Eronides Felisberto da Silva Junior

Possui Graduação em Física pela Universidade Federal de Pernambuco (1980), Mestrado em Física (MsC.) pela Universidade Federal de Pernambuco (1983), Master of Science (MsC.) em Applied Physics/Electrical Engineering pela Yale University (1984), Master of Philosophy (M.Phil.) em Applied Physics/Electrical Engineering pela Yale University (1985), e Doctor of Philosophy (Ph.D) em Applied Physics/Electrical Engineering pela Yale University (1987). Realisou estágios de Pós-Doutorado na Hitachi Central Research Laloratory (Japão, 1989) e na Yale University (USA, 1990). Atualmente é Professor do Departamento de Física da Universidade Federal de Pernambuco. Tem experiência na área de Física, Química, Ciência dos Materiais e suas Interfaces , com ênfase em Física de Materiais e Dispositivos Semicondutores (Teoria e Experimento), atuando principalmente nos seguintes temas: Silício, Sistemas Semicondutores de Baixa Dimensionalidade (poços, fios e pontos quânticos), interfaces semcondutoras, dispositivos híbridos, defeitos em materiais, polímeros, dispositivos MOS, Sensores e Atuadores. Possui mais de 210 publicações em periódicos nacionais e Internacionais, 8 Patentes depositadas, mais de 3000 citações no ISI e Scopus, e Fator h = 18.

Informações coletadas do Lattes em 26/08/2025

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Ph D Electrical Engineering

1983 - 1987

Yale University
Título: TIME DEPENDENT EVOLUTION OF INTERFACE TRAPS IN MOS STRUCTURES
Orientador: TSOPING MA
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. Palavras-chave: CAPACITORES MOS; BULK SEMICONDUCTOR; Defects; Interface.Grande área: EngenhariasSetores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica; Desenvolvimento de Novos Materiais.

Mestrado em Electrical Engineering

1983 - 1985

Yale University
Título: Semiconductor Device Characterization,Ano de Obtenção: 1985
Orientador: TsoPing Ma
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. Palavras-chave: Semiconduvtor; devices; CHARACTERIZATION.Grande área: EngenhariasSetores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica; Desenvolvimento de Novos Materiais.

Mestrado em Física

1980 - 1983

Universidade Federal de Pernambuco
Título: ESPALHAMENTO DE LUZ POR MAGNONS E FONONS EM NIF2 E MNF2:MN,Ano de Obtenção: 1983
Orientador: SERGIO MACHADO REZENDE
Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil. Palavras-chave: FONONS; MAGNONS; ESPALHAMENTO DE LUZ; Antiferronagnetico.Grande área: Ciências Exatas e da TerraSetores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais.

Graduação em Física

1977 - 1980

Universidade Federal de Pernambuco
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.

Pós-doutorado

1990 - 1990

Pós-Doutorado. , Yale University, YALE, Estados Unidos. , Grande área: Ciências Exatas e da Terra, Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estruturas Eletrônicas e Propriedades Elétricas de Superfícies; Interf. e Partículas. , Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Materiais Dielétricos e Propriedades Dielétricas.

1989 - 1989

Pós-Doutorado. , Hitachi Central Research Laboratory, CHUKEN, Japão. , Grande área: Engenharias, Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Física de Materiais Semicondutores. , Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estruturas Eletrônicas e Propriedades Elétricas de Superfícies; Interf. e Partículas.

Idiomas

Inglês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Espanhol

Compreende Bem, Fala Razoavelmente, Lê Bem, Escreve Razoavelmente.

Francês

Compreende Razoavelmente, Fala Pouco, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.

Japonês

Compreende Pouco, Fala Pouco, Lê Pouco, Escreve Pouco.

Áreas de atuação

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Física de Materiais Semicondutores.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Transp. Eletrônicos e Prop. Elétricas de Superfícies; Interfaces e Películas.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Química / Subárea: Química Inorgânica/Especialidade: Compostos Organo-Metálicos.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Nuclear / Subárea: Aplicações de Radioisótopos/Especialidade: Instrumentação para Medida e Controle de Radiação.

Organização de eventos

da Silva Jr., E.F. . Membro do Steering Committee da 14th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, ICFSI-14, a ser realisada em Gyeongju, Coréia do Sul, Junho 30 - Julho 5, 2013.. 2013. (Congresso).

da Silva Jr., E.F. . Membro do International Advisory Committee da ACSIN-12, the 12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Novembro 4-8, 2013, Tsukuba, Japão.. 2013. (Congresso).

da Silva Jr., E.F. . Membro do International Advisory Committee da 17th International Conference on Solid State Dosimetry, Sptember 22 ? 27, 2013, Recife, Brasil.. 2013. (Congresso).

DASILVA, E. F. . Membro do International Program Committee da 16th International Conference on Solid Films and Surfaces, July 01 - 06 2012, Genova, Itália.. 2012. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . Membro do International Advisory Committee da ISSS-6, the 6th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology, November 09 - 13, 2011, Tokyo, Japan.. 2011. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . Membro do Comite Nacional do 15th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, Abril 2011, Juiz de Fora, MG.. 2011. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . Membro do Steering Committee da 13th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, ICFSI-13, a ser realisada em Praga, Republica Tcheca, Julho 3-8, 2011.. 2011. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . Membro do International Advisory Committee da Seventh International Conference on Low Dimensional Structures and Devices, 22- 27 May 2011, Telchac, Mexico.. 2011. (Congresso).

da Silva Jr., E.F. . Membro do International Advisory Committee da ACSIN-11, the 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, Novembro 3-7, 2011, St. Petersburg, Russia.. 2011. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . Membro do International Program Committee da 15th International Conference on Solid Films and Surfaces, October 05 - 10, 2010, Beijing, China.. 2010. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . Membro do International Asvisory Committee da ACSIN-10, the 10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, September 21 - 25, 2009, Granada, Spain.. 2009. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . Membro do International Advisory Committee do 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology, November 9-13, 2008. 2008. (Congresso).

DASILVA, E. F. . Membro do International Advisory Committee da 14th International Conference on Solid Films and Surfaces, November 09 - 13,. 2008. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . Membro do International Advisory Committee of the 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures. 2007. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . Chairman da 11th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, ICFSI-11. 2007. (Congresso).

DASILVA, E. F. . Membro do International Programme Committee da ACSIN-9, the 9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, November 11 - 15, 2007, Tokyo, Japan.. 2007. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . SPIE?s International Symposium on Integrated Optoelectronic Devices 2006 -Quantum Sensing and Nanophotonic Devices III (OE11). 2006. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . Membro do International Programme Committee da 13th International Conference on Solid Films and Surfaces, ICFSS-13. 2006. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . Membro do International Programme Committee da 10th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, ICFSI-10. 2006. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . SPIE?s International Symposium on Integrated Optoelectronic Devices 2005 -Quantum Sensing and Nanophotonic Devices II (OE11). 2005. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . ?Membro do International Committee da XII Latin American Congress of Surface Science and its applications, CLACSA. 2005. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . 4o Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados, NanoSemiMat-4. 2005. (Congresso).

DA SILVA, E. F. ; SILVA, A Ferreira da . 3o Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados. 2004. (Congresso).

DA SILVA, E. F. ; FARIAS, G A ; FREIRE, V. N. ; FREIRE, J A K . 11th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, March 2003, Fortaleza, CE.. 2003. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . International Programme Committee da 9th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, ICFSI-9, que se realisará em Madrid, September 15-19, 2003.. 2003. (Congresso).

DA SILVA, E. F. ; ALBUQUERQUE, e L . 2o Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados. 2003. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . 1o Encontro de Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados. 2002. (Congresso).

DA SILVA, E. F. ; FARIAS, G A ; FREIRE, V. N. ; FREIRE, J A K ; HENINI, M . 4th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. 2002. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . Comite Local da 6th International Conference on Frontiers of Polymers and Advanced Materials, March 2001, Recife, PE.. 2001. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . Comite Nacional do 10th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, Abril 2001, Guarujá, SP.. 2001. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . Comite de Programa do XIII Symposium on Integrated Circuits and Systems Design, September 2000, Manaus, AM.. 2000. (Congresso).

DA SILVA, E. F. . Comite Nacional do 8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, Fevereiro 1996, Rio de Janeiro, RJ.. 1996. (Congresso).

Participação em eventos

XXI International Materials Research Congress. Recent Advances on Semiconducting High-K Oxides for Semiconductor Devices. 2012. (Congresso).

XXI International Materials Research Congress. Deep-Level defects in Conducting Polymer on n-Type 4H- and 6-H- Silicon Carbide substrates Using I-V-T and DLTS Techniques. 2012. (Congresso).

XX International Materials Research Congress. X-Ray Irradiation: A Non-Conventional Route for the Synthesis of Conducting Polymers. 2011. (Congresso).

XX International Materials Research Congress. Electronic Structure of Impurities and defects in Tin Dioxide. 2011. (Congresso).

XIX International Materials Research Congress. Hybrid Semiconconductor/Polymer Heterostructures for Device Applications (Invited Talk). 2010. (Congresso).

9th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces, and Nanostructures. Advances on Silicon-Based Nanostructures, Materials and Devices (INVITED). 2007. (Congresso).

XII Latin American Congress of Surface Science and its applications, CLACSA. New Synthesis Processes of Porous Materials and Quantum Wires for Device Applications (Invited Talk). 2005. (Congresso).

Photonics West 2005, Quantum Sensing and Nanophotonic Devices II. ``Linear Optical Response of Si1-xGex Compounds (Invited talk). 2005. (Congresso).

5th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Recent Advances on Silicon-Based Nanostructures and Devices. 2004. (Congresso).

Participação em bancas

Aluno: Raphael Aparecido Sanches Nascimento

Mulato, Marcelo;DA SILVA, E. F.; Zucolotto, Valtencir. Análise dos procedimentos de medida de dispositivos EGFET utilisando filmes de FTO. 2010. Dissertação (Mestrado em Física Aplicada à Medicina e Biologia) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Jorlândio Francisco Felix

DA SILVA, E. F.de Azevedo, W. M.; da Silva A. F.. Síntese e caracterização de filmes finos de óxido de zinco e polianilina para aplicações em heterojunções semicondutoras. 2009. Dissertação (Mestrado em Ciência de Materiais) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Gustavo Silva Belo

DA SILVA, E. F.SCOLFARO, L. M. R.de Azevedo, W. M.; Acyoli, L.. Síntese e Caracterização de Filmes Finos de ITO e de Silício Poroso. 2008. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Roana Melina de Oliveira

DA SILVA, E. F.BOUDINOV, H.; livio Amaral; DAHMEN, S.. Dopagem tipo-n em estruturas SIMOX. 2007. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Aluno: Jairo Ricardo Cardenas Nieto

DA SILVA, E. F.; PEPE, I M; VASCONCELOS, E. A. de; Acyoli, L.. Produção de Heterojunções Polianilina/Silício e Nanofibras de Polianilina para Aplicações em Dispositivos Híbridos. 2006. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Marilza Gusmão Bezerra

DA SILVA, E. F.; FREIRE, J. A. K.; FARIAS, Gil de Aquino. Propriedades Eletrônicas em Poços Quânticos GaAs/AlxGa1-xAs Dopados. 2004. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Ceará.

Aluno: Eduardo Delmondes Silva

DA SILVA, E. F.; COSTA FILHO, Raimundo Nogueira da; FREIRE, J A K. Magnetoexcitons em Poços Quânticos CdTe/Cd1-xMnxTe com Strain. 2003. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Ceará.

Aluno: Janina Rubi Falco

DA SILVA, E. F.; FALCO, J. R.; ARISTONE, F.. Membro da banca examinadora de Tese de Mestrado de: Janina Rubi Falco, DF/UFMS, em 19 de outubro de 2001, e aprovada sob o título ``Eletroformação em Níquel de Microestruturas Fabricadas pelo Processo LIGA'. Orientador: Flávio Aristone.. 2001. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Mato Grosso do Sul.

Aluno: JOSÉ ROBERTO BEZERRA DA SILVA

DA SILVA, E. F.; SILVA, J. R. B.; COSTA, J A P da; ACCHAR, W.. Membro da banca examinadora de Tese de Mestrado de: José Roberto Bezerra da Silva, DFTE/UFRN, em 31 de março de 2000, e aprovada sob o título ``Métodos de Caracterização Superficial por Espectroscopia de Elétrons'. Orientador: Wilson Acchar.. 2000. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Norte.

Aluno: Sérgio S

DA SILVA, E. F.; SOMBRA, S. S.; COSTA, U M S; FREIRE, V N. SOMBRA. Membro da banca examinadora de Tese de Mestrado de: Sérgio S. Sombra, DF/UFC, em 18 de dezembro de 2000, e aprovada sob o título ``Modelo de Percolacao para a Quebra da Rigidez Dieletrica em Dispositivos Metal-Óxido-Semicondutor'. Orientador:Uriel M. S. Costa.. 2000. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Ceará.

Aluno: Suzana Pereira Vila Nova

DA SILVA, E. F.; NOVA, S. P. V.; SÁ, G. F.;SANTA-CRUZ, P. A.. Membro da banca examinadora de Tese de Mestrado de: Suzana Pereira Vila Nova., DQF/UFPE, em 26 de julho de 1999, e aprovada sob o título ``Síntese, Estrutura de Raios-X, Caracterização e Propriedades Spectroscópicas do tris(4,4,4-trifluoro-1-(1-naftil)-1,3-butanodionato) (2,2-bipiridina)-európio(III)'. Orientador: Gilberto Fernandes de Sá.. 1999. Dissertação (Mestrado em Química) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: JANAÍNA GONÇALVES GUIMARÃES

DA SILVA, E. F.; GUIMARÃES, J. G.; SWART, J. W.; COSTA, J. C.. Membro da banca examinadora de Tese de Mestrado de: Janaína Gonçalves Guimarães, DEE/UnB, em 08 de julho de 1999, e aprovada sob o título ``Desenvolvimento de uma Fonte de Corrente para Polarização de Circuitos Nanoeletrônicos'. Orientador: José Camargo da Costa.. 1999. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de Brasília.

Aluno: Cristiana Gonçalves Gameiro

DA SILVA, E. F.; GAMEIRO, C. G.;SANTA-CRUZ, P. A.. Membro da banca de Exame de Qualificação para o Doutorado de: Cristiana Gonçalves Gameiro, DQF/UFPE, em 17 de março de 1998, e aprovada sob o título ``Desagregação Seletiva de Filmes Finos de Complexos de Lantanídeos Induzida por Radiação UV: Um Dosímetro Molecular'. Orientador: Petrus A. Santa-Cruz e E. F. da Silva Jr.. 1998. Dissertação (Mestrado em Química) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Alfredo Lopes Ferreira Filho

DA SILVA, E. F.; FERREIRA FILHO, A. L.; KHOURY, H J. Membro da banca examinadora de Tese de Mestrado de: Alfredo Lopes Ferreira Filho, DEN/UFPE, em 04 de junho de 1998, e aprovada sob o título ``Estudo da Resposta de Fotodiodos Comerciais para Espectrometria Alfa'. Orientador: Helen Jamil Khoury.. 1998. Dissertação (Mestrado em Tecnologias Energéticas Nucleares) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: JEANLEX SOARES DE SOUSA

DA SILVA, E. F.; SOUSA, J. S.; FREIRE, V N; FARIAS, G A. Membro da banca examinadora de Tese de Mestrado de: Jeanlex S. de Sousa, DF/UFC, em 13 de outubro de 1998, e aprovada sob o título ``Fortes Efeitos de Interfaces Não-Abruptas em Poços Si/SiO2'. Orientadores: Valder N. Freire e Eronides F. da Silva Jr.. 1998. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Ceará.

Aluno: José Alexander de King Freire

DA SILVA, E. F.; FREIRE, J. A. K.; FREIRE, V N; FARIAS, G A. Membro da banca examinadora de Tese de Mestrado de: José Alexander King Freire, DF/UFC, em 28 de fevereiro de 1997, e aprovada sob o título ``Efeitos das Camadas de Acumulação e Interfaces em Heteroestruturas e Poços Quânticos de As/AlxGa1-xAs Não-Abruptos Dopados'. Orientador: Valder N. Freire.. 1997. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Ceará.

Aluno: Francisco de Assis Miranda Filho

DA SILVA, E. F.; MIRANDA FILHO, F. A.; COSTA, J A P da. Membro da banca examinadora de Tese de Mestrado de: Francisco de Assis Miranda Filho, DFTE/UFRN, em 19 de setembro de 1997, e aprovada sob o título ``Adaptação de um Sistema de Nitretação por Plasma DC para Obtenção de Filmes Finos de Nitreto de Silício'. Orientadores: José Alzamir Pereira da Costa e E. F. da Silva Jr.. 1997. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Norte.

Aluno: Elder Alpes de Vasconcelos

DA SILVA, E. F.; VASCONCELOS, E. A.; COSTA, J. C.; MARTINS FILHO, J. F.. Membro da banca examinadora de Tese de Mestrado de: Elder Alpes de Vasconcelos, DF/UFPE, em 28 de março de 1996, e aprovada sob o título ``Caracterização Elétrica de Capacitores MOS Após Altas Doses de Radiação Ionizante'. Orientador: Eronides F. da Silva Jr.. 1996. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Éder Martins Bispo

DA SILVA, E. F.; BISPO, É. M.; COSTA, J. C.. Membro da banca examinadora de Tese de Mestrado de: Éder Martins Bispo , DEE/UnB, em 20 de setembro de 1996, e aprovada sob o título ``Assinatura de um Reator a Plasma: Análise e Aplicações'. Orientador: José Camargo da Costa.. 1996. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de Brasília.

Aluno: Ana Luíza V

DA SILVA, E. F.; ROLIM, A. L. V. S.; AGUIAR, J. A.; SAITOVICH, H.; FERREIRA, J. M. C.. de Souza Rolim. Membro da banca examinadora de Tese de Mestrado de: Ana Luiza V. de Souza Rolim , DF/UFPE, em 24 de setembro de 1996, e aprovada sob o título ``Propriedades Supercondutoras de Filmes Finos de Nb Depositados por Magnetron Sputtering'. Orientadores: José Albino Aguiar e E. F. da Silva Jr.. 1996. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Ronaldo P

DA SILVA, E. F.; MELO JR, R. P.; ARAÚJO, C. B.. de Melo Jr. Membro da banca examinadora de Tese de Mestrado de: Ronaldo P. de Melo Jr. , DF/UFPE, em 21 de dezembro de 1994, e aprovada sob o título ``Guias de Onda Ópticos em Substratos de LiNbO3'. Orientadores: C. B. de Araújo e E. F. da Silva Jr.. 1994. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Jorlândio Francisco Felix

DA SILVA, E. F.AZEVEDO, W. M. deBOUDINOV, H; ASSALI, L. V.; VASCONCELOS, E. A.. Desenvolvimento de Novos Materiais Nanoestruturados e Nanoestruturas Híbridas para a Produção de Dispositivos Eletrônicos. 2012. Tese (Doutorado em Ciência de Materiais) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Eduardo de Sousa Souto

A.FONSECA, A. L.; NUNES, A. C. O.;DA SILVA, E. F.. Propriedades de Spintrônica de um Gás de Elétrons e Dinâmica do íon Mn em Nanoestruturas Semicondutoras Magnéticas. 2006. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de Brasília.

Aluno: JANAÍNA GONÇALVES GUIMARÃES

DA SILVA, E. F.; SWART, Jacobus W; ROCHA, Adson F da; ROMARIZ, Alexandre R S; COSTA, Jose C da. Arquiteturas de Redes Neurais Nanoeletrônicas para Processadores em Escala Giga ou Tera. 2005. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de Brasília.

Aluno: Rogério Valaski

DA SILVA, E. F.; ALEXANDRE, Ivo; HUMMELGEN; KOEHLER, Marius; MIRANDA, Paulo Barbeitas; MELLO, Regina M Queiroz de. Investigação do Potencial Fotovoltaico de Dispositivos Tendo Como Camada Ativa Filmes Poliméricos Eletroquimicamente Sintetizado. 2004. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Paraná.

Aluno: Fábio Menezes de Souza Lima

DA SILVA, E. F.FREIRE, V. N.; FANYAO, Qu; OLIVEIRA, Antonio Cleves Nunes; FONSECA, Antônio Luciano de Almeida. Efeitos de Campo Elétrico Vertical, Interfaces Não-abruptas e Impurezas Residuais sobre a Estrutura e a Mobilidade Eletrônica em Poços Quânticos de GaAs/AlGaAs. 2003. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de Brasília.

Aluno: Ana Paula Lima Pacheco

DA SILVA, E. F.; ARAUJO, e; RABELLO, M S; BRAYNER, C. A.. Novas rotas de Preparação de Filmes de Polianilina e caracterização Dosimétrica para Radiação Gama em Altas Doses. 2003. Tese (Doutorado em Tecnologias Energéticas Nucleares) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Cristiana Gonçalves Gameiro

SANTACRUZ, P. A.; GAMEIRO, C. G.; ACHETE, C.; TOMA, H.; MALTA, O. L.;DA SILVA, E. F.. Supressão Seletiva da Luminesc6encia de Nanofilmes de Complexos de Lantanídeos Induzida por Radiação UV: Um Dosímetro Molecular.. 2002. Tese (Doutorado em Química) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Jeanlex S

DA SILVA, E. F.; SOUSA, J. S.;FREIRE, V. N.; FARIAS, G A; FREIRE, J A K; LEBOURTON, J. P.. de Sousa. Propriedades Ópticas e Eletrônicas de Nanocristais de Silício e Aplicações em Memórias Não-Voláteis do Tipo Flash. 2002. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Ceará.

Aluno: Francisco Almeida de Melo

DA SILVA, E. F.; MELO, F. A.; OLIVEIRA, A. H.; HAZIN, C. A.; THOME FILHO, Z. D.; KHOURY, H. J.. Desenvolvimento de um sistema para controle de qualidade de equipamentos de raios-x odontológicos. 2002. Tese (Doutorado em Tecnologias Energéticas Nucleares) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: José Expedito Cavalcante da Silva

DA SILVA, E. F.; SILVA, J. E. C.; SANTACRUZ, P. A.;MALTA, O. L.; SÁ, G. G.. Membro da banca examinadora de Tese de Doutorado de: José Expedito Calvacante da Silva, DQF/UFPE, em 06 de abril de 2001, e aprovada sob o título ``Vidros Especiais para Dispositivos Fotônicos baseados em Controle de Coordenadas Cromáticas - Precursores para Sensores'. Orientador: Petrus A. Santa-Cruz.. 2001. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: FRANCISCO JUAN RACEDO NIEBLES

DA SILVA, E. F.; NIEBLES, F. J. R.. Membro da banca examinadora de Tese de Doutorado de: Francisco Juan Racedo Niebles, DE/PUC-Rio, em 26 de maio de 2000, e aprovada sob o título ``Crescimento Epitaxial Seletivo de Estruturas Semicondutoras III-V Visando a Integração Optoeletrônica'. Orientador: Patrícia Lustoza de Souza (CETUC/PUC-Rio).. 2000. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro.

Aluno: José Alexander de King Freire

DA SILVA, E. F.; FREIRE, J. A. K.; FREIRE, V N; FARIAS, G A; STUDART, N.. Membro da banca examinadora de Tese de Doutorado de: José Alexander de King Freire, DF/UFC, em 14 de dezembro de 2000, e aprovada sob o título ``Aprisionamento de Excitons em Campos Magneticos Não Homogeneos '. Orientador: GILA A. FARIAS.. 2000. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Ceará.

Aluno: MAURÍCIO PAPLONA PIRES

DA SILVA, E. F.; PIRES, M. P.; SOUZA, P. L.; WEID, J. P. V. D.. Membro da banca examinadora de Tese de Doutorado de: Maurício Pamplona Pires, DF/PUC-Rio, em 21 de maio de 1998, e aprovada sob o título ``Estruturas de Poços Quânticos Múltiplos de InGaAs/InAlAs para Modulação Eletro-Óptica de Amplitude'. Orientador: Patrícia Lustoza de Souza (CETUC/PUC-Rio).. 1998. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro.

Aluno: Severino Alves Junior

DA SILVA, E. F.; ALVES JUNIOR, S.; SÁ, G. F.;MALTA, O. L.. Membro da banca examinadora de Tese de Doutorado de: Severino Alves Jr., DQF/UFPE, em 05 de junho de 1998, e aprovada sob o título ``Estudos Espectroscópicos de Complexos Mistos de b-dicetonas com Íons Lantanídeos (III)'. Orientador: Gilberto Fernandes de Sá.. 1998. Tese (Doutorado em Química) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Fernanda C

DA SILVA, E. F.; STEDILE, F. C.; SCHNEIDER, W.. Stedile. Membro da banca examinadora de Tese de Doutorado de: Fernanda C. Stedile DF/UFRS, em 7 de janeiro de 1993, e aprovada sob o título ``Análise por Feixes de íons de Filmes Finos Dielétricos Depositados por Sputtering Reativo e Crescidos Termicamente'. Orientador: Wido Schneider.. 1993. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Aluno: Yesmin P

DA SILVA, E. F.; WALTER, M. DE AZEVEDO; VASCONCELOS, E. A.; ALVES JUNIOR, S.; PADRON, E.. Bernal. Síntese de Materiais e Nanoestruturas Híbridas Baseadas em MCM-41/SiO2/ZnO/MnO2/PANI/CNTs para Aplicações de Dispositivos Semicondutores. 2013. Exame de qualificação (Doutorando em Ciência de Materiais) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: RODOLFO LIMA JUAREZ

DA SILVA, E. F.AZEVEDO, W. M. de; COSTA, A. A.; FALCAO, EDUARDO; DE VASCONCELOS, E. A.. Síntese e Caracterização de Materiais Nanoestruturados para Aplicações em Heteroestruturas Híbridas. 2013. Exame de qualificação (Doutorando em Ciência de Materiais) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Patricia Coimbra da Nobrega

DA SILVA, E. F.; NÓBREGA, P. C.;SANTA-CRUZ, P. A.; SIMAS, A. M.; MARTINS FILHO, J. F.; ENGELSBERG, M.. Degradação por UV das Propriedades Fotônicas de Nanofilmes de Complexos de Lantanídeos com Monitoração sem Uso de Radiação UV. 2002. Exame de qualificação (Doutorando em Ciência dos Materiais) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Francisco Almeida de Melo

DA SILVA, E. F.; MELO, F. A.; KHOURY, H J;HAZIN, C A; BRAYNER, C. A.. Membro da banca de Exame de Qualificação para o Doutorado de: Francisco Almeida de Melo, DEN/UFPE, em 20 de dezembro de 2001, e aprovada sob o título ``Métodos de Medida de Dose em Pacientes'. Orientador: Helen Jamil Khoury.. 2001. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Flávia Chistiane Guinhos de Meneses

DA SILVA, E. F.; MENESES, F. C. G.; SÁ, G. F.;MALTA, O. L.. Membro da banca de Exame de Qualificação para o Doutorado de: Flávia Christiane Guinhos de Menezes, DQF/UFPE, em 10 de junho de 1998, e aprovada sob o título ``Preparação e Caracterização de Materiais Vítreos Dopados com Lantanídeos Otimizados para Conversão IV ®UV em Filmes'. Orientador: Petrus A. Santa-Cruz e E. F. da Silva Jr.. 1998. Exame de qualificação (Doutorando em Química) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Vários

DA SILVA, E. F.; VÁRIOS. Membro da banca do Exame Geral de Qualificação para o Doutorado do DF/UFPE, em 24-28 de agosto de 1998.. 1998. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Vários

VARIOS;DA SILVA, E. F.. Membro da banca examinadora de Exame de Doutorado no Departamento de Física UFPE, 1991-92.. 1991. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: PATRÍCIA COIMBRA DE NÓBREGA

DA SILVA, E. F.; NÓBREGA, P. C.;SANTA-CRUZ, P. A.MALTA, O. L.. Membro da banca de Monografia de Conclusão de Graduação em Química Fundamental de: Patrícia Coimbra da Nóbrega, DQF/UFPE, em 16 de agosto de 2000, e aprovada sob o título ``Preparação e Caracterização de Matrizes Vítreas de Óxido fluoretos para Dispositivos de Conversão de Radiação Infravermelha em Ultravioleta'. Orientador: Petrus A. Santa-Cruz. 2000. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Química) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Armando Temporal Neto

DA SILVA, E. F.; TEMPORAL NETO, A.; MARTINS-FILHO, J. F.. Processos de Fabricaçào e caracterização de Dispositivos Semicondutores em Substratos de Silício. 1997. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Vários

VÁRIOS;DA SILVA, E. F.. Membro Externo do Comite Acessor do Programa PIBIC/CNPq na área de Ciências Exatas na UFRN, 1993.. 1993. Outra participação, Universidade Federal do Rio Grande do Norte.

DA SILVA, E. F.. Membro da banca de concurso publico para preenchimento de cargo para Prof. Adjunto 1, na área de Microeletrônica, , no período de 1-4 de março de 2011, junto ao IF/UFRGS.. 2011. Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Orientou

Diego Leite da Cunha

Preparação e Caracterização de Materiais Nanoestruturados via Ablação a Laser; Início: 2011; Tese (Doutorado em Ciência de Materiais) - Universidade Federal de Pernambuco, Fundação de Amparo à Ciência e Tecnologia do Estado de Pernambuco; (Coorientador);

Yesmin Panccatl Bemal

Síntese de Materiais e Nanoestruturas Híbridas Baseadas em MCM-41/SiO2/ZnO/MnO2/PANI/CNTs para Aplicações de Dispositivos Semicondutores; Início: 2010; Tese (Doutorado em Ciência de Materiais) - Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; (Orientador);

RODOLFO LIMA JUAREZ

Síntese e Caracterização de Materiais Nanoestruturados para Aplicações em Heteroestruturas Híbridas; ; Início: 2010; Tese (Doutorado em Ciência de Materiais) - Universidade Federal de Pernambuco, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; (Orientador);

Fabio Braz de Azevedo Filho

DESENVOLVIMENTO DE PESQUISA BÁSICA E APLICADA EM NANODISPOSITIVOS SEMICONDUTORES E MATERIAIS NANOESTRUTURADOS; Início: 2011; Iniciação científica (Graduando em BACHARELADO) - Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; (Orientador);

Diego Leite da Cunha

Preparação de Materiais por Ablação Laser em Ambiente Líquido; 2011; Dissertação (Mestrado em Ciência de Materiais) - Universidade Federal de Pernambuco, Fundação de Amparo à Ciência e Tecnologia do Estado de Pernambuco; Coorientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

Jorlândio Francisco Felix

Síntese e caracterizaçâo de filmes finos de óxido de zinco e polianilina para preparaçâo de heterojunçôes semicondutoras; 2009; 0 f; Dissertação (Mestrado em Ciência dos Materiais) - Universidade Federal de Pernambuco, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

Gustavo Silva Belo

Síntese e Caracterização de Filmes Finos de ITO e de Silício Poroso; 2008; 0 f; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

Jairo Ricardo Cardenas Nieto

Produção de Heterojunções Polianilina/Silício e Nanofibras de Polianilina para Aplicações em Dispositivos Híbridos; 2006; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

Patricia Coimbra da Nobrega

Degradação por UV das Propriedades fotônicas de nanofilmes de complexos de lantanídeos com monitoração sem uso de radiação UV; 2002; 103 f; Dissertação (Mestrado em Ciência de Materiais) - Universidade Federal de Pernambuco, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

I J S COELHO

Células Solares eme Silício de Baixa Resistividade; 2001; Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal de Pernambuco, Fundação de Amparo à Ciência e Tecnologia do Estado de Pernambuco; Orientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

G; GAMEIRO; Síntese e Caracterização de Filmes Finos de Complexos Orgânicos contendo Latanídeos para Aplicações a Dispositivos Moleculares; Concluída em 03; 98; ; 1998; Dissertação (Mestrado em Química) - Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Coorientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

J S de Sousa

Fortes Efeitos de Interfaces Não-Abruptas em Poços Si/SiO2; Concluída em 13/10/98; ; 1998; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Ceará, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Coorientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

Francisco de Assis Miranda Filho

Adaptação de um Sistema de Nitretação por Plasma DC para Obtenção de Filmes Finos de Nitreto de Silício; Concluída em 19/09/97; ; 1997; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Norte, Fundação de Amparo à Pesquisa ao Desenvolv; Científico e Tecnológico - MA; Coorientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

A; DE VASCONCELOS; Caracterização Elétrica de Capacitores MOS Após Altas Doses de Radiação Ionizante; Concluída em 27/02/96; ; 1996; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

L; V; S; ROLIM; Propriedades Supercondutoras de Filmes Finos de Nb Depositados por Magnetron Sputtering; Concluída em 09/96; ; 1996; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Coorientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

Ronaldo Pereira de Melo Júnior

Guias de Onda Ópticos em Substratos de LiNbO3; Concluída em 2/94; ; 1994; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Coorientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

YESMIN PANECATL BERNAL

Sintese e caracteriza;áo do Material Mesoporoso MCM-41 para o Desenvolvimento de Dispositvos Ttipo Capacitor MOS; 2015; Tese (Doutorado em Ciência de Materiais) - Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

RODOLFO LIMA JUAREZ

Obtencao e Caracterizacao de membranas de Nanptubos de Carbono Transferiveis em Diferentes Substratos pelo Metodo de Spin-Coating Baseadas sobre MCM-41; 2015; Tese (Doutorado em Ciência de Materiais) - Universidade Federal de Pernambuco, Fundação de Amparo à Ciência e Tecnologia do Estado de Pernambuco; Coorientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

Jorlândio Francisco Felix

Desenvolvimento de Novos Materiais Nanoestruturados e Nanoestruturas Híbridas para Produção de Dispositivos Eletrônicos e suas Aplicações; 2012; Tese (Doutorado em Ciência de Materiais) - Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

JANE MARIA GONÇALVES LARANJEIRA

Heteroestruturas Semicondutoras PANI-Si para Aplicações como Sensores de Radiação Ionizante; 2004; 120 f; Tese (Doutorado em Tecnologias Energéticas Nucleares) - Universidade Federal de Pernambuco,; Orientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

S; DE SOUSA; Propriedades Ópticas e Eletrônicas de Nanocristais de Silício e Aplicações em Memórias Não-Voláteis do Tipo Flash; 2002; 120 f; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Ceará, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Coorientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

Cristiana Gonçalves Gameiro

Supressão Seletiva da Luminesc6encia de Nanofilmes de Complexos de Lantanídeos Induzida por Radiação UV: Um Dosímetro Molecular; ; 2002; 172 f; Tese (Doutorado em Química) - Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

Fábio Menezes de Souza Lima

2009; Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Eronides Felisberto da Silva Junior;

Sara Cristina Pinto Rodrigues

2004; Universidade Federal de Pernambuco,; Eronides Felisberto da Silva Junior;

Elder Alpes de Vasconcelos

2002; Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Eronides Felisberto da Silva Junior;

Berlick Eneas Correia Araujo dos santos

Fabricação e Caracterização de Materiais, Nanofilmes e Dispositivos Nanoestruturados; 2004; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

João Batista de Oliveira Junior

Fabricação e Caracterização Elétrica de Dispositivos MOS Baseados em Óxidos de Alta Constante Dielétrica; 2004; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

Maria Luisa Lima Tashiro

Desenvolvimento de heterojunções nanoestruturadas polímero condutor/ Silício para aplicação em dosimetria de radiação ionizante; 2004; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

José Borba da Silva Júnior

Fabricação e caracterização de materiais, nanofilmes e dispositivos nanoestruturados; 2004; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

Dyanna Gomes Diniz teireixa

Desenvolvimento de Tecnologia de Dispositivos Semicondutores Orgânicos e Materiais Nanoestruturados; 2002; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade Federal de Pernambuco, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

Gerivandes Pontes dos Santos

Processos de Condução e Ruptura Dielétrica em Nanodispositivos MOS à base de Si e SiC; 2001; 0 f; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade Federal de Pernambuco; Orientador: Eronides Felisberto da Silva Junior;

Produções bibliográficas

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DA SILVA, E. F. . Consultor `ad-hoc', das seguintes instituições: PADCT, PIBIC, CNPq, CAPES, FINEP, FACEPE, FAPEMIG, FAPESP., PRONEX-MCT, MCT/SESU 1996 - presente. 2002.
Felix, J.F. ; de Azevedo, W. M. ; DASILVA, E. F. ; DE VASCONCELOS, E. A. . VARISTOR-TYPE, NANOSTRUCTURED SEMICONDUCTOR DEVICE MADE OF. 2010.
Felix, J. F. ; DA SILVA, E. F. ; de Azevedo, W. M. ; de Vasconcelos, E. A. . Dispositivo Semincondutor Nanoestruturado do tipo Varistor Constituido de Polímero Condutor e Oxido de Zinco e Metais. 2009.
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AZEVEDO, W M de ; DA SILVA, E. F. ; LARANJEIRA, J M G ; VASCONCELOS, e A de ; KHOURY, H J . Nano Heterojuncao Polianilina/Silicio para Medida e Monitoramento de Gases e radiacoes Ionizantes de Altas e medias Energias. 2003.
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VASCONCELOS, e A de ; DA SILVA, E. F. ; SANTOS, B e C A dos ; AZEVEDO, W M de . Processo de Fabricação de Camadas de Silício Poroso por Exposicao a Vapores Corrosivos do Silício. 2003.
LARANJEIRA, J M G ; DA SILVA, E. F. ; AZEVEDO, W. M. de ; KHOURY, H. J. . Processo de formação de heteroestrutura silício/polianilina de alta qualidade e baixas correntes de fuga. 2001.
COELHO, I. J. S. ; MARTINS FILHO, J. F. ; DA SILVA, E. F. . Desenvolvomento de processo de fabricação de células solares em substratos de silício de baixa resistividade.. 2000.
MELO JR, R. P. ; FALCÃO FILHO, E. L. ; SILVA, B. J. P. ; DA SILVA, E. F. ; PETROV, D. V. ; ARAÚJO, C. B. . Desenvolvomento de processo de fabricação de guias de onda em substratos semicondutores de vidros dopados.. 1994.
DA SILVA, E. F. . Desenvolvimento de processo de crescimento de filmes finos de SiO2 com aplicações a dispositivos MOS `radiation-hard´.. 1987.
DA SILVA, E. F. . Árbitro dos seguintes periódicos internacionais: IEEE Trans. Nucl. Science, Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys., Semic. Sci. Techn., Braz. J. Phys., J. Solid-State Dev. and Circuits, J. of Physics C, Physica Status Solid B. 2002 - presente. 2012.
DA SILVA, E. F. . Árbitro dos seguintes periódicos internacionais: IEEE Trans. Nucl. Science, Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys., Semic. Sci. Techn., Braz. J. Phys., J. of Physics C, Physica Status Solid B. Solid State Electronics, Solid State Communications, etc. 1996 - 2002. 2001.
da Silva Jr., Eronides F. ; MARTINS, P. R. . Nanotecnologia do Avesso. 2011.
Eronides F. da Silva Jr. . Implantação de Técnicas Experimentais adicionais e Atualização de Infraestrutura computacional de simulações de nanoestruturas e dispositivos semicondutores. 2012. (Expansão daConsolidação de Grupo de Pesquisa Experimental/Teórica na área de Semicondutores Parte 2).
da Silva Jr, Eronides F ; Rodrigues, Sara C P . Montagem de Cluster Computacional para simulações de nanoestruturas e dispositivos à base de materiais semicondutores/dielétricos/metáticos. 2006. (Consolidação de Grupo de Pesquisa Experimental/Teórica na área de Semicondutores Parte 2).
da Silva Jr, Eronides F . Projeto, Instalação e Montagem de Sala Limpa Classe 1000/100. 1994. (Implantação de Grupo de Pesquisa na área de Semicondutores Parte 2).
da Silva Jr., Eronides F. . Instalação e Montagem do Laboratório de Microeletrônica - Caracterização Elétrica. 1989. (Implantação de Grupo de Pesquisana área de Semicondutores Parte 1).
DA SILVA, E. F. . Árbitro dos seguintes periódicos internacionais: IEEE Trans. Nucl. Science, Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys., Semic. Sci. Techn., Braz. J. Phys., J. Solid-State Dev. and Circuits, J. of Physics C, Physica Status Solid B.. 2004 (ÁRBITRO) .

Projetos de pesquisa

2013 - Atual

Caracterização, Síntese e Simulação Computacional de Nanoestruturas e Nanodispositivos Semicondutores, Descrição: Neste projeto propomos o desenvolvendo de atividades de P&D&I na modelagem, produção, caracterização e prototipagem de componentes semicondutores eletrônicos à base de silício, carbeto de silício e componentes híbridos, semicondutor/polímero e metal/polímero de interesse para aplicações no âmbito das indústrias de eletro-eletrônica (componentes eletrônicos e sensores) e telecomunicações (componentes ópticos, dispositivos emissores de luz e atuadores). Também desenvolveremos métodos de simulação e estudo sistemático das propriedades eletrônicas, óticas (espectros de absorção e luminescência), de transporte e estruturais, de sistemas semicondutores passíveis de serem utilizados em novos dispositivos eletrônicos e spintrônicos.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (3) / Doutorado: (4) . , Integrantes: Eronides Felisberto da Silva Junior - Coordenador / W M DE AZEVEDO - Integrante / S C P RODRIGUES - Integrante / E. A. DE VASCONCELOS - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2013 - Atual

Electrical and Optical properties of Semiconductor and Hybrid Semiconductor/Organic Nanostructures and Nanodevices - Projeto Ciências sem Fronteiras- Capes A067/2013, Descrição: In this project, we propose to study the spin polarization of carriers in semiconductor nanostructures and nanodevices, particularly in GaAs/AlAs RTDs, InGaAsN layers, InGaAs/GaAs quantum wells (QWs), GaBiAs layers and GaBiAs/GaAs quantum wells. We are also interested to study hybrid heterostructures based on ZnO, SnO2, polyaniline, Si, GaAs and SiC to develop junction semiconductor devices which will be of great interest for application as solar cells, varistors, x-rays sensors, spintronics devices and other applications in areas such as medical physics.. Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (2) / Doutorado: (5) . , Integrantes: Eronides Felisberto da Silva Junior - Integrante / Yara Galvão Gobato - Coordenador / Mohamed Henini - Integrante / H. V.A. Galeti - Integrante / M. P. F. de Godoy - Integrante / Jorlandio F Felix - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Cooperação.
2012 - Atual

PESQUISA BÁSICA E APLICADA EM NANODISPOSITIVOS SEMICONDUTORES E MATERIAIS NANOESTRUTURADOS IV, Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (3) / Doutorado: (4) . , Integrantes: Eronides Felisberto da Silva Junior - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa., Número de produções C, T & A: 20 / Número de orientações: 6
2010 - 2012

Pesquisa Básica e Aplicada na Síntese, Caracterização e Simulação Computacional de Nanoestruturas e Nanodispositivos Semicondutores, Descrição: Nest projeto é proposto o desenvolvendo de atividades de P&D&I na modelagem, produção, caracterização e prototipagem de componentes semicondutores eletrônicos à base de silício, carbeto de silício e componentes híbridos, semicondutor/polímero para aplicações no âmbito das indústrias de eletro-eletrônica (componentes eletrônicos e sensores) e telecomunicações (componentes ópticos, dispositivos emissores de luz e atuadores). Também desenvolveremos métodos de simulação e estudo sistemático das propriedades eletrônicas, óticas (espectros de absorção e luminescência), de transporte e estruturais, de sistemas semicondutores passíveis de serem utilizados em novos dispositivos eletrônicos e spintrônicos. Os sistemas a serem estudados são: heteroestruturas (super-redes, poços quânticos) baseadas em semicondutores magnéticos diluídos, sistemas de baixa dimensionalidade (pontos e fios quânticos), heteroestruturas (super-redes e poços quânticos) baseadas em semicondutores III-V e II-VI e suas ligas ternárias e quaternárias, bem como semicondutores do grupo IV. O problema abordado refere-se à pesquisa, desenvolvimento e inovação objetivando a capacitação brasileira com laboratórios de ponta produzindo ciência e tecnologia de forma harmônica e natural, numa área potencialmente viável economicamente: dispositivos discretos ou de baixa escala de integração, com enfâse em sensores e/ou atuadores. Estas atividades de pesquisa certamente terão grande importância para o avanço do conhecimento científico e tecnológico pois trará pelo menos dois tipos de impacto no estado da arte na área, a saber: (1) Do ponto de vista da pesquisa básica, levará a elucidação de novos fenômenos em componentes e nanoestruturas semicondutoras, tanto do ponto de vista teórico como experimental; e (2) Do ponto de vista da pesquisa aplicada, levará à produção experimental e optimização teórica de novas estruturas e nanodispositivos preferencialmente baseados em Si e em SiC que poderão ter aplicações importante. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (3) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (5) . , Integrantes: Eronides Felisberto da Silva Junior - Coordenador / H. J. KHOURY - Integrante / W M DE AZEVEDO - Integrante / A L A FONSECA - Integrante / H BOUDINOV - Integrante / R. Palmieri - Integrante / S. C. P. Rodrigues - Integrante / P. D. Borges - Integrante / H. W. Leite - Integrante / de Vasconcelos, E. A. - Integrante / Lima, F.M.S. - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 34
2010 - Atual

Rede Cooperativa para Pesquisa em Nanoestruturas, Nanodispositivos, e Aplicações de Semicondutores, Descrição: A Rede Cooperativa para Pesquisas em Nanoestruturas, Nanodispositivos e Aplicações de Semicondutores (NanoSemiCon) é um esforço de instituições brasileiras visando conhecer, descobrir potencialidades e desenvolver aplicações em nanociência e nanotecnologia com interface com a indústria. Ela abrange pesquisadores dos Estados do Nordeste e Centro-Oeste (BA, PE, e DF), da região Sul (RS), e da região Sudeste (SP e MG), que atuam em nanociência e nanotecnologia, nas áreas de Engenharia de Materiais, Física e Química, e na formação de recursos humanos em nanotecnologia. Além da participação de grupos consolidados no RS, SP e PE, a rede NanoSemiCon se propõe a apoiar grupos emergentes de PE, BA, DF, MG e SP. A ação a ser desenvolvida através desta proposta da rede NanoSemiCon possui abrangência nacional e incorpora as competências atualmente consolidadas ou em fase de consolidação em temas de pesquisa e desenvolvimento em nanociência e nanotecnologia de maneira interdisciplinar.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (12) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (10) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (15) . , Integrantes: Eronides Felisberto da Silva Junior - Coordenador / HELEN JAMIL KHOURY - Integrante / RAIMUNDO NOGUEIRA DA COSTA FILHO - Integrante / O A C NUNES - Integrante / H BOUDINOV - Integrante / B. G. Enders - Integrante / L. M. R. Scolfaro - Integrante / F. M. S. Lima - Integrante / R. Palmieri - Integrante / G M SIPAHI - Integrante / I M PEPE - Integrante / S. C. P. Rodrigues - Integrante / A. L. A.Fonseca - Integrante / H. W. Leite - Integrante / de Azevedo, W. M. - Integrante / Ferreira da Silva, A. - Integrante / E. A. DE VASCONCELOS - Integrante / J, F. Felix - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 16 / Número de orientações: 5
2006 - 2008

Processamento de Novos Materiais Nanoestruturados com Potencial para Aplicações como Sensores de Gases e de Hidrocarbonetos - PROCESSO CNPq 550.126/2005-8, Descrição: Entre suas diversas linhas de atividades em pesquisa, desenvolvimento e inovação esta proposta propõe-se a desenvolver: 1. Processos de nanofilmes e nanoestruturas para aplicações em sensores e dosímetros; 2. Protótipos de Sensores, Fotodetetores e Fotoemissores à base de óxidos e materiais porosos: p-Si e p-Al2O3, semicondutores: Si e SiC, e metais diversos; 3. Protótipos de sensores de gases e hidrocarbonetos à base de SiC, Al2O3, Si-poroso e/ou heterojunções Si/Pani, onde o conjunto resultante seja capaz de detectar eficientemente gases e outros composto orgânicos, preferencialmente em regimes de alta temperatura e pressão; 4. Sensores de radiação ionizante (de alta energia) à base de Al-poroso; Fotodetetores à base de polímeros conjugados, e nanofilmes condutores;. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Especialização: (2) / Mestrado acadêmico: (2) . , Integrantes: Eronides Felisberto da Silva Junior - Coordenador / E. A. DE VASCONCELOS - Integrante / W M DE AZEVEDO - Integrante / H. Boudinov - Integrante / S C P RODRIGUES - Integrante / L. S. Roman - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2005 - 2008

Novos Materiais Porosos Nanoestruturados para Aplicações como Fontes Alternativas de Energia, CT-Energ/CNPq 18/2004, Proc. 504.467/04-2,, Descrição: Entre os principais objetivos e linhas de ação em pesquisa, desenvolvimento e inovação no âmbito da desta proposta destacam-se a pesquisa em: 1. Produção de Protótipos de Fotodetetores hibridos e sensores à base de Nano-hetero-estruturas Si/Polimero: detectores de UV 2. Desenvolvimento de Protótipos de Fotodetetores e Fotoemissores à base de materiais porosos: p-Si e p-Al2O3 3. Produção de Sensores de gases e hidrocarbonetos SiC e Si/Pani 4. Desenvolvimento de Sensores de radiação de alta energia à base de Al-poroso: TLDs. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Eronides Felisberto da Silva Junior - Coordenador / E. A. DE VASCONCELOS - Integrante / W. M. DE AZEVEDO - Integrante / S. C. P. Rodrigues - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.Número de orientações: 3
2004 - 2006

Processos, Modelagem e Caracterização de Novos Materiais para Aplicações como Fontes Alternativas de Energia, Edital CT-Energ/CNPq 01/2003, Proc. 400.949/03-2,, Descrição: Parte (a) Produção e Simulação de dispositivos à base de Nitretos III para emissão de energia na região visível (LEDs): Parte (b) Produção e Simulação de dispositivos à base de Materiais Porosos (Silício e Al2O3) para emissão de energia e conversão de energia na região visível (LEDs e Células Solares):. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (1) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Eronides Felisberto da Silva Junior - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2004 - 2006

Rede Multi-Institucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia: Desenvolvimento de Protótipos e Nanodispositivos, Descrição: Através da fabricação, caracterização, e simulações computacionais serão produzidos nanoestruturas e nanodispositivos tais como: sensores de radiação; estruturas de LEDs, sensores físico-quimicos, fotodetectores, e outras nanoestruturas com aplicações na optoeletrônica. A fabricação de novos materiais com propriedades ópticas não lineares, de sensores, além de nanocompósitos e materiais organo-inorgânicos cada vez mais tem se baseado em técnicas de preparação essencialmente fundamentadas na manipulação das unidades formadoras dessas estruturas em um nível nanométrico, apresentando uma ampla interface onde diversas técnicas de Física e Química desempenham importantes papéis complementares.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (10) / Especialização: (2) / Mestrado acadêmico: (6) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (2) . , Integrantes: Eronides Felisberto da Silva Junior - Integrante / H J KHOURY - Integrante / W M DE AZEVEDO - Integrante / E A DE VASCONCELOS - Integrante / A FERREIRA DA SILVA - Coordenador / H BOUDINOV - Integrante / L.S. Roman - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 5 / Número de orientações: 1
2003 - 2009

PESQUISA BÁSICA E APLICADA EM NANODISPOSITIVOS SEMICONDUTORES E MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, Descrição: Bolsa de produtividade em Pesquisa CNPq Nivel 1C. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (6) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (1) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Eronides Felisberto da Silva Junior - Coordenador / W M DE AZEVEDO - Integrante / A FERREIRA DA SILVA - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa., Número de produções C, T & A: 23 / Número de orientações: 11
2001 - 2005

Rede Cooperativa para Pesquisa em Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados, Descrição: Propomos a formação da Rede Cooperativa em Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados abrangendo pesquisadores de cinco estados do NE, do estado de SP e do DF. A formação da rede consolidará as colaborações existentes e fomentará a incorporação à mesma de novas instituições consolidados ou emergentes, concentrando esforços em nanodispositivos e materiais nanoestruturados. Entre as linhas de pesquisa abrangidas pela rede destacam-se a pesquisa básica e aplicada, teórica e experimental em: (a) Materiais Semicondutores Nanoestruturados III-V e II-VI; (b) Nanodispositivos de: Si e SiC, III-nitretos, cerâmicas e polímeros; (c) Propriedades Óticas e de Transporte em Nanoestruturas e Dispositivos Semicondutores de Baixa Dimensionalidade ; (d) Sensores Ópticos e Físico-Químicos . As atividades abrangerão as seguintes classes de nanomateriais e nanodispositivos: materiais fotônicos (cristais, poços, fios e pontos quânticos, vidros ópticos, materiais porosos, biomateriais não lineares); polímeros não-convencionais (filmes monomoleculares e nanoestruturados para aplicações biomédicas); cerâmicas semicondutoras (à base de AlN e Si); procesos de crescimento e deposição de nanofilmes; simulação de dispositivos semicondutores. A proposta contempla o desenvolvimento cooperativo de atividades de pesquisa teórica e experimental com abrangência na Física, Química e Engenharia de Nanodispositivos e Materiais Nanoestruturados. Como consequência de sua formação, a rede levará a pelo menos dois impactos no estado da arte na área: (1) em relação à pesquisa fundamental, levará à elucidação de novos fenômenos em nanoestruturas semicondutoras, tanto do ponto de vista teórico como experimental; (2) em relação à pesquisa aplicada, levará à produção experimental e otimização de nanodispositivos baseados em novos materiais, e que poderão ter aplicações importantes nas áreas da eletrônica, optoeletrônica, e aplicações da engenharia.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (40) / Especialização: (5) / Mestrado acadêmico: (35) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (45) . , Integrantes: Eronides Felisberto da Silva Junior - Coordenador / J. C. C. DE ALBUQUERQUE - Integrante / B. J. P. DA SILVA - Integrante / V. N. FREIRE - Integrante / E A DE VASCONCELOS - Integrante / J S DE SOUSA - Integrante / G A FARIAS - Integrante / H J KHOURY - Integrante / W M DE AZEVEDO - Integrante / J A K FREIRE - Integrante / A. L. A. Fonseca - Integrante / J R GONÇALVES - Integrante / L M R SCOLFARO - Integrante / O A C NUNES - Integrante / A FERREIRA DA SILVA - Integrante / E L ALBUQUERQUE - Integrante / H BOUDINOV - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 115 / Número de orientações: 8
2000 - 2004

PRODUÇÃO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES À BASE DE SILÍCIO E CARBETO DE SILÍCIO PARA DESENVOLVIMENTO DE NOVAS TECNO-LOGIAS COM APLICAÇÕES A NANODISPOSITIVOS E SENSORES FÍSICO-QUÍMICOS E DE HIDROCARBONETOS, REF. Convênio FINEP N. 65.00.02.8, Descrição: O carbeto de silício (SiC) é um novo material semicondutor que permite a produção de dispositivos eletrônicos que operam em tem-peraturas elevadas, é relativamente inerte, e resiste a ambientes químicos hostis. Estas propriedades abrem a possibilidade do de-senvolvimento de sensores físico-químicos empregando eletrodos catalíticos sensíveis a hidrogênio e hidrocarbonetos, que pode-riam ser usados na monitoração de motores a combustão, análise de poluentes, controle e otimização de processos na indústria química e petrolífera [34, 35]. A tecnologia do SiC é recente e não está amadurecida. É necessário investigar aspectos desta tecnologia, tais como: defeitos nas pastilhas de SiC, processos de fabricação de dispositivos, propriedades físico-químicas da interface SiC-SiO2,etc. Pretende-se consolidar em nível regional grupos de pesquisa básica e aplicada, intra- e inter- institucional em nanoes-truturas e dispositivos à base de SiC, desenvolver processos para a fabricação de novas estruturas artificiais de multicamadas e dispositivos para a produção de sensores (de temperatura, gás, hidrocarbonetos, etc.) de grande impacto para o avanço científico e tecnológico. A equipe proponente desenvolverá dispositivos à base de Si e SiC para aplicações específicas em áreas prioritárias como: instrumentação, controle de processos, engenharia, detecção de gases e derivados.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (4) / Especialização: (2) / Mestrado acadêmico: (2) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (2) . , Integrantes: Eronides Felisberto da Silva Junior - Coordenador., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 14 / Número de orientações: 3
1997 - 2004

SENSORES PARA DETECÇÃO DE RADIAÇÕES IONIZANTES, REF. CONV. FINEP N. 77.97.1120.00, Descrição: Neste projeto propõe-se a síntese, caracterização, produção de micro-estruturas e sua aplicação a dispositivos sensores de radiação ionizante, através da pesquisa aplicada em tecnologias de silício e de polímeros orgânicos. Algumas destas estruturas de dispositivos serão produzidas pela primeira vez no país, os quais serão processadas com técnicas avançadas de microeletrônica, e serão aplicadas na produção de componentes sensores de grande interesse tecnológico e de impacto para tecnologias avançadas e para a sociedade.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (4) / Especialização: (2) / Mestrado acadêmico: (2) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (2) . , Integrantes: Eronides Felisberto da Silva Junior - Coordenador., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 20 / Número de orientações: 3

Prêmios

2004

Outstanding Poster: W. M. de Azevedo, E. F. da Silva Jr., H. J. Khoury and E. F. Oliveira de Jesus, ``Highly sensitive thermoluminecent carbon doped nanoporous aluminum oxide detectors', 2004 International Conference on Solid State Dosimetry.

1987

RESEARCH ASSISTANT FELLOWSHIP, SEMICONDUCTOR RESEARCH CORPORATION.

Histórico profissional

Endereço profissional

Universidade Federal de Pernambuco, Centro de Ciências Exatas e da Natureza, Departamento de Física. , AV. PROF. LUIZ FREIRE S/N, CIDADE UNIVERSITARIA, 50670901 - Recife, PE - Brasil, Telefone: (81) 21267628, Fax: (81) 32710359, URL da Homepage:

Experiência profissional

2013 - Atual

Universidade Federal de São Carlos

Vínculo: , Enquadramento Funcional:

1988 - 1989

Universidade Federal de Pernambuco

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: PROFESSOR, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Orientações, atuação na pós-graduação e projetos desde 1988 ao presente (p/ CAPES)

Atividades

04/2012
Direção e administração, Centro de Ciências Exatas e da Natureza, Departamento de Física.,Cargo ou função, Vice-Chefe.
08/2004
Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Tópicos Avançados de Semicondutores, Tópicos I, Tópicos 2, Física de Materias e Dispositivos Semicondutores, F;isica de dispositivos Eletrônicos, Tópicos Avançados em Dispositivos eletrônicos
03/2004
Ensino, Ciência de Materiais, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Técnicas de Preparação e Caracterização de Filmes Finos e Superfícies, Preparação e Caracterização de Materiais I E II, Estudo Dirigido 1 E 2, Seminários da Pós-Graduação 1,2, Tópicos em Ciência de Materiais I, II, Materiais Semicondutores, Colóquios 1,2
03/2004
Outras atividades técnico-científicas , Centro de Ciências Exatas e da Natureza, Centro de Ciências Exatas e da Natureza.,Atividade realizada, Orientações, atuação na pós-graduação e projetos desde 2004 ao presente (p/ CAPES).
01/2002
Ensino, Física, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, FÍSICA GERAL 2, INICIAÇÃO CIENTÍFICA 2, FÍSICA DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES, FÍSICA GERAL 3, INICIAÇÃO CIENTÍFICA 1
02/1988
Ensino, BACHARELADO, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, FÍCICA 1, FISICA 2, FISICA3, FISICA4, FISICA DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES, FISICA DE SEMICONDUTORES, FISICA DO ESTADO SOLIDO 1 E 2, MECANICA QUANTICA 1 E 2, TECNICAS E FISICA EXPERIMENTAL 1 E 2, TERMODINAMICA, ETC.
02/1988
Treinamentos ministrados , Centro de Ciências Exatas e da Natureza, Departamento de Física.,Treinamentos ministrados, TREINAMENTO ESPECIALISADO DE TÉCNICOS PARA PROCESSOS DE FILMES FINOS E DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
01/1988
Pesquisa e desenvolvimento , Centro de Ciências Exatas e da Natureza, Departamento de Física.,Linhas de pesquisa
04/2006 - 03/2008
Direção e administração, Centro de Ciências Exatas e da Natureza, Departamento de Física.,Cargo ou função, VICE-CHEFE.
08/2004 - 08/2006
Direção e administração, Centro de Ciências Exatas e da Natureza, Programa de Pós Graduação Em Ciência dos Materiais.,Cargo ou função, Vice-Coordenador da Pós-Graduação.
01/1988 - 12/2001
Ensino, Física, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, FÍSICA GERAL 1,2,3,4, MECÂNICA QUÂNTICA 1,2, FÍSICA DE SEMICONDUTORES, FÍSICA DE DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO 1, 2, TÉCNICAS EM FÍSICA EXPERIMENTAL 1,2
01/1988 - 12/2000
Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, TÓPICOS AVANÇADOS DE SEMICONDUTORES, TÓPICOS ESPECIAIS 1, 2
11/1995 - 03/1998
Direção e administração, Centro de Ciências Exatas e da Natureza, Departamento de Física.,Cargo ou função, Sub-Chefe.
03/1997 - 06/1997
Ensino, Tecnologias Energéticas Nucleares, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, INSTRUMENTAÇÃO NUCLEAR 1, INSTRUMENTAÇÃO NUCLEAR 2

1990 - 1990

Yale University

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: VISITING FELLOW, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
PESQUISA EM COLABORAÇÃO NA ÁREA DE EFEITOS DE RADIAÇÃO EM DISPOSITIVOS MOS E INJEÇÃO DE PORTADORES QUENTES

Atividades

07/1990 - 09/1990
Pesquisa e desenvolvimento , Microelectronics Research Center, Department Of Electrical Engineering.,Linhas de pesquisa

1989 - 1989

Hitachi Central Research Laboratory

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: SENIOR VISITING RESEARCHER, Carga horária: 40

Outras informações:
DESENVOLVIMENTO DE PESQUISA EM SISTEMAS MOS E PROPRIEDADES DE INTERFACES SI/SIO2

Atividades

05/1989 - 10/1989
Pesquisa e desenvolvimento , Laboratório de Pesquisa, Dispositivos Mos.,Linhas de pesquisa

Propriedade Intelectual

Patentes (5)

Tipo	Título	Data depósito
INVENTOR	Dispositivo semicondutor nanoestruturado do tipo varistor constituido de polimero condutor e oxido de zinco e metais	01/04/2009
INVENTOR	Novo dispositivo dosimétrico para radiações ionizantes, utilizando óxido de alumínio nano poroso dopado com carbono preparado eletroquimicamente	13/05/2005
INVENTOR	Novo processo para preparação de óxido de alumínio poroso dopado com carbono	13/05/2005
INVENTOR e DEPOSITANTE	Processo de fabricação de camadas de silício poroso por exposição a vapores corrosivos do silício	10/09/2003
INVENTOR	Dispositivo de medida e monitoramento de radiações ionizantes para altas e medias energias, constituído de um filme fino nanométrico ou micrométrico do polímero condutor polianilina	28/08/2003