William Souza da Cruz

Possui graduação em Engenharia pela Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros (2016) e Mestrado em Engenharia Elétrica pela Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros (2019). Tem experiência nas áreas de Robótica, Mecatrônica, Automação e Eletrônica, com ênfase em microeletrônica e dispositivos semicondutores, trabalhando principalmente nos seguintes tópicos: Efeitos de Radiação em MOSFETs, Diferentes Geometrias de Porta para MOSFETs, Ataques de Injeção de Falhas a Laser, Efeitos Fotoelétricos em MOSFETs e, Concepção e Simulação de Modelos Compactos para Testes de Circuitos Integrados.

Informações coletadas do Lattes em 29/05/2023

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em andamento em Microélectronique

2019 - Atual

Ecole Nacionale Superieur des Mines de St. Etienne
Orientador: Jean-Max Dutertre
Coorientador: Guillaume Hubert. Bolsista do(a): Région Provence - Alpes - Côte d'Azur, PACA, França.

Mestrado em Engenharia Elétrica

2017 - 2019

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros
Título: Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-X em MOSFETs com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIs CMOS de silício-germânio de 130 nm
, Ano de Obtenção: 2019.Salvador Pinillos Gimenez.Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil. Palavras-chave: MOSFET Octogonal; DEPAMBBRE; Total Ionizing Dose; Radiações Ionizantes por Raios-X; Longitudinal Corner Effect; PAMDLE. Grande área: OutrosGrande Área: Outros / Área: Microeletrônica / Subárea: Dispositivos.

Graduação em Engenharia

2012 - 2016

Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros
Título: VDV: Veículo de Deslocamento Vertical
Orientador: Orlando Del Bianco Filho
Bolsista do(a): PROUNI, Centro Universitário da FEI, PROUNI, Brasil.

Curso técnico/profissionalizante em Mecatrônica

2010 - 2012

Etec Profº Basilides de Godoy

Ensino Médio (2º grau)

2009 - 2011

Etec Profº Basilides de Godoy

Ensino Fundamental (1º grau)

2001 - 2008

EMEF Júlio de Oliveira

Formação complementar

2017 - 2017

Teoria e Prática de Processamento de Sinais e Imagens. (Carga horária: 20h). , Centro Universitário da FEI, FEI, Brasil.

2016 - 2016

Extensão universitária em Introdução ao Controle de Sistemas. , Instituto Tecnológico de Aeronáutica, ITA, Brasil.

2016 - 2016

Desenho Técnico: Leitura e Interpretação. (Carga horária: 15h). , eduK, EDUK, Brasil.

2016 - 2016

SketchUp: Design de interiores em 3D. (Carga horária: 6h). , eduK, EDUK, Brasil.

2016 - 2016

LabVIEW Core 2. , National Instruments Brazil, NIB, Brasil.

2016 - 2016

LabVIEW Core 1. , National Instruments Brazil, NIB, Brasil.

2015 - 2016

Extensão universitária em Programa de Capacitação em Energias Renováveis. (Carga horária: 112h). , Observatório de Energias Renováveis para América Latina e Caribe, ONUDI, Espanha.

2015 - 2015

AutoCAD. (Carga horária: 20h). , Instituto Politécnico de Ensino à Distância, IPED, Brasil.

2015 - 2015

MOOC - AutoCad. (Carga horária: 20h). , Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, CEETEPS, Brasil.

2015 - 2015

Processo de Comunicação e Comunicação Institucional. (Carga horária: 5h). , Fundação Getúlio Vargas, FGV, Brasil.

2014 - 2014

Microeletrônica Experimental‏. (Carga horária: 12h). , FUNDACAO EDUCACIONAL INACIANA PADRE SABOIA DE MEDEIROS, FEI, Brasil.

2011 - 2011

Teatrando. (Carga horária: 130h). , Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza, CEETEPS, Brasil.

2008 - 2008

Aluno Monitor. (Carga horária: 140h). , Microsoft Informática, MICROSOFT BRASIL, Brasil.

Idiomas

Inglês

Compreende Razoavelmente, Fala Pouco, Lê Bem, Escreve Razoavelmente.

Espanhol

Compreende Razoavelmente, Fala Pouco, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.

Português

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Francês

Compreende Razoavelmente, Fala Razoavelmente, Lê Razoavelmente, Escreve Razoavelmente.

Áreas de atuação

Grande área: Outros / Área: Robótica, Mecatrônica e Automação.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos/Especialidade: Circuitos Eletrônicos.

Participação em eventos

Seminatec 2018.Comparative Study for gm/IDS of Ellipsoidal Layout MOSFET for 180 nm Technology. 2018. (Seminário).

7 SICFEI.VII Simpósio de Iniciação Científica, Didática e de Ações Sociais da FEI. 2017. (Simpósio).

SEMINATEC 2017. Study of the Annular Ellipsoidal Layout Style for MOSFETs in X-rays Ionizing Radiation Environments. 2017. (Congresso).

6 SICFEI.Estudo do Leiaute Elipsoidal para MOSFETs em Ambientes de Radiação. 2016. (Simpósio).

Congresso de Inovação 2016 - Megatendências 2050. 2016. (Congresso).

InovaFEI. VDV: Veículo de Deslocamento Vertical. 2016. (Exposição).

Olimpíada Brasileira de Astronomia e Astronáutica (OBA). XII Olimpíada Brasileira de Astronomia e Astronáutica (OBA). 2009. (Olimpíada).

Produções bibliográficas

PERUZZI, VINICIUS VONO ; CRUZ, WILLIAM ; DA SILVA, GABRIEL AUGUSTO ; SIMOEN, EDDY ; CLAEYS, COR ; GIMENEZ, SALVADOR PINILLOS . Using the Hexagonal Layout Style for MOSFETs to Boost the Device Matching in Ionizing Radiation Environments. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS) , v. 15, p. 1-5, 2020.
PERUZZI, VINICIUS VONO ; DA CRUZ, WILLIAM SOUZA ; DA SILVA, GABRIEL AUGUSTO ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, COR ; GIMENEZ, SALVADOR PINILLOS . Using the Octagonal Layout Style for MOSFETs to boost the Device Matching in Ionizing Radiation Environments. IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY , v. 20, p. 754-759, 2020.
CRUZ, WILLIAM SOUZA ; SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS ; GIMENEZ, SALVADOR PINILLOS . Using Ellipsoidal Layout Style to Boost the Electrical Performance of the MOSFETs Regarding the 180 nm CMOS ICs Manufacturing Process. ECS TRANSACTIONS (ONLINE) , v. 85, p. 97-102, 2018.
DA CRUZ, WILLIAM SOUZA ; VIERA, RAPHAEL ; DUTERTRE, JEAN-MAX ; RIGAUD, JEAN-BAPTISTE ; HUBERT, GUILLAUME . Further Analysis of Laser-induced IR-drop. In: 2021 IEEE 30th Asian Test Symposium (ATS), 2021, Matsuyama. 2021 IEEE 30th Asian Test Symposium (ATS), 2021. p. 91.
DA CRUZ, WILLIAM SOUZA ; DUTERTRE, JEAN-MAX ; RIGAUD, JEAN-BAPTISTE ; HUBERT, GUILLAUME . Evidence of a Dynamic Fault Model in the DICE Radiation-Hardened Cell. In: 2020 33rd Symposium on Integrated Circuits and Systems Design (SBCCI), 2020, Campinas. 2020 33rd Symposium on Integrated Circuits and Systems Design (SBCCI), 2020. p. 1.
PERUZZI, VINICIUS VONO ; CRUZ, WILLIAM SOUZA DA ; SILVA, GABRIEL AUGUSTO DA ; TEIXEIRA, RICARDO COTRIM ; JUNIOR, LUIS EDUARDO SEIXAS ; GIMENEZ, SALVADOR PINILLOS . Boosting the Ionizing Radiation Tolerance in the Mosfets Matching by Using Diamond Layout Style. In: 2019 34th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2019, Sao Paulo. 2019 34th Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro), 2019. p. 1.
DA CRUZ, WILLIAM SOUZA ; VIERA, RAPHAEL ; RIGAUD, JEAN-BAPTISTE ; HUBERT, GUILLAUME ; DUTERTRE, JEAN-MAX . An Experimentally Tuned Compact Electrical Model for Laser Fault Injection Simulation. In: 2022 IEEE 28th International Symposium on OnLine Testing and Robust System Design (IOLTS), 2022, Torino. 2022 IEEE 28th International Symposium on On-Line Testing and Robust System Design (IOLTS), 2022. p. 1.
CRUZ, W. S. ; SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS ; GIMENEZ, S. P. . Comparative Study for gm/IDS of Ellipsoidal Layout MOSFET for 180 nm Technology. In: Seminatec 2018, 2018, São Bernardo do Campo. Workshop Proceedings of the XIII Workshop on Semiconductors and Micro & Nano Technology: Seminatec 2018. São Bernardo do Campo: Centro Universitário da FEI, 2018.
CRUZ, W. S. ; GIMENEZ, S. P. ; SEIXAS, L. E. . Study of the Annular Ellipsoidal Layout Style for MOSFETs in X-rays Ionizing Radiation Environments. In: SEMINATEC 2017, 2017, São Paulo. Seminatec 2017 - XII Workshop on semiconductions and micro & nano technology, 2017. v. 12.
CRUZ, W. S. ; GIMENEZ, S. P. . Comparative Experimental Study of the Annular Ellipsoidal and Rectangular Layouts MOSFETs in X-ray Ionizing Radiation Environments. In: 17th Microelectronics Students Forum, 2017, Fortaleza. SForum 2017, 2017.
CRUZ, W. S. ; GIMENEZ, S. P. ; SEIXAS, L. E. . Study of the Annular Ellipsoidal Layout Style for MOSFETs in X-rays Ionizing Radiation Environments. 2017. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
CRUZ, W. S. ; GIMENEZ, S. P. . Estudo do Leiaute Elipsoidal para MOSFETs em Ambientes de Radiação. 2016. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

Projetos de pesquisa

2016 - 2016

Estudo do Leiaute Elipsoidal para MOSFETS em Ambientes de Radiação, Descrição: A proposta do projeto é a análise de um novo leiaute de dispositivo eletrônico, tipo elipsoidal, quanto sua tolerância aos efeitos de radiação ionizante total acumulada em duas partes sensíveis. Analisando especificamente o efeito DEPAMBBRE. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) . , Integrantes: William Souza da Cruz - Integrante / Salvador Pinillos Gimenez - Coordenador., Número de produções C, T & A: 2

Prêmios

2011

Olimpíada Brasileira de Matemática das Escolas Públicas (Medalha de Bronze), MCT e MEC.

2011

II Festival de Teatro BG - Melhor Ator (2 Lugar), ETEC Prof Basilides de Godoy.

2011

II Festival de Teatro BG - Melhor Espetáculo (3 Lugar), ETEC Prof Basilides de Godoy.

Histórico profissional

Endereço profissional

Ecole Nationale Superieure des Mines de Saint-Etienne. , 880 Route de Mimet, Gardanne, 13120 - Gardanne, - França, Telefone: (04) 42616725

Experiência profissional

2016 - 2016

Centro Universitário da FEI

Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Pesquisador, Carga horária: 20

2014 - 2016

Centro Estadual de Educação Tecnológica Paula Souza

Vínculo: Estágio, Enquadramento Funcional: Auxiliar Docente na área de Automação, Carga horária: 30