Antônio Ferreira da Silva

Possui graduação em Física pela Universidade Federal da Bahia (1970), mestrado em Física pela Universidade Estadual de Campinas (1975), doutorado em Física - Linköping University, Suécia (1979) estágio de doutorado na Kyoto University, Japão (1979), estágio na Brown University, EUA (1982), e PD na Linköping University (1996). Atualmente é Professor Titular Concursado da Universidade Federal da Bahia. Membro Fundador da Academia de Ciências da Bahia. Membro do Conselho da Sociedade Brasileira de Física. Membro Titular do CA -Física e Astronomia do Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) /MCTI (Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovações) durante 6 anos. Pesquisador nível 1A do CNPq durante mais de uma década. Vice coordenador do Laboratório Multiusuário de Nanotecnologia -LMNAN/CETENE (Centro de Tecnologias Estratégicas do Nordeste - Recife, Brasil), Laboratório Estratégico do SisNANO -Sistema Nacional de Laboratórios em Nanotecnologia do MCTI. Foi Membro Titular da Câmara de Assessoramento e Avaliação Tecnológica da FAPESB- Fundação de Amparo a Pesquisa do Estado da Bahia. Coordenador da área de Ciências Matemáticas e Naturais. Guest Professor - Linköping University (até 2010), professor visitante por períodos curtos anteriores- Uppsala University e Royal Institute of Technology (Suécia). Professor Titular Visitante na USP (IF) 2020. Professor Orientador Credenciado do Corpo Permanente do Programa de Pós-Graduação em Biotecnologia -Instituto de Ciências da Saúde da UFBa. Presidente do Grupo de Trabalho para constituição do Complexo Universitário de Laboratórios de Pesquisa, Criação e Inovação (COUNILAB). Experiência em pesquisa aplicada e fundamental, interdisciplinar, e especial interesse em temas como nanociência, energias renováveis, produção de hidrogênio, fotocatálise, células solares, biotecnologia, interação de nanopartículas com estruturas biológicas, modelos de inteligência artificial para aplicações em biomateriais e ciências da saúde, física teórica e experimental, ciência de materiais, óxidos, nitretos, semicondutores, supercondutores, spintrônica, propriedades ópticas, eletrônicas e de transporte de novos materiais, sistemas desordenados e sob condições extremas (alto campo magnético e baixíssimas temperaturas).

Informações coletadas do Lattes em 03/08/2025

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Physics

1979 - 1979

Kyoto University
Título: Complementação ao Programa de Doutorado em andamento na Linkoping University
Orientador: Kouang An Chao
com Coorientador: Takeo Matsubara. Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. Palavras-chave: Density Of States; Disordered Systems; Doped Semiconductors; Matsubara-Toyozawa Model.

Doutorado em Física

1977 - 1979

Linkoping University
Título: A STUDY OF DISORDER AND CORRELATION EFECTS IN IMPURE SEMICONDUCTOR
Orientador: KOUNG AN CHAO
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.

Mestrado em Física

1972 - 1975

Universidade Estadual de Campinas
Título: ESTUDO DA INFLUENCIA DA IONICIDADE NO CALCULO DE FAIXAS DE ENERGIA DO GAAS PELO METODO APW-K.P
, Ano de Obtenção: 1975.NELSON DE JESUS PARADA.Palavras-chave: Absorption; Absorption Coefficient; Analytical Treatment; Approximation Amo; Baixa Energia; Band Approach. Grande área: Ciências Exatas e da Terra

Aperfeiçoamento em Physics

1982 - 1982

Brown University
Título: Heterostructure. Ano de finalização: 1982
Orientador: Phillip Style

Graduação em Física

1967 - 1970

Universidade Federal da Bahia

Pós-doutorado

1996 - 1997

Pós-Doutorado. , LINKOPING UNIVERSITY, LINKO, Suécia. , Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.

1985 - 1986

Pós-Doutorado. , LINKOPING UNIVERSITY, LINKO, Suécia. , Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.

Idiomas

Inglês

Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Áreas de atuação

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Atômica e Molecular.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part..

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Atômica e Molecular.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Superfícies e Interfaces; Películas e Filamentos.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Propriedades de Transportes de Matéria Condensada (Não Eletrônica).

Organização de eventos

SILVA, A. F. ; Ferreira da Silva, A ; . . a. The International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors-XI. 2020. (Congresso).

DA SILVA AF ; KOUKITU, A. . 5th Int. Workshop on Bulk Nitride Semiconductors. 2007. (Congresso).

DA SILVA AF ; AHUJA, R. . Swedish-Brazilian Workshop on Advanced Functional Materials. 2007. (Congresso).

DA SILVA AF ; ROSA, R. R. . Workshop sobre Cooperação em Pesquisa e Tecnologia de Materiais Avançados. 2007. (Congresso).

SILVA, JR, E. F. ; DA SILVA AF . 11th International Conference on the Formation of Semiconductor Interface ?ICFSI. 2007. (Congresso).

DA SILVA AF ; ROMAN, L. S. ; ROSA, R. R. ; PEPE, I. ; SILVA, JR, E. F. ; BOUDINOV, H. . II Workshop da REMAN-. 2006. (Congresso).

DA SILVA AF . ?Workshop de Nanociências da Bahia ?. 2006. (Congresso).

KOUKITU, A. ; DA SILVA AF . : 4th Int. Workshop on Bulk Nitride Semiconductors. 2006. (Congresso).

SILVA, JR, E. F. ; DA SILVA AF . Co-Chairperson 11th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces. From Semiconductors to Nanoscience and Applications in Biology 2007. 2006. (Congresso).

A, F. S. ; PEPE, I. ; PERSSON, C. ; WILLANDER, M. ; DA SILVA AF . Short Workshop on Nanotechnology. 2005. (Congresso).

DA SILVA AF ; ROMAN, L. S. ; SILVA, JR, E. F. ; BOUDINOV, H. ; FREITAS, J. A. ; ROSA, R. R. ; PEPE, I. . I Workshop da REMAN. 2005. (Congresso).

DA SILVA AF ; FREITAS, J. A. . ? Challenges in Bulk Nitride Growth: Future Directions and Measures?. 2005. (Congresso).

RAZEGHI, M. ; DA SILVA AF . Nanotechnologies in Photonics: Quantum Sensing and Nanophotonic Devices II: Optoelectronics 2005 : SPIE International Symposium. 2005. (Congresso).

SILVA, JR, E. F. ; DA SILVA AF . 3rd Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials. 2004. (Congresso).

Participação em eventos

Electron G-Tensor Engineering in Narrow Gap Semiconductor Heterostructures:Spintronics Applications ? Invited Speaker / Presentation for the XXIX International Materials Research Congress MRS -Materials Research Society,.Electron G-Tensor Engineering in Narrow Gap Semiconductor Heterostructures:Spintronics Applications ? Invited Speaker / Presentation for the XXIX International Materials Research Congress MRS -Materials Research Society,. 2021. (Simpósio).

Narrow-Gap Semiconductor Spintronics?Electron G-Tensor Engineering with Multilayer Structures. Narrow-Gap Semiconductor Spintronics?Electron G-Tensor Engineering with Multilayer Structures. 2020. (Congresso).

ZNO Nanostructures: What Does the Future holds?. ZNO Nanostructures: What Does the Future holds?. 2017. (Congresso).

Brazil-Sweden Innovation Learning Laboratory / Research & Industry Connections: the Brazilian and Sweden Experiences.Research & Industry Connections: the Brazilian and Sweden Experiences. 2011. (Simpósio).

VII th International Workshop on Bulk Nitride semiconductors. Optical Properties of TiO2N and Study of Native Defects in Thallium Nitride. 2011. (Congresso).

15th Semiconducting and Insulating Materials Conference. 15th Semiconducting and Insulating Materials Conference. 2009. (Congresso).

II Workshop on Simulation and Analysis of Complex Systems and IV Workshop on Complex Systems. Complex bulk and surface materials: morphological, optical and conduction. 2008. (Congresso).

Materials Research Society - Fall Meeting.Materials Research Society - Fall Meeting. 2008. (Encontro).

II Conferência Estadual de CT&I na Bahia. Nanotecnologia/Tecnologia de Materiais. 2007. (Congresso).

International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-4). Optical characterization of rocksalt Pb(1-x)Sn(x)Te alloys. 2007. (Congresso).

International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors V.International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors V. 2007. (Oficina).

4th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors. Linear optical response of zinc-blende and wurtzite III-N (II = B, Al, Ga and In). 2006. (Congresso).

5th International Conference on Porous Semiconductors - Science and Technology. Light emitting devices based on porous Silicon having Fluorine doped Tin oxide as a transparent electrode. 2006. (Congresso).

International Workshop on Multifunctional Materials III.Optical and Transport Properties of Doped and Undoped Semiconductor Materials. 2006. (Simpósio).

Micro and Nanotechnology at PIM: MINAPIM -Suframa.Cooperative Network on Nanoscience/Nanotechnology. 2006. (Simpósio).

Programa de Seminários do Curso de Pós-Graduação em Computação Aplicada.Rede de Nanociência e Aplicações em Propriedades Óticas e Eltetrônicas de Novos Materiais. 2006. (Seminário).

Seminário de Tecnologia & Desenvolvimento.Nanotecnologia. 2006. (Seminário).

Workshop de Nanociência da Bahia.Rede Multi-Institucional de Materiais Avançados e Nanotecnologia (REMAN). 2006. (Oficina).

XXIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.MODELING COMPLEX NANOSTRUCTURED SAMPLES FROM 2d+1 KPZ EQUATION. 2006. (Encontro).

10th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-10). Electronic and optical properties of intrinsic and heavily doped III-N (III = B, Al, Ga, In, Tl). 2005. (Congresso).

12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. 2005. (Oficina).

13th International Congress on Thin Films 8th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures ICTF 13/ACSIN 8. Thin Film Modelling. 2005. (Congresso).

IXth Latin American Workshop on Nonlinear Phenomena.Modeling Complex Nanostructured Samples from 2D-KPZ Equation. 2005. (Oficina).

Laboratoire d? Études des Propriétès Électroniques dês Solides-Lepes.? Electronic and Optical Properties of Intrinsic and Heavily Doped Semiconductors?. 2005. (Seminário).

Nano SemiMat - 4º Encontro da Rede Cooperativa para Pesquisa em Nanodispositivos Semicondutores e Materiais Nanoestruturados. 2005. (Oficina).

Nanotechnologies in Photonics: Quantum Sensing and Nanophotonic Devices II: Optoelectronics 2005. ¿Optical Properties of SiGe¿. 2005. (Congresso).

¿3rd Brazilian MRS Meeting. ¿Optical Properties of Titanium Dioxide¿.. 2004. (Congresso).

13th International Conference on Photoacoustic and Phototermal Phenomena. 2004. (Congresso).

4th International Conferece on Porous Semiconductors - Science and Technology. 2004. (Congresso).

III Encontro da SBPMAT-Brazil-MRS. Electronic Structure, Effective mass..Rutile Titanium Dioxide. 2004. (Congresso).

Indicado pelo CNPq - Seminario Evento SBPC.-?Ciência e Tecnologia: Nanotecnologia um Desafio ?. 2004. (Simpósio).

International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors III. ¿Optical Properties of AlN and TlN ¿-. 2004. (Congresso).

IV Encontro Regional de Matemática Aplicada e Computacional + III Escola Brasileira de Ciências Emergentes. Maresias. -¿Projetos em Ciência dos Materiais:Nanotecnologia¿. 2004. (Congresso).

Porous Semiconductors-Science and Technology. Optical Properties of Porous Diamond-Like-Carbon Films Deposited by Magnetron Sputtering. 2004. (Congresso).

XXII Encontro de Fisicos do Norte e Nordeste.-?Rede Nacional de Nanotecnologia ?.. 2004. (Encontro).

Colóquio do Instituto de Física da UFRGS.Semicondutores de Gaps Largos: Efeitos de Impureza, aglomerados moleculares e polarização de spin. 2003. (Outra).

EXC!TING Summer School "DFT beyond the ground state".Optical Properties of Oxide Compounds PbO, ZnO, SnO2 and TiO2. 2003. (Outra).

II Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. 2003. (Encontro).

Seminário Geral da Física. Modelamento de Propriedades Óticas e Eletrônicas de Semicondutores de "Gaps" Largos. 2003. (Congresso).

Seminários Gerais em Física.Propriedades Eletrônicas, Ópticas e Morfológicas de Materiais Semicondutores de Gaps Largos: Efeitos de Impurezas e Aglomerados Moleculares. 2003. (Seminário).

Electronic Materials Branch Seminar.Modeling the Optical and Electronic Properties of Wide Bandgap Semiconductors. 2002. (Seminário).

Fall 2002 Materials Reseach Society Meeting, Boston.Spin-dependent current in semiconductor asymmetric superlattices. 2002. (Seminário).

International conference on electronic structure theory in honor of the 60th birthday of Prof. B. Johansson, 10-11 June. 2002. (Encontro).

Naval Research Laboratory.Modeling the Optical and Electronic Properties of Wide Bandgap Semiconductors. 2002. (Seminário).

Seminário Especial.Propriedades Óticas e de Transporte em Novos Materiais Semicondutores. 2002. (Seminário).

53ª Reunião Anual da SBPC, UFBA - 13 a 18 de julho.Minicurso (Nivel Avançado) em Propriedades Ópticas, Térmicas e de Condução de Novos Materiais Semicondutores. 2001. (Encontro).

53ª Reunião Anual da SBPC, UFBA - 9ª SBPC Jovem, 13 a 18 de julho.Novos materiais: um desafio para dispositivos mais eficientes. 2001. (Encontro).

Doping Issue in Wide Band-gap Semiconductors. Influence of Si doping on optical properties of wurtzite GaN. 2001. (Congresso).

March Meeting of the American Physical Society. Resistivity of Si:Bi and Si:P,B between 1.8 K and Room Temperature. 2001. (Congresso).

Participação em bancas

Aluno: Carolina Melo de Abreu

DA SILVA AF. Mecanismos de Emissão Fosforescence do Composto CdSiO3. 2010. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Sergipe.

Aluno: Thanayut Kaewmaraya

DA SILVA AF. The theoretical study of water interaction with cation point defects on ZnO(1010) surface. 2010. Dissertação (Mestrado em Physics) - Uppsala University.

Aluno: Mariana Pelissari Monteiro Aguiar Baroni

DA SILVA AF. Análise Matemático-Computacional de Superfícies Irregulares: Aplicações para Materiais Ativos Nanoestruturados. 2005. Dissertação (Mestrado em Computação Aplicada) - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais.

Aluno: Rogério de Carvalho Brito

DA SILVA AF. Ambiente Gráfico Flyby para Análise de Padrões Gradientes de Silício Poroso. 2004. Dissertação (Mestrado em Computação Aplicada) - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais.

Aluno: Joelmo Jesus de Oliveira

DA SILVA AF. Cálculo de Propriedades Eletrônicas e Estruturais de Materiais Hipotéticos Via Método Ab-Initio. 2004. Dissertação (Mestrado em Curso de Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia.

Aluno: Artur Vicente Pfeifer Coelho

DA SILVA AF; BOUDINOV, H. S. B. S. J.. Defeitos Responsáveis pela Isolação de GaAs Irradiado com Prótons. 2003. Dissertação (Mestrado em Programa de Pós Graduação em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.

Aluno: MARCUS VINICIUS SANTOS DA SILVA

A, F. S.;DA SILVA AF. Fabricação de Filmes Finos de CuInSe2 para Aplicação em Células Fotovoltáicas. 2011. Tese (Doutorado em Programa de Pós Graduação em Física) - Instituto de Física-UFBa.

Aluno: Elias Silva dos Santos

DA SILVA AF. Prospecção de Inibidores para o Controle da Biossulfetogênese na Indústria de Petróleo e Gás Natural?. 2011. Tese (Doutorado em Biotecnologia) - Instituto de Ciências da Saúde.

Aluno: Joelson Colt Garcia

DA SILVA AF; L. V. Assali; M C Fantini; D S Galvão; LIMA, I. C. C.. Propriedades Físicas de Diamantóides. 2010. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Carla Daniele Canestraro

DA SILVA AF; M Cremona; C M Lepienski; Leni Campos Akcelrud;ROMAN, L. S.. Dispositivos Fotovoltaicos Orgânicos: Estudo de Camadas Ativas e Eletrodos. 2010. Tese (Doutorado em Pós-Graduação em Engenharia e Ciência dos Materia) - Universidade Federal do Paraná.

Aluno: Alim Fulati

DA SILVA AF. Mechanical Characterization and Electrochemical Sensor Applications of Zinc Oxide Nanostructures. 2010. Tese (Doutorado em Física) - LINKOPING UNIVERSITY.

Aluno: Ferenc Diniz Kiss

DA SILVA AF. Efeitos de dimensão nas Propriedades Físicas e Processos de Adsorção em Nanopartículas de Prata. 2010. Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Erika Dias Cabral

DA SILVA AF; LIMA, I. C. C.; GOBATO, Y. G.; OLIVEIRA, N. A.; BRACCO, M. E.. Estudo de propriedades elétricas e magnéticas em nanestruturas de GaMnAs de uso em spintrônica. 2009. Tese (Doutorado em Física) - Universidade do Estado do Rio de Janeiro.

Aluno: Nelson Guilherme Castelli Astrath

DA SILVA AF; LENZI, E. K.; BAESSO, M. L.; EVANGELISTA, L. R.; MACHADO, F. L. A.. Determinação e Análise de Porpiredades Térmicas e Óticas de Sólidos não Cristalinos em Altas e Baixas Temperaturas. 2006. Tese (Doutorado em Pós-Graduação em Física) - Universidade Estadual de Maringá.

Aluno: Jane Maria Gonçalves Laranjeira

DA SILVA AFAZEVEDO, W. M.; de Jesus, E. F. O.; Khoury, H. J.; HAZIN, C. A.. Fabricação e Caracterização Elétrica de Heterojunções de Polianilina-Silício para Aplicação em Dosimetria de Radiações Ionizantes. 2004. Tese (Doutorado em Tecnologias Energéticas Nucleares) - Universidade Federal de Pernambuco.

Aluno: Mariana Pelissari Monteiro Aguiar Baroni

DA SILVA AFRAMOS, F. M.ROSA, R. R.; VELHO, H. F. C.;PONTES, J. R. M.. Simulação e Caracterização Computacional de Micro e Nano Estruturas em Células do Tipo Hele-Shaw. 2006. Exame de qualificação (Doutorando em Computação Aplicada) - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais.

Aluno: Nilton Souza Dantas

DA SILVA AFAN, C. Y.; NONO, M. C. A.. Simulação Computacional de Novos Materiais Semicondutores Através de Teoria Funcional Densidade. 2006. Exame de qualificação (Doutorando em ETE/Ciência e Tecnologia de Materiais e Sensores) - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais.

DA SILVA AF. PROFESSOR TITULAR. 2012. Universidade de São Paulo.

DA SILVA AF. Materiais Cerâmicos. 2011. Universidade Federal do ABC.

DA SILVA AF. Concurso Professor Titular. 2010. Universidade Federal do Rio Grande do Norte.

DA SILVA AF. Concurso Professor Titular - Roberto Fernandes Silva Andrade. 2009. Instituto de Física-UFBa.

DA SILVA AF. Concurso Professor Doutor - IF USP (MS-3). 2009. Universidade de São Paulo.

DA SILVA AFFAZZIO, A.; Enrique Anda; Rita Maria Cunha de Almeida; Mario José de Oliveira. Concurso Professor Assistente. 2006. Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro.

DA SILVA AF. Banca Examinadora da Promoção da Carreira de classe de Adjunto para Titular do Prof. Marcelo Albano Moret Simões Gonçalves. 2005. Universidade Estadual de Feira de Santana.

Ferreira da Silva, Antonio; YANG, W.. PhD Thesis. ?Interactions de Radionucléides et de CO2 les Argilles: Mécanismes à Élucider à l?Echelle. 2014. Université Lille1 Science et Technologies.

DA SILVA AF. Comissão Julgadora do Concurso de Livre-Docência da Profa. Euzi Conceição Fernandes da Silva-Dept. Física dos Materiais e Mecânica. IF-USP. 09 a 11/02/2004 .. 2004. Universidade de São Paulo.

DA SILVA AF. 7º Prêmio Destaque do Ano na Iniciação Científica_CNPq. 2009. Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico.

DA SILVA AF. Avaliação do Processo de Pedido de Incentivo Funcional por Produção Científica do Prof. Dr. Fábio de Jesus Ribeiro. 2002. Universidade Estadual de Feira de Santana.

DA SILVA AF. Comissão de Avaliação do Processo de Progresso na Carreira do Professor Thierry Jacques Lemaire. 2002. Universidade Estadual de Feira de Santana.

Orientou

Adler Lima Botelho de Azevedo

OSTEOINTEGRAÇÃO E BIOENGENHARIA DE TECIDO ÓSSEO EM NOVO MODELO DE PRÓTESE DO QUADRIL; Início: 2021; Dissertação (Mestrado em BIOTECNOLOGIA) - Universidade Federal da Bahia; (Orientador);

Cristian Lins da Cruz Almeida

Célula Ciborges de Nióbio Utilizando Nanoestruturas a Base de Nióbio para Produção de Biodiesel; Início: 2023; Tese (Doutorado em Programa de Pós-Graduação em Biotecnologia) - Instituto de Ciências da Saúde; (Orientador);

Sara Helen Nascimento Dias da Silva

Produção de Microtubos Metálicos a partir de Fungos Filamentosos/Nanopartículas para Desenvolvimento de Sensores Eletroquímicos de Sensores Eletroquímicos (Espectroscopia Raman por Instensificação de Superfície); Início: 2023; Tese (Doutorado em Programa de Pós-Graduação em Biotecnologia) - Instituto de Ciências da Saúde; (Orientador);

Rodrigo Jorge de Souza da Fonseca

Uso de Nanotecnologia para Regeneração Tecidual de Cartilagem Articular; Início: 2022; Tese (Doutorado em Programa de Pós-Graduação em Biotecnologia) - Instituto de Ciências da Saúde; (Orientador);

Thiago Rhangel Gomes Teixeira

ESTUDO RANDOMIZADO DA ENXERTIA AUTÓLOGA DE CÉLULAS DA MEDULA ÓSSEA ASSOCIADA OU NÃO A BIOMATERIAIS, PARA REGENERAÇÃO DOS TRAUMAS ÓSSEOS E CUTÂNEOS; Início: 2021; Tese (Doutorado em BIOTECNOLOGIA) - Universidade Federal da Bahia; (Orientador);

Bianca Jardim Mendonça

Bianca Jardim Mendonça; Início: 2018; Tese (Doutorado em Física) - Universidade de São Paulo, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; (Coorientador);

Adler Lima Botelho de Azevedo

A importância da biocerâmica porosa de fosfato tricálcico na reparação e regeneração óssea da osteonecrose da cabeça femoral; ; 2024; Dissertação (Mestrado em BIOTECNOLOGIA) - Universidade Federal da Bahia, ; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Rodrigo Pereira de Carvalho

Um Estudo Sobre a Elipsometria com Aplicação na caracterização de Amostras de Si,SiO2:F, WO3 e DLC; 2016; Dissertação (Mestrado em Pos Graduação em Física) - Instituto de Física-UFBa, ; Coorientador: Antonio Ferreira da Silva;

Carla Araujo Sena

Produção de hidrogênio por fotodissociação da água; 2015; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

JHON ELBER LEON

ANISOTROPIA GIROMAGNETICA PARA ELETRONS EM POCOS QU^ANTICOS ACOPLADOS; 2014; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Rafael Barros Neves de Araújo

?Investigação Teórica das Propriedades Eletroquímicas de Materiais para Armazenamento de Energia?; 2011; Dissertação (Mestrado em Pos Graduação em Física) - Instituto de Física-UFBa, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Coorientador: Antonio Ferreira da Silva;

Marcelo Alejandro Toloza Sandoval

Polarizaçao de spin de elétrons em nanoestruturas de semicondutores III-V; 2008; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Rogério da Silva Alves

Sistemas Magneticos Diluídos; 2007; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado da Bahia; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Everton Carlos Santana Magalhãs

Propriedades Ópticas de Filmes Finos de Dióxido de Estanho Puro e Dopado com Flúor; 2006; Dissertação (Mestrado em Pos Graduação em Física) - Instituto de Física-UFBa, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Joseph Ogren

?Investigation of Optical Properties of Promising Semiconductor Systems?; ; 2005; Dissertação (Mestrado em Master in Science) - Linkoping University, Linkoping University; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Adriano de Jesus da Silva

Estudo das Transições Óticas por Aglomerados de Impurezas em Semicondutores?; ; 2005; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Milena Ventura da Conceição

Estudo dos Espectros de Absorção Ótica e da Difusividade Térmica de Materiais Semicondutores Utilizando a Espectroscopia Fotoacústica?; ; 2005; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Carlos Moysés Graça Araújo

Contribuições ao estudo da estrutura eletrônica de semicondutores:bulk e heteroestruturas; 2002; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Jailton Souza de Almeida

INVESTIGAÇÃO DOS ESTADOS ELETRÔNICOS EM ESTRUTURAS MOSFET; 2001; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

TENILSON SOUZA DA SILVA

CARACTERIZAÇÃO TÉRMICA E ÓPTICA DE NOVOS MATERIAIS SEMICONDUTORES POR ESPECTROSCOPIA FOTOACÚSTICA; 2000; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Nilton Souza Dantas

UM ESTUDO DA TRANSIÇÃO METAL-ISOLANTE E CONDUTIVIDADE EM SISTEMAS SEMICONDUTORES; 2000; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Álvaro Santos Alves

ESTUDO DE PROPRIEDADES ÓPTICAS DE MATERIAIS SEMICONDUTORES UTILIZANDO FOTOACÚSTICA E FOTOCONDUTIVIDADE; 1999; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Edmario Antonio Guimarães Costa

Modelo de Pares Doadores Em Sistemas de Baixa Dimensionalidade; 1994; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal da Bahia, ; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Fernando de Brito Mota

Um Estudo das Propriedades Opticas Em Semicondutores Dopados Perto da Transicao Metal-Isolante; 1993; Dissertação ; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

JAILTON CAETANO DE SOUZA

Desenvolvimento de Um Espectrometro Fotoacustico Com Aplicacao Em Medidas de Espectro de Absorcao de Semicondutores, Terras Raras e Outros Materiais; 1993; Dissertação ; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

MAURICIO FABBRI

Estudo dos Estados Eletronicos e de Propriedades Fisicas Ligadas As Impurezas Substitucionais Em Semicondutores Dopados; 1981; Dissertação - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, ; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Thiago Rhangel Gomes Teixeira

Terapia com células-tronco mesenquimais da medula óssea na regeneração óssea em crianças com osteonecrose secundária a doença falciforme; 2024; Tese (Doutorado em BIOTECNOLOGIA) - Universidade Federal da Bahia, ; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Jhon Elber Leon Padilla

TENSOR GIROMAGNÉTICO EFETIVO PARA ELÉTRONS EM MULTICAMADAS SEMICONDUTORAS; 2021; Tese (Doutorado em Programa de Pós Graduação em Física) - Instituto de Física-UFBa, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Marcelo Alejandro Toloza Sandoval

Fenômenos Dependentes de Spin em Semicondutores Nanoestruturados; 2014; Tese (Doutorado em Programa de Pós Graduação em Física) - Instituto de Física-UFBa, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Milena Ventura da Conceição

Análise Espectroscópica de Óxidos Semicondutores Usando a Técnica Fotoacústica; 2013; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Milena Ventura Castro Meira

Análise Espectroscópica de Óxidos Semicondutores Usando a Técnica Fotoacústica; 2013; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal da Bahia, ; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Nilton Souza Dantas

Simulacao Computacional de Novos Materiais Atraves da Teoria do Funcional da Densidade; 2009; Tese (Doutorado em Engenharia e Tecnologia Espaciais) - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado da Bahia; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Mariana Pelissari Monteiro Aguiar Baroni

SIMULAÇÃO, ANÁLISE E CARACTERIZAÇÃO COMPUTACIONAL DE PADRÕES DE "FINGERING" EM DESLOCAMENTOS DE FLUIDOS EM MEIOS POROSOS; 2009; Tese (Doutorado em Computação Aplicada) - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Coorientador: Antonio Ferreira da Silva;

MAURICIO FABBRI

Correlacao e Desordem Em Semicondutores Dopados; 1984; Tese (Doutorado em Física) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, ; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Marcelo Alejandro Toloza Sandoval

2015; Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Antonio Ferreira da Silva;

Elaine da Luz Rocha

Determinação da absorção ótica de amostras de carbeto de silicio; 2008; Iniciação Científica; (Graduando em Fisica) - Instituto de Física-UFBa, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Valmara Silveira Ponte

Desenvolvimento de um sistema de aquisição de espectros de absorção de luz por amostras semicondutoras; 2008; Iniciação Científica; (Graduando em Fisica) - Instituto de Física-UFBa, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Rafael Almeida Bittencourt

; ; 2007; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Rafael Barros Neves de Araújo

; ; 2007; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Sara Santedicola Ribeiro

Estudo de propriedades de transporte em óxidos semicondutores; 2007; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade Federal da Bahia, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

André Telles da Cunha Lima

Energia de ligação de impurezas rasas em poços quanticos de GaAs/AlAs; 1996; Iniciação Científica; (Graduando em Instituto de Física) - Universidade de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Jailton Souza de Almeida

Pesquisador Visitante (vindo de Uppsala University, Suécia); 2007; Orientação de outra natureza; (Física) - Universidade Federal da Bahia; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Tiago Fróes

Desenvolvimento de Software e Cluster Computacional para Obtenção de Prop; Opticas e eletricas de Novos materiais; 2006; Orientação de outra natureza; (Física) - Universidade Federal da Bahia, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado da Bahia; Orientador: Antonio Ferreira da Silva;

Produções bibliográficas

TOLOZA SANDOVAL, M. A. ; LEON PADILLA, J. E. ; WANDERLEY, A. B. ; SIPAHI, G. M. ; DINIZ CHUBACI, J. F. ; Ferreira da Silva, A. . Driven electron g -factor anisotropy in layered III-V semiconductors: Interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS , v. 135, p. 103, 2024.
GERIS, REGINA ; TELES DE JESUS, VITÓRIA EVELYN ; Ferreira da Silva, Antonio ; MALTA, MARCOS . Exploring Culture Media Diversity to Produce Fungal Secondary Metabolites and Cyborg Cells. CHEMISTRY & BIODIVERSITY , v. 21, p. 2066, 2024.
GERIS, R. ; CALIL, S. ; RIGOLI, I. C. ; VIDAL, R. R. L. ; DA SILVA, ANTONIO FERREIRA ; MALTA, MARCOS . Advanced Applications of Lignocellulosic Fibers and Mycelium-Based Composites for a Sustainable World. Engineering Materials , v. F1821, p. 367, 2024.
TEIXEIRA, THIAGO RHANGEL GOMES ; DALTRO, GILDÁSIO DE CERQUEIRA ; SBERGE, FERNANDO LUIS ; BARRETO, EDUARDO SILVA REIS ; SILVA, ANTÔNIO FERREIRA DA . Therapy with bone marrow mesenchymal stem cells in bone regeneration in children with osteonecrosis secondary to sickle cell disease. FRONTIERS IN CELL AND DEVELOPMENTAL BIOLOGY , v. 12, p. 01-13, 2024.
MACIEL, VERÔNICA B. ; FONTES, ADRIANA M. ; GERIS, REGINA ; DA ROCHA, ZÊNIS N. ; RAMALHO, JÉSSICA G. S. ; DA SILVA, ANTONIO F. ; DA SILVA, GABRIEL C. ; TALEB, ABDELHAFED ; AMMAR, SOUAD ; MALTA, MARCOS . Exploiting Micrometer-Scale Replication of Fungal Biotemplates for Multifunctional Uses in Electrochemistry and SERS Substrates. ACS Omega , v. 9, p. 43385-43394, 2024.
DAVID, DENIS GILBERT FRANCIS ; BARGIELA, PASCAL ; DA SILVA, MARCUS VINICIUS SANTOS ; GODET, CHRISTIAN ; DA SILVA SANTANA, VICTOR MANCIR ; MAGALHÃES, ERICK ROHAN SANTOS OLIVEIRA ; DA LUZ, LEONIS L. ; JÚNIOR, SEVERINO ALVES ; CHUBACI, JOSÉ FERNANDO DINIZ ; BAFFA, OSWALDO ; DA SILVA, ANTÔNIO FERREIRA . Composition, Structural and Optical Properties of Golden Grass. BRAZILIAN JOURNAL OF PHYSICS , v. 52, p. xxx, 2022.
OLIVEIRA, CAMILA ; CHAVES, CLAUDILENE RIBEIRO ; BARGIELA, PASCAL ; DA ROCHA, MARIA DA GRAÇA CARNEIRO ; DA SILVA, ANTONIO FERREIRA ; CHUBACI, JOSÉ FERNANDO DINIZ ; BOSTRÖM, MATHIAS ; PERSSON, CLAS ; MALTA, MARCOS . Surface studies of the chemical environment in gold nanorods supported by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and ab initio calculations. Journal of Materials Research and Technology-JMR&T , v. 15, p. 768-776, 2021.
FONTES, ADRIANA M. ; OLIVEIRA, CAMILA ; BARGIELA, PASCAL ; DA ROCHA, MARIA DA G. C. ; GERIS, REGINA ; DA SILVA, ANTONIO F. ; GANGISHETTY, MAHESH K. ; SCOTT, ROBERT W. J. ; MALTA, MARCOS . Unveiling the Surface and the Ultrastructure of Palladized Fungal Biotemplates. LANGMUIR , v. 37, p. 12961-12971, 2021.
Ferreira da Silva, A. ; TOLOZA SANDOVAL, M. A. ; LEVINE, A. ; LEVINSON, E. ; BOUDINOV, H. ; SERNELIUS, B. E. . Heavily n -doped Ge: Low-temperature magnetoresistance properties on the metallic side of the metal-nonmetal transition. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS , v. 127, p. 045705, 2020.
LEON PADILLA, JHON ELBER ; TOLOZA SANDOVAL, MARCELO ALEJANDRO ; Ferreira da Silva, Antonio ; DE ANDRADA E SILVA, ERASMO ASSUMPÇÃO ; LA ROCCA, GIUSEPPE CARLO . g-Factor Anisotropy Inversion in InGaAs 2D Nanostructures. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS , v. b2019, p. 1800643-1800646, 2019.
DAVID, DENIS ; ALNOOR, HATIM ; MANCIR DA SILVA SANTANA, VICTOR ; BARGIELA, PASCAL ; NUR, OMER ; WILLANDER, MAGNUS ; BALDISSERA, GUSTAVO ; PERSSON, CLAS ; Ferreira da Silva, Antonio . Optical properties from photoelectron energy-loss spectroscopy of low-temperature aqueous chemically synthesized ZnO nanorods grown on Si. SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY , v. 34, p. 045019-045024, 2019.
ROSARIO, J. ; LUZ, L. L. ; GERIS, R. ; RAMALHO, J. G. S. ; DA SILVA, ANTONIO FERREIRA ; ALVES JUNIOR, S. ; MALTA, M. . Photoluminescent organisms: how to make fungi glow through biointegration with lanthanide metal-organic frameworks. Scientific Reports , v. 9, p. 7302, 2019.
CARVALHO, R. P. ; MIRANDA, C. R. ; Ferreira da Silva, A. . The role of Cr on the electronic and optical properties of -InCrN: a first principles study. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH , v. 499, p. 13-17, 2018.
SANDOVAL, M. A. T. ; PADILLA, J. E. L. ; Ferreira da Silva, A. ; SILVA, E. A. A. E. ; ROCCA, G. C. L. . Mesoscopic g-factor renormalization for electrons in III-V interacting nanolayers. PHYSICAL REVIEW B , v. 98, p. 075312-075312-6, 2018.
RAMOS, L. C. ; SOUSA, L. J. ; SILVA, A. F. ; FALCAO, V. G. ; LIMA, S. T. C. . Evaluation of Electro-Flocculation for Biomass Production of Marine Microalgae Phaodactylum tricornutum. World Academy of Science, Engineering and Technology International Journal of Biological, Biomolecular, Agricultural, Food and Biotechnological Engineering , v. 11, p. 343-346, 2017.
MARTINS, F. ; MAMEDE1, M. E. O. ; SILVA, A. F. ; GUERREIRO, J. ; LIMA, S. T. C. . Cell ultrastructure and protein expression of hanseniaspora yeasts under the effect of ethanol stress. Brazilian Journal of Food and Technology , v. 20, p. 1-6, 2017.
GONZÁLEZ-MOYA, JOHAN R ; GARCIA-BASABE, YUNIER ; ROCCO, MARIA LUIZA M ; PEREIRA, MARCELO B ; PRINCIVAL, JEFFERSON L ; ALMEIDA, LUCIANO C ; ARAÚJO, CARLOS M ; DAVID, DENIS G F ; DA SILVA, ANTONIO FERREIRA ; MACHADO, GIOVANNA . Effects of the large distribution of CdS quantum dot sizes on the charge transfer interactions into TiO 2 nanotubes for photocatalytic hydrogen generation. Nanotechnology (Bristol. Print) , v. 27, p. 285401, 2016.
SANDOVAL, M. A. T. ; SILVA, E. A. A. ; FERREIRADASILVA A ; ROCCA, G. C. L. . Electron factor anisotropy in asymmetric III-V semiconductor quantum wells. Semiconductor Science and Technology (Print) , v. 31, p. 115008-115014, 2016.
HATTORI, Y. ; CHUBACI, J. F. D. ; MATSUOKA, M. ; J. A. Freitas Jr ; Ferreira da Silva, Antonio . Investigation of oxygen defects in wurtzite InN by using density functional theory. Journal of Crystal Growth , v. 456, p. 168-173, 2016.
NEVES, R. S. ; Ferreira da Silva, A. ; KISHORE, R. . Ferromagnetism in Disordered Magnetic Semiconductors. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism , v. 28, p. 751-756, 2015.
Ferreira da Silva, Antonio ; LEVINE, A. ; MOMTAX, Z. S. ; BOUDINOV, H. ; SERNELIUS, B. E. . Magnetoresistance of doped silicon. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 91, p. 214414-1-214414-7, 2015.
B. ARAUJO, RAFAEL ; S. DE ALMEIDA, J. ; Ferreira da Silva, A. ; Ahuja, Rajeev . Insights in the electronic structure and redox reaction energy in LiFePO4 battery material from an accurate Tran-Blaha modified Becke Johnson potential. Journal of Applied Physics , v. 118, p. 125107-125107 5, 2015.
B Wang ; NISAR, J. ; ALMEIDA, C. G. ; MASCARENHAS, A. J. S. ; SILVA, L. A. ; DAVID, D. G. F. ; BARGIELA, P. ; ARAUJO, C. M. ; AHUJA, R ; Ferreira da Silva, A. . Optical and electronic properties of nanosized BiTaO 4 and BiNbO 4 photocatalysts: Experiment and theory. Physica Status Solidi. B, Basic Research , p. n/a-n/a, 2014.
FONTES, A. M. ; GERIS, R. ; SANTOS, A. V. ; PEREIRA, M. G. ; RAMALHO, J. G. S. ; Ferreira da Silva, A. ; MALTA, M. . Bio-inspired gold microtubes based on the morphology of filamentous fungi. BIOMATER SCI-UK , v. 2, p. 956-960, 2014.
KUMAR, M. ; BALDISSERA, G. ; PERSSON, C. ; DAVID, D. G. F. ; SILVA, M. D. ; Freitas, J.A. ; TISCHLER, J. G. ; CHUBACI, J. F. D. ; MATSUOKA, M. ; Ferreira da Silva, A. . Bulk Properties of InN Films obtained by experiments and theory. Journal of Crystal Growth , v. 403, p. 124-127, 2014.
DIAS, D. T. ; BEDESCHI, V. C. ; FERREIRADASILVA A ; NAKAMURA, O. ; MEIRA, M. V. C. ; TRAVA-AIROLDI, V. J. . Photoacoustic spectroscopy and thermal diffusivity measurement on hydrogenated amorphous carbon thin films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition. Diamond and Related Materials , v. 48, p. 1-5, 2014.
Ferreira da Silva, A. ; CHUBACI, J. F. D. ; MATSUOKA, M. ; J. A. Freitas Jr ; TISCHLER, J. G. ; BALDISSERA, G. ; PERSSON, C. . Improved theoretical model of InN optical properties. Physica Status Solidi. C: Current Topics in Solid State Physics , v. 11, p. 581-584, 2014.
ALMEIDA, C. G. ; ARAUJO, RAFAEL B. ; YOSHIMURA, R. G. ; MASCARENHAS, A. J. S. ; Ferreira da Silva, Antonio ; ARAUJO, C. M. ; Almeida Silva, Luciana . Photocatalytic hydrogen production with visible light over Mo and Cr-doped BiNb(Ta)O4. International Journal of Hydrogen Energy , v. 39, p. 1220-1227, 2014.
Wang, Baochang ; Nisar, Jawad ; Almeida, Cristiane Gomes ; MASCARENHAS, A. J. S. ; Silva, Luciana Almeida ; DAVID, DENIS GILBERT FRANCIS ; BARGIELA, PASCAL ; ARAUJO, CARLOS MOYSES ; Ahuja, Rajeev ; DA SILVA AF . Optical and electronic properties of nanosized BiTaO 4 and BiNbO 4 photocatalysts: Experiment and theory. Physica Status Solidi. B, Basic Research , v. 251, p. n/a-n/a, 2014.
SANDOVAL, M. A. T. ; Ferreira da Silva, Antonio ; SILVA, E. A. A. E. ; La Rocca, G.C. . Spin-orbit interaction strength and anisotropy in III-V semiconductor heterojunctions. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 87, p. 081304-081307(R), 2013.
MESQUITA, P. R. ; ALMEIDA, J. S. ; TEIXEIRA, L. S. ; Ferreira da Silva, Antonio ; SILVA, L. A. . A fast sonochemical method to prepare 1D and 3D nanostructures of bismuth sulfite. Journal of the Brazilian Chemical Society (Impresso) , v. 24, p. 280-284, 2013.
ARAUJO, R. B. ; SCHEICHER, R. H. ; J. S. de Almeida ; Ferreira da Silva, A. ; AHUJA, R . First-principles investigation of Li ion diffusion in Li2FeSiO4. Solid State Ionics (Print) , v. 247-248, p. 8-14, 2013.
K. Iwaya ; D. R. Bowler ; BRAZDOVA, V. ; Ferreira da Silva, A. ; RENNER, C. ; WU, W. ; FISHER, A. J. ; STONEHAM, A. M. ; G. Aeppli . Half-filled orbital and unconventional geometry of a common dopant in Si(001). Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 88, p. 035440, 2013.
ARAUJO, RAFAEL B. ; SCHEICHER, RALPH H. ; de Almeida, J.S. ; Ferreira da Silva, A. ; Ahuja, Rajeev . Lithium transport investigation in LixFeSiO4: A promising cathode material. Solid State Communications , v. 173, p. 9-13, 2013.
ARAUJO, RAFAEL B. ; DE ALMEIDA, J. S. ; Ferreira da Silva, A. . Electronic properties of III-nitride semiconductors: A first-principles investigation using the Tran-Blaha modified Becke-Johnson potential. Journal of Applied Physics , v. 114, p. 183702-183707, 2013.
da Silva, M.V.S. ; David, D.G.F. ; PEPE, I. ; Ferreira da Silva, A. ; de Almeida, J.S. ; Gazoto, A.L. ; dos Santos, A.O. ; Cardoso, L.P. ; Meneses, E.A. ; Graybill, D.L. ; Mertes, K.M. . Structural, optical and electrical properties of indium nitride polycrystalline films. Thin Solid Films , v. xx, p. xx1-xx5, 2012.
Sandoval, M.A. Toloza ; Silva, A. Ferreira da ; Silva, E.A. de Andrada e ; La Rocca, G.C. . Rashba and Dresselhaus spin-orbit interaction strength in GaAs/GaAlAs heterojunctions. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism , v. 28, p. 95-98, 2012.
David, D.G.F. ; Guerreiro, J. ; da Silva, M.V.S. ; Castro Meira, M.V. ; Bargiela, P. ; de Almeida, J.S. ; Freitas, J.A. ; Ferreira da Silva, A. . Properties of Nitrogen-Doped Titanium Oxides. Journal of Crystal Growth , v. xx, p. xxx-16, 2012.
Nisar, Jawad ; Almeida Silva, Luciana ; C G Almeida ; Santos Mascarenhas A J ; Wang, Baochang ; ARAUJO, C. M. ; AHUJA, R. ; PEPE, I. ; ALMEIDA, J. S. ; Ferreira da Silva, Antonio . Study of electronic and optical properties of BiTaO4 for photocatalysis. Physica Status Solidi. C, Current Topics in Solid State Physics (Print) , v. 9, p. 1593-1596, 2012.
Castro Meira, M. V. ; Ferreira da Silva, A. ; BALDISSERA, G. ; PERSSON, C. ; FREITAS, J. A. ; GUTMAN, N. ; Sa¿ar, A. ; NUR, O. ; WILLANDER, M. ; FERREIRADASILVA A . Optical characterization of ZnO nanopillars on Si and macroporous periodic Si structure. Journal of Applied Physics , v. 111, p. 123527-123531, 2012.
Nisar, Jawad ; Wang, Baochang ; Araujo, Carlos Moyses ; Ferreira da Silva, Antonio ; Kang, Tae Won ; Ahuja, Rajeev . Band gap engineering by anion doping in the photocatalyst BiTaO4: First principle calculations. International Journal of Hydrogen Energy , v. 37, p. 3014-3018, 2012.
Maia D L S ; PEPE, I. ; FERREIRADASILVA A ; SILVA, L. A. .. . Visible-Light-Driven Photocatalytic Hydrogen Production over Dye-Sensitized β-BiTaO4. Journal of Photochemistry and Photobiology. A, Chemistry , v. 243, p. 61-64, 2012.
SANDOVAL, M. A. T. ; FERREIRADASILVA A ; SILVA, E. A. A. E. ; ROCCA, G. C. L. . Mesoscopic spin-orbit effect in the semiconductor nanostructure electron g factor. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 86, p. 195302, 2012.
FERREIRADASILVA A . Impurity Cluster Effects in High and Low Doping Semiconductor Materials. International Journal of Quantum Chemistry , v. 111, p. 1466-1471, 2011.
SANDOVAL, M. A. T. ; FERREIRADASILVA A ; SILVA, E. A. A. E. ; ROCCA, G. C. L. . Variational analysis of the Rashba splitting in IIIâ¿¿V semiconductor inversion layers. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 83, p. 235315, 2011.
GONZALES-BORRERO, P. P. ; BERNABE, H. S. ; ASTRATH, N. G. C. ; BENTO, A. C. ; BAESSO, M. L. ; MEIRA, M. V. C. ; ALMEIDA, J. S. ; da SILVA, A. F. ; FERREIRADASILVA A . Energy-level and optical properties of nitrogen doped TiO2: An experimental and theoretical study. Applied Physics Letters , v. 99, p. 221909, 2011.
SANDOVAL, M. A. T. ; FERREIRADASILVA A ; SILVA, E. A. A. E. ; ROCCA, G. C. L. . Spin‐orbit Splitting Anisotropy in n‐type InGaAs Inversion Layers. AIP Conference Proceedings , v. 1416, p. 91-94, 2011.
Toloza ; Ferreira da Silva, A. ; Andrada ; La . Variational Rashba Effect in GaAlAs/GaAs Heterojunctions. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism , v. 23, p. 171-173, 2010.
BORRERO, P. P. G. ; SATO, F. ; MEDINA, A. N. ; BAESSO, M. L. ; BENTO, A. C. ; BALDISSERA, G. ; PERSSON, C. ; NIKLASSON, G. A. ; GRANQUIST, C. G. ; FERREIRADASILVA A . Optical Band-Gap Determination of Nanostructured WO3 Film. Applied Physics Letters , v. 96, p. 061909-1-061909-3, 2010.
SANDOVAL, M. A. T. ; FERREIRADASILVA A ; SILVA, E. A. A. ; ROCCA, G. C. L. . Spin-split Conduction Subbands of III?V Semiconductor Heterojunctions. PHYSICS OF SEMICONDUCTORS , v. 1199, p. 391-392, 2010.
Ferreira H S ; Rangel M C ; Ferreira M L O ; PEPE, I. ; FERREIRADASILVA A . A spectroscopic study of Au/CexZr1-xO2 catalysts. Brazilian Journal of Physics , v. 39, p. 141-145, 2009.
Tatiana B F Guimarães ; PEPE, I. ; FERREIRADASILVA A ; Antônio S. Mangrich ; ANDRADE, J. B. ; SILVA, L. A. .. . Optical properties of colloids formed in copper-tin sulfate solution containing Rhodamine B. Journal of Alloys and Compounds , v. 481, p. 654-658, 2009.
SANDOVAL, M. A. T. ; FERREIRADASILVA A ; SILVA, E. A. A. E. ; ROCCA, G. C. L. . Variational Rashba splitting in two-dimensional electron gases in III-V semiconductor hetrojuctions. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 79 RC, p. RC 241305-1-RC 241305-4, 2009.
NEVES, R. S. ; FERREIRADASILVA A ; KISHORE, R. . Metal-insulator transition and the character of the hole impurity bands in ferromagnetic GaMnAs disordered dilute magnetic semiconductor. MRS Proceedings , v. 1118, p. K05-08-14, 2009.
THOMAZI, F. ; ROMAN, L. S. ; FERREIRADASILVA A ; PERSSON, C. . Optical absorption of rutile SnO2 and TiO2. Physica Status Solidi. C, Conferences and Critical Reviews , v. 06, p. 2740-2742, 2009.
TOMAS, S. A. ; ZELAYA-ANGEL, O. ; PALOMINO, R. ; LOZADA, R. ; O Garcia ; YANEZ, J. M. ; FERREIRADASILVA A . Optical Characterization of Sol Gel TiO2 Monoliths Doped with Brilliant Green. Journal de Physique. IV , v. 153, p. 255-258, 2008.
DANTAS, N. S. ; ALMEIDA, J. S. ; AHUJA, R. ; PERSSON, C. ; FERREIRADASILVA A . Novel Semiconducting Materials for Optoelectronic Applications: AlTlN Alloys. Applied Physics Letters , v. 92, p. 121914-1-121914-3, 2008.
DANTAS, N. S. ; FERREIRADASILVA A ; PERSSON, C. . Electronic band-edge properties of rock salt PbY and SnY (Y=S,Se, and Te). Optical Materials (Amsterdam) , v. 30, p. 1451-1460, 2008.
DANTAS, N. S. ; ARWIN, H. ; NZULU, G. ; RAPPL, P. ; FERREIRADASILVA A ; PERSSON, C. . Optical Characterization of Rocksalt PbSnTe Alloys. Physica Status Solidi. A, Applied Research , v. 205, p. 837-840, 2008.
VASCONCELOS, E. A. ; AZEVEDO, W. M. ; SILVA, JR, E. F. ; PEPE, I. ; FERREIRADASILVA A ; Santedicola, S ; SILVA, K. A. . A Conducting Polymer-Silicon Heterojunction as a new Ultraviolet Photodector. Applied Surface Science , v. 255, p. 688-690, 2008.
CANESTRARO, C. D. ; OLIVEIRA, M. M. ; VALASKI, R. ; SILVA, M. V. S. ; DAVID, D. G. F. ; PEPE, I. ; FERREIRADASILVA A ; ROMAN, L. S. ; PERSSON, C. . Strong inter-conduction-band absorption in heavily fluorine doped tin oxide. Applied Surface Science , v. 255, p. 1874-1879, 2008.
MACEDO, A. G. ; VASCONCELOS, E. A. ; VALASKI, R. ; MUCHENSKI, F. ; SILVA, JR, E. F. ; FERREIRADASILVA A ; ROMAN, L. S. . Enhanced lifetime in porous silicon light-emitting diodes with fluorine doped tin oxide electrodes. Thin Solid Films , v. 517, p. 870-873, 2008.
KLEIN, T. ; ACHATZ, P. ; KACMARCIK, J. ; MARCENAT, C. ; GUSTAFSSON, F. ; MARCUS, J. ; BUSTARRET, E. ; PERNOT, J. ; OMNES, F. ; SERNELIUS, B. E. ; PERSSON, C. ; DA SILVA AF ; CYTERMANN, C. . Metal-Insulator Transition and Superconductivity in Boron-Doped Diamond. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 75, p. 165313-1-165313-7, 2007.
PERSSON, C. ; DA SILVA AF . Linear Optical response of Zinc-Blende and Wurtzite III-N (III=B, Al, Ga, and InN). Journal of Crystal Growth , v. 305, p. 408-413, 2007.
SILVA, L. A. .. ; ARAUJO, M. A. ; ANDRADE, J. B. ; SILVA, K. A. ; DAVID, D. G. F. ; DA SILVA AF ; PEPE, I. . Optical Properties of the New Potential Infrared-Detectors Cu(I)2SO3.M(II)SO3.2H2O (M = Cu, Fe, Mn and Cd) Series and the Influence of M(II) Exchange. Chemical Physics Letters , v. 442, p. 84-88, 2007.
ROSA, R. R. ; BARONI, M. P. M. A. ; ZANIBONI, G. T. ; FERREIRADASILVA A ; ROMAN, L. S. ; PONTES, J. R. M. ; BOLZAN, M. J. A. . Structural complexity of disordered surfaces: Analyzing the porous silicon SFM patterns. Physica. A , v. 386, p. 666-673, 2007.
PERSSON, C. ; DONG, C. L. ; VAYSSIERES, L. ; AUGUSTSSON, A. ; SCHMITT, T. ; MATTESINI, M. ; AHUJA, R. ; DA SILVA AF ; GUO, H. . X-Ray Absorption and Emission Spectroscopy of ZnO Nanoparticle and Highly Oriented ZnO Microrod Arrays. Microelectronics Journal, Inglaterra, v. 37, p. 686-689, 2006.
DA SILVA AF ; PEPE, I. ; GOLE, J. L. ; TOMAS, S. A. ; PALOMINO, R. ; AZEVEDO, W. M. ; SILVA, JR, E. F. ; AHUJA, R. ; PERSSON, C. . Optical Properties of In-Situ Doped and -Undoped Titania Nanocatalysts and Doped Titania Sol-Gel Nanofilms. Applied Surface Science , Inglaterra, v. 252, p. 5365-5367, 2006.
ROMAN, L. S. ; VALASKI, R. ; CANESTRARO, C. D. ; MAGALHAES, E. C. S. ; PERSSON, C. ; AHUJA, R. ; SILVA, JR, E. F. ; PEPE, I. ; DA SILVA AF . Optical Band-Edge Absorption of Oxide Compound SnO2. Applied Surface Science , Inglaterra, v. 252, p. 5361-5364, 2006.
GOLE, J. L. ; VEJE, E. ; EGEBERG, R. G. ; DA SILVA AF ; PEPE, I. ; DIXON, D. A. . Optical Analysis of the Light Emission from Porous Silicon: A Hybrid Polyatom Surface-Coupled Fluorphor. The Journal of Physical Chemistry B, Estados Unidos, v. 110, p. 2064-2073, 2006.
BARONI, M. P. M. A. ; ROSA, R. R. ; DA SILVA AF ; PEPE, I. ; ROMAN, L. S. ; RAMOS, F. M. ; AHUJA, R. ; PERSSON, C. ; VEJE, E. . Modeling and gradient pattern analysis of irregular SFM structures of porous silicon. Microelectronics Journal , Inglaterra, v. 37, p. 290-294, 2006.
PERSSON, C. ; NUR, O. ; WILLANDER, M. ; SILVA, E. A. A. E. ; DA SILVA AF . Electronic Band-Edge Structure, Effective masses, and Optical Absorption of SiGe Using an Extended FPLAPW/VCA/LDA+U Computational Method. Brazilian Journal of Physics , Brazil, v. 36, p. 447-450, 2006.
ASTRATH, N. G. C. ; BENTO, A. C. ; BAESSO, M. L. ; DA SILVA AF ; PERSSON, C. . Photoacoustic Spectroscopy to Determine the Optical Properties of Thin Film 4H-SiC. Thin Solid Films , Inglaterra, v. 515, p. 2821-2823, 2006.
BARONI, M. P. M. A. ; CONCEICAO, M. V. ; ROSA, R. R. ; PERSSON, C. ; ARWIN, H. ; SILVA, JR, E. F. ; ROMAN, L. S. ; NAKAMURA, O. ; PEPE, I. ; DA SILVA AF . Optical and morphological properties of porous-diamond-like-carbon films deposited by magnetron sputtering. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 352, p. 3734-3738, 2006.
DA SILVA AF ; PERNOT, J. ; CONTRERAS, S. ; SERNELIUS, B. E. ; PERSSON, C. ; CAMASSEL, J. . Electrica Resistivity and Metal-Nonmetal Transition in n-Type doped 4H-SiC. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 74, p. 245201-1-245201-5, 2006.
ASTRATH, N. G. C. ; SATO, F. ; PEDROCHI, F. ; BENTO, A. C. ; BAESSO, M. L. ; PERSSON, C. ; DA SILVA AF . Band gap energy determination by photoacoustic spectroscopy under continuos light excitation. Applied Physics Letters , v. 89, p. 231926-1-231926-3, 2006.
DA SILVA AF ; PERSSON, C. . ?Electronic properties of intrinsic and heavily doped III-N (III = Al, Ga)?.. Journal de Physique. IV , v. 131, p. 105-110, 2006.
PERSSON, C. ; SILVA, A. A. ; DA SILVA AF . ? Optical absorption , band-edge electronic structure, and polaronic effects in rutile SnO2. Brazilian Journal of Physics , v. 36, p. 447-450, 2006.
VASCONCELOS, E. A. ; SILVA, JR, E. F. ; LARANJEIRAS, J. M. G. ; AZEVEDO, W. M. ; PEPE, I. ; DA SILVA AF . Optical and electrical characterization of the band structure of polyainiline nanofilms and polyaniline/silicon. Physica Status Solidi. C, Conferences and Critical Reviews , Alemanha, v. 2, p. 2982-2985, 2005.
DA SILVA AF ; DANTAS, N. S. ; ALMEIDA, J. S. DE ; AHUJA, R. ; PERSSON, C. . Electronic and Optical Properties of Wurtzite and Zinc-Blende TlN and AlN. Journal of Crystal Growth , England, v. 281, p. 151-160, 2005.
TOMAS, S. A. ; PALOMINO, R. ; LOZADA-MORALES, R. ; SILVA, JR, E. F. ; VASCONCELOS, E. A. ; AZEVEDO, W. M. ; PERSSON, C. ; PEPE, I. ; DAVID, D. G. F. ; DA SILVA AF . Optical and electronic characterization of the band structure of blue methylene and rhodamine 6G-doped tiO2 sol-gel nanofilms. Microelectronics Journal , England, v. 36, p. 570-573, 2005.
PERSSON, C. ; DA SILVA AF . Strong polaronic effects on rutile TiO2 electronic band edges. Applied Physics Letters , Estados Unidos, v. 86, p. 23191-23193, 2005.
DA SILVA AF ; ASTRATH, N. G. C. ; BENTO, A. C. ; BAESSO, M. L. ; AHUJA, R. ; PERSSON, C. ; ZHAO, S. ; GRANQUIST, C. G. . Thermal lens and photoacoustic spextroscopy to determine the thermo-optical properties of semiconductors. Journal de Physique. IV , França, v. 125, p. 181-184, 2005.
CONCEICAO, M. V. ; DA SILVA AF ; NAKAMURA, O. ; SANTOS, L. V. ; TRAVA-AIROLDI, V. J. ; ROMAN, L. S. . Photoacoustic investigations of optical absorption , photoluminescence and therma conductivity of porous diamond like carbon films. Journal de Physique. IV , França, v. 125, p. 293-295, 2005.
TOMAS, S. A. ; STOLIK, S. ; PALOMINO, R. ; LOZADA-MORALES, R. ; PERSSON, C. ; AHUJA, R. ; PEPE, I. ; DA SILVA AF . Optical properties of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films. Journal de Physique. IV , França, v. 125, p. 415-418, 2005.
DA SILVA AF ; DANTAS, N. S. ; AHUJA, R. ; PEPE, I. ; SILVA, JR, E. F. ; NUR, O. ; WILLANDER, M. ; PERSSON, C. . Linear Optical Response of SiGe Compounds. Proceedings of SPIE, Estados Unidos, v. 5732, p. 556-564, 2005.
TOMAS, S. A. ; STOLIK, S. ; PALOMINO, R. ; LOZADA-MORALES, R. ; PERSSON, C. ; PEPE, I. ; DA SILVA AF . Influence of rhodamine 6G doping on the optical properties of TiO2 sol-gel films. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 98, p. 73516-73519, 2005.
KACMARCIK, J. ; MARCENAT, C. ; CYTERMANN, C. ; DA SILVA AF ; ORTEGA, L. ; GUSTAFSSON, F. ; MARCUS, J. ; KLEIN, T. ; GHEERAERT, E. ; BUSTARRET, E. . Superconductivity in Boron-Doped Homoepitaxial (001)-Oriented Diamond Layers. Physica Status Solidi. A, Applied Research , Alemanha, v. 202, p. 2160-2165, 2005.
DA SILVA AF ; PEPE, I. ; PERSSON, C. ; ALMEIDA, J. S. ; ARAUJO, C. M. ; RIKLUND, R. ; JOHANSSON, B. ; AN, C. Y. ; GUO, J. . Optical Properties of Oxides Compounds PbO, SnO2 and TiO2. Physica Scripta. Topical Issues , Suecia, v. T109, p. 180-183, 2004.
DA SILVA AF ; PEPE, I. ; SERNELIUS, B. E. ; PERSSON, C. ; AHUJA, R. ; SOUZA, J. P. ; SUZUKI, Y. ; YANG, Y. . Electrical Resistivity of Acceptor Carbon in GaAs. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 95, p. 2532-2535, 2004.
ARAUJO, C. M. ; DA SILVA AF ; PERSSON, C. ; AHUJA, R. ; SILVA, E. A. A. E. . Spin-Dependent Conductance in Nonmagnetic InGaAs Asymmetric Double Barrier Devices. Brazilian Journal of Physics , Brasil, v. 34, p. 632-634, 2004.
ARAUJO, C. M. ; DA SILVA AF ; AHUJA, R. . Pressure induced phase transition in ErH3. Physica Status Solidi. B, Basic Research , Alemanha, v. 241, p. 3219-3223, 2004.
DA SILVA AF ; PEPE, I. ; BRASIL, C. S. S. ; DAVID, D. G. F. ; SILVA, JR, E. F. ; PERSSON, C. ; LINDGREN, T. ; ALMEIDA, J. S. ; ARAUJO, C. M. ; AHUJA, R. . Electronic and optical properties of rutile titanium dioxide. Physica Status Solidi. B, Basic Research , Alemanha, v. 1, p. 241-244, 2004.
ROSA, R. R. ; DA SILVA AF ; BRITO, R. C. ; ROMAN, L. S. ; BARONI, M. P. M. A. ; RAMOS, F. M. ; AHUJA, R. ; PERSSON, C. . Structural flyby characterization of nanoporosity. Physica Status Solidi. B, Basic Research , Alemanha, v. 1, p. S277-S281, 2004.
TOMAS, S. A. ; STOLIK, S. ; PALOMINO, R. ; LOZADA, R. ; PERSSON, C. ; AHUJA, R. ; PEPE, I. ; DA SILVA AF . Optical properties of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films. Journal de Physique. IV , Franca, 2004.
ASTRATH, N. G. C. ; BENTO, A. C. ; BAESSO, M. L. ; DA SILVA AF ; PERSSON, C. ; AHUJA, R. ; ZHAO, S. ; GRANQUIST, C. G. . Thermal lens and photoacoustic spectroscopy to determine the thermo-optical properties of semiconductors. Journal de Physique. IV , Franca, 2004.
DA SILVA AF ; OLIVEIRA, A. C. ; FREITAS, J. A. ; MOORE, W. J. ; PEPE, I. ; ALMEIDA, J. S. ; OSORIO-GUILLEN, J. M. ; AHUJA, R. ; JARRENDAHL, K. ; PERSSON, C. . SPECTROSCOPY STUDIES OF 4H-SiC. Materials Research , Brasil, v. 6, n.1, p. 43-45, 2003.
DA SILVA AF ; OLIVEIRA, A. C. ; FREITAS, J. A. ; MOORE, W. J. ; PEPE, I. ; ALMEIDA, J. S. ; OSORIO-GUILLEN, J. M. ; PERSSON, C. ; AHUJA, R. . Photoacoustic and Transmission Studies of SiC Polytypes. Materials Research , Brasil, v. 6, n.1, p. 47-49, 2003.
DA SILVA AF ; PERSSON, C. ; AHUJA, R. ; ALMEIDA, J. S. ; JOAHANSSON, B. ; DANTAS, N. S. ; PEPE, I. . Optical Absorption of Large Band-Gap Sb(x)Bi(1-x)I3 Alloys. Materials Research Society Symposium Proceedings , Estados Unidos, v. 744, p. M5351-M5356, 2003.
DA SILVA AF ; PEPE, I. ; HARATIZADEH, H. ; HOLTZ, P. O. ; PERSSON, C. ; AHUJA, R. ; ALMEIDA, J. S. ; OLIVEIRA, A. G. . Electronic Properties of n-type Al(x)Ga(1-x)As Alloys. Materials Research Society Symposium Proceedings , Estados Unidos, v. 744, p. M8101-M8106, 2003.
DA SILVA AF ; AHUJA, R. ; PERSSON, C. ; ALMEIDA, J. S. ; ARAUJO, C. M. ; JOHANSSON, B. . Optical Properties of SiGe alloys. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 93, n.7, p. 3832-3836, 2003.
DA SILVA AF ; ARAUJO, C. M. ; SILVA, E. A. A. E. . Transmission through spin aplit conduction minibands in nonmagnetic semiconductor superlattices. Physics of Semiconductors , Bristol (UK), v. 171, p. 01-05, 2003.
DA SILVA AF ; ARAUJO, C. M. ; FERNANDEZ, J. R. L. ; PEPE, I. ; LEITE, J. R. ; SERNELIUS, B. E. ; PERSSON, C. ; AHUJA, R. ; AS, D. J. ; LISCHKA, K. . Electrical Resistivity , MNM Transition and band-gap narrowing of cubic GaN:Si. Microelectronics Journal , Holanda, v. 33, p. 365-369, 2002.
DA SILVA AF ; ALMEIDA, J. S. ; ARAUJO, C. M. ; PEPE, I. . Electrical field effects in n-type MOSFET and metal-nonmetal transition. Microelectronics Journal , Holanda, v. 33, p. 371-373, 2002.
DA SILVA AF ; AHUJA, R. ; PERSSON, C. ; OSORIO-GUILLEN, J. M. ; PEPE, I. ; JARRENDAHL, K. ; O.P.A.LINDQUIST, ; N.V.EDWARDS, ; WAHAB, Q. ; JOAHANSSON, B. . Optical Properties of 4H-SiC. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 91, p. 2099-2103, 2002.
DA SILVA AF ; ARAUJO, C. M. ; SILVA, E. A. A. . Electron spin-orbit split minibands in semiconductor asymmetric superlattice. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , Estados Unidos, v. 65, p. 23530-23530, 2002.
DA SILVA AF ; BELOTO, A. ; UEDA, M. ; ABRAMOF, E. ; SENNA, J. R. ; SILVA, M. D. ; KURANAGA, C. ; REUTHER, H. ; PEPE, I. . Sponge-like and Columnar Porous Silicon Implanted with Nitrogen by Plasma Immersion ion Implantation (PIII). Surface and Coatings Technology , Inglaterra, v. 156, p. 267-271, 2002.
DA SILVA AF ; ALMEIDA, J. S. ; ARAUJO, C. M. ; PEPE, I. . Electric Field Effects in Two-Dimensional Disordered Hubbard-Mott Model. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , Estados Unidos, v. 66, p. 35327-35331, 2002.
DA SILVA AF ; PERSSON, C. . Critical concentration for the doping-induced metal-nonmetal transition in cubic and hexagonal GaN. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 92, p. 2550-2555, 2002.
DA SILVA AF ; ARAUJO, C. M. ; SILVA, E. A. A. . Resonant Tunneling of polarized electrons through nonmagnetic III-V semiconductor multiple barriers. Brazilian Journal of Physics , Brasil, v. 32, p. 321-323, 2002.
DA SILVA AF ; PERSSON, C. ; SERNELIUS, B. E. ; ARAUJO, C. M. ; AHUJA, R. ; JOHANSSON, B. . Optical and reduced band gap in n- and p-type GaN and AlN. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 92, p. 3207-3216, 2002.
DA SILVA AF ; ALMEIDA, J. S. ; SILVA, A. J. ; NORMAN, P. ; PERSSON, C. ; RIKLUND, R. . Optical Properties of Donor-Triad Cluster in GaAs and GaN. Applied Physics Letters , Estados Unidos, v. 81, p. 3158-3160, 2002.
DA SILVA AF ; AHUJA, R. ; PERSSON, C. ; VEJE, E. ; AN, C. Y. ; VEISSID, N. ; PEPE, I. ; ARAUJO, C. M. ; OSORIO-GUILLEN, J. M. ; ALMEIDA, J. S. . Electronic and Optical Properties of Lead Iodide. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 92, p. 7219-7224, 2002.
DA SILVA AF ; SILVA, T. S. ; NAKAMURA, O. ; DAGUIAR NETO, M. ; PEPE, I. ; ROMAN, L. S. ; VEJE, E. . thermal and optical properties of porous silicon. Materials Research Bulletin , Brasil, v. 4, p. 23-26, 2001.
DA SILVA AF ; PERSSON, C. ; AHUJA, R. ; JOAHANSSON, B. . EFFECTIVE ELECTRONIC MASSES IN WURTZITE AND ZINC-BLEND GaN AND AlN. Journal of Crystal Growth , HOLANDA, v. 231, p. 397-406, 2001.
DA SILVA AF ; PERSSON, C. ; AHUJA, R. ; JOAHANSSON, B. . FIRST-PRINCIPLE CALCULATIONS OF OPTICAL PROPERTIES OF WURTZITE AlN AND GaN. Journal of Crystal Growth , HOLANDA, v. 231, p. 407-414, 2001.
DA SILVA AF ; ARAUJO, C. M. ; PERSSON, C. ; PEPE, I. ; LEITE, J. R. ; AHUJA, R. ; FERNANDEZ, J. R. L. ; AS, D. J. ; SERNELIUS, B. E. ; ABRAMOF, E. . ELECTRICAL RESISTIVITY AND BAND-GAP SHIFT OF SI DOPED GAN AND METAL-NONMETAL TRANSITION IN CUBIC GAN,InN AND AlN SYSTEMS. Journal of Crystal Growth , HOLANDA, v. 231, p. 420-427, 2001.
DA SILVA AF ; SILVA, L. A. .. ; ANDRADE, J. B. ; VARGAS, H. ; ARAUJO, C. M. ; NAKAMURA, O. ; MASSUNAGA, M. . CHARACTERIZATION OF THE DOUBLE SULFITES Cu2SO3.MSO3.2H20(M=Cu,Fe,Mn OR Cd) BY PHOTOTHERMAL TECHNIQUES. PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, INGLATERRA, v. 3, p. 4800-4805, 2001.
DA SILVA AF ; PERSSON, C. ; AHUJA, R. ; JOAHANSSON, B. . FIRST PRINCIPLE CALCULATIONS OF THE DIELECTRIC FUNCTION OF ZINC-BLENDE AND WURTZITE InN. Journal of Physics. Condensed Matter , INGLATERRA, v. 13, p. 8945-8950, 2001.
DA SILVA AF ; PERSSON, C. ; JOAHANSSON, B. . METAL-NONMETAL TRANSITION IN P-TYPE SiC POLYTYPES. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , ESTADOS UNIDOS, v. 63, p. 20511-20516, 2001.
DA SILVA AF ; ARAUJO, C. M. ; SERNELIUS, B. E. ; PERSSON, C. ; AHUJA, R. ; JOAHANSSON, B. . INFLUENCE OF SI DOPING ON OPTICAL PROPERTIES OF WURTZITE GaN. Journal of Physics. Condensed Matter , gra bretanha, v. 13, p. 8891-8899, 2001.
DA SILVA AF ; PERSSON, C. ; SERNELIUS, B. E. ; AHUJA, R. ; JOAHANSSON, B. . EFFECTIVE ELECTRON AND HOLE MASSES IN INTRINSIC AND HEAVILY N-TYPE DOPED GaN AND AlN. Journal of Physics. Condensed Matter , GRA BRETANHA, v. 13, p. 8915-8922, 2001.
DA SILVA AF ; ROSA, R. R. . CHARACTERIZATION OF ASYMMETRIC FRAGMENTATION PATTERNS IN SFM IMAGES OF POROUS SILICON. Solid State Communications , INGLATERRA, v. 113, p. 703-708, 2000.
DA SILVA AF ; ROSA, R. R. ; VEJE, E. ; ROMAN, L. S. . ASYMMETRIC NONLINEAR AMPLITUDE IN PATTERNS OF POROUS SILICON. Physica. A , HOLANDA, v. 283, p. 203-207, 2000.
DA SILVA AF ; VEJE, E. ; PEPE, I. ; ROSA, R. R. ; ROMAN, L. S. . ASYMMETRIC NONLINEAR AMPLITUDE AND PHASE DISORDER IN PATTERNS OF POROUS SILICON. Physica. A , ELSEVIER, v. 283, p. 203-208, 2000.
DA SILVA AF ; VEJE, E. ; ALVES, A. S. ; PEPE, I. . THE ENERGY BAND STRUCTURE OF POROUS SILICON STUDIED WITH PHOTOLUMINESCENCE EXCITATION AND PHOTOACOUSTIC SPECTROSCOPY. JOURNAL OF POROUS MATERIALS, HOLANDA, v. 7, p. 173-178, 2000.
DA SILVA AF ; ARAUJO, C. M. ; ALMEIDA, J. S. ; PEPE, I. ; SERNELIUS, B. E. ; SOUZA, J. P. ; BOUDINOV, H. . BANDGAP SHIFT OF THE HEAVILY DOPED SINGLE- AND DOUBLE-DONOR SYSTEMS Si:Bi and Si:P,Bi. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , ESTADOS UNIDOS, v. 62, p. 20222-20227, 2000.
DA SILVA AF ; SOUZA, J. P. ; SARACHIK, M. ; SERNELIUS, B. E. . IMPURITY RESISTIVITY OF THE DOUBLE-DONOR SYSTEM Si:P,Bi. Physical Review B - Solid State , estados unidos, v. 60, p. 15824-15828, 1999.
DA SILVA AF ; PERSSON, C. ; VEJE, E. ; AG, O. . BAND GAP SHIFT IN HEAVILY DOPED N-TYPE ALGAAS ALLOYS. Physical Review B - Solid State , ESTADOS UNIDOS, v. 60, p. 2463-2467, 1999.
DA SILVA AF ; DANTAS, N. S. ; PEPE, I. ; AN, C. Y. ; ALMEIDA, J. S. . OPTICAL CHARACTERIZATION AND METAL-NONMETAL TRANSITION OF BORON -DOPED Si(1-x)Ge(x) ALLOYS. Solid-State Electronics , NORTH HOLAND, v. 43, p. 17-22, 1999.
PEPE, I. A. A. ; DA SILVA AF ; TSUZUKI, H. ; NAKAMURA, O. ; SILVA, A. A. N. M. F. ; VEISSID, N. ; CY, A. . Thermal Diffusivity Of Lead Iodide. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, ESTADOS UNIDOS, v. 83, n.11, p. 6193-6195, 1998.
DA SILVA AF ; PERSSON, C. ; PEPE, I. B. K. ; ALVES, A. S. ; AG, O. . Optical Absorption And Bangap Shift On N-Doped Al(X)Ga(1-X)As Alloys Grown By Mbe. MICROELECTRONIC ENGINEERING, GREAT BRITAIN, v. 43, p. 407-413, 1998.
DA SILVA AF ; BOUDINOV, H. S. B. S. J. ; Metal Nonmetal Transition And Resistivity Of Silicon Implanted With Bismuth. JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, ESTADOS UNIDOS, v. 12, n.3, p. 641-645, 1997.
LIMA, A. T. C. ; LIMA, I. C. C. ; FERREIRADASILVA A . Effect Of The Type-I To Type-Ii Transition On The Binding Energy Of Shallow Donors In Gaas/Alas Quantum Wells. PHYSICAL REVIEWB, ESTADOS UNIDOS, v. 55, n.23, p. 15420-15422, 1997.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; BOUDINOV, H. S. B. S. J. . Transport Properties Of Silicon Implanted With Bismuth. PHYSICAL REVIEWB, ESTADOS UNIDOS, v. 55, n.15, p. 9584-9589, 1997.
DA SILVA AF ; A, F. S. ; Bandgap Narrowing In Silicon Solar Cells Considering The P-Type Doping Material. SOLID STATE ELECTRONICS, GREAT BRITAIN, v. 41, n.1, p. 121-124, 1997.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; PEPE, I. B. K. ; AV, B. S. . The Energy Band Structure Of Porous Silicon Studied With Photoacoustic Spectroscopy. PITS AND PORES: FORMATION, PROPERTIES, AND SIGNIFICANCE FOR ADVANCED LUMINESCENT MATERIALS, ESTADOS UNIDOS, v. 97, p. 242-246, 1997.
DA SILVA AF ; VEISSID, N. ; PEPE, I. A. C. ; OLIVEIRA, I. B. ; AV, B. S. . Optical Determination On The Direct Bandgap Energy Of Lead Iodide Crystals. APPLIED PHYSICS LETTERS, ESTADOS UNIDOS, v. 69, n.13, p. 1930-1932, 1996.
DA SILVA AF ; DANTAS, N. S. ; MOTA, F. B. ; CANUTO, S. ; FAZZIO, A. . Impurity States In The Narrow Bandgap Semiconductor N-Type Insb. SOLID STATE COMMUNICATIONS, GRAET BRITAIN, v. 99, n.4, p. 295-297, 1996.
DA SILVA AF ; BOUDINOV, H. S. B. S. J. ; Electrical Resistivity Of Bismuth Implanted Into Silicon. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, ESTADOS UNIDOS, v. 79, n.7, p. 3453-3455, 1996.
VEISSID, N. ; CHEN Y. AN ; AN, C. Y. ; DA SILVA AF . Electrical Conductivity and Optical Transmittance of Lead Iodide Crystals Grown by Bridgman Method. Revista de Física Aplicada e Instrumentação , v. 11, p. 139-141, 1996.
DA SILVA AF ; VEISSID, N. ; SOUZA, J. A. C. C. ; MTF, B. S. A. C. F. P. C. . Optical Bandgap Of The Alfa-Mercury Iodide. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, ESTADOS UNIDOS, v. 78, n.9, p. 5822-5823, 1995.
DA SILVA AF ; VIGIL, O. ; MORALES, R. A. G. J. L. ; ANGEL, O. Z. ; VARGAS, H. ; SILVA, A. F. . Influence Of Thermal Annealings In Different Atmospheres On The Bandgap Shift And Resistivity Of Cds Thin Films. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, ESTADOS UNIDOS, v. 78, n.4, p. 2204-2207, 1995.
DA SILVA AF ; HIPOLITO, O. ; SILVA, A. F. . Ground-And Excited-State Impurity Bands In Silicon Inversion Layers. BRAZILIAN JOURNAL OF PHYSICS, v. 24, p. 399-402, 1994.
DA SILVA AF ; EMMEL, P. ; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. . Magnetic Field Effects In The Optical Absorption Of Shallow Donor Impurities In Quamtum Wells (To Appear). BRAZILIAN JOURNAL OF PHYSICS, v. 24, p. 187-191, 1994.
DA SILVA AF ; ZELAYA-ANGEL, O. ; ALVARADO-GILL, J. J. ; LOZADA-MORALES, R. ; VARGAS, H. ; SILVA, A. F. . Band-Gap Shift In Cds Semiconductor By Photoacoustic Spectroscopy: Evidence Of Cubic To Hexagonal-Lattice Transition. APPLIED PHYSICS LETTERS, v. 64, p. 291-295, 1994.
A, F. S. ; DA SILVA AF . Impurity States In Doubly Doped Systems: Investigation Of Donor-Donor And Donor-Acceptor Pairs. PHYSICAL REVIEWB, ESTADOS UNIDOS, v. 50, n.15, p. 11216-11218, 1994.
DA SILVA AF ; A, F. S. ; Theoretical Electronic Properties Of Silicon Containing Bismuth. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, ESTADOS UNIDOS, v. 76, n.9, p. 5249-5252, 1994.
LIMA, I. C. C. ; DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; FABBRI, M. ; TROPER, A. . Variation Of The Fusion Rate Of The Deuterium Molecule In A Effective Medium. MODERN PHYSICS LETTERS B, v. 7, p. 949-953, 1993.
DA SILVA AF ; HIPOLITO, O. ; SILVA, A. F. . Impurity Density Of States In N-Type Si Inversion Layers. PHYSICAL REVIEW B (CONDENSED MATTER), v. 47, p. 10918-10920, 1993.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Impurity Conductivities In Compensed Semiconductor Systems. PHYSICAL REVIEW B (CONDENSED MATTER), v. 48, p. 1921-1925, 1993.
COSTA, E. A. G. ; DA SILVA AF ; MOTA, F. B. ; SILVA, A. F. . The Refractive Index Enhancement At Si/Sio2 Interfaces. SUPERLATICES AND MICROSTRUCTURES, v. 13, p. 285-287, 1993.
DA SILVA AF ; CANUTO, S. ; SILVA, A. F. . Influence Of Donor-Triad Molecules In The Optical Properties Of Semiconductors. PHYSICAL REVIEW B, v. 48, p. 18261-18264, 1993.
DA SILVA AF ; SOUZA, J. C. ; SILVA, A. F. . Optical Fundamental Band-Gap Energy Of Semiconductors By Photoacousticspectroscopy (To Appear). JOURNAL DE PHYSIQUE IV, 1993.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Electronic Properties Of Silicon Containing Bismuth (To Appear), 1993.
DA SILVA AF ; HIPOLITO, O. ; SALVIANO, A. L. ; SILVA, A. F. . Ocurrence Of Ground And Excited State Impurity Bands In Silicon Inversion Layers: Electric Field Effects (To Appear). MATERIALS SCIENCE FORUM, 1993.
DA SILVA AF ; SALVIANO, A. L. ; HIPOLITO, O. ; SILVA, A. F. . Density Of States Of Hydrogenic Impurities In Gaas/Gaalas Quantum Wires (To Appear). MATERIALS SCIENCE FORUM, 1993.
DA SILVA AF ; HIPOLITO, O. ; SILVA, A. F. . Shallow Impurity States In Silicon Inversion Layers, 1992.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; MOTA, F. B. . A Theoretical Model To Determine The Dielectric Susceptibility And Themetal-Nonmetal Transition In Semiconductors Systems, 1992.
DA SILVA AF ; MOTA, F. B. ; SILVA, A. F. . Enhanced Donor Electric Susceptibility In Semiconductor System. MODERN PHYSICS LETTER B, v. 6, p. 1943-1947, 1992.
DA SILVA AF ; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. . Heavily Doped Harmonic Confined Quantum Wires. MODERN PHYSICS LETTER B, v. 6, p. 1881-1885, 1992.
DA SILVA AF ; COSTA, E. A. G. ; MOTA, F. B. ; SILVA, A. F. . Optical Properties At Semiconductors Heteroestruture Interfaces, 1992.
DA SILVA AF ; SOUZA, J. C. ; GUEDES, G. P. ; MOTA, F. B. ; PEPE, B. L. ; DAVID, D. G. F. ; SALES FILHO, J. B. V. ; SILVA, A. F. ; BANDEIRA, I. N. ; SCOLFARO, L. M. R. ; MARTINS, J. M. V. ; LEITE, J. R. . On The Use Of Photoacoustic And Photoconductivity Technique For Investigating The Optical Properties Of Semiconductors, 1992.
DA SILVA AF ; CANUTO, S. ; SILVA, A. F. ; MOTA, F. B. ; FAZZIO, A. . Absorption Of Infrared Radiation By Donor-Pair And Donor-Triad Molecules In Sb-Doped Germanium, 1992.
DA SILVA AF ; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. . Matsubara-Toyozawa Formalism To Treat Impurity Bands In -Doped Quantum Wells. MODERN PHYSICS LETTER B, v. 6, p. 171-175, 1992.
DA SILVA AF ; COSTA, E. A. G. ; MOTA, F. B. ; SILVA, A. F. . Density Of States Due To Donor-Pair Molecules In Three-And Two Dimensional Semiconductor Systems. INTERNATIONAL JOURNAL OF QUANTUM CHEMISTRY, v. 41, p. 517-520, 1992.
DA SILVA AF ; SILVA, A. C. S. F. ; MOTA, F. B. ; FAZZIO, A. . Absorption Of Infrared Radiation And Dielectric Function By Donor- Traid Molecules In Germanium, 1991.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Spin Susceptibility And Effective Mass In Shallow Doubly Doped Semiconductor Systems. PHYSICAL REVIEW B (CONDENSED MATTER), v. 43, p. 6551-6555, 1991.
DA SILVA AF ; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. . Shallow Impurity Bands In -Doped Quantum Wells. MATERIALS SCIENCE FORUM, v. 65, p. 79-82, 1991.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; MOTA, F. B. . Optical Absorption In Disordered Semiconductor Systems: Application To The Correlated Phosphorous-Doped Silicon, 1990.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Impurity States In A Quantum-Well Wire Of Gaas-Gaasal. PHYSICAL REVIEW B (CONDENSED MATTER), v. 41, p. 1684-1688, 1990.
DA SILVA AF ; PERONDI, L. F. ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F. . Influence Of Valley-Splitting In The Specific-Heat Of Si:P. SOLID STATE COMMUNICATIONS, v. 73, p. 307-314, 1990.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Application Of Gutzwiller'S Correlated Method To The Electronic Effective Mass Of Degenerate N-Type Silicon, 1990.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Enhanced Effective Mass In N-Doped Degenerate Silicon. MODERN PHYSICS LETTER B, v. 4, p. 37-40, 1990.
DA SILVA AF ; MOTA, F. B. ; SILVA, A. F. . Influence Of Donor-Pairs On Density Of Sates Of Degenerate N-Type Sems. SOLID STATE COMMUNICATIOS, v. 73, p. 313-316, 1990.
DA SILVA AF ; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. . Calculation Of Ground State Energies Of Muonic Molecules Region. PHYSICAL REVIEW A, v. 41, p. 4049-4052, 1990.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Impurity Sates In Low And Three Dimensional Systems, 1990.
DA SILVA AF ; MOTA, F. B. ; SILVA, A. F. . A Theoretical Study To A Polarization Catastrophe In Doped Semiconductors. INT. J. QUANTUM CHEM.: QUANTUM CHEM. SYMP., v. 24, p. 411-418, 1990.
DA SILVA AF . Effect Of Three-Donor Clusters On Infrared Absorption Of Semiconductor Systems, v. 75, p. 939-942, 1990.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; PERONDI, L. F. ; FABBRI, M. . Thermodynamic Behaviour Of N-Doped Silicon Near And Above The Metal- Insulator Transition. PROC. OF THE IV BRAZILIAN SCHOOL OF SEMICONDUCTOR PHYSICS, WORLD SCIENTIFIC PUBLISHING CO., p. 432-435, 1989.
DA SILVA AF ; PERONDI, L. F. ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F. . Density Of States Of Systems With Randomly Distributed Donor-Monovalent Impurities In Two-Dimensions: An Analytical Treatment. J. PHYS. CONDENS. MATTER, v. 1, p. 1101-1106, 1989.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Modelo de Molecula de Hidrogenio No Estudo da Transicao Metal-Isolanteem Semicondutores Dopados. PROC. OF THE 1ST BRAZILIAN SCHOOL ON ELECTRONIC STRUCTURE, p. 159-169, 1989.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Electron Correlation And Disorder Effects On The Spin Susceptibility Of Doped Semiconductors At Finite Temperature. PROC. OF THE THIRD INT. CONFERENCE ON SHALLOW IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS, v. 95, p. 551-554, 1988.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Enhanced Spin Susceptibility In Phosphorous-Doped Silicon. PHYS. REV. B, v. 38, p. 10055-10058, 1988.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; On The Impurity Sates In Doped Semiconductors Via The Alternant Molecular Orbital Method. INT. J. QUANTUM CHEM. SYM., v. 22, p. 15-22, 1988.
DA SILVA AF ; GUIMARAES, P. S. ; SILVA, A. F. . Impurity Pairing In The Optical Absorption Of Doped Semiconductors. SOLID STATE COMMUN., v. 66, p. 119-122, 1988.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Bandas de Impurezas Em Semicondutores. BOLETIM DA SBF, v. 1, p. 38-45, 1988.
DA SILVA AF ; SILVA, E. A. A. ; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. ; LEAL, C. E. . Density Of States Of Electrons Bound To Impurities In Quantum Wells Of Gaalas/Gaas.. SURFACE SCIENCE, v. 196, p. 352-355, 1988.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Metal-Insulator Transitions In Doped Silicon And Germanium. PHYSICAL REVIEW B, v. B37, p. 4799-4802, 1988.
DA SILVA AF ; SILVA, E. A. A. ; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. ; LEAL, C. E. . Diagonal And Off-Diagonal Disorder In Doped Quantum Wells. PHYS. REV. B, v. 37, p. 8228-8232, 1988.
DA SILVA AF ; SILVA, E. A. A. ; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. . Ocurrance Of Impurity Bands In Quantum Well Wires. PHYS. REV. B, v. 37, p. 8537-8540, 1988.
DA SILVA AF ; GRANATO, E. ; SILVA, A. F. ; RANVAUD, R. ; SOUZA, J. P. . Low Temperature Conduction In A 23kev P-Implanted Si Layer. REVISTA BRASILEIRA DE FISICA APLICADA E INSTRUMENTACAO, v. 2, n.3, p. 221-230, 1987.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Metal-Insulator Transition In A Double-Donor System, Si:P,As.. PHYSICAL REVIEW LETTERS, v. 59, p. 1263-1266, 1987.
DA SILVA AF ; SILVA, E. A. A. ; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. . Density Of States Due To Pairig Of Impuities In Semiconductor Systems. SOLID SATE COMMUN., v. 61, p. 795-799, 1987.
DA SILVA AF ; GRANATO, E. ; RANVAUD, R. ; SILVA, A. F. ; LIMA, I. C. P. C. ; SOUZA, J. . Comportamento Eletrico de Camadas Implantadas Po Ions de P de Baixa Energia No Si. REV. DE FISICA APLICADA E INSTRUMENTACAO, v. 2, p. 77-87, 1987.
DA SILVA AF ; PERONDI, L. F. ; SILVA, A. F. ; FABBRI, M. . Metal-Nonmetal Transitions In N-Doped Many-Valley Si And Ge. PHILOSDPHYCAL MAGAZINE B, v. 54, p. 81-90, 1986.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Critical Concentration For Mnm Transition In The Double-Donors Si: P As And Si: P, Sb: A Simple Approach. PHYSICA SCRIPTA, v. T14, p. 27-30, 1986.
DA SILVA AF ; SILVA, E. A. A. ; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. . Two-Dimensional Hydrogen Molecule And The Alternant-Molecular-Orbital Approximatio. PHYS. REV. A, v. 33, p. 2791-2794, 1986.
DA SILVA AF ; SILVA, A. A. ; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. . The Variation Alternant Molecule Orbital Method For 3-D And 2-D Hydrogen Molecule. INT. J. QUANTUM CHEM., v. XXX, p. 685-691, 1986.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; PERONDI, L. F. . On The Impurity Bands In N-Type Many-Valley Semiconductors: An Approach For Mnm Transition In N-Ge And Si. PROC. OF THE CONDENSED MATTER DIVISON (CCDM) OF THE EUROPEAN PHYSICAL SOCIETY (EPS), p. 0-0, 1986.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Shallow Impurity Sates In As Doped Si Around The Mnm Transition. PROC. OF THE 6TH CCMD OF THE EPS, p. 0-0, 1986.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Metal-Nonmetal Transition In Shallow Double-Donor System. PROC. OF THE 18TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, p. 855-859, 1986.
DA SILVA AF ; PERONDI, L. F. ; SILVA, A. F. ; FABBRI, M. . Metal-Nonmetal Transitions In N-Doped Many-Valley Silicon And Germaniun. PROCEEDINGS OF THE II BSSP, v. I, p. 461-464, 1985.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; FABBRI, M. . Electronic Density Of States For The Double-Donor System Si: P, As. PROCEEDINGS OF THE II BRAZILIAN SCHOOL ON SEMICONDUCTOR PHYSICS, v. I, p. 453-456, 1985.
DA SILVA AF ; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. ; GUIMARAES, P. S. ; PERONDI, L. ; SENNA, J. R. . Density Of Impurity Sates Associated With Inversion Layers. PHYS. REV. B, v. 32, p. 2371-2380, 1985.
DA SILVA AF ; GUIMARAES, P. S. ; SILVA, A. F. . A Method To Estimate The Self-Consistet Effects On Electronic Str Ucture Calculations. SOLID STATE COMMUNICATIONS, v. 56, p. 185-189, 1985.
DA SILVA AF ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F. . Bandwidth Narrowing In N-Type Many-Valley Semiconductor. Ii. A Self-Consistent Many-Body And Unrestricted Hartree-Fock Cluster Approaches. J. NON-CRYST. SOLIDS, v. 70, p. 143-155, 1985.
DA SILVA AF ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F. . Variational Calculation Of The Two-Dimensional H2-Molecule. PHYSICAL REVIEW A, v. 32, p. 1870-1874, 1985.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; FABBRI, M. . Impurity Cluster States In Disordered Two-Dimensional Systems:A Self- Consistent Hf-Roothaan Model. PHYSICAL REVIEW B, v. 32, p. 8144-8149, 1985.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; FABBRI, M. . The Hydrogen Molecule For A Two-Dimensional System. INT. J. QUANTUM CHEMISTRY, v. 27, p. 375-381, 1985.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Shallow Cluster Sates In N-Type Semiconductors. PROCEEDINGS OF THE II BSSP, v. I, p. 359-364, 1985.
DA SILVA AF ; LIMA, I. C. C. ; GUIMARAES, P. S. ; SILVA, A. F. ; SENNA, J. R. . 2-D Impurity Sates Associated With Inversion Layers. ANAIS DO SLAFSA II, p. 334-337, 1984.
DA SILVA AF ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F. . Cluster Model For Two-Dimensional Disordered Systems. JOURNAL OF PHYSICS C, v. 17, p. 5-9, 1984.
DA SILVA AF ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F. . Clustering Model In N-Doped Many-Valley Semiconductors. PHYSICAL REVIEW B, v. 19, p. 5764-5774, 1984.
DA SILVA AF ; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. . Two-Dimensional Impurity Bands At Semiconductor Hetero-Structure Interfaces. PHYSICAL REVIEW B, v. 30, p. 4819-4824, 1984.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; FABBRI, M. . Impurity Sates In Two-And Three-Dimensional Disordered System. ANAIS DO SIMPOSIO LATINO-AMERICANO DE FISICA DOS SISTEMAS AMORFOS (SLAFSA), v. II, p. 327-330, 1984.
DA SILVA AF ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F. . Bandwidth Narrdwing In N-Type Many-Valley Semiconductors. JOURNAL NON-CRIST. SOLIDS, v. 55, p. 103-110, 1983.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; MICNAS, R. ; LIMA, I. C. C. ; KISHORE, R. . The Impurity Conductivity N-Type Cds: A Two Band Approach. PHYSICA STATUS SOLIDI B, v. 120, p. 101-111, 1983.
DA SILVA AF ; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. ; FABBRI, M. . Two-Dimensional Density Of States For Electrons Bound To Impurities Inside Inversion Layers At The Semiconductor-Insulator Interface. SURFACE SCIENCE, v. 134, p. 135-141, 1983.
DA SILVA AF ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F. . Impurity Sates In N-Type Many-Valley Semiconductors. REV. BRAS. FIS. SPECIAL ISSUE, p. 370-379, 1983.
DA SILVA AF ; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. . Density Of Sates For Electrons Bound To Impurities Inside Inversion Layers. BULL. AM. PHYS. SOC., v. 28, p. 322-322, 1983.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; FABBRI, M. ; LIMA, I. C. C. . Electron Hopping Energy Influence On The Specific Heat Of Phosphorous Doped Silicon. PHYS. SAT. SOLIDI B, v. 115, p. 311-318, 1983.
DA SILVA AF ; KISHORE, R. ; LIMA, I. C. C. ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F. . Electron And Impurity Correlations In Doped Semiconductors. PHYS. REV. B, v. 26, p. 1038-1045, 1982.
DA SILVA AF ; CHAO, K. A. ; SILVA, A. F. ; RIKLUND, R. . A Computer Study On The Metal-Nonmetal Transitions In Heavily Doped Semiconductors. SUPPL. PROG. THEOR. PHYS., v. 72, p. 181-192, 1982.
DA SILVA AF ; LIMA, I. C. C. ; FABBRI, M. ; SILVA, A. F. . Diagonal And Off-Diagonal Disorder In Doped Semiconductors. PHYSICA STATUS SOLIDI B, v. 111, p. 69-74, 1982.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; LIMA, I. C. C. ; FABBRI, M. . Electric Conduction In N-Type Germanium And Cadmium Sulfide. PHYS. LETT. A, v. 83, p. 463-468, 1981.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; KISHORE, R. ; LIMA, I. C. C. . The Hubbard Model For Disordered Systems: An Application To The Specific Heat Of Phosphorous Doped Silicon. PHYS. REV. B, v. 23, p. 4035-4043, 1981.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; LIMA, I. C. C. ; NJ, P. . A Mixed Bonding Band Structure Calculation For Gaas And Alas Using Ap.. J. PHYS. CHEM. SOLIDS, v. 42, p. 291-296, 1981.
DA SILVA AF ; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. ; PARADA, N. J. . Self Consistent Apw-K.P. Method Ii. Application To Naci. INT. J. QUANTUM CHEM., v. 20, p. 933-940, 1981.
DA SILVA AF ; LIMA, I. C. C. ; SILVA, A. F. ; PARADA, N. J. . Self-Consistent Apw-K.P. Method I. Theory. INT. J. QUANTUM CHEM., v. 19, p. 681-691, 1981.
SILVA, A. F. ; DA SILVA AF . Um Modelo Autoconsistente Para O Estudo de Desordem e Correlacao Em Semicondutores Dopados. COM. REV. BRAS. DE FISICA, v. I, p. 57-61, 1980.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; Um Modelo de Cluster Para O Estudo de Estado de Impurezas Em Semicondutores. COM. REV. BRAS. DE FISICA, v. I, p. 66-70, 1980.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; LIMA, I. C. C. ; KISHORE, R. . Efeito de Correlacao de Eletrons No Calor Especifico de Impurezas No Si. COM. REV. BRAS. DE FISICA, v. I, p. 62-65, 1980.
DA SILVA AF ; LIMA, I. C. C. ; KISHORE, R. ; SILVA, A. F. . Um Tratamento Autoconsistente Para O Modelo de Hubbard Para Impurezas Em Semicondutores. COM. REV. BRAS. DE FISICA, v. I, p. 52-56, 1980.
DA SILVA AF ; GRANATO, E. ; RANVAUD, R. ; SOUZA, J. P. ; SILVA, A. F. ; LIMA, I. C. C. . Conducao Bidimensional Em Implantacoes Rasas No Si. COM. REV. BRAS. DE FISICA, v. I, p. 552-556, 1980.
DA SILVA AF ; RIKLUND, R. ; SILVA, A. F. ; CHAO, K. A. . Modified Mott-Hubbard-Anderson Model: Results Of An Unrestricted Hartree-Fock Pseudocluster Calculation. PHIL. MAG. B, v. 42, p. 755-761, 1980.
DA SILVA AF ; CHAO, K. A. ; RIKLUND, R. ; SILVA, A. F. . Roles Of The Lower And The Upper Hubbard Bands And The Dondr-Excitonic Semicondutors. PHYSICAL REVIEW B, v. 21, p. 5745-5748, 1980.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; The Impurity Resistivity Of In Doped Cds. JOURNAL OF PHYSICS C, v. 13, p. 427-431, 1980.
DA SILVA AF ; SILVA, A. F. ; RIKLUND, R. ; CHAO, K. A. . Cluster Model Of Impurity States In Doped Semiconductors. PROG. THEOR. PHYSICS, v. 62, p. 584-594, 1979.
DA SILVA AF ; CHAO, K. A. ; SILVA, A. F. . Generalized Matsubara-Toyozawa Theory For The Specific Heat In Heavily Phosphorous-Doped Silicon. PHYS. REV. B, v. 19, p. 4125-4129, 1979.
DA SILVA AF ; CHAO, K. A. ; SILVA, A. F. . Specific Heat Of Heavily P Doped Si. INST. PHYS. CONF. SER., v. 43, n.26, p. 956-968, 1979.
DA SILVA AF ; CHAO, K. A. ; SILVA, A. F. . Matrix Elements In The Matsubara-Toyozawa Theory Of Impurity Band. PHYS. STAT. SOLIDI, v. 90, p. 153-155, 1978.
DA SILVA AF ; CHAO, K. A. ; SILVA, A. F. . The Impurity Conductivities Of Si:P, Ge:Sb And Cds:C1. J. PHY. C, v. 11, p. 3661-3665, 1978.
CHAO, K. A. ; DA SILVA AF ; SILVA, A. F. . Molecular Model Of Impurity Bands In Semiconductors. Ii-The Validity Of The One-Band Amo-Mt Model. INT. J. QUANTUM CHEM., v. 12, p. 461-468, 1978.
GERIS, R. ; CALIL, S. ; RIGOLI, I. C. ; VIDAL, R. R. L. ; MALTA, M. ; DA SILVA, ANTÔNIO FERREIRA . Advanced Applications of Lignocellulosic Fibers and Mycelium-Based Composites for a Sustainable World. 1. ed. Springer Nature Switzerland, 2024.
FREITAS, J. A. ; HANSER, D. ; FERREIRADASILVA A ; KOUKITU, A. . Journal of Crystal Growth. 310. ed. Amsterdam: Elsevier, 2008. v. 1. 130p .
SILVA, JR, E. F. ; DA SILVA AF ; LEITE, J. R. . Physica Status Solidi-Conferences and Critical Reviews. 1. ed. Berlin: WILEY-VCH Berlin, 2004. v. 1. 290p .
DA SILVA AF ; PERSSON, C. . Optical and Electronic Properties of 3C?, nH?SiC (n = 2, 4, and 6) and III?N (III = Al, B, Ga, and In). In: M. Henini and M. Razeghi. (Org.). Optoelectronic Devices: III-V Nitride. London: Elsevier Ltd, 2005, v. I, p. 479-559.
CANUTO, S. ; DA SILVA AF ; MOTA, F. B. ; FAZZIO, A. . Absorption Of Infrared By Donor-Pair And Donor-Triad Molecules In Sb-Doped Germanium. BRAZILIAN SCHOOL OF SEMICONDUCTORS PHYSICS, 5. PROCEEDINGS. : WORLD SCIENTIFIC, 1992, v. , p. 519-522.
COSTA, E. A. G. ; MOTA, F. B. ; DA SILVA AF . Optical Properties At Semiconductors Heteroestruture Interfaces. BRAZILIAN SCHOOL OF SEMICONDUCTORS PHYSICS, 5. PROCEEDINGS. : WORLD SCIENTIFIC, 1992, v. , p. 336-340.
SOUZA, J. C. ; GUEDES, G. P. ; MOTA, F. B. ; PEPE, B. L. ; DAVID, D. G. F. ; SALES FILHO, J. B. V. ; DA SILVA AF ; BANDEIRA, I. N. ; SCOLFARO, L. M. R. ; MARTINS, J. M. V. ; LEITE, J. R. . On The Use Of Photoacoustic And Photoconductivity Technique For Investigating The Optical Properties Of Semiconductors. BRAZILIAN SCHOOL OF SEMICONDUCTORS PHYSICS, 5. PROCEEDINGS. : WORLD SCIENTIFIC, 1992, v. , p. 509-512.
DA SILVA AF ; MOTA, F. B. . A Theoretical Model To Determine The Dieletric Susceptibility And The Metal-Nonmetal Transition In Semiconductors Systems. INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS SEMICONDUCTORS, 21. PROCEEDINGS. : ED., 1992, v. , p. 101-105.
DA SILVA AF . Shallow Impurity States In Silicon Inversion Layers. INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS SEMICONDUCTORS, 21. PROCEEDINGS. : WORLD SCIENTIFIC, 1992, v. , p. 753-756.
DA SILVA AF . Impurity States In Low And Three Dimensional Systems. ELETRONIC STRUCTURE OF ATOMS MOLECULES AND SOLIDS. : WORLD SCIENTIFIC, 1990, v. , p. 66-88.
FERREIRADASILVA A . Landolt-Bornstein. Landolt-Bornstein, p. 144 - 144, 22 dez. 2008.
DA SILVA AF ; PERSSON, C. ; NORMAN, P. ; ALMEIDA, J. S. ; SILVA, A. J. ; AHUJA, R. . Evidence of donor-triad cluster in GaN and GaAs. PhantomsNewsleter, Madrid, p. 4 - 5, 01 out. 2003.
DA SILVA AF . Como Selecionar Eletrons. Pesquisa Fapesp, São Paulo, p. 28 - 28, 05 fev. 2003.
DA SILVA AF . Impureza Valiosa. Pesquisa Fapesp, São Paulo, p. 56 - 57, 05 dez. 2002.
FERREIRADASILVA A . LANDOLT_BÖRNSTEIN Numerical Data. Landolt-Börnstein Numerical Data and Functional Relatioship in Science and Technology, Berlin, p. 63 - 66, 12 dez. 1987.
DA SILVA AF . Propriedades Ópticas e Eletrônicas de Novos Materiais Semicondutores. Jornal O Globo, Ciência e Vida, junho (1997)., Brasil.
DA SILVA AF . A Nova Revolução do Silício,. INPE - Notícias, dezembro (1997)., Sao Jose dos Campos.
DA SILVA AF . Novos Materiais,. Jornal Folha de São Paulo, Mais, abril (1998)., Sao Paulo.
DA SILVA AF . Electronic Structure of AlXGa1-XAs Alloys,. Phantoms Newsletter, 15, 1 (1998)., Belgica.
DA SILVA AF . Pesquisadores Testam Novo Semicondutor,. Jornal Gazeta Mercantil, maio (1998)., Brasil.
DA SILVA AF . Novas Descobertas sobre Silício Poroso,. Technological Information Promotion System - TIPS, IBICT/CNPq/MCT, julho (1998)..
DA SILVA AF . Brasil é Pioneiro em Pesquisa de Silício Poroso na América Latina,. Jornal O Estado de São Paulo, Geral-Tecnologia, julho (1999)..
DA SILVA AF . 5. Supercurtas. Super Interessante. 5. Supercurtas. Super Interessante. Ano 12, N. 6, junho de 1998, pg. 16..
FERREIRADASILVA A ; MEIRA, M. V. C. ; BALDISSERA, G. ; PERSSON, C. ; GUTMAN, N. ; SA?AR, A. ; KLASON P ; WILLANDER, M. ; CANESTRARO, C. D. ; MORENO, T. V. ; ROMAN, L. S. . ?Growth, Electrical and Optical Properties of SnO2:F on ZnO, Si and Porous Si Structures ?. In: Nanotech 2009 NSTI- Nano Science and Technology Institute, 2009, Houston. Technical Proceedings Vol. 1 Fabrication, Particles, Characterization, MEMS, Electronics and Photonics. New York: CRC Press, Taylor & Francis Group, 2009. v. 1. p. 352-355.
FERREIRADASILVA A ; MEIRA, M. V. C. ; FREITAS, J. A. ; BALDISSERA, G. ; PERSSON, C. ; GUTMAN, N. ; SA?AR, A. ; KLASON P ; WILLANDER, M. . Growth, Optical Characterization and Modeling of ZnO Nanorods on Si, SiC Microporous Si Structures. In: NSTI- Nano Science and Technology Institute-Nanotech2009, 2009, Houston. Tech. Proc. Nanotech 2009. New York: CRC Press, Taylor & Francis Group, 2009. v. 3. p. 206-209.
DANTAS, N. S. ; DA SILVA AF ; ARWIN, H. ; RAPPL, P. ; PERSSON, C. . Optical characterization of rocksalt Pb(1-x)Sn(x)Te alloys. In: International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-4), 2007, Estocolmo. physica Status Solidi. Amsterdam: Elsevier, 2007. v. 11. p. xxx-xxx2.
DA SILVA AF ; DANTAS, N. S. ; SILVA, JR, E. F. ; PEPE, I. ; TORRES, E. ; PERSSON, C. ; LINDGREN, T. ; ALMEIDA, J. S. ; AHUJA, R. . Electronic and Optical Properties of TiO2. In: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2005, Mellville, New York. AIP Conference Proceedings. New York: AIP J. Menendez and C. van de Walle, 2005. v. 772. p. 175-176.
DA SILVA AF ; MACEDO, A. G. ; VALASKI, R. ; VASCONCELOS, E. A. ; SILVA, JR, E. F. ; ROMAN, L. S. . Light emitting devices based on porous Silicon having Fluorine doped Tin oxide as a transparent electrode. In: 5th International Conference on Porous Semiconductors - Science and Technology, 2006, Sitges - Barcelona. Materials of the 5th International Conference on Porous Semiconductors - Science and Technology, 2006.
DA SILVA AF ; PEPE, I. ; SANTOS, L. V. ; TRAVA-AIROLDI, V. J. ; PERSSON, C. ; AHUJA, R. ; ROSA, R. R. ; ARWIN, H. ; LINDQUIST, O. P. A. ; ROMAN, L. S. . Optical Properties of Porous Diamond-Like-Carbon Films Deposited by Magnetron Sputtering. In: Optical Properties of Porous Diamond-Like-Carbon Films Deposited by Magnetron Sputtering, 2004, Cullera. Porous Semiconductors- Science and Technology. Valencia: Technical University of Valencia, 2004. v. 4. p. 238-239.
BORGES, L. S. ; DA SILVA AF ; PEPE, I. . Aquisição de Dados e Formas de Onda. In: XXI Seminário Estudantil de Pesquisa, 2003, Salvador. Anais do XXI Seminário Estudantil de Pesquisa, 2002.
DA SILVA AF ; PEPE, I. ; BORGES, L. S. . Aquisição de Dados. In: XX Seminário Estudantil de Pesquisa, 2002, Salvador. Anais do XX Seminário Estudantil de Pesquisa, 2002.
DA SILVA AF ; PEPE, I. ; VIANNA, A. L. R. . Espectroscopia Ótica de Semicondutores e Desenvolvimento de Sistemas de Instrumentação, de Aquisição de Dados e Controle. In: XX Seminário Estudantil de Pesquisa, 2002, Salvador. Anais do XX Seminário Estudantil de Pesquisa, 2002.
DA SILVA AF ; SARACHIK, M. ; SOUZA, J. P. . Resistivity of Si:Bi and Si:P,Bi between 1.8 K and Room temperature. Bulletim American Physical Society, Estados Unidos, v. March, p. 1156-1156, 2001.
DA SILVA, ANTONIO FERREIRA ; PADILLA, J. E. L. ; SANDOVAL, M. A. T. ; CHUBACI, J. F. D. . ELECTRON G-TENSOR ENGINEERING IN NARROW-GAP SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES: SPINTRONIC APPLICATIONS. 2021. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
. ; SANDOVAL, M. A. T. . ? Narrow-Gap Semiconductor Spintronics?Electron G-Tensor Engineering with Multilayer Structures ?. 2020. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
. . ZnO Nanostructures: What does the Future Holds?. 2017. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
FERREIRADASILVA A . Renormalization of the Electron g-Factor in Semiconductor Quantum We. 2014. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
FERREIRADASILVA A ; QIAN, Z. . RENEWABLE ENERGY: WHAT DOES THE FUTURE HOLD?. 2013. (Apresentação de Trabalho/Comunicação).
Ferreira da Silva, Antonio . Bulk Properties of InN Films Deposited by Ion Beam Assisted Technique ?. 2013. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
Ferreira da Silva, A. . Optical Properties of the Photo-catalyst BiTaO4 / BiNbO4. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
Ferreira da Silva, A. . Electron g-factor Anisotropy in Semiconductor Quantum Wells. 2012. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
FERREIRADASILVA A . Optical Properties of TiO2-xNx. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
FERREIRADASILVA A ; ALMEIDA, J. S. . Study of Native Defects in Thalium Nitride. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
FERREIRADASILVA A . Research & Industry Connections: the Brazilian and Sweden Experiences. 2011. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).
FERREIRADASILVA A . Optical Properties of the Photocalyst BiTaO4. 2011. (Apresentação de Trabalho/Comunicação).
. . Materiais Avançados e nanotecnologia. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
FERREIRADASILVA A . Optical and Transport Properties in Semiconductor Systems. 2010. (Apresentação de Trabalho/Comunicação).
FERREIRADASILVA A ; THOMAZI, F. ; ROMAN, L. S. ; PERSSON, C. . Electronic structure and band-edge optical absorption of rutile SnO2 and TiO2. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
FERREIRADASILVA A ; SILVA, M. V. S. ; FREITAS, J. A. ; BALDISSERA, G. ; PERSSON, C. ; WILLANDER, M. ; KLASON P ; GUTMAN, N. ; SA?AR, A. . Growth, Optical Characterization and Modeling of ZnO Nanorods on Si, SiC Microporous Si Structures. 2009. (Apresentação de Trabalho/Comunicação).
FERREIRADASILVA A ; SILVA, M. V. S. ; BALDISSERA, G. ; PERSSON, C. ; GUTMAN, N. ; SA?AR, A. ; KLASON P ; WILLANDER, M. ; CANESTRARO, C. D. ; MORENO, T. V. ; ROMAN, L. S. . Growth, Electrical and Optical Properties of SnO2:F on ZnO, Si and Porous Si Structures. 2009. (Apresentação de Trabalho/Comunicação).
FERREIRADASILVA A . Materiais Complexos: Propriedades Ópticas, Morfológicas e Condutivas. Aplicações em NanoBioEstruturas. 2009. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
FERREIRADASILVA A . Nanotecnologia e suas Aplicações. 2009. (Apresentação de Trabalho/Comunicação).
DA SILVA AF . Complex bulk and surface materials: morphological, optical and conduction investigations. 2008. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
FERREIRADASILVA A . Ferromagnetism in Disordered Doped III-V Dilute Magnetic Semiconductors. 2008. (Apresentação de Trabalho/Seminário).
FERREIRADASILVA A . Ferromagnetism in Doped Ga(1-x)Mn(x)As Dilute Magnetic Semiconductors. 2008. (Apresentação de Trabalho/Seminário).
FERREIRADASILVA A ; SANDOVAL, M. A. T. ; SILVA, E. A. A. E. ; ROCCA, G. C. L. . Variational Solution for the Rashba Splitting in AlGaAs/GaAs Hetrojunction. 2008. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
FERREIRADASILVA A ; NEVES, R. S. ; KISHORE, R. . Ferromagnetism in Disordered Dilute Magnetic Semiconductors Applied to GaMnAs. 2008. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
FERREIRADASILVA A . High Doping Effects on Fundamental Properties of SiC and Diamond. 2008. (Apresentação de Trabalho/Seminário).
DA SILVA AF . Optical and transport properties of the double-donor system Si:P,Bi. 2007. (Apresentação de Trabalho/Seminário).
PERSSON, C. ; DA SILVA AF . Linear optical response of zinc-blende and wurtzite III-N(III=B,Al,Ga, and In). 2006. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
DA SILVA AF . Optical and Transport Properties of doped and undoped semiconductor materials. 2006. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
DA SILVA AF . Optical Properties of SiGe. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
DA SILVA AF . Electronic and optical properties of intrinsic and heavily doped III-N (III = B, Al, Ga, In, Tl). 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
DA SILVA AF . Electronic and Optical Properties of Intrinsic and Heavily Doped Semiconductors?. 2005. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
DA SILVA AF . -?Projetos em Ciência dos Materiais:Nanotecnologia?. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
DA SILVA AF . -? Ciência e Tecnologia: Nanotecnologia um Desafio ? Indicado pelo CNPq.. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
DA SILVA AF . Optical Properties of AlN and TlN ?-. 2004. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
SANDOVAL, M. A. T. ; FERREIRADASILVA A ; SILVA, E. A. A. ; ROCCA, G. C. L. . Rashba splitting in two-dimensional electron gases in III-V semiconductor hetrojuctions. New York: American Institute of Physics and Americal Physical Society, 2009 (Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology).
ARAÚJO, C. M. G. ; FERREIRADASILVA A ; SILVA, E. A. A. . . Electron spin-orbit split minibands in semiconductor asymmetric superlattices.. New York: American Institute of Physics and American Physical Society, 2002 (Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology).

Outras produções

A, F. S. ; DA SILVA AF . Applied Physics Letters. 2007.

DA SILVA AF . Membro Gestor do Conselho Cientifico e Tecnológico (CCT) do Núcleo de Propriedade Intelectual (NPI). UFBa (Sede)/CEFET-Ba/UFS/UFPB. 2006.

DA SILVA AF . JOHN WILEY & SONS EDITORA. 2000.

DA SILVA AF . PHYSICA STATUS SOLIDI. 2000.

DA SILVA AF . MATERIALS RESEARCH BULLETIM. 2000.

DA SILVA AF . CNPQ. 2000.

DA SILVA AF . PHYSICAL REVIEW A , B. 1999.

DA SILVA AF . APPLIED PHYSICAL LETTERS. 1999.

DA SILVA AF . JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 1999.

DA SILVA AF . PADCT-III (EVENTO 1 E 2). 1998.

DA SILVA AF . PADCT-III. 1997.

DA SILVA AF . CAPES. 1996.

DA SILVA AF . UERJ. 1995.

CARDENAS, J. R. ; VASCONCELOS, E. A. ; AZEVEDO, W. M. ; SILVA, JR, E. F. ; PEPE, I. ; FERREIRADASILVA A . Heterojunções de Silicio-Polianilina como Fotodetector de Radiação Ultra-Violeta. 2007.

MACEDO, A. G. ; DA SILVA AF ; VASCONCELOS, E. A. ; SILVA, JR, E. F. ; ROMAN, L. S. . Dispositivo Emissor de Luz com Base em Silicio Poroso Utilizando o Óxido de Estanho Dopado com Flúor (FTO) como Eletrodo Transparente. 2007.

ANDRADE, J. B. ; SILVA, L. A. .. ; DA SILVA AF ; PEPE, I. . Filtro Óptico de Sulfito de Valência Mista para a Luz Vermelha¿¿. 2004.

DA SILVA AF . Núcleo de Pesquisa em Materiais Nanoestruturados para Energia e Sensoriamento. 2007.

DA SILVA AF . Coordenador do Projeto: Laboratório Multi -Usuário de Microscopia Eletrônica da UFBA ?LAMUME. Proposta aprovada pela Pro -Reitoria como sub-projeto para fazer parte do Projeto de Infra-Estrutura apresentado pela UFBa. Valor aproximado de R$1.300.000,00.. 2006.

DA SILVA AF . -Coordenador do Projeto de Implantação do Programa de Doutorado do IF -UFBa. 2006.

PORSANI, N. ; DA SILVA AF ; ANDRADE, J. B. ; TORRES, E. . Membro Gestor do Progrma de Doutorado do CIEnAm-Centro Interdisciplinar em Energia e Ambiente. 2005.

DA SILVA AF . CIENTISTA DOS MAIS CITADOS RANKING DA CIÊNCIA. 1999.

DA SILVA, ANTÔNIO FERREIRA . Cérebros da UFBa - Antonio Ferreira da Silva. 2021. (Programa de rádio ou TV/Entrevista).

. . Instrinsic and Doping Effects on Fundamental Properties of Semiconductor Materials?. 2013. (Programa de rádio ou TV/Outra).

. . Optical Properties of the Photo-catalyst BiTaO4 / BiNbO4?. 2012. (Programa de rádio ou TV/Outra).

. . Electron g-factor Anisotropy in Semiconductor Quantum Wells. 2012. (Programa de rádio ou TV/Outra).

. . Optical Properties of TiO2-xNx ?. IWBNS-VII 2011,. 2011. (Programa de rádio ou TV/Outra).

. . Study of Native Defects in Thalium. 2011. (Programa de rádio ou TV/Outra).

. . Research & Industry Connections: the Brazilian and Sweden Experiences? - Brazil-Sweden Innovation Learning Laboratory.Brazilian Kick-off discussant. 2011. (Programa de rádio ou TV/Outra).

. . Optical Properties of the Photocalyst BiTaO4. 2011. (Programa de rádio ou TV/Outra).

. . Optical and Transport Properties in Semiconductor Systems?.. 2010. (Programa de rádio ou TV/Outra).

. . Complex bulk and surface materials: morphological, optical and conduction investigations. 2009. (Programa de rádio ou TV/Outra).

. . Electronic structure and band-edge optical absorption of rutile SnO2 and TiO2?.. 2009. (Programa de rádio ou TV/Outra).

. . Ferromagnetism in Disordered Doped III-V Dilute Magnetic Semiconductors?. Princeton University. 2008. (Programa de rádio ou TV/Outra).

. . ?Ferromagnetism in Doped Ga(1-x)Mn(x)As Dilute Magnetic Semiconductors?.. 2008. (Programa de rádio ou TV/Outra).

. . Variational Solution for the Rashba Splitting in AlGaAs/GaAs Hetrojunction?.. 2008. (Programa de rádio ou TV/Outra).

. . High Doping Effects on Fundamental Properties of SiC and Diamond?. NAVY. 2008. (Programa de rádio ou TV/Outra).

. . Bulk and Porous Semiconductor Materials, Optical and Conduction Investigations. 2007. (Programa de rádio ou TV/Outra).

. . Optical and Transport Properties of the Double-Donor Systems Si:P,Bi? . London Centre for Nanotechnology. 2007. (Programa de rádio ou TV/Outra).

DASILVA AF . Materiais Semicondutores Complexos: Propriedades Ópticas , Morfológicas e Condutivas e suas Aplicações. 2008. (Curso de curta duração ministrado/Outra).

DA SILVA AF . International Summer Course in Material Processes. 2007. .

DA SILVA AF . Spin-dependent quantum transport, impurity and optical absorption in semiconductor nanostructures_Doutorado_Suecia. 2002. (Curso de curta duração ministrado/Outra).

FERREIRADASILVA A . Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET II. 2010 (INFRA-ESTRUTURA/LABORATORIO) .

DA SILVA AF ; SILVA, JR, E. F. . Rede Multi-institucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia: Desenvolvimento de Prototipos e Nanodispositivos- REMAN. 2004 (REDE DE PESQUISA) .

DA SILVA AF ; JOAHANSSON, B. . The Swedish Foundation for International Cooperation in. 2004 (REDE DE PESQUISA) .

DA SILVA AF . Estudo e Desenvolvimento de superficies oticamente seletivas para paineis solares termicos. 2004 (INFRA-ESTRUTURA/LABORATORIO) .

DA SILVA AF . iMPLANTAÇÃO LABORATORIO DE FEITO HALL E PROP. OPTICAS. 2003 (INFRA-ESTRUTURA/LABORATORIO) .

Projetos de pesquisa

2022 - Atual

Produção Eletro e Fotocatalítica de Hidrogênio por Materiais Nanoestruturados Sustentáveis., Descrição: Antonio Ferreira da Silva.-CH PETRO ENERG. Chamada CNPq/MCTI/FNDCT N 18/2022 - Pesquisa, Desenvolvimento e Inovação em Apoio ao Programa Combustível do Futuro e à Iniciativa Brasileira do Hidrogênio (IBH2 MCTI).Projeto: Produção Eletro e Fotocatalítica de Hidrogênio por Materiais Nanoestruturados Sustentáveis. Electro- and photocatalytic hydrogen production by sustainable nanostructured materials.Coordenação:. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
2005 - 2007

EDITAL FAPESB 002/05 (Fundação de Amparo a Pesquisa do Estado da Bahia), Descrição: Coordenador; Antonio ferreira da Silva Ampliação do Laboratório de Propriedades Óticas e do Laboratório de Energia Solar UFBA/ INST. DE FÍSICA 150.000,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Instituto de Física-UFBa - Auxílio financeiro.
2005 - 2007

Edital CT-Energ/MCT/CNPq nº 017/2005, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva 550470/2005-0 Antonio Ferreira da Silva UFBA BA R$148.000,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2004 - 2005

Pressure induced phase transition in ErH3, Descrição: The behaviour of hydrogen in the metallic environments governs the physical properties of a wide range of fundamental and technological interest. These include pure metallic hydrogen and metal hydrides, which are formed in the chemical reaction between metals and hydrogen. In particular, the yttrium and rare-earth hydrides display a dramatic changing in their optical properties depending on the hydrogen content. These systems can change reversibly from shiny metallic to transparent insulating films upon hydrogenation by varying the hydrogen gas pressure or by electrochemical means. Such behaviour is a consequence of the structure phase transformation accompanied by a metal-insulator tran-sition that occurs with increasing (decreasing)hydrogenconcentration. The pressure induced phase transition in ErH3 is investigated by ab initio calculation. The electronic structure is using projected augmented wave (PAW) method and the properties for the phase transition were obtained by fitting the energy-volume set to the Murnaghan equation of states. We have found a structural phase transformation accompanied by an insulator-metal transition at 17Gpa in good agreement with the experimental finding. The similar phase transition is predicted to GdH3 as well.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): STINT-Swedish Agency - Auxílio financeiro.
2004 - Atual

Nanoprous_Porous Silicon, Descrição: Focusing in the nanoporous problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution of extend patterns based on the spatio-temporal correlations between large and small amplitude fluctuations of the structure represented as a gradient field .Energy level diagram developed from PL, PLE, and PAS measurements, and molecular electronic structure calculations as described in detail in the text. The highest occupied fluorophor molecular orbital is called the HOMO and the energy levels of the fluorophor from experiment are compared to the energetics for the silicon surface to which the fluorophor is bound. Only the zero point energy level and first SiO dominated vibrational mode are indicated although several higher-lying discrete vibrational quanta exist in the fluorophor ground electronic state .. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2004 - Atual

Thermal lens and photoacoustic spectroscopy to determine the thermal and optical properties in bulk and thin film semiconductors, Descrição: It is well recognized that the characteristic of the photothermal phenomena to determine the thermal and optical properties of materials via the energy transfer processes that results in heat generation is a particular advantage of these methods as compared to others conventional techniques, especially when the studied materials present high degree of: opacity, scattering and reflectance. The purpose of this work is to combine the particular abilities of the photoacoustic spectroscopy with those of the thermal lens spectrometry to study different semiconductor samples. Three of them are in the thin film form, 4H-SiC, Ni80Cr20 and NiO, while the PbI2 is a bulk single crystal. 4H-SiC was grown by hot wall chemical vapor deposition , Ni80Cr20 and NiO were obtained by sputter deposition and the PbI2 single crystal was grown by the Bridgman method with the c-axis oriented perpendicular to the growth axis .. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro / Universidade Estadual de Maringá - Auxílio financeiro.
2004 - Atual

Si1-xGex alloys, Descrição: Silicon Germanium (Si1-xGex) alloy is good candidate as a substitute material for Si in low-power and high-speed semiconductor device technologies. Optoelectronic devices, such as heterojunction bipolar transistors, are already in industrial production. Si1-xGex is also promising as alloying material for quantum well devices, infrared detectors, and modulation-doped field-effect transistors. Although much efforts have been paid on the growth of Si1-xGex and Si1-xGex /Si as well on electrical characterization, there is still a lack of information about the optical properties of Si1-xGex . We are investigating the electronic structure of this alloy as a function of composition x.Extendind the investigation to the dielectric functions. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): STINT-Swedish Agency - Auxílio financeiro / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2003 - 2007

STINT- The Swedish Foundation for International Cooperation in - Research and Higher Education (Suecia), Descrição: Coordenadores: Antonio Ferreira da Silva (IF-UFBa) e Borje Johansson (Uppsala University) - Total SKr$4.044.000,00 aproximadamenteUS$500,000. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador / RAJEEV AHUJA - Integrante / Börje Johansson - Integrante., Financiador(es): Uppsala University - Auxílio financeiro / Uppsala University - Auxílio financeiro.
2003 - 2005

/CT-Energ/CNPq 01/2003- ( 2004- )Projeto de Pesquisa Básica, Aplicada ou de Desenvolvimento Tecnologico, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$154.940,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2003 - 2004

Edital CT-FVA/CNPq 01/2003 Primeira Fase, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$30.000,00. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Instituto de Física-UFBa - Auxílio financeiro.
2003 - Atual

Electronic and optical properties of rutile titanium oxide (TiO2), Descrição: The compound rutile titanium dioxide (TiO2) has been recongnized as very promising material with large technological applicabilities, as for instance coating and gas sensores. Since the photocatalytic splitting of water by titanium dioxide (TiO2) was first reported by Fujishima and Honda in 1972 , extensive investigation has been devoted to the study of this wide band-gap semiconductor. Titanium dioxide has been proven to be outstanding in several fields, including applications such as gas sensors , waveguides, and solar energy cells . Particularly, the strong oxidative power of photogenerated carriers on its surface has made TiO2 one of the most practical photocatalytic materials for purification and treatment of polluted water and air . The calculations for absorption, total real and imaginary parts of the dielectric function, as well as the optical band gap energy for the phase rutile were based on density function theory within the local density approximation (LDA), employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. We corrected the LDA band-gap energy self-consistently with an on-site Coulomb potential. The thin films for the measurements were prepared by DC magnetron sputtering and the transmission spectroscopy technique has been used to obtain the absorption spectrum. The theoretical result for the absorption compared qualitatively well with the experimental finding. The features of the dielectric functions are presented and the transition at the fundamental gap is discussed based on the electronic structure.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): STINT-Swedish Agency - Auxílio financeiro.
2001 - 2005

Triad-Cluster Optical Transition, Descrição: In a lightly n-type doped semiconductor, low-temperature spectroscopic measurements exhibit a series of atomic like lines which correspond to the optical transitions of the isolated impurity atoms. As the impurity concentration increases donor-clusters rapidly become important. As the clusters get more dense the absorption edge drops since one can expect that the clusters with larger numbers of donors will absorb at low energies below the ionization and transition levels of the isolated impurities. The first attempts to explain such low energies were corried out by Nagasaka and Narita. Bajaj et al. have observed a peak on the low energy side of the 1s to 2p transition, denominated as line ''X'', in their spectroscopic investigations of the donors in three different III-V and II-VI semiconductor systems. The investigation of the shallow donors in GaN-based wide band gap semiconductors has recently attracted much interest as an important issue in the fabrication of optoelectronic and electronic devices. Work to date has concentrated on the search for the optical transitions from these donor impurities. In recent Fourier transformed infrared measurements of n-type doped wurtzite GaN by Moore et al. an unidentified sharp absorption line on the low energy side of the 1s to 2p transition was obtained at a certain impurity concentration. However, an explanation to the origin of this line was not provided. Since the position of the line is rather stringent, it cannot be explained in terms of transitions between isolated impurities. With these investigations in mind, we have directed the work to investigate the ``X'' line in n-type GaAs as well as the low energy peak in n-type hexagonal GaN. The electronic structure of the donor-clusters is likely to be strongly affected by electron correlation, and self-consistent field calculations is inadequate even to capture the qualitative characteristics of the absorption for relatively separated molecular configurations. We have. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Bolsa.
2001 - Atual

Porous Diamond-Like-Carbon, Descrição: Diamond-like-carbon (DLC) films have many attractive properties which can deal to potential applications. Besides mechanical and tribological characteristics, electrical and optical properties can, also, deserve special attention. More specifically, surface porosity in different kinds of materials exhibit very interesting optical effect related to porous density and size, suggesting new applications. In this work, porous diamond-like-carbon (PDLC) has been investigated with transmission and reflection spectroscopies. Atomic Force Microscopy (AFM) measurements has revealed an intriguing similarity between PDLC and porous silicon. The PDLC thin films were obtained on (100) silicon substrate by DC magnetron sputtering and stored in atmosphere environment. From transmission and reflection data we have observed broad spectra distributions, spanning the wavelength interval 900-350nm , corresponding to phonon energies from 1.46 to 3.50 eV, and with one broad maximum located around 825nm (1.6eV). The results are discussed in terms of surface-band oxidized-like absorber, which can be inferred as the source for the absorption from nanoporous. Porous diamond-like-carbon has been investigated by photoluminescence, absorption and spectroscopic ellipsometry. We present the real and imaginary parts of the dielectric functions for the latest and compare them to the calculation done for diamond by a full-potential linearized augmented plane wave method within the local density approximation. We found a low real dielectric function of about 1.5 at 0.8 eV whereas bulk diamond has e1(0) a value of 5.5 .. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - 2005

Transport Properties of Doped semiconductors at Low Temperatures, Descrição: . We investigated the resistivity of doped semiconductorsfor temperature ranging from 1.7 to 300 K, with variation of the impurity concentration from the insulating to the metallic range. The band conduction activation energy is obtained from the slope of the resistivity at low impurity concentration.The samples were prepared by ion implantation in Van der Pauw structures delineated in Semiconductors as Si:Bi,Si:P,Bi, GaAs:C. The resistivities obtained experimentally are compared with resistivity values calculated from a generalized Drude approach (GDA) at similar temperatures and dopant concentrations. The impurity critical concentration Nc for the metal-nonmetal (MNM) transition is estimated from these results and calculated using three different computational methods,. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - Atual

Spin Polariztion-Spintronic, Descrição: It is worthwhile to figure out that electron spin-filter is a basic spintronic device. However, despeite the fast growing research, and many proposals, there is still no definite experimental realization of such semiconductor device yet. A spin-filter device using nonmagnetic triple barriers III-V semiconductor structures has been recently proposed .It is based on the effect of electron spin polarization by ressonant tunneling, due in turn to the Rashba spin-orbit coupling , where the Kane ¿k.p method has also been used. As a result of such coupling, it has been recently demonstraited the formation of spin-dependent minibands in the case of asymmetric superlattice, with asymmetric double-barrier unit cells. We investigate the spin-dependent current for such superlattices with results for instance to InGaAs based asymmetric structures with different pairs of lattice-matched barriers materials (InP, InAlAs and GaAsSb)and extend the model to spin dependent properties of magnetic dilute semiconductors by means of electronic structure calculation.This method can also been used for MOSFET (metal oxide field effect transition) as well.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais - Cooperação / Universidade Federal da Bahia - Remuneração.

Projetos de desenvolvimento

2006 - 2008

Estudo e desenvolvimento de superficies oticamente seletivas para paineis solares termicos, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$60.000,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Banco do Nordeste do Brasil S/A - Auxílio financeiro.
2005 - 2008

Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers, Descrição: The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 2 e1020 to 2 e1021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 5 e1020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system. . , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
2004 - 2006

Edital CT-FVA/CNPq 01/2004 Segunda Fase Rede Multiinstitucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia -REMAN, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$400.000,00. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2004 - Atual

Optical properties of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films, Descrição: The optical properties of titania (TiO2) thin films prepared by the sol-gel process and doped with rhodamine 6G were studied by Photoacoustic Spectroscopy. Rhodamine 6G-doping was achieved by adding 0.01%, 0.02%, 0.05% y 0.1% mol rhodamine to a solution that contained titanium isopropoxide as precursor. Two absorption regions were distinguished in the spectrum of a typical rhodamine 6G-doped TiO2 film: an absorption band just over 2.2 eV, attributed to rhodamine 6G, and a band above 3.0 eV corresponding to TiO2 absorption. A shift of these bands occured as a function of rhodamine 6G-doping. In addition, the optical absorption and band gap energy for the phase rutile of TiO2 films were calculated with the local density approximation (LDA), employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. A comparison of these calculations with experimental data of TiO2 films, prepared by sol-gel at room temperature is performed.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - Atual

Silicio Poroso, Descrição: Porous Silicon Owing to the wide-ranging of possible technological applications in opto-electronic devices and biocompatible materials as well, the interest in characterizing porous silicon has recently increased very much. Porous silicon (PS) has been studied intensively since the discovery by Canham, that even at room temperature PS can emit very bright photoluminescence, in great contrast to crystalline silicon (c-Si). Usually, the PS samples are produced by anodic etching of c-Si wafers in hydrofluoric (HF) solution.As reported by many authors one of the main problems in the analysis of porous silicon samples is that there are no satisfactory models to explain the photoluminescence phenomenum and to predict their structural variations with the different formation parameters (doping level, HF concentration and current density). Focusing in this problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution o. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): CNPq - Auxílio financeiro / CNPq - Auxílio financeiro.
2006 - 2008

Estudo e desenvolvimento de superficies oticamente seletivas para paineis solares termicos, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$60.000,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Banco do Nordeste do Brasil S/A - Auxílio financeiro.
2005 - 2008

Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers, Descrição: The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 2 e1020 to 2 e1021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 5 e1020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system. . , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
2004 - 2006

Edital CT-FVA/CNPq 01/2004 Segunda Fase Rede Multiinstitucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia -REMAN, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$400.000,00. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2004 - Atual

Optical properties of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films, Descrição: The optical properties of titania (TiO2) thin films prepared by the sol-gel process and doped with rhodamine 6G were studied by Photoacoustic Spectroscopy. Rhodamine 6G-doping was achieved by adding 0.01%, 0.02%, 0.05% y 0.1% mol rhodamine to a solution that contained titanium isopropoxide as precursor. Two absorption regions were distinguished in the spectrum of a typical rhodamine 6G-doped TiO2 film: an absorption band just over 2.2 eV, attributed to rhodamine 6G, and a band above 3.0 eV corresponding to TiO2 absorption. A shift of these bands occured as a function of rhodamine 6G-doping. In addition, the optical absorption and band gap energy for the phase rutile of TiO2 films were calculated with the local density approximation (LDA), employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. A comparison of these calculations with experimental data of TiO2 films, prepared by sol-gel at room temperature is performed.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - Atual

Silicio Poroso, Descrição: Porous Silicon Owing to the wide-ranging of possible technological applications in opto-electronic devices and biocompatible materials as well, the interest in characterizing porous silicon has recently increased very much. Porous silicon (PS) has been studied intensively since the discovery by Canham, that even at room temperature PS can emit very bright photoluminescence, in great contrast to crystalline silicon (c-Si). Usually, the PS samples are produced by anodic etching of c-Si wafers in hydrofluoric (HF) solution.As reported by many authors one of the main problems in the analysis of porous silicon samples is that there are no satisfactory models to explain the photoluminescence phenomenum and to predict their structural variations with the different formation parameters (doping level, HF concentration and current density). Focusing in this problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution o. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): CNPq - Auxílio financeiro / CNPq - Auxílio financeiro.
2006 - 2008

Estudo e desenvolvimento de superficies oticamente seletivas para paineis solares termicos?, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$60.000,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Banco do Nordeste do Brasil S/A - Auxílio financeiro.
2005 - 2008

Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers, Descrição: The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 2?e1020 to 2?e1021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 5?e1020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
2004 - 2006

Edital CT-FVA/CNPq 01/2004 Segunda Fase Rede Multiinstitucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia -REMAN, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$400.000,00. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2004 - Atual

Optical properties of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films, Descrição: The optical properties of titania (TiO2) thin films prepared by the sol-gel process and doped with rhodamine 6G were studied by Photoacoustic Spectroscopy. Rhodamine 6G-doping was achieved by adding 0.01%, 0.02%, 0.05% y 0.1% mol rhodamine to a solution that contained titanium isopropoxide as precursor. Two absorption regions were distinguished in the spectrum of a typical rhodamine 6G-doped TiO2 film: an absorption band just over 2.2 eV, attributed to rhodamine 6G, and a band above 3.0 eV corresponding to TiO2 absorption. A shift of these bands occured as a function of rhodamine 6G-doping. In addition, the optical absorption and band gap energy for the phase rutile of TiO2 films were calculated with the local density approximation (LDA), employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. A comparison of these calculations with experimental data of TiO2 films, prepared by sol-gel at room temperature is performed.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - Atual

Silicio Poroso, Descrição: Porous Silicon Owing to the wide-ranging of possible technological applications in opto-electronic devices and biocompatible materials as well, the interest in characterizing porous silicon has recently increased very much. Porous silicon (PS) has been studied intensively since the discovery by Canham, that even at room temperature PS can emit very bright photoluminescence, in great contrast to crystalline silicon (c-Si). Usually, the PS samples are produced by anodic etching of c-Si wafers in hydrofluoric (HF) solution.As reported by many authors one of the main problems in the analysis of porous silicon samples is that there are no satisfactory models to explain the photoluminescence phenomenum and to predict their structural variations with the different formation parameters (doping level, HF concentration and current density). Focusing in this problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution o. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): CNPq - Auxílio financeiro / CNPq - Auxílio financeiro.
2006 - 2008

Estudo e desenvolvimento de superficies oticamente seletivas para paineis solares termicos?, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$60.000,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Banco do Nordeste do Brasil S/A - Auxílio financeiro.
2005 - 2008

Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers, Descrição: The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 2?e1020 to 2?e1021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 5?e1020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
2004 - 2006

Edital CT-FVA/CNPq 01/2004 Segunda Fase Rede Multiinstitucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia -REMAN, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$400.000,00. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2004 - Atual

Optical properties of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films, Descrição: The optical properties of titania (TiO2) thin films prepared by the sol-gel process and doped with rhodamine 6G were studied by Photoacoustic Spectroscopy. Rhodamine 6G-doping was achieved by adding 0.01%, 0.02%, 0.05% y 0.1% mol rhodamine to a solution that contained titanium isopropoxide as precursor. Two absorption regions were distinguished in the spectrum of a typical rhodamine 6G-doped TiO2 film: an absorption band just over 2.2 eV, attributed to rhodamine 6G, and a band above 3.0 eV corresponding to TiO2 absorption. A shift of these bands occured as a function of rhodamine 6G-doping. In addition, the optical absorption and band gap energy for the phase rutile of TiO2 films were calculated with the local density approximation (LDA), employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. A comparison of these calculations with experimental data of TiO2 films, prepared by sol-gel at room temperature is performed.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - Atual

Silicio Poroso, Descrição: Porous Silicon Owing to the wide-ranging of possible technological applications in opto-electronic devices and biocompatible materials as well, the interest in characterizing porous silicon has recently increased very much. Porous silicon (PS) has been studied intensively since the discovery by Canham, that even at room temperature PS can emit very bright photoluminescence, in great contrast to crystalline silicon (c-Si). Usually, the PS samples are produced by anodic etching of c-Si wafers in hydrofluoric (HF) solution.As reported by many authors one of the main problems in the analysis of porous silicon samples is that there are no satisfactory models to explain the photoluminescence phenomenum and to predict their structural variations with the different formation parameters (doping level, HF concentration and current density). Focusing in this problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution o. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): CNPq - Auxílio financeiro / CNPq - Auxílio financeiro.
2006 - 2008

Estudo e desenvolvimento de superficies oticamente seletivas para paineis solares termicos?, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$60.000,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Banco do Nordeste do Brasil S/A - Auxílio financeiro.
2005 - 2008

Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers, Descrição: The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 2?e1020 to 2?e1021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 5?e1020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
2004 - 2006

Edital CT-FVA/CNPq 01/2004 Segunda Fase Rede Multiinstitucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia -REMAN, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$400.000,00. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2004 - Atual

Optical properties of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films, Descrição: The optical properties of titania (TiO2) thin films prepared by the sol-gel process and doped with rhodamine 6G were studied by Photoacoustic Spectroscopy. Rhodamine 6G-doping was achieved by adding 0.01%, 0.02%, 0.05% y 0.1% mol rhodamine to a solution that contained titanium isopropoxide as precursor. Two absorption regions were distinguished in the spectrum of a typical rhodamine 6G-doped TiO2 film: an absorption band just over 2.2 eV, attributed to rhodamine 6G, and a band above 3.0 eV corresponding to TiO2 absorption. A shift of these bands occured as a function of rhodamine 6G-doping. In addition, the optical absorption and band gap energy for the phase rutile of TiO2 films were calculated with the local density approximation (LDA), employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. A comparison of these calculations with experimental data of TiO2 films, prepared by sol-gel at room temperature is performed.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - Atual

Silicio Poroso, Descrição: Porous Silicon Owing to the wide-ranging of possible technological applications in opto-electronic devices and biocompatible materials as well, the interest in characterizing porous silicon has recently increased very much. Porous silicon (PS) has been studied intensively since the discovery by Canham, that even at room temperature PS can emit very bright photoluminescence, in great contrast to crystalline silicon (c-Si). Usually, the PS samples are produced by anodic etching of c-Si wafers in hydrofluoric (HF) solution.As reported by many authors one of the main problems in the analysis of porous silicon samples is that there are no satisfactory models to explain the photoluminescence phenomenum and to predict their structural variations with the different formation parameters (doping level, HF concentration and current density). Focusing in this problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution o. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): CNPq - Auxílio financeiro / CNPq - Auxílio financeiro.
2006 - 2008

Estudo e desenvolvimento de superficies oticamente seletivas para paineis solares termicos?, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$60.000,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Banco do Nordeste do Brasil S/A - Auxílio financeiro.
2005 - 2008

Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers, Descrição: The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 2?e1020 to 2?e1021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 5?e1020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
2004 - 2006

Edital CT-FVA/CNPq 01/2004 Segunda Fase Rede Multiinstitucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia -REMAN, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$400.000,00. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2004 - Atual

Optical properties of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films, Descrição: The optical properties of titania (TiO2) thin films prepared by the sol-gel process and doped with rhodamine 6G were studied by Photoacoustic Spectroscopy. Rhodamine 6G-doping was achieved by adding 0.01%, 0.02%, 0.05% y 0.1% mol rhodamine to a solution that contained titanium isopropoxide as precursor. Two absorption regions were distinguished in the spectrum of a typical rhodamine 6G-doped TiO2 film: an absorption band just over 2.2 eV, attributed to rhodamine 6G, and a band above 3.0 eV corresponding to TiO2 absorption. A shift of these bands occured as a function of rhodamine 6G-doping. In addition, the optical absorption and band gap energy for the phase rutile of TiO2 films were calculated with the local density approximation (LDA), employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. A comparison of these calculations with experimental data of TiO2 films, prepared by sol-gel at room temperature is performed.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - Atual

Silicio Poroso, Descrição: Porous Silicon Owing to the wide-ranging of possible technological applications in opto-electronic devices and biocompatible materials as well, the interest in characterizing porous silicon has recently increased very much. Porous silicon (PS) has been studied intensively since the discovery by Canham, that even at room temperature PS can emit very bright photoluminescence, in great contrast to crystalline silicon (c-Si). Usually, the PS samples are produced by anodic etching of c-Si wafers in hydrofluoric (HF) solution.As reported by many authors one of the main problems in the analysis of porous silicon samples is that there are no satisfactory models to explain the photoluminescence phenomenum and to predict their structural variations with the different formation parameters (doping level, HF concentration and current density). Focusing in this problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution o. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): CNPq - Auxílio financeiro / CNPq - Auxílio financeiro.
2006 - 2008

Estudo e desenvolvimento de superficies oticamente seletivas para paineis solares termicos?, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$60.000,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Banco do Nordeste do Brasil S/A - Auxílio financeiro.
2005 - 2008

Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers, Descrição: The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 2?e1020 to 2?e1021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 5?e1020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
2004 - 2006

Edital CT-FVA/CNPq 01/2004 Segunda Fase Rede Multiinstitucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia -REMAN, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$400.000,00. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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Optical properties of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films, Descrição: The optical properties of titania (TiO2) thin films prepared by the sol-gel process and doped with rhodamine 6G were studied by Photoacoustic Spectroscopy. Rhodamine 6G-doping was achieved by adding 0.01%, 0.02%, 0.05% y 0.1% mol rhodamine to a solution that contained titanium isopropoxide as precursor. Two absorption regions were distinguished in the spectrum of a typical rhodamine 6G-doped TiO2 film: an absorption band just over 2.2 eV, attributed to rhodamine 6G, and a band above 3.0 eV corresponding to TiO2 absorption. A shift of these bands occured as a function of rhodamine 6G-doping. In addition, the optical absorption and band gap energy for the phase rutile of TiO2 films were calculated with the local density approximation (LDA), employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. A comparison of these calculations with experimental data of TiO2 films, prepared by sol-gel at room temperature is performed.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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Silicio Poroso, Descrição: Porous Silicon Owing to the wide-ranging of possible technological applications in opto-electronic devices and biocompatible materials as well, the interest in characterizing porous silicon has recently increased very much. Porous silicon (PS) has been studied intensively since the discovery by Canham, that even at room temperature PS can emit very bright photoluminescence, in great contrast to crystalline silicon (c-Si). Usually, the PS samples are produced by anodic etching of c-Si wafers in hydrofluoric (HF) solution.As reported by many authors one of the main problems in the analysis of porous silicon samples is that there are no satisfactory models to explain the photoluminescence phenomenum and to predict their structural variations with the different formation parameters (doping level, HF concentration and current density). Focusing in this problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution o. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): CNPq - Auxílio financeiro / CNPq - Auxílio financeiro.
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Estudo e desenvolvimento de superficies oticamente seletivas para paineis solares termicos?, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$60.000,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Banco do Nordeste do Brasil S/A - Auxílio financeiro.
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Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers, Descrição: The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 2?e1020 to 2?e1021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 5?e1020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
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Edital CT-FVA/CNPq 01/2004 Segunda Fase Rede Multiinstitucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia -REMAN, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$400.000,00. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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Optical properties of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films, Descrição: The optical properties of titania (TiO2) thin films prepared by the sol-gel process and doped with rhodamine 6G were studied by Photoacoustic Spectroscopy. Rhodamine 6G-doping was achieved by adding 0.01%, 0.02%, 0.05% y 0.1% mol rhodamine to a solution that contained titanium isopropoxide as precursor. Two absorption regions were distinguished in the spectrum of a typical rhodamine 6G-doped TiO2 film: an absorption band just over 2.2 eV, attributed to rhodamine 6G, and a band above 3.0 eV corresponding to TiO2 absorption. A shift of these bands occured as a function of rhodamine 6G-doping. In addition, the optical absorption and band gap energy for the phase rutile of TiO2 films were calculated with the local density approximation (LDA), employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. A comparison of these calculations with experimental data of TiO2 films, prepared by sol-gel at room temperature is performed.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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Silicio Poroso, Descrição: Porous Silicon Owing to the wide-ranging of possible technological applications in opto-electronic devices and biocompatible materials as well, the interest in characterizing porous silicon has recently increased very much. Porous silicon (PS) has been studied intensively since the discovery by Canham, that even at room temperature PS can emit very bright photoluminescence, in great contrast to crystalline silicon (c-Si). Usually, the PS samples are produced by anodic etching of c-Si wafers in hydrofluoric (HF) solution.As reported by many authors one of the main problems in the analysis of porous silicon samples is that there are no satisfactory models to explain the photoluminescence phenomenum and to predict their structural variations with the different formation parameters (doping level, HF concentration and current density). Focusing in this problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution o. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): CNPq - Auxílio financeiro / CNPq - Auxílio financeiro.
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Estudo e desenvolvimento de superficies oticamente seletivas para paineis solares termicos?, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$60.000,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): Banco do Nordeste do Brasil S/A - Auxílio financeiro.
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Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers, Descrição: The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 2?e1020 to 2?e1021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 5?e1020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento.
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Edital CT-FVA/CNPq 01/2004 Segunda Fase Rede Multiinstitucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia -REMAN, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$400.000,00. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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Optical properties of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films, Descrição: The optical properties of titania (TiO2) thin films prepared by the sol-gel process and doped with rhodamine 6G were studied by Photoacoustic Spectroscopy. Rhodamine 6G-doping was achieved by adding 0.01%, 0.02%, 0.05% y 0.1% mol rhodamine to a solution that contained titanium isopropoxide as precursor. Two absorption regions were distinguished in the spectrum of a typical rhodamine 6G-doped TiO2 film: an absorption band just over 2.2 eV, attributed to rhodamine 6G, and a band above 3.0 eV corresponding to TiO2 absorption. A shift of these bands occured as a function of rhodamine 6G-doping. In addition, the optical absorption and band gap energy for the phase rutile of TiO2 films were calculated with the local density approximation (LDA), employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. A comparison of these calculations with experimental data of TiO2 films, prepared by sol-gel at room temperature is performed.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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Silicio Poroso, Descrição: Porous Silicon Owing to the wide-ranging of possible technological applications in opto-electronic devices and biocompatible materials as well, the interest in characterizing porous silicon has recently increased very much. Porous silicon (PS) has been studied intensively since the discovery by Canham, that even at room temperature PS can emit very bright photoluminescence, in great contrast to crystalline silicon (c-Si). Usually, the PS samples are produced by anodic etching of c-Si wafers in hydrofluoric (HF) solution.As reported by many authors one of the main problems in the analysis of porous silicon samples is that there are no satisfactory models to explain the photoluminescence phenomenum and to predict their structural variations with the different formation parameters (doping level, HF concentration and current density). Focusing in this problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution o. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.Financiador(es): CNPq - Auxílio financeiro / CNPq - Auxílio financeiro.
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Estudo e desenvolvimento de superficies oticamente seletivas para paineis solares termicos?, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$60.000,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Banco do Nordeste do Brasil S/A - Auxílio financeiro.
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Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers, Descrição: The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 2?e1020 to 2?e1021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 5?e1020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
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Edital CT-FVA/CNPq 01/2004 Segunda Fase Rede Multiinstitucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia -REMAN, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$400.000,00. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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Optical properties of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films, Descrição: The optical properties of titania (TiO2) thin films prepared by the sol-gel process and doped with rhodamine 6G were studied by Photoacoustic Spectroscopy. Rhodamine 6G-doping was achieved by adding 0.01%, 0.02%, 0.05% y 0.1% mol rhodamine to a solution that contained titanium isopropoxide as precursor. Two absorption regions were distinguished in the spectrum of a typical rhodamine 6G-doped TiO2 film: an absorption band just over 2.2 eV, attributed to rhodamine 6G, and a band above 3.0 eV corresponding to TiO2 absorption. A shift of these bands occured as a function of rhodamine 6G-doping. In addition, the optical absorption and band gap energy for the phase rutile of TiO2 films were calculated with the local density approximation (LDA), employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. A comparison of these calculations with experimental data of TiO2 films, prepared by sol-gel at room temperature is performed.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
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Silicio Poroso, Descrição: Porous Silicon Owing to the wide-ranging of possible technological applications in opto-electronic devices and biocompatible materials as well, the interest in characterizing porous silicon has recently increased very much. Porous silicon (PS) has been studied intensively since the discovery by Canham, that even at room temperature PS can emit very bright photoluminescence, in great contrast to crystalline silicon (c-Si). Usually, the PS samples are produced by anodic etching of c-Si wafers in hydrofluoric (HF) solution.As reported by many authors one of the main problems in the analysis of porous silicon samples is that there are no satisfactory models to explain the photoluminescence phenomenum and to predict their structural variations with the different formation parameters (doping level, HF concentration and current density). Focusing in this problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution o. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): CNPq - Auxílio financeiro / CNPq - Auxílio financeiro.
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Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers, Descrição: The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 2?e1020 to 2?e1021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 5?e1020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
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Silicio Poroso, Descrição: Porous Silicon Owing to the wide-ranging of possible technological applications in opto-electronic devices and biocompatible materials as well, the interest in characterizing porous silicon has recently increased very much. Porous silicon (PS) has been studied intensively since the discovery by Canham, that even at room temperature PS can emit very bright photoluminescence, in great contrast to crystalline silicon (c-Si). Usually, the PS samples are produced by anodic etching of c-Si wafers in hydrofluoric (HF) solution.As reported by many authors one of the main problems in the analysis of porous silicon samples is that there are no satisfactory models to explain the photoluminescence phenomenum and to predict their structural variations with the different formation parameters (doping level, HF concentration and current density). Focusing in this problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution o. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): CNPq - Auxílio financeiro / CNPq - Auxílio financeiro.
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Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers, Descrição: The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 2?e1020 to 2?e1021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 5?e1020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
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Edital CT-FVA/CNPq 01/2004 Segunda Fase Rede Multiinstitucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia -REMAN, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$400.000,00. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2004 - Atual

Optical properties of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films, Descrição: The optical properties of titania (TiO2) thin films prepared by the sol-gel process and doped with rhodamine 6G were studied by Photoacoustic Spectroscopy. Rhodamine 6G-doping was achieved by adding 0.01%, 0.02%, 0.05% y 0.1% mol rhodamine to a solution that contained titanium isopropoxide as precursor. Two absorption regions were distinguished in the spectrum of a typical rhodamine 6G-doped TiO2 film: an absorption band just over 2.2 eV, attributed to rhodamine 6G, and a band above 3.0 eV corresponding to TiO2 absorption. A shift of these bands occured as a function of rhodamine 6G-doping. In addition, the optical absorption and band gap energy for the phase rutile of TiO2 films were calculated with the local density approximation (LDA), employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. A comparison of these calculations with experimental data of TiO2 films, prepared by sol-gel at room temperature is performed.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - Atual

Silicio Poroso, Descrição: Porous Silicon Owing to the wide-ranging of possible technological applications in opto-electronic devices and biocompatible materials as well, the interest in characterizing porous silicon has recently increased very much. Porous silicon (PS) has been studied intensively since the discovery by Canham, that even at room temperature PS can emit very bright photoluminescence, in great contrast to crystalline silicon (c-Si). Usually, the PS samples are produced by anodic etching of c-Si wafers in hydrofluoric (HF) solution.As reported by many authors one of the main problems in the analysis of porous silicon samples is that there are no satisfactory models to explain the photoluminescence phenomenum and to predict their structural variations with the different formation parameters (doping level, HF concentration and current density). Focusing in this problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution o. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): CNPq - Auxílio financeiro / CNPq - Auxílio financeiro.
2006 - 2008

Estudo e desenvolvimento de superficies oticamente seletivas para paineis solares termicos?, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$60.000,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Banco do Nordeste do Brasil S/A - Auxílio financeiro.
2005 - 2008

Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers, Descrição: The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 2?e1020 to 2?e1021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 5?e1020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
2004 - 2006

Edital CT-FVA/CNPq 01/2004 Segunda Fase Rede Multiinstitucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia -REMAN, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$400.000,00. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2004 - Atual

Optical properties of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films, Descrição: The optical properties of titania (TiO2) thin films prepared by the sol-gel process and doped with rhodamine 6G were studied by Photoacoustic Spectroscopy. Rhodamine 6G-doping was achieved by adding 0.01%, 0.02%, 0.05% y 0.1% mol rhodamine to a solution that contained titanium isopropoxide as precursor. Two absorption regions were distinguished in the spectrum of a typical rhodamine 6G-doped TiO2 film: an absorption band just over 2.2 eV, attributed to rhodamine 6G, and a band above 3.0 eV corresponding to TiO2 absorption. A shift of these bands occured as a function of rhodamine 6G-doping. In addition, the optical absorption and band gap energy for the phase rutile of TiO2 films were calculated with the local density approximation (LDA), employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. A comparison of these calculations with experimental data of TiO2 films, prepared by sol-gel at room temperature is performed.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - Atual

Silicio Poroso, Descrição: Porous Silicon Owing to the wide-ranging of possible technological applications in opto-electronic devices and biocompatible materials as well, the interest in characterizing porous silicon has recently increased very much. Porous silicon (PS) has been studied intensively since the discovery by Canham, that even at room temperature PS can emit very bright photoluminescence, in great contrast to crystalline silicon (c-Si). Usually, the PS samples are produced by anodic etching of c-Si wafers in hydrofluoric (HF) solution.As reported by many authors one of the main problems in the analysis of porous silicon samples is that there are no satisfactory models to explain the photoluminescence phenomenum and to predict their structural variations with the different formation parameters (doping level, HF concentration and current density). Focusing in this problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution o. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): CNPq - Auxílio financeiro / CNPq - Auxílio financeiro.
2006 - 2008

Estudo e desenvolvimento de superficies oticamente seletivas para paineis solares termicos?, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$60.000,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Banco do Nordeste do Brasil S/A - Auxílio financeiro.
2005 - 2008

Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers, Descrição: The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 2?e1020 to 2?e1021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 5?e1020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
2004 - 2006

Edital CT-FVA/CNPq 01/2004 Segunda Fase Rede Multiinstitucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia -REMAN, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$400.000,00. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2004 - Atual

Optical properties of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films, Descrição: The optical properties of titania (TiO2) thin films prepared by the sol-gel process and doped with rhodamine 6G were studied by Photoacoustic Spectroscopy. Rhodamine 6G-doping was achieved by adding 0.01%, 0.02%, 0.05% y 0.1% mol rhodamine to a solution that contained titanium isopropoxide as precursor. Two absorption regions were distinguished in the spectrum of a typical rhodamine 6G-doped TiO2 film: an absorption band just over 2.2 eV, attributed to rhodamine 6G, and a band above 3.0 eV corresponding to TiO2 absorption. A shift of these bands occured as a function of rhodamine 6G-doping. In addition, the optical absorption and band gap energy for the phase rutile of TiO2 films were calculated with the local density approximation (LDA), employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. A comparison of these calculations with experimental data of TiO2 films, prepared by sol-gel at room temperature is performed.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - Atual

Silicio Poroso, Descrição: Porous Silicon Owing to the wide-ranging of possible technological applications in opto-electronic devices and biocompatible materials as well, the interest in characterizing porous silicon has recently increased very much. Porous silicon (PS) has been studied intensively since the discovery by Canham, that even at room temperature PS can emit very bright photoluminescence, in great contrast to crystalline silicon (c-Si). Usually, the PS samples are produced by anodic etching of c-Si wafers in hydrofluoric (HF) solution.As reported by many authors one of the main problems in the analysis of porous silicon samples is that there are no satisfactory models to explain the photoluminescence phenomenum and to predict their structural variations with the different formation parameters (doping level, HF concentration and current density). Focusing in this problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution o. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): CNPq - Auxílio financeiro / CNPq - Auxílio financeiro.
2006 - 2008

Estudo e desenvolvimento de superficies oticamente seletivas para paineis solares termicos?, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$60.000,00. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Banco do Nordeste do Brasil S/A - Auxílio financeiro.
2005 - 2008

Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers, Descrição: The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 2?e1020 to 2?e1021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 5?e1020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador.
2004 - 2006

Edital CT-FVA/CNPq 01/2004 Segunda Fase Rede Multiinstitucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia -REMAN, Descrição: Coordenador: Antonio Ferreira da Silva R$400.000,00. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2004 - Atual

Optical properties of rhodamine 6G-doped TiO2 sol-gel films, Descrição: The optical properties of titania (TiO2) thin films prepared by the sol-gel process and doped with rhodamine 6G were studied by Photoacoustic Spectroscopy. Rhodamine 6G-doping was achieved by adding 0.01%, 0.02%, 0.05% y 0.1% mol rhodamine to a solution that contained titanium isopropoxide as precursor. Two absorption regions were distinguished in the spectrum of a typical rhodamine 6G-doped TiO2 film: an absorption band just over 2.2 eV, attributed to rhodamine 6G, and a band above 3.0 eV corresponding to TiO2 absorption. A shift of these bands occured as a function of rhodamine 6G-doping. In addition, the optical absorption and band gap energy for the phase rutile of TiO2 films were calculated with the local density approximation (LDA), employing the full-potential linearized augmented plane wave (FPLAPW) method. A comparison of these calculations with experimental data of TiO2 films, prepared by sol-gel at room temperature is performed.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Mestrado acadêmico: (1) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
2000 - Atual

Silicio Poroso, Descrição: Porous Silicon Owing to the wide-ranging of possible technological applications in opto-electronic devices and biocompatible materials as well, the interest in characterizing porous silicon has recently increased very much. Porous silicon (PS) has been studied intensively since the discovery by Canham, that even at room temperature PS can emit very bright photoluminescence, in great contrast to crystalline silicon (c-Si). Usually, the PS samples are produced by anodic etching of c-Si wafers in hydrofluoric (HF) solution.As reported by many authors one of the main problems in the analysis of porous silicon samples is that there are no satisfactory models to explain the photoluminescence phenomenum and to predict their structural variations with the different formation parameters (doping level, HF concentration and current density). Focusing in this problem the objective of our study is to perform a comparison among different PS canonical structural patterns taking into account a possible surface structure correlation with PL and absorption performances, a structural quantum phenomenum that we call active nanoporosity. In another hand, the roughness, fractal dimensions and phase disorder measures could be important parameters for a fine investigation of structural differences among samples with very high porosity of both the Scanning Force Microscopy (SFM) images. Also we use the gradient pattern analysis technique as a reliable method to investigate, qualitatively and quantitatively, the morphology of PS active porosity. Recently, Ferreira da Silva et al.,have performed a gradient pattern analysis of a canonical sample set (CSS) of scanning force microscopy (SFM) images of PS. They applied the Gradient Pattern Analysis (GPA) to images of three typical PS samples distinguished by different absorption energy levels and aspect ratios (low, intermediate and high roughness). The GPA is an innovative technique, which characterizes the formation and evolution o. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (2) . , Integrantes: Antonio Ferreira da Silva - Coordenador., Financiador(es): CNPq - Auxílio financeiro / CNPq - Auxílio financeiro.

Prêmios

2010

Membro Fundador da Academia de Ciências da Bahia, Secretaria de Ciência, Tecnologia e Inovação - SECTI (Bahia).

2005

Menção Honrosa , LAWNP Pôster: ? Modeling Complex Nanostructured Samples from 2D KPZ Equation?. Argentina, Nov. 2005, LAWNP.

2005

Guest Professor, Linköping University -Sweden.

2000

PROFESSOR TITULAR, UFBA.

2000

Segudo melhor Poster da Reunião de Fisica da Materia Condensada- Caxambu, SBF.

1999

Ranking da Ciência., -Folha de São Paulo.

Histórico profissional

Endereço profissional

Universidade Federal da Bahia, Instituto de Física, Departamento de Física Geral. , CAMPUS UNIVERSITARIO DE ONDINA, ONDINA, 40210340 - Salvador, BA - Brasil, Telefone: (071) 32636616, Fax: (071) 32636606

Experiência profissional

2010 - 2012

Financiadora de Estudos e Projetos

Vínculo: Coordenador Projeto CT INFRA, Enquadramento Funcional: Professor Titular - Coordenador, Carga horária: 8, Regime: Dedicação exclusiva.

2010 - Atual

Academia de Ciências da Bahia

Vínculo: Membro Fundador, Enquadramento Funcional: Membro Titular, Carga horária: 2

Outras informações:
Membro Fundador Titular da Academia de Ciências da Bahia-2010

2010 - Atual

Conselho de Desenvolvimento Industrial do Estado da Bahia

Vínculo: Colaborator, Enquadramento Funcional: Membro do Comitê Temático, Carga horária: 1

Outras informações:
Membro do Comitê Temático Transversal de Tecnologia e Inovação do Conselho de Desenvolvimento Industrial do Estado da Bahia. 2010

2010 - Atual

Agencia Nacional de Investigación e Innovación ?ANII. Uruguay

Vínculo: Colaborator, Enquadramento Funcional: Assessoria, Carga horária: 1

Outras informações:
Agencia Nacional de Investigación e Innovación ?ANII. Uruguay

2009 - Atual

Centro de Tecnologias Estratégicas do Nordeste

Vínculo: Coordenador Área, Enquadramento Funcional: Coordenação Comitê Gestor NANOCETENE

Outras informações:
Comitê de Implantação e atual Membro Gestor Titular do NANOCETENE (CETENE - Centro de Tecnologias Estratégicas do Nordeste - Recife) INT/MCT- Co-Coordenação do Comitê Gestor

2009 - Atual

Centro de Tecnologias Estratégicas do Nordeste

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Vice Coordinator of Multi-User Nanotechnology

Outras informações:
Vice Coordinator of Multi-User Nanotechnology Laboratories-LMNAN of CETENE (Center for Strategic Technologies of the Northeast -Brazil). Strategic Laboratory of SisNANO - National System of Laboratories in Nanotechnology of the Ministry of Science, Technology and Innovations - Brazil.

2008 - Atual

CENPES_PETROBRAS

Vínculo: Representante, Enquadramento Funcional: Representante da UFBa no CENPES/Petrobras, Carga horária: 1

Outras informações:
Representante da UFBa no CENPES/Petrobras. Rede Temática de NanotecnologiaCentro de Pesquisas e Desenvolvimento Leopoldo Américo Miguez de Mello -CENPES,PETROBRAS

2008 - Atual

UFBa_LIMCET_I,II,III

Vínculo: Coordenador Projeto, Enquadramento Funcional: Coordenador Projeto, Carga horária: 2

Outras informações:
Laboratórios Integrados e Multifuncionais em Ciências Exatas e da Terra, LIMCET. LIMCET I, II, III

2008 - Atual

UFBa_LIMCET_I,II,III

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Coordinator of LIMCETs I-VI

Outras informações:
(Integrated Multifunctional Laboratories in Exact, Biological, Health and Earth Sciences), an Integrated Infrastructure Project UFBA/FINEP involving Institutes of Physics, Geosciences, Chemistry, Mathematics, Biology and Health Sciences (6 Institutes). Facility Laboratory for Nano-Structured Materials for Energy and Sensor -PETROBRAS (Brazilian Petroleum Emp.) and Center of Excellence PRONEX/FAPESB.

2007 - Atual

London Centre for Nanotechnology

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Pesquisador Colaborador, Carga horária: 4

Outras informações:
Surface and Interface states associated with dopant in silicon acquire growing importance as microelectronic devices shrink. We perform measurements by scanning tunneling microscopy and theory to predict , for instance that s uperlattice of such Bi defects will produce new applications for this material.

2005 - Atual

Laboratoire d¿ Études des Propriétès Électroniques dês Solides-Lepes. Greno

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Colaboração Científica, Carga horária: 4

Outras informações:
Superconductivity in boron-doped homoepitaxial (001)-oriented diamond layers The crystallinity and built-in strain of diamond epilayers grown by MPCVD with boron contents nB varying from 21020 to 21021cm-3 as evaluated by SIMS are assessed by HR-XRDiffraction. Both ac transport and ac susceptibility measurements show that the critical concentration for the onset of superconductivity in (001)-oriented single crystalline films is about 51020 cm-3. This is also the critical hole concentration for the metal-non metal transition in this system, as evaluated by two types of theoretical calculations and by low temperature resistivity experiments. We report also preliminary results of point contact spectroscopy on an epilayer with a critical transition temperature Tc = 2.1K, which yield a superconducting gap around 0.3 meV compatible with a conventional BCS-type description of superconductivity in this system.Also for 4H-SiC.The physical properties of the large bandgaps SiC, 3C, 15R, 6H and 4H-SiC ,make them as prominent materials for high-power, high-temperature, and high-frequency devices. Devices like field effect transistors, bipolar storage capacitors, and ultraviolet detectors have been fabricated. We investigate the optical and transport properties of undoped and n-type 4H-SiC, both experimentally and theoretically

2003 - 2007

Rede Multi-Institucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia:

Vínculo: Coordenador REMAN, Enquadramento Funcional: Coordenador da REDE Nacional, Carga horária: 4

Outras informações:
Rede Multi-Institucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia: Desenvolvimento de Protótipos e Nanodispositivos (REMAN) ? CNPq/MCT/2007

1979 - 1982

Instituto Tecnológico de Aeronáutica

Vínculo: Visitor Professor, Enquadramento Funcional: Professor Conferencista

Outras informações:
Professor Conferencista /Temporário. Orientação de Mestrado e Doutorado

2005 - Atual

Universidade Federal da Bahia

Vínculo: Coordenador da Pos-Graduação, Enquadramento Funcional: Coordenador, Carga horária: 8

2000 - Atual

Universidade Federal da Bahia

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor titular, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

02/2005
Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Fisica de Semicondutores, Fisica do Estado Solido I e II
01/2005
Direção e administração, Colegiado de Pos-Graduação em Fisica.,Cargo ou função, Coordenador de Programa.
01/2005
Extensão universitária , Linkoping University.,Atividade de extensão realizada, Guest Professor.
10/2003
Conselhos, Comissões e Consultoria, Comite Assessor.,Cargo ou função, Membro do Comite Assessor -FA_Fisica-CNPq.
02/2000
Pesquisa e desenvolvimento, Instituto de Física, Departamento de Física Geral.,Linhas de pesquisa
05/2002 - 06/2002
Outras atividades técnico-científicas , Linkoping University, Linkoping University.,Atividade realizada, Professor do Curso de doutorado proferido na Univ. Linkoping-Suecia.

2005 - Atual

Instituto de Fisica-UFBa

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Coordenador Pos-Graduação, Carga horária: 15

Atividades

05/2006
Direção e administração, Instituto de Física.,Cargo ou função, Coordenador do Projeto: Laboratório Multi -Usuário de Microscopia Eletrônica da UFBA ?LAMUME. Proposta aprovada pela Pro -Reitoria como sub-projeto para fazer parte do Projeto de Infra-Estrutura apresentado pela UFBa. Valor aproximado de R$1.300.000.
05/2005
Direção e administração, Instituto de Física.,Cargo ou função, Coordenador Programa Pós-Graduação.
05/2005
Conselhos, Comissões e Consultoria, NPI.,Cargo ou função, Membro Gestor do Conselho Cientifico e Tecnológico (CCT) do Núcleo de Propriedade Intelectual (NPI). UFBa (Sede)/CEFET-Ba/UFS/UFPB.
01/2005
Direção e administração, Centro Interdisciplinar em Energia e Ambiente.,Cargo ou função, Membro Gestor do Progrma de Doutorado do CIEnAm.
09/2004
Direção e administração, REMAN.,Cargo ou função, Coordenador da REMAN ?Rede Multi-Institucional em Materiais Avançados e Nanotecnologia: Desenvolvimento de Protótipos e Nanodispositivos.
01/2004
Pesquisa e desenvolvimento, Instituto de Física.,Linhas de pesquisa
01/2004
Pesquisa e desenvolvimento, Instituto de Física.,Linhas de pesquisa

2003 - Atual

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq

Vínculo: Membro do CA-Fisica, Enquadramento Funcional: Membro do Conselho

Outras informações:
Steering Committee (Full Member) for Physics and Astronomy at the (CNPq)/MCTI. (Twice- National Elections, last time ended /Sept 2018). Steering Committee for International Cooperation (CGCIN) of the (MCTI) in Nanotechnology Steering Committee for Nanosensors and Nanodevices Innovation Networks of the SIBRATEC (Brazilian System of Technology) /MCTI ?Advisory Committee for the Consortium for Innovation on Nanotechnology, Energy, and Materials (CINEMA), Brazil-United States www.colorado.edu/rasei/cinema.

2003 - Atual

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq

Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Researcher 1A (Highest Level)

2003 - 2006

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq

Vínculo: Comite Assessor, Enquadramento Funcional: CA-Fisica

Outras informações:
Memebro do Comite Assessor do CNPq

Atividades

01/2004
Conselhos, Comissões e Consultoria, FAPESB.,Cargo ou função, Comite Assessor Ciencias Exatas.
01/2003 - 06/2006
Conselhos, Comissões e Consultoria, Comite Assessor -Fisica.,Cargo ou função, Comite Assessor.

2011 - Atual

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado da Bahia

Vínculo: Colaborator, Enquadramento Funcional: Coordenador da Câmara de Assessoramento, Carga horária: 2

Outras informações:
Membro Titular da Câmara de Assessoramento e Avaliação Tecnológica da FAPESB- Fundação de Amparo a Pesquisa do Estado da Bahia. Coordenador da área de Ciências Matemáticas e Naturais 01/2011 a 12/2012

2004 - Atual

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado da Bahia

Vínculo: Comite Assessor, Enquadramento Funcional: Comitê Assessor, Carga horária: 2

Atividades

01/2004
Serviços técnicos especializados , FAPESB.,Serviço realizado, Comitê Assessor.

2005 - Atual

Linkoping University

Vínculo: Guest Professor, Enquadramento Funcional: Guest Professor

Outras informações:
Guest Professor Pesquisas com alguns professores em Propriedades Opticas e de Transporte em Novos Materiais. Professor Convidado ja com cursos proferidos no Doutoramneto e Graduação

Atividades

01/2005 - 06/2006
Pesquisa e desenvolvimento, Department of Physics and Measurements Technology.,Linhas de pesquisa

2003 - Atual

Royal Institute Of Technology

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Colaborador, Carga horária: 4

2000 - Atual

Uppsala Universitet

Vínculo: Visitante-Projeto de Pesquisa, Enquadramento Funcional: Visitante

Outras informações:
Mantenho um vinculo Institucional atraves de um projeto STINT- The Swedish Foundation for International Cooperation in - Research and Higher Education (2003-2006). (Suecia)

Atividades

01/2005
Pesquisa e desenvolvimento, Linkoping University.,Linhas de pesquisa
01/2000
Pesquisa e desenvolvimento, Department of Physics.,Linhas de pesquisa

2004 - Atual

Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Inst. Politéc. Nacional

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Colaborador, Carga horária: 2

2004 - Atual

Chalmers University -Gothemburg

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Colaborador, Carga horária: 2

2000 - 2005

City University of New York

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Colaborador, Carga horária: 2

2004 - Atual

Georgia Institute Of Technology

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Colaborador, Carga horária: 0

2000 - Atual

Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: 2

Atividades

01/2000
Pesquisa e desenvolvimento, Laboratorio Associado de Sensores e Materiais -LAS.,Linhas de pesquisa

2000 - 2001

PIBIC-UFBA

Vínculo: Comite Local, Enquadramento Funcional: Comite Assessor

Atividades

01/2000
Extensão universitária .,Atividade de extensão realizada, Comite PIBIB-UFBa.

2004 - Atual

Universidade Estadual de Maringá

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Colaborador, Carga horária: 2

2015 - Atual

Cogent Physics,Taylor&Francis Group

Vínculo: Consultor, Enquadramento Funcional: Consultor, Carga horária: 2

2008 - Atual

Center for Sciences and Technologies Applied to Health

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Member

2016 - Atual

CAPES - Centro Anhanguera de Promoção e Educação Social

Vínculo: Coordination, Enquadramento Funcional: Coordination of Improvement of Higher Educati

Outras informações:
Consultant to CAPES (Coordination of Improvement of Higher Education Personnel) Coordinator of the Advisory Board and Technology Assessment of FAPESB (Bahia Foundation for Research)- Mathematic and Natural Sciences (up to 2016).

2020 - 2021

Universidade de São Paulo

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor Titular Visitante

2020 - Atual

Universidade de São Paulo

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor Visitante

2022 - 2022

Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovações

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisador Visitante

Outras informações:
Grupo de trabalho em nanotecnologia BRICS