento é bem estabelecido em todas as condições de operação. O presente projeto tem como principal objetivo a simulação numérica tridimensional de transistores de múltiplas portas, icluindo FinFETs e a partir dos resultados obtidos através das simulações investigar grandezas internas locais dos dispositivos, tais como distribuição do potencial elétrico, mobilidade de portadores e densidade de corrente em cada ponto interno da região ativa. Algumas destas grandezas não são passíveis de ser obtidas experimentalmente, podendo apenas ser avaliadas por simulação numérica. Alguns dispositivos já disponíveis devem ser caracterizados, no entanto, para ajuste do simulador numérico. A investigação gerará subsídios para a proposição de novos modelos analíticos dos transistores, bem como para o conhecimento mais profundo de seu funcionamento. Como principais resultados esperam-se: a geração de conteúdo relevante na fronteira da ciência para a comunidade, a ser divulgado através de artigos em periódicos, e a capacitação de recursos humanos no nível de mestrado.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (1) . , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / Michelly de Souza - Integrante / Paula Ghedini Der Agopian - Integrante / Pavanello, M A - Integrante / Renato Camargo Giacomini - Coordenador / MARTINO, J. - Integrante / Frederico Marion Madeira - Integrante / Cristiano Tavares Malheiros - Integrante.
2009 - 2013

Projeto, fabricação e caracterização de transistores FinFETs, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) João Antonio Martino em 16/12/2018., Descrição: Este projeto de pesquisa (FAPESP-Temático, Processo 2008/05792-4) tem como finalidade o projeto, fabricação, caracterização elétrica e modelagem de transistores construídos em lâminas de silício sobre isolante SOI (Silicon-On-Insulator) de múltiplas portas, com canal vertical, denominado de FinFET.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / José Alexandre Diniz - Integrante / Sebastião Gomes dos Santos Filho - Integrante / Antonio Carlos Seabra - Integrante / Pavanello, M A - Integrante / Renato Camargo Giacomini - Integrante / MARTINO, J. A. - Coordenador.
2009 - 2011

Modelagem Analítica e Caracterização Elétrica de Transistores SOI-MOS com Canal Uniformemente Dopado e Gradual com Múltiplas Portas, Descrição: Neste projeto de cooperação internacional entre estre o Centro Universitário da FEI, A Universidade de São Paulo, A Universidad Catolica del Uruguay e a Universidad Simon Bolivar (Venezuela) se pretende congregar as competências dos diversos grupos, buscando o estudo e potencial desenvolvimento de novos modelos analíticos para transistores de canal uniformemente dopado e gradual, com uma ou múltiplas portas, para variáveis importantes e ainda pouco exploradas ou inexploradas, como o ruído de baixa freqüência, o tempo de geração e recombinação, entre outras, apoiados por resultados de caracterização elétrica. As principais componentes físicas influenciando os efeitos analisados serão identificadas com o auxílio de simulações bidimensionais e tridimensionais. O sucesso no desenvolvimento deste projeto aumentará a participação sul-americana na produção de conhecimento na área de tecnologia de dispositivos semicondutores de última geração. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (1) . , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / Renato Camargo Giacomini - Integrante / Marcelo Antonio Pavanello - Coordenador / João Antonio Martino - Integrante / Victor Sonnenberg - Integrante / Milene Galeti - Integrante / Michelly de Souza - Integrante / Alfredo Arnaud - Integrante / Renan Trevisoli Doria - Integrante / Matias Miguez - Integrante / Francisco Garcia-Sanchez - Integrante / Adelmo Ortiz-Conde - Integrante / Juan Muci - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

Projetos de desenvolvimento

2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, o qual é o alvo deste projeto de treinamento. Estamos solicitando para isto 2 bolsas de estágio de treinamento no exterior (SPE), de 4 meses cada, para 2 pesquisadores estudarem estes programas (cada um estuda um dos programas).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) de estágio de treinamento no exterior (SPE), em cooperação com instituições nacionais e estrangeiras. Tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, alvo deste projeto de treinamento.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento.
2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) de estágio de treinamento no exterior (SPE), em cooperação com instituições nacionais e estrangeiras. Tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, alvo deste projeto de treinamento.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) de estágio de treinamento no exterior (SPE), em cooperação com instituições nacionais e estrangeiras. Tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, alvo deste projeto de treinamento.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) de estágio de treinamento no exterior (SPE), em cooperação com instituições nacionais e estrangeiras. Tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, alvo deste projeto de treinamento.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) de estágio de treinamento no exterior (SPE), em cooperação com instituições nacionais e estrangeiras. Tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, alvo deste projeto de treinamento.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2022 - Atual

Pesquisa, Desenvolvimento para a transformação digital na engenharia de pesagem, Descrição: Objetivando a virtualização do processo de pesagem, este projeto pretende desenvolver um algoritmo que possa ser utilizado pela empresa como insumo para avançar na tecnologia de estimação de peso de animais vivos por meio das técnicas de reconhecimento de imagem e aprendizado de máquina.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / Michele Rodrigues Hempel Lima - Coordenador / Wellington Cássio Pinheiro - Integrante.
2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) de estágio de treinamento no exterior (SPE), em cooperação com instituições nacionais e estrangeiras. Tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, alvo deste projeto de treinamento.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.
2022 - 2023

Pesquisa, Desenvolvimento para a transformação digital na engenharia de pesagem, Projeto certificado pela empresa TOLEDO DO BRASIL INDUSTRIA DE BALANCAS LTDA em 20/06/2023., Descrição: Objetivando a virtualização do processo de pesagem, este projeto pretende desenvolver um algoritmo que possa ser utilizado pela empresa como insumo para avançar na tecnologia de estimação de peso de animais vivos por meio das técnicas de reconhecimento de imagem e aprendizado de máquina.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / Michele Rodrigues Hempel Lima - Coordenador / Wellington Cássio Pinheiro - Integrante.
2010 - 2011

Estudo e Aplicação de um Simulador Numérico Tridimensional de Transistores SOI com Canal Tensionado para Circuitos Integrados Avançados, Descrição: Este projeto de pesquisa (CNPq - n. 557225/2009-4) de estágio de treinamento no exterior (SPE), em cooperação com instituições nacionais e estrangeiras. Tem como finalidade o estudo teórico/prático de um simulador numérico tridimensional capaz de simular transistores FinFET com canal tensionado. Serão utilizados os programas FLOOPS (Simulação de Processos) e FLOODS (Simulação de Dispositivos), ambos em desenvolvimento na Universidade da Flórida. Tanto a instalação como o uso deste tipo de programa exige um treinamento especial de pelo menos 4 meses, alvo deste projeto de treinamento.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Rudolf Theoderich Bühler - Integrante / João Antonio Martino - Coordenador / Sara Dereste dos Santos - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

Prêmios

2017

Best Paper Award - 2nd International Symposium on Instrumentation Systems, Circuits and Transducers, Sociedade Brasileira de Microeletrônica.

2011

Best Paper Award - 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices, Sociedade Brasileira de Microeletrônica.

2008

Certificado de segunda colocação na turma de formandos 2007 entre todos os alunos de engenharia elétrica, Centro Universitário da FEI.

Histórico profissional

Endereço profissional

Instituto Mauá de Tecnologia, Centro Universitário do Instituto Mauá de Tecnologia. , Praça Mauá, 1, Mauá, 09580900 - São Caetano do Sul, SP - Brasil, Telefone: (11) 42393000, URL da Homepage:

Experiência profissional

2024 - Atual

Instituto Maua de Tecnologia

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor, Carga horária: 28

Outras informações:
1 Semestre 2024 - TTI103 - Lógica de Programação / CIC305 - Redes de Computadores e Segurança Cibernética / CIC204 - Projeto Integrador Interdisciplinar - Ciência da Computação / SIN204 - Projeto Integrador Interdisciplinar - Sistemas de Informação / TTI105 - Projeto Integrador Interdisciplinar - Programação

2024 - Atual

Instituto Maua de Tecnologia

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor Tempo Integral, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Coordenador dos cursos de graduação em Ciência da Computação, Sistemas de Informação e Inteligência Artificial e Ciência de Dados no Instituto Mauá de Tecnologia. Professor no Instituto Mauá de Tecnologia.

2023 - Atual

Instituto Maua de Tecnologia

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor

Outras informações:
Professor da Ciência da Computação, Sistemas de Informação e CIência de dados e Inteligência Artificial. Professor Tempo Parcial, com 6 horas de dedicação Coordenador da disciplina de Estatística (2024 - Atual) e Projeto Integrador de Sistemas de Informação (2023 - Atual). Representante docente no Colegiado do Curso de Ciência da Computação (2024 - Atual) e do Curso de Sistemas de Informação (2023 - Atual).

2023 - 2023

Instituto Maua de Tecnologia

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor, Carga horária: 22

Outras informações:
1 Semestre 2023 - TTI103 - Lógica de Programação / TTI105 - Projeto Integrador Interdisciplinar - Programação / SIN204 - Projeto Integrador Interdisciplinar - Sistemas de Informação

2023 - 2023

Instituto Maua de Tecnologia

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor, Carga horária: 14

Outras informações:
2 Semestre 2023 - TTI109 - Estatística / TTI111 - Projeto Integrador Interdisciplinar - Front End / TTI206 - Projeto Integrador Interdisciplinar - Desenvolvimento Multiplataforma

2024 - 2025

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto 1, Carga horária: 18

Outras informações:
PRÁTICAS DE INOVAÇÃO VI / DESENV.DE ALGORITMOS / ELETRÔNICA GERAL / ELETRICIDADE GERAL / INSTALAÇÕES ELÉTRICAS E LUMINOTÉCNICA

2019 - 2025

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto 1

Outras informações:
Professor da Engenharia Elétrica, da Automação e Controle e Ciência da Computação Coordenador da disciplina de Eletrônica Geral (2020 - 2024) Coordenador da disciplina de Práticas de Inovação IV (2023 - 2024) Coordenador da disciplina de Práticas de Inovação VI (2023 - 2024)

2023 - 2024

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto 1, Carga horária: 22

Outras informações:
2 Semestre 2023 - PRÁTICAS DE INOVAÇÃO VI / DESENV.DE ALGORITMOS / ELETRÔNICA GERAL / ELETRICIDADE GERAL

2023 - 2023

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto 1, Carga horária: 27

Outras informações:
1 Semestre 2023 - PRÁTICAS DE INOVAÇÃO VI / DESENV.DE ALGORITMOS / ELETRÔNICA GERAL / ELETRICIDADE GERAL / SISTEMAS DIGITAIS I / ESTAGIO SUPERV.EM ENG.ELETRICA / MICROCONTROLADORES

2022 - 2023

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto 1, Carga horária: 31

Outras informações:
2 Semestre 2022 - PRÁTICAS DE INOVAÇÃO VI / DESENV.DE ALGORITMOS / ELETRÔNICA GERAL / ELETRICIDADE GERAL / SISTEMAS DIGITAIS I / ESTAGIO SUPERV.EM ENG.ELETRICA

2022 - 2022

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto 1, Carga horária: 36

Outras informações:
PRÁTICAS DE INOVAÇÃO IV / PRÁTICAS DE INOVAÇÃO VI / DESENV.DE ALGORITMOS / INST.ELÉT.E LUMINOTECNICA / ELETRÔNICA GERAL / ELETRICIDADE GERAL / ELETRICIDADE BÁSICA / SISTEMAS DIGITAIS PARA CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO / SISTEMAS DIGITAIS I / SISTEMAS DIGITAIS II

2021 - 2022

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto 1, Carga horária: 32

Outras informações:
2 Semestre 2021 - PRÁTICAS DE INOVAÇÃO IV / ELETRÔNICA GERAL / ELETRICIDADE GERAL / ELETRICIDADE BÁSICA / SISTEMAS DIGITAIS I / SISTEMAS DIGITAIS II

2021 - 2021

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto 1, Carga horária: 32

Outras informações:
1 Semestre 2021 - SISTEMAS DIGITAIS I / SISTEMAS DIGITAIS II / ELETRICIDADE GERAL / ELETRICIDADE BÁSICA / ELETRÔNICA GERAL / ESTÁGIO SUPERV.EM ENG.ELETRICA / TRABALHO FINAL DE CURSO II

2020 - 2021

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto 1, Carga horária: 28

Outras informações:
2 Semestre 2020 - SISTEMAS DIGITAIS I / SISTEMAS DIGITAIS II / ELETRICIDADE GERAL / ELETRÔNICA GERAL / ESTÁGIO SUPERV.EM ENG.ELETRICA / TRABALHO FINAL DE CURSO II

2016 - 2019

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros

Vínculo: não remunerado, Enquadramento Funcional: Professor (bolsista com turmas atribuídas), Carga horária: 8, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Professor da Engenharia Elétrica e da Pós-Graduação. Aulas Graduação: NE7720 - Laboratório de Sistemas Digitais II (Período: 1 semestre 2018 - Noturno) / NE7720 - Laboratório de Sistemas Digitais II (Período: 2 semestre 2017 - Noturno) / NE8440 - Laboratório de Microeletrônica (Período: 2 semestre 2017 - Noturno) / NE7720 - Laboratório de Sistemas Digitais II (Período: 1 semestre 2017 - Noturno) / NE5120 - Laboratório de Engenharia Elétrica II (Período: 1 semestre 2017 - Noturno) / NE8440 - Teoria de Microeletrônica (Período: 2 semestre 2016 - Noturno) / NE9110 - Laboratório de Eletricidade Básica (Período: 2 semestre 2016 - Noturno) / NE7720 - Laboratório de Sistemas Digitais II (Período: 1 semestre 2016 - Noturno) / Aulas Pós-Graduação: PEL102 - Introdução ao Projetos de Circuitos Integrados Dedicados (Período: 1 semestre 2018, 1 semestre 2017 e 1 semestre 2016).

2015 - 2019

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros

Vínculo: Bolsista recém-doutor, Enquadramento Funcional: Pesquisador de Pós-doutorado, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Pesquisador no grupo de pesquisa em microeletrônica. Orientador em projetos de IC e participante em projetos de pesquisa.

2008 - 2010

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros

Vínculo: Aluno de Pós-graduacação, Enquadramento Funcional: Estudante de mestrado, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

05/2015 - 12/2024
Pesquisa e desenvolvimento, Departamento de Engenharia Elétrica.,Linhas de pesquisa
03/2008 - 02/2010
Pesquisa e desenvolvimento, Departamento de Engenharia Elétrica.,Linhas de pesquisa

2010 - 2014

Universidade de São Paulo

Vínculo: Aluno de Pós-graduacação, Enquadramento Funcional: Estudante de doutorado, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

03/2010 - 10/2014
Pesquisa e desenvolvimento, Escola Politécnica, Departamento de Engenharia de Sistema Eletrônicos.,Linhas de pesquisa

2012 - 2012

Katholieke Universiteit Leuven, KU Leuven

Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Pesquisador, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Pesquisador no Departamento de Filmes Finos do IMEC trabalhando com o estudo do processo de fabricação de estruturas MOSFET com tensionamento mecânico e medidas NBD em estruturas experimentais, auxiliado por simulações numéricas.

Atividades

10/2012 - 12/2012
Pesquisa e desenvolvimento, Interuniversity Micro Electronic Center.,Linhas de pesquisa

2010 - 2011

University of Florida

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor Visitante, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Este foi um estágio de desenvolvimento e aperfeiçoamento em simulador numérico 3D realizado no exterior com o apoio do CNPq durante 4 meses em que foi interrompida a bolsa de doutorado do CNPq.

Atividades

09/2010 - 01/2011
Pesquisa e desenvolvimento, Department of Electrical and Computer Engineering.,Linhas de pesquisa

2022 - 2023

Toledo do Brasil - Indústria de Balanças Ltda

Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Pesquisador, Carga horária: 6

Outras informações:
Pesquisa, Desenvolvimento para a transformação digital na engenharia de pesagem / Objetivando a virtualização do processo de pesagem, este projeto pretende desenvolver um algoritmo que possa ser utilizado pela empresa como insumo para avançar na tecnologia de estimação de peso de animais vivos por meio das técnicas de reconhecimento de imagem e aprendizado de máquina. / Coordenação: Michele Rodrigues H. Lima