Gustavo Soares Vieira

Possui graduação em Física pela Universidade Federal de Minas Gerais (1992), mestrado em Física pela Universidade Federal de Minas Gerais (1994) e doutorado em Física pela Universidade Federal de Minas Gerais (1998). Durante o doutorado trabalhou por 18 meses (1995 a 1996) na University of California - Santa Barbara, UCSB. Atualmente é pesquisador Titular do Instituto de Estudos Avançados, IEAv, onde coordena o Laboratório de Caracterização de Dispositivos Semicondutores, LCDS, é docente permanente do Programa de Pós-graduação em Ciências e Tecnologias Espaciais (programa em associação com o ITA e o IAE), e é membro do comitê gestor do INCT-DISSE, sendo responsável pela ação de transferência de conhecimento para empresas e instituições governamentais. É ainda docente colaborador no Programa de Pós-graduação em Física do ITA. Tem experiência na área de Física, com ênfase em Semicodutores, atuando principalmente nos seguintes temas: processos de fabricação de dispositivos semicondutores, caracterização elétrica e eletro-óptica de dispositivos e estruturas semicondutoras, sensores de infravermelho, células solares, tunelamento ressonante, multi-poços quânticos, pontos quânticos e magneto-transporte.

Informações coletadas do Lattes em 29/01/2025

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Física

1994 - 1998

Universidade Federal de Minas Gerais
Título: Magneto Tunelamento e Tunelamento Foto-assistido em Superredes tipo Multi-poços Quânticos
Paulo Sérgio Soares Guimarães. Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. Palavras-chave: Multi-poços Quânticos; Semicondutores; Magneto Tunelamento; Tunelamento Foto-assistido; Infravermelho distante.Grande área: Ciências Exatas e da TerraSetores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica; Fabricação de Aparelhos e Equipamentos de Telecomunicação.

Mestrado em Física

1992 - 1994

Universidade Federal de Minas Gerais
Título: Estudo do Transporte e Magneto Transporte em Superredes Semicondutoras, Ano de Obtenção: 1994
Paulo Sérgio Soares Guimarães.Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. Palavras-chave: Superredes; Semicondutores; Magneto-transporte; Tunelamento.Grande área: Ciências Exatas e da TerraSetores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica; Fabricação de Aparelhos e Equipamentos de Telecomunicação.

Graduação em Física

1988 - 1992

Universidade Federal de Minas Gerais

Curso técnico/profissionalizante em Técnico Em Eletrônica

1985 - 1987

Centro Federal de Educação Tecnológica de Minas Gerais

Pós-doutorado

1999 - 2000

Pós-Doutorado. , Fundação Centro Tecnológico de Minas Gerais, CETEC, Brasil. , Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de Minas Gerais, FAPEMIG, Brasil. , Grande área: Engenharias

1998 - 1999

Pós-Doutorado. , Fundação Centro Tecnológico de Minas Gerais, CETEC, Brasil. , Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de Minas Gerais, FAPEMIG, Brasil. , Grande área: Engenharias

Formação complementar

1995 - 1995

Semiconductor Device. (Carga horária: 40h). , University of California at Santa Barbara, UCSB, Estados Unidos.

Idiomas

Bandeira representando o idioma Inglês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Áreas de atuação

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Semicodutores.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Eletroóticos e Magnetoóticos, Materiais Fotoelétricos.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação/Especialidade: Medidas Elétricas.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia de Materiais e Metalúrgica / Subárea: Engenharia de Superfícies/Especialidade: Deposição Física de Vapores.

Organização de eventos

Carinhana Júnior D. ; Dacal, L. C. O. ; ZAWADZKI, M. ; Paes, R. L. ; Follador, R. C. ; Vieira, G. S. . XV Workshop Anual do IEAv. 2015. (Outro).

Participação em eventos

13th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics.InAlAs/InGaAs QWIP grown on InP Substrate by MOVPE. 2007. (Oficina).

Industria de Defesa. 2007. (Seminário).

XXX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.Observação de Tunelamento Oriundo de Subbandas Termicamente Ocupadas Sintonizado pelo Campo Magnético. 2007. (Encontro).

14th International Conference on Superlattices, Nano-Structures and Nano-Devices. Magnetically Tuned Tunneling between Subbands of Different Index Observed by Thermal Occupation of Higher Subbands. 2006. (Congresso).

21st International Symposium on Microelectronics Technology and Devices.High Magnetic Field as a Tool to Study Resonant Sequential Tunneling in Multi-Quantum Wells. 2006. (Simpósio).

28th International Conference on the Physics of Semicondutctors. Magnetic field-induced selective reduction of energy relaxationpaths in weakly coupled superlattices. 2006. (Congresso).

I Fórum de Ciência e Tecnologia do CTA.Sensores de Infravermelho de Semicondutores da Família III-V, Nanoestruturas e Convencionais. 2005. (Simpósio).

I Workshop de Nanotecnologia aplicada ao Setor Aeroespacial. 2004. (Oficina).

V Simpósio de Guerra Eletrônica.Sensores de Infravermelho Nanoestruturados: Uma Alternativa Possível e Vantajosa. 2003. (Simpósio).

III Simpósio de Tratamentos Superficiais de Ferramentas.Failure Analysis under scratching on TiN Coatings. 2001. (Simpósio).

27th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films. On The Effect of Ni Interlayer Thickness on Friction and Wear Rate of TiN Coated Brass. 2000. (Congresso).

Third International Workshop on Pulsed Plasma Surface Technologies. 2000. (Oficina).

13th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics. Resonant Enhancement of Magnetotunneling in Multi-Quantum Wells. 1998. (Congresso).

24th International Conference on Physics of Semiconductors. Photon-Assisted Tunneling with Resonant Radiation in Multi-Quantum Well Superlattice. 1998. (Congresso).

53o Congresso da Associação Brasileira de Metalurgia e Ciência de Materiais. Medidas de Propriedades Físicas na Determinação de Temperaturas de Transformação Martensítica e Magnética. 1998. (Congresso).

8th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics.Effect of Terahertz Induced High Population of the First Excited State on the Electric Transport of a Multi-Quantum Well Superlattice. 1997. (Oficina).

XVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada..Estudo de Magneto Tunelamento em Superredes tipo Multipoços Quânticos. 1994. (Encontro).

Participação em bancas

Aluno: Marcelo Gomes Rua

SOUZA, P. L.PIRES, M. P.; G. M. Penello;Vieira, G S. Estrutura de InGaAs/InP para fotodetecção no infravermelho de onda curta (SWIR). 2019. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro.

Aluno: Rafael Galhardo Vaz

Faria L. A.; Gonçalez, O. L.;Vieira, G. S.; Manea S.. METODOLOGIA DE MEDIDA DOS EFEITOS DE DOSE ACUMULADA DE RADIAÇÃO IONIZANTE NOS PARÂMETROS ELÉTRICOS DE TRANSISTORES CMOS. 2015. Dissertação (Mestrado em Ciências e Tecnologias Espaciais) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.

Aluno: Liangrid Lutiani da Silva

Vieira, G. S.; ALMEIDA, Vilson R.;Passaro, Angelo; CAZO, R. M.; MANSANO, R. D.. Caracterização e Otimização de Microacelerômetro MEMS Capacitivo para Aplicação Aeroespacial. 2015. Dissertação (Mestrado em Ciências e Tecnologias Espaciais) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.

Aluno: Dárley Domingos de Almeida

FEDERICO, C. A.PASSARO, A.Vieira, G S; BERENGUE, O. M.. MODELOS AUTOCONSISTENTES PARA CÁLCULO DE CORRENTE DE ESCURO EM DISPOSITIVOS QWIPS Dissertação aprovada em sua versão final pelos abaixo assinados: Prof. Dr. Angelo Passaro Orientador Prof. Dr. Luiz Carlos Sandoval Góes Pró-Reitor de Pós-Graduação e Pesquisa Campo Montenegro São José dos Campos, SP - Brasil. 2015. 2015. Dissertação (Mestrado em Ciências e Tecnologias Espaciais) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.

Aluno: Barbara Paula Figueroa Pralon

SOUZA, P. L.PIRES, M. P.Vieira, G S. Avaliação do desempenho de QWIPs em função da dopagem. 2013. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro.

Aluno: Marcel Santos Claro

Alain Andre QuivyVieira, G S. DETERMINAÇÃO DA CORRENTE DE ESCURO EM FOTODETECTORES DE RADIAÇÃO INFRAVERMELHA BASEADOS EM POÇOS QUÂNTICOS (QWIPS ). 2013. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo.

Aluno: Marcio Scarpim de Souza

WEID, J. P. Von D.;SOUZA, P. L.PIRES, M. P.VIEIRA, G. S.LANDI, S. M.; RODRIGUES, W. N.. Desenvolvimento de Fotodetectores de Infravermelho Distante Utilizando Transições Intrabanda em Poços Quânticos Múltiplos de GaAs/AlGaAs. 2006. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro.

Aluno: André Wagner Mota Nascimento

VIEIRA, G. S.; MELLO, L. F. O.; RUBINGER, R. M.. Análise de Caos em Oscilações de Baixa Freqüência em Dispositivos Não-Lineares. 2005. Dissertação (Mestrado em Ciência e Engenharia de Materiais) - Universidade Federal de Itajubá.

Aluno: Pedro Henrique Pereira

SOUZA, P. L.; G. M. Penello; D. N. Micha;PIRES, M. P.; Marcos H. Degani;Vieira, G S. Melhorando o desempenho de fotodetectores de infravermelho médio usando superrede semicondutora com defeito estruturural. 2019. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro.

Aluno: Fernando Silva Pena

ABRAMOF, E.;Vieira, G S; S. Nakamatsu; A. F. Oliveira; D. A. W. Soares; RAPPL, P. H. O.; M. L. Peres. Photoconductivity and electrical trahsport properties in PbTe single qunatum well samples. 2019. Tese (Doutorado em Ciência e Engenharia de Materiais) - Universidade Federal de Itajubá.

Aluno: Márcio Martins da Silva Costa

Vieira, G. S.PASSARO, A.; R. Machado; F. P. de Miranda; J. A. Lorenzzetti. Compact Polarimetry Features for Brazian Spaceborne SAR Mission. 2019. Tese (Doutorado em Ciências e Tecnologias Espaciais) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.

Aluno: Lesslie Katherine Guerra Jorquera

SOUZA, P. L.PIRES, M. P.; ANDA, E.;Vieira, G SGUIMARÃES, P. S. S.; JACOMIN, R.. Detecting infrared radiation with QWIPs beyond the band offset limit. 2015. Tese (Doutorado em Doutorado em Engenharia Elétrica - Pontifícia Universidade Católica, RJ) - Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro.

Aluno: Lester de Abreu Faria

OLIVEIRA, N. M. F.; d´AMORE, R.;Vieira, G S; GIMENEZ, S. P.; CREPALDI, P. C.. Desenvolvimento de Modelos de Simulação para Transistores MOS a Temperaturas Criogênicas. 2014. Tese (Doutorado em Engenharia Eletrônica e Computação) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica.

Aluno: Úrsula Andreia Mengui

RAPPL, P. H. O.; ABRAMOF, E.; UETA, A. Y.; VEISSID, N.;Vieira, G. S.; CHITTA, V. A.. processos litográficos em filmes epitaxiais de compostos IV-VI para medidas Hall e o estudo da dopagem do telureto de chumbo com fluoreto de bário. 2009. Tese (Doutorado em Engenharia e Tecnologia Espaciais) - Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais.

Aluno: Maria Cristina Lopez Areiza

VIEIRA, G. S.SOUZA, P. L.PIRES, M. P.; RODRIGUES, W. N.;LANDI, S. M.. Estudo das Características de Moduladores de Amplitude Fabricados com Estruturas Semicondutoras InAlAs/InGaAs. 2005. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro.

Orientou

Thaynara Pereira Coelho Americano

Avaliação e caracterização de superfícies de referência para um sítio de calibração de Sensores Imageadores Orbitais; Início: 2024; Dissertação (Mestrado em Ciências e Tecnologias Espaciais) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; (Orientador);

Augusto Cezar Gomes dos Santos

Desenvolvimento e caracterização de pontos quânticos coloidais como absorvedores da radiação em sensores fotônicos; Início: 2023; Tese (Doutorado em Ciências e Tecnologias Espaciais) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica; (Orientador);

João Roberto Deroco Martins

Estudo de Estruturas de Células Solares Multijunções; Início: 2023; Tese (Doutorado em Ciências e Tecnologias Espaciais) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica; (Orientador);

Osvaldo Moraes Braga Filho

Início: 2024; Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior;

Raphael Piccoli Lima Steimvacher

INVESTIGAÇÃO DA ORIGEM DA CORRENTE DE FUGA SUPERFÍCIAL EM FOTODIODOS TIPO MESA DE INGAAS PASSIVADOS POR RECRESCIMENTO EPITAXIAL; 2024; Dissertação (Mestrado em Ciências e Tecnologias Espaciais) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Cristian Anderson Delfino

Melhoramento de técnicas e aparatos de caracterização de dispositivos semicondutores; 2022; Dissertação (Mestrado em PGCTE) - Instituto de Estudos Avançados, ; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Augusto Cezar Gomes dos Santos

Desenvolvimento de técnicas de caracterização de matrizes de sensores de infravermelho, FPA, utilizando aparato eletrônico de leitura direta do circuito integrado de leitura; 2019; Dissertação (Mestrado em PGCTE) - Instituto de Estudos Avançados, ; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Reviane Cristina Lopes

CARACTERIZAÇÃO ELETRO-ÓPTICA DE SENSORES DE INFRAVERMELHO; 2017; Dissertação (Mestrado em Ciências e Tecnologias Espaciais) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Rosana Balena

Estudo do Impacto da Segregação de Dopantes sobre a Corrente através de Barreiras de Potencial; 2017; Dissertação (Mestrado em Ciências e Tecnologias Espaciais) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Giordano Bruno Crepaldi De Simone

Desenvolvimento de filmes antirrefletores para sensores de infravermelho; 2016; Dissertação (Mestrado em Ciências e Tecnologias Espaciais) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

André Flederico Pereira

Modelagem computacional de estruturas semicondutoras com junções bipolares; 2015; Dissertação (Mestrado em PGCTE) - Instituto de Estudos Avançados, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Kenya Aparecida Alves

CARACTERIZAÇÃO DE FOTODETECTORES DE INFRAVERMELHO A POÇOS QUÂNTICOS; 2009; Dissertação (Mestrado em Física) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Osvaldo Moraes Braga Filho

INVESTIGAÇÃO DE MÉTODO DE PASSIVAÇÃO DE SUPERFÍCIE DE InGaAs EM FOTODIODOS UTILIZANDO RECRESCIMENTO EPITAXIAL; 2023; Tese (Doutorado em Ciências e Tecnologias Espaciais) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, ; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Tiago Gonçalves Santos

MELHORIAS EM MODELOS DE TRANSPORTE ELETR^ONICO DE QWIPS; 2019; Tese (Doutorado em Física) - Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Weber Hanry Morais e Feu

Magneto-Tunelamento Ressonante em Super-Redes de GaAs/AlGaAs; 2008; Tese (Doutorado em Doutorado em Física) - Universidade Federal de Minas Gerais, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Coorientador: Gustavo Soares Vieira;

Priscila Pereira Fávero

2010; Universidade de Brasília, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Gustavo Soares Vieira;

Ana Beatriz Pena Bizarria

Caracterização Eletro-óptica de Sensores de Infravermelho; 2014; Iniciação Científica; (Graduando em Ciência da Computação) - Universidade Federal de São Paulo, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Gabriel Silva Arruda

Processamento de Semicondutores gerando Sensores de Infravermelho; 2013; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal de Minas Gerais; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Carlos Vinicius Gomes da Silva

Caracterização de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados; 2011; Iniciação Científica; (Graduando em Licenciatura em Física) - Universidade de Taubaté, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Fabrício Cavalcanti Gomes

Automatização de Caracterizações Eletro-Ópticas de Sensores de Infravermelho; 2010; Iniciação Científica; (Graduando em Mecatrônica) - Universidade Paulista; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Eduardo da Costa Paul

Caracterização de Sensores de Infravermelho; 2010; Iniciação Científica; (Graduando em Licenciatura em Física) - Universidade de Taubaté, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Reviane Cristina Lopes

Caracterização de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados; 2010; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia de Controle e Automação) - Universidade Braz Cubas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Claudinei Margarida de Morais

Análise do Efeito da Limpeza do Substrato em Recobrimentos por PVD; 2001; 20 f; Iniciação Científica; (Graduando em Engenharia Metarlúrgica) - Universidade Federal de Minas Gerais, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de Minas Gerais; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Letícia Decker de Sousa

Desenvolvimento de Recobrimentos Duplex para Ferramentas; 2001; 20 f; Iniciação Científica; (Graduando em Física) - Universidade Federal de Minas Gerais, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de Minas Gerais; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Tiago Gonçalves Santos

Aprimoramento e Teste de Aparatos de Caracterização de Sensores de Infravermelho; 2012; Orientação de outra natureza - Instituto de Estudos Avançados, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Rodolfo Felipe de Oliveira Costa

Processamento de Nanoestruturas gerando Sensores de Infravermelho; 2011; Orientação de outra natureza - Universidade Federal de Minas Gerais, Financiadora de Estudos e Projetos; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Eduardo da Costa Paul

Aprimoramento e Teste de Aparatos de Caracterização de Sensores de Infravermelho; 2011; Orientação de outra natureza - Instituto de Estudos Avançados, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Marcela de Freitas Mendonça

Caracterização eletro-óptica de sensores de infravermelho; 2009; Orientação de outra natureza - Instituto de Estudos Avançados, Financiadora de Estudos e Projetos; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Thiago Barçante Teixeira

Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda; 2009; Orientação de outra natureza; (Engenharia Elétrica) - Universidade Federal de Minas Gerais, Financiadora de Estudos e Projetos; Orientador: Gustavo Soares Vieira;

Produções bibliográficas

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  • BRAGA, O. M. ; DELFINO, C. A. ; Kawabata, R. M. S. ; PINTO, L. D. ; Vieira, G. S. ; PIRES, M. P. ; SOUZA, P. L. ; MAREGA, E. ; CARLIN, JOHN A. ; KRISHNA, S. . Impact of residual doping on surface current of InGaAs/InP photodiode passivated with regrown InP. Opto-Electronics Review , v. 31, p. e144562, 2023.

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  • VIEIRA, G. S. ; VILLAS-BÔAS, J. M. ; FEU, W. H. M. ; GUIMARÃES, P. S. S. ; STUDART, Nelson . Observação de Tunelamento Oriundo de Subbandas Termicamente Ocupadas Sintonizado pelo Campo Magnético. 2007. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

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  • VIEIRA, G. S. ; GUIMARÃES, P. S. S. ; ALLEN, S. J. . Magnetic field-induced selective reduction of energy relaxationpaths in weakly coupled superlattices. 2006. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

  • VIEIRA, G. S. ; GUIMARÃES, P. S. S. . HIGH MAGNETIC FIELD AS A TOOL TO STUDY RESONANT SEQUENTIAL TUNNELING IN MULTI-QUANTUM WELLS. 2006. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

  • VIEIRA, G. S. . Sensores de Infravermelho de Semicondutores da Família III-V, Nanoestruturados e Convencionais. 2005. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

  • VIEIRA, G. S. . Sensores de Infravermelho Nanoestruturados: Uma Alternativa Possível e Vantajosa. 2003. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

  • VIEIRA, G. S. ; J. R. T. Branco . On the Effect of Ni and Ni-P Interlayer Thickness on Friction and Wear Rate of TiN Coated Brass. 2000. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

  • VIEIRA, G. S. ; GUIMARÃES, P. S. S. ; ALVES, E. S. ; ALLEN, S. J. ; CAMPMAN, K. L. ; GOSSARD, A. C. . Resonant Magnetic Field Induced Enhancement of the Tunneling Current in Muti-Quantum Wells. 1998. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

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  • VIEIRA, G. S. ; SILVA, M. I. N. ; ANDRADE, M. S. . Medidas de Propriedades Físicas na Determinação de Temperaturas de Transformação Martensítica e Magnética. 1998. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • VIEIRA, G. S. ; ALLEN, S. J. ; GUIMARÃES, P. S. S. ; CAMPMAN, K. L. ; GOSSARD, A. C. . Effect of Terahertz Induced High Population of the First Excited State on the Electric Transport of a Multi-Quantum Well Superlattice. 1997. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

  • VIEIRA, G. S. ; GUIMARÃES, P. S. S. . Estudo de Magneto Tunelamento em Superredes tipo Multipoços Quânticos. 1994. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

Outras produções

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VIEIRA, G. S. ; MIGLIANO, Y. P. . Medida do Ambiente Eletromagnético do Radar Móvel do SIVAM em Tefé. 2003.

VIEIRA, G. S. ; FREITAS, C. A. R. . Medida do Ambiente Eletromagnético da Base de Lançamentos de Alcântara. 2002.

PEREIRA, A. F. ; ABE, Nancy Mieko ; VIEIRA, G. S. . Interface gráfica para projeto e simulação de dispositivos de junção. 2016.

PEREIRA, A. F. ; VIEIRA, G. S. . MÓDULOS DE CÁLCULO DE ESTRUTURAS SEMICONDUTORAS MULTIJUNÇÕES, INCLUINDO HETEROESTRUTURAS. 2015.

TORIUMI, F. Y. ; LOPES, R. C. ; DELFINO, C. A. ; VIEIRA, G. S. . Módulo de controle de posição de corpo negro e sensor em medidas de responsividade de sensores de infravermelho. 2014.

LOPES, R. C. ; CASTRO, R. M. ; VIEIRA, G. S. . Programa de Controle da Roda de Filtros utilizada em aparato de medidas de responsividade. 2014.

LOPES, R. C. ; VIEIRA, G. S. . Programa para aquisição de temperatura do controladores de temperatura. 2013.

LOPES, R. C. ; VIEIRA, G. S. . Programa de Controle de corpo negro de cavidade e aquisição de dados dos amplificadores lock-in. 2013.

VIEIRA, G. S. ; PIRES, M. P. ; PINTO, L. D. ; SOUZA, P. L. . Desenvolvimento de Processos de Fabricação de Matrizes de Sensores de Infravermelho. 2018.

A. C. G. dos Santos ; VIEIRA, G. S. ; CASTRO, R. M. . Operacionalização de Sistema de Caracterização de Matrizes de Sensores Ópticos (visível e infravermelho). 2018.

LOPES, R. C. ; CASTRO, R. M. ; Vieira, G S . Estabelcimeno de rotina e avaliação de confiabilidade de aparato de medição de responsividade de sensores de infravermelho. 2017.

SIMONE, G. B. C. ; Vieira, G S . DESENVOLVIMENTO DE REVESTIMENTOS ANTIRREFLEXIVOS PARA FOTODIODOS DE ARSENETO DE GÁLIO E ÍNDIO. 2016.

DELFINO, C. A. ; Marcela de Freitas Mendonça ; Vieira, G S . Adaptação e teste de estação de microteste criogênica (sem uso de fluídos) para medidas de efeito Hall em filmes finos. 2014.

DELFINO, C. A. ; Vieira, G S . Implantação e teste de sistema de medição de efeito Hall em estação de microteste criogênica que usa fluídos criogêncios. 2014.

TORIUMI, F. Y. ; PASSARO, A. ; Vieira, G S . Automatização de Aparato de Medida de Responsividade integral de Sensores de Infravermelho. 2014.

Marcela de Freitas Mendonça ; PAUL, E. C. ; Vieira, G S . Projeto e construção de aparato de mediçaõ de responsividade de sensores de infravermelho. 2011.

VIEIRA, G. S. . Desenvolvimento de Recobrimentos Decorativos de Alta Resistência ao Desgaste. 2000.

Vieira, G S . Avaliação de projeto de bolsa de produtividade em pesquisa do CNPq. 2015.

Vieira, G S . Avaliação de projeto submetido ao edital universal do CNPq. 2014.

Vieira, G S . Avaliação de projeto de bolsa de produtividade em desenvolvimento tecnológico e extensão inovadora. 2013.

Vieira, G S . Avaliação de projeto de professor visitante do exterior. 2013.

Vieira, G S . Julgamento de artigo para a revista Photonics Technology Letters. 2013.

Vieira, G S ; SOUZA, P. L. ; MURARO JR., A. ; PASSARO, A. ; Vaz, C. C. ; PIRES, M. P. ; ABE, Nancy Mieko ; LIMA NETO, O. F. ; GUIMARÃES, P. S. S. ; JACOMIN, R. ; TANAKA, R. Y. ; RODRIGUES, W. N. . Processos na fabricação de sensores de infravermelho. 2013.

Vieira, G S . Julgamento de artigo para a revista Applied Physics Letters. 2012.

Vieira, G S . Avaliação de projeto de bolsa de produtividade em Pesquisa. 2011.

Vieira, G S . Parecer de Acompanhamento de Assessoria Científica. 2011.

Vieira, G S . Parecer de Acompanhamento de Assessoria Científica. 2008.

Vieira, G S . Parecer de Acompanhamento de Assessoria Científica. 2008.

Vieira, G S . Parecer de Acompanhamento de Assessoria Científica. 2008.

Vieira, G S . Parecer de Inicial de Assessoria Científica. 2008.

Vieira, G S . Parecer de Acompanhamento de Assessoria Científica. 2007.

VIEIRA, G. S. . Otimização da Operacionalidade de Equipamento de Deposição Física de Vapores. 2000.

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SOUZA, P. L. ; GUIMARÃES, P. S. S. ; Vieira, G S ; PIRES, M. P. ; STUDART FILHO, Nelson ; RODRIGUES, W. N. . Relatório de Acompanhamento Técnico de Projeto (12/2008 a 04/2013). 2013. (Relatório de pesquisa).

MARTINS, C. S. ; SILVA FILHO, A. ; Vieira, G. S. . Relatório de Acompanhamento Técnico de Projeto (junho a novembro de 2011). 2012. (Relatório de pesquisa).

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MARTINS, C. S. ; SILVA FILHO, A. ; Vieira, G. S. . Relatório de Acompanhamento Técnico de Projeto (dezembro de 2010 a maio de 2011). 2011. (Relatório de pesquisa).

SOUZA, P. L. ; GUIMARÃES, P. S. S. ; Vieira, G S ; PIRES, M. P. ; STUDART FILHO, Nelson ; RODRIGUES, W. N. . Relatório de Acompanhamento Técnico de Projeto (12/2008 a 12/209). 2009. (Relatório de pesquisa).

Projetos de pesquisa

  • 2009 - 2015

    Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia em Nanodispositivos Semicondutores, Descrição: O tema do Instituto engloba o estudo e o desenvolvimento de nanoestruturassemicondutoras para a confecção de dispositivos optoeletrônicos com ênfase emfotodetectores de infravermelho médio e dispositivos inéditos baseados em efeitospuramente quânticos ainda não explorados. Neste Instituto tanto o desenvolvimento detecnologias inovadoras como a ciência básica são contemplados através depesquisa de vanguarda competitiva com os padrões internacionais.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Guimarães, P S S - Integrante / Boas, J M Villas - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante / Marcelo Zoéga Maialle - Integrante / Marcos Henrique Degani - Integrante / Paulo Eduardo Fornasari Farinas - Integrante / Euzi Conceição Fernandes da Silva - Integrante / Alain Andre Quivy - Integrante / DE MOURA PEDROSO, DIOGO - Integrante / Tiago Gonçalves Santos - Integrante / Reviane Cristina Lopes - Integrante / André Flederico Pereira - Integrante / Giordano Bruno Crepaldi de Simone - Integrante / Dárley Domingos de Almeida - Integrante., Financiador(es): Banco Nacional de Desenvolvimento Econômico e Social - Auxílio financeiro / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro / Fundação Carlos Chagas Filho de Amparo à Pesquisa do Estado do RJ - Auxílio financeiro / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Bolsa.

  • 2006 - 2011

    Avaliação do Efeito da Radiação Ionizante em Componetes Eletrônicos e Fotônicos, Descrição: O objetivo geral deste projeto é a realização de pesquisas sobre o efeito da radiação ionizante sobre componentes eletrônicos e optoeletrônicos, fibras ópticas, e circuitos analógicos e digitais, para aplicações aeroespaciais e defesa.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Odair Lelis Gonçalez - Coordenador., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2005 - 2009

    Instituto de Nanotecnologia, subprojeto Sensores a Pontos Quânticos, Descrição: O objetivo global desse projeto é dominar a tecnologia de QDIPs para as faixas de 10 micrometros e de 3-4 micrometros. Serão produzidos detectores QDIPs, otimizando sua detectividade e minimizando sua corrente de escuro. Serão crescidas amostras do tipo D-WELL onde os PQs são de InAs sobre poços de InGaAs com barreiras de InP. A obtenção de amostras com a densidade e uniformidade de PQs adequadas será a primeira tarefa. Em seguida a dopagem será calibrada. A terceira etapa é obter camadas empilhadas de pontos quânticos. Uma vez de posse dessas amostras estudaremos as características do dispositivo, seu design, processamento e sua transformação num produto. Esta última atividade envolve encapsulamento dos dispositivos e testes em campo.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (1) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (2) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Maurício Pamplona Píres - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

  • 2004 - 2006

    Fotodetectores para o Infravermelho Baseados em Nanoestruturas, Descrição: O objetivo desse projeto é desenvolver um aparelho para detecção de gases tóxicos com fotodetectores para a faixa do infravermelho médio baseados em estruturas semicondutoras de pontos quânticos, os chamados QDIPs. Para montar tal equipamento é necessário desenvolver fotodetectores para a faixa de absorção dos gases a serem monitorados. Para chegar-se aos dispositivos adequados, após projetá-los com ferramentas computacionais, o material terá que ser fabricado e caracterizado de forma a obter domínio sobre as condições de crescimento de camadas de pontos quânticos simples e múltiplas, dopadas e intrínsecas para chegar-se a densidades de PQs e uniformidade de sua distribuição adequadas. As propriedades ópticas e de transporte devem ser estudadas com apoio teórico. Os dispositivos devem então ser processados, testados e seu desempenho avaliado com relação às previsões teóricas. Em paralelo, o encapsulamento dos dispositivos e a eletrônica necessária serão desenvolvidos para a montagem final de um aparelho protótipo e testes serão efetuados.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (2) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Nelson Studart Filho - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / EUCLYDES MAREGA JR. - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

  • 2011 - 2022

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, subprojeto Sensores de infravermelho nanoestruturados, Descrição: Este projeto possui 3 subprojetos, sendo que este pesquisador coordena o subprojeto: Sensores de infravermelho nanoestruturados. Este subprojeto tem por objetivo: -Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos. -Obter e aprimorar a uniformidade de resposta matrizes de sensores a poços quânticos. -Avançar no desenvolvimento de sensores a pontos quânticos. -Obter sensores monolíticos biespectrais com tecnologia híbrida.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Osvaldo Moraes Braga Filho - Integrante / Raquel Martins Villela Nunes - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2010 - 2014

    Desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais, Descrição: O objetivo deste projeto foi contribuir com a formação de Recursos Humanos qualificado para o esforço nacional de desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais. Os dispositivos de interesse imediato são sensores de infravermelho nanoestruturados, com aplicação para a monitoração do território nacional a partir do espaço e acelerômetros de estado sólido, um sistema microeletromecanico aplicável a sistemas inerciais aeroespaciais. A tecnologia de sensores de infravermelho nanoestruturados está em franca evolução e com grande potencial de uso para aplicações de monitoração do planeta a partir do espaço, sistemas para monitoração de saúde de veículos, sistemas para observação astronômica, dentre outros. Neste tema, o IEAv está inserido em um Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia, cujo principal foco é o desenvolvimento desses sensores com tecnologia completamente nacional, o DISSE. Além disso, o Brasil vem investindo muito em tecnologias para uso espacial, mas ainda existe uma deficiência em sistemas de controle. Um dos projetos mais importantes no âmbito da FINEP, o SIA (Sistemas Inerciais Aeroespaciais), está focado nesse tema, e o desenvolvimento de acelerômetros de estado sólido com tecnologia nacional vem ao encontro desse objetivo, com a nacionalização da tecnologia de um acelerômetro com tecnologia MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), dispositivos de pequeno porte, robustos e confiáveis. As bolsas deverão contribuir para a execução de dois projetos de interesse do setor aeroespacial, o projeto IMAGE, para o desenvolvimento de sensores de infravermelho (classificado como estratégico pelo COMAER), e o projeto ACELERAD para o desenvolvimento de acelerômetros do tipo MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), ambos financiados pela FINEP.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / André Flederico Pereira - Integrante / Dárley Domingos de Almeida - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Carlos Fernando Rondina Mateus - Integrante / Janderson Rocha Rodrigues - Integrante / Diogo de Moura Pedroso - Integrante / Lucas Kriesel Sperotto - Integrante / Liangrid Lutiani da Silva - Integrante / Pricila Pereira Fávero - Integrante., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

  • 2010 - 2013

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados, Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Descrição: Este projeto teve dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2010

    Desenvolvimento de software para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores nanoestruturados, Descrição: Este projeto efetuou o desenvolvimento de ferramenta computacional para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores com estruturas de poços e pontos quânticos, visando sua aplicação no desenvolvimento de sensores de infravermelho nanoestruturados. O projeto se insere num esforço para o desenvolvimento da tecnologia para a fabricação e caracterização de sensores de infra-vermelho nanoestruturados no país. Seu foco principal foi o desenvolvimento de uma ferramenta de software para ser utilizada por pesquisadores, alunos e, futuramente, pela iniciativa privada, visto que um dos objetivos do esforço de desenvolvimento de elementos e sistemas sensores é a criação de uma base industrial sólida no país para a produção dos dispositivos e para sua utilização. O projeto complementa o esforço experimental que vem sendo realizado pelo Instituto de Estudos Avançados em colaboração com outras instituições de pesquisa do país. Foram abordadas estruturas com poços, fios e pontos quânticos. No caso de poços quânticos foram implementados cálculos autoconsistentes (efeito do potencial elétrico gerado por elétrons e íons da camada de depleção nas funções de onda nos poços e nas forças de oscilador) e um método de otimização baseado em algoritmos genéticos. No caso de pontos quânticos foi complementada a implementação de cálculos de pontos quânticos isolados imersos em estruturas de poços quânticos. Nos desenvolvimentos propostos foi utilizado o pacote de desenvolvimento denominado SDK-LEVSOFT desenvolvido pelo grupo em projetos anteriores. O pacote é uma biblioteca de classes com ferramentas para o uso do Método dos Elementos Finitos nas aproximações unidimensional e bidimensional, e heurísticas para a otimização de dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Luis Carlos Ogando Dacal - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Onofre Félix de Lima Neto - Integrante / Stephan Stephany - Integrante., Financiador(es): (FAPESP) Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Patricia Lustoza de Souza em 15/12/2017., Descrição: O projeto teve por objetivos dar seqüência ao desenvolvimento da tecnologia de produção de sensores de infravermelho a poços e pontos quânticos, com vistas a aplicações civis e militares. Também será desenvolvida a tecnologia de produção de sensores bicromáticos com tecnologia híbrida QWIP e banda-banda (InGaAs).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante., Financiador(es): CAPES - Centro Anhanguera de Promoção e Educação Social - Auxílio financeiro.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utilizando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente.Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas.Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante / José Maria Villas-Boas - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

Projetos de desenvolvimento

  • 2013 - Atual

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia. . , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador.

  • 2011 - Atual

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, Descrição: Desenvolver um protótipo de equipamento de detecção passiva (MAGE Veicular) capaz de executar a recepção, localização de direção e classificação de emissões de radares, para instalção de viaturas. Desenvolver um protótipo experimental de um Sistema de Visão Assistida Multiespectral também conhecido como Enhanced Vision System (EVS), para aplicação em aeronaves ou viaturas do Exército Brasileiro. Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos, obtendo e aprimorando a uniformidade de resposta das matrizes de sensores e obtendo sensores monolíticos com tecnologia hibrida (Sensores de IR nanoestruturados).. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Projeto certificado pela empresa Financiadora de Estudos e Projetos em 13/08/2012., Descrição: Esta proposta tem dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Maurício Pamplona Píres - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro / Ivision Sistemas de Imagem e Visão - Cooperação / Ivision Sistemas de Imagem e Visão - Auxílio financeiro.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Descrição: Desenvolvimento de sensores multiespectrais híbridos, isto é, com transições banda-banda e intrabanda.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Píres - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utiliando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Com este projeto pretende-se: - Produzir e testar protótipos de sensores de infravermelho utilizando a tecnologia de poços quânticos. - Efetuar investigações visando o desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando a tecnologia de pontos quânticos. Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente. Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas. Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho. . , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (3) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / José Maria Villas Bôas - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2013 - Atual

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia. . , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador.

  • 2011 - Atual

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, Descrição: Desenvolver um protótipo de equipamento de detecção passiva (MAGE Veicular) capaz de executar a recepção, localização de direção e classificação de emissões de radares, para instalção de viaturas. Desenvolver um protótipo experimental de um Sistema de Visão Assistida Multiespectral também conhecido como Enhanced Vision System (EVS), para aplicação em aeronaves ou viaturas do Exército Brasileiro. Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos, obtendo e aprimorando a uniformidade de resposta das matrizes de sensores e obtendo sensores monolíticos com tecnologia hibrida (Sensores de IR nanoestruturados).. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Projeto certificado pela empresa Financiadora de Estudos e Projetos em 13/08/2012., Descrição: Esta proposta tem dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Maurício Pamplona Píres - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro / Ivision Sistemas de Imagem e Visão - Cooperação / Ivision Sistemas de Imagem e Visão - Auxílio financeiro.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Descrição: Desenvolvimento de sensores multiespectrais híbridos, isto é, com transições banda-banda e intrabanda.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Píres - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utiliando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Com este projeto pretende-se: - Produzir e testar protótipos de sensores de infravermelho utilizando a tecnologia de poços quânticos. - Efetuar investigações visando o desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando a tecnologia de pontos quânticos. Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente. Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas. Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho. . , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (3) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / José Maria Villas Bôas - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2013 - Atual

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia. . , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador.

  • 2011 - Atual

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, Descrição: Desenvolver um protótipo de equipamento de detecção passiva (MAGE Veicular) capaz de executar a recepção, localização de direção e classificação de emissões de radares, para instalção de viaturas. Desenvolver um protótipo experimental de um Sistema de Visão Assistida Multiespectral também conhecido como Enhanced Vision System (EVS), para aplicação em aeronaves ou viaturas do Exército Brasileiro. Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos, obtendo e aprimorando a uniformidade de resposta das matrizes de sensores e obtendo sensores monolíticos com tecnologia hibrida (Sensores de IR nanoestruturados).. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Projeto certificado pela empresa Financiadora de Estudos e Projetos em 13/08/2012., Descrição: Esta proposta tem dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Maurício Pamplona Píres - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro / Ivision Sistemas de Imagem e Visão - Cooperação / Ivision Sistemas de Imagem e Visão - Auxílio financeiro.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Descrição: Desenvolvimento de sensores multiespectrais híbridos, isto é, com transições banda-banda e intrabanda.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Píres - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utiliando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Com este projeto pretende-se: - Produzir e testar protótipos de sensores de infravermelho utilizando a tecnologia de poços quânticos. - Efetuar investigações visando o desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando a tecnologia de pontos quânticos. Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente. Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas. Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho. . , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (3) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / José Maria Villas Bôas - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2013 - Atual

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador.

  • 2011 - Atual

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, Descrição: Desenvolver um protótipo de equipamento de detecção passiva (MAGE Veicular) capaz de executar a recepção, localização de direção e classificação de emissões de radares, para instalção de viaturas. Desenvolver um protótipo experimental de um Sistema de Visão Assistida Multiespectral também conhecido como Enhanced Vision System (EVS), para aplicação em aeronaves ou viaturas do Exército Brasileiro. Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos, obtendo e aprimorando a uniformidade de resposta das matrizes de sensores e obtendo sensores monolíticos com tecnologia hibrida (Sensores de IR nanoestruturados).. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Projeto certificado pela empresa Financiadora de Estudos e Projetos em 13/08/2012., Descrição: Esta proposta tem dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Maurício Pamplona Píres - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro / Ivision Sistemas de Imagem e Visão - Auxílio financeiro / Ivision Sistemas de Imagem e Visão - Cooperação.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Descrição: Desenvolvimento de sensores multiespectrais híbridos, isto é, com transições banda-banda e intrabanda.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Píres - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utiliando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Com este projeto pretende-se: - Produzir e testar protótipos de sensores de infravermelho utilizando a tecnologia de poços quânticos. - Efetuar investigações visando o desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando a tecnologia de pontos quânticos. Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente. Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas. Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (3) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / José Maria Villas Bôas - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2013 - 2015

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador.

  • 2011 - Atual

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, Descrição: Desenvolver um protótipo de equipamento de detecção passiva (MAGE Veicular) capaz de executar a recepção, localização de direção e classificação de emissões de radares, para instalção de viaturas. Desenvolver um protótipo experimental de um Sistema de Visão Assistida Multiespectral também conhecido como Enhanced Vision System (EVS), para aplicação em aeronaves ou viaturas do Exército Brasileiro. Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos, obtendo e aprimorando a uniformidade de resposta das matrizes de sensores e obtendo sensores monolíticos com tecnologia hibrida (Sensores de IR nanoestruturados).. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Projeto certificado pela empresa Financiadora de Estudos e Projetos em 13/08/2012., Descrição: Esta proposta tem dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Maurício Pamplona Píres - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro / Ivision Sistemas de Imagem e Visão - Auxílio financeiro / Ivision Sistemas de Imagem e Visão - Cooperação.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Descrição: Desenvolvimento de sensores multiespectrais híbridos, isto é, com transições banda-banda e intrabanda.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Píres - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utiliando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Com este projeto pretende-se: - Produzir e testar protótipos de sensores de infravermelho utilizando a tecnologia de poços quânticos. - Efetuar investigações visando o desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando a tecnologia de pontos quânticos. Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente. Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas. Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (3) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / José Maria Villas Bôas - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2013 - 2015

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador.

  • 2011 - Atual

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, Descrição: Desenvolver um protótipo de equipamento de detecção passiva (MAGE Veicular) capaz de executar a recepção, localização de direção e classificação de emissões de radares, para instalção de viaturas. Desenvolver um protótipo experimental de um Sistema de Visão Assistida Multiespectral também conhecido como Enhanced Vision System (EVS), para aplicação em aeronaves ou viaturas do Exército Brasileiro. Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos, obtendo e aprimorando a uniformidade de resposta das matrizes de sensores e obtendo sensores monolíticos com tecnologia hibrida (Sensores de IR nanoestruturados).. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Projeto certificado pela empresa Financiadora de Estudos e Projetos em 13/08/2012., Descrição: Esta proposta tem dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Maurício Pamplona Píres - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante., Financiador(es): Ivision Sistemas de Imagem e Visão - Cooperação / Ivision Sistemas de Imagem e Visão - Auxílio financeiro / Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Descrição: Desenvolvimento de sensores multiespectrais híbridos, isto é, com transições banda-banda e intrabanda.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Píres - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utiliando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Com este projeto pretende-se: - Produzir e testar protótipos de sensores de infravermelho utilizando a tecnologia de poços quânticos. - Efetuar investigações visando o desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando a tecnologia de pontos quânticos. Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente. Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas. Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (3) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / José Maria Villas Bôas - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2013 - 2015

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador.

  • 2011 - Atual

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, Descrição: Desenvolver um protótipo de equipamento de detecção passiva (MAGE Veicular) capaz de executar a recepção, localização de direção e classificação de emissões de radares, para instalção de viaturas. Desenvolver um protótipo experimental de um Sistema de Visão Assistida Multiespectral também conhecido como Enhanced Vision System (EVS), para aplicação em aeronaves ou viaturas do Exército Brasileiro. Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos, obtendo e aprimorando a uniformidade de resposta das matrizes de sensores e obtendo sensores monolíticos com tecnologia hibrida (Sensores de IR nanoestruturados).. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2010 - 2014

    Desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais, Descrição: O objetivo deste projeto é contribuir com a formação de Recursos Humanos qualificado para o esforço nacional de desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais. Os dispositivos de interesse imediato são sensores de infravermelho nanoestruturados, com aplicação para a monitoração do território nacional a partir do espaço e acelerômetros de estado sólido, um sistema microeletromecanico aplicável a sistemas inerciais aeroespaciais. A tecnologia de sensores de infravermelho nanoestruturados está em franca evolução e com grande potencial de uso para aplicações de monitoração do planeta a partir do espaço, sistemas para monitoração de saúde de veículos, sistemas para observação astronômica, dentre outros. Neste tema, o IEAv está inserido em um Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia, cujo principal foco é o desenvolvimento desses sensores com tecnologia completamente nacional, o DISSE. Além disso, o Brasil vem investindo muito em tecnologias para uso espacial, mas ainda existe uma deficiência em sistemas de controle. Um dos projetos mais importantes no âmbito da FINEP, o SIA (Sistemas Inerciais Aeroespaciais), está focado nesse tema, e o desenvolvimento de acelerômetros de estado sólido com tecnologia nacional vem ao encontro desse objetivo, com a nacionalização da tecnologia de um acelerômetro com tecnologia MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), dispositivos de pequeno porte, robustos e confiáveis. As bolsas deverão contribuir para a execução de dois projetos de interesse do setor aeroespacial, o projeto IMAGE, para o desenvolvimento de sensores de infravermelho (classificado como estratégico pelo COMAER), e o projeto ACELERAD para o desenvolvimento de acelerômetros do tipo MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), ambos financiados pela FINEP.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Priscila Pereira Fávero - Integrante / André Flederico Pereira - Integrante / Dárley Domingos de Almeida - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Carlos Fernando Rondina Mateus - Integrante / Janderson Rocha Rodrigues - Integrante / Diogo de Moura Pedroso - Integrante / Lucas Kriesel Sperotto - Integrante / Liangrid Lutiani da Silva - Integrante.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Projeto certificado pela empresa Financiadora de Estudos e Projetos em 13/08/2012., Descrição: Esta proposta tem dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Maurício Pamplona Píres - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro / Ivision Sistemas de Imagem e Visão - Cooperação / Ivision Sistemas de Imagem e Visão - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2010

    Desenvolvimento de software para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores nanoestruturados, Descrição: Este projeto efetuou o desenvolvimento de ferramenta computacional para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores com estruturas de poços e pontos quânticos, visando sua aplicação no desenvolvimento de sensores de infravermelho nanoestruturados. O projeto se insere num esforço para o desenvolvimento da tecnologia para a fabricação e caracterização de sensores de infra-vermelho nanoestruturados no país. Seu foco principal foi o desenvolvimento de uma ferramenta de software para ser utilizada por pesquisadores, alunos e, futuramente, pela iniciativa privada, visto que um dos objetivos do esforço de desenvolvimento de elementos e sistemas sensores é a criação de uma base industrial sólida no país para a produção dos dispositivos e para sua utilização. O projeto complementa o esforço experimental que vem sendo realizado pelo Instituto de Estudos Avançados em colaboração com outras instituições de pesquisa do país. Foram abordadas estruturas com poços, fios e pontos quânticos. No caso de poços quânticos foram implementados cálculos autoconsistentes (efeito do potencial elétrico gerado por elétrons e íons da camada de depleção nas funções de onda nos poços e nas forças de oscilador) e um método de otimização baseado em algoritmos genéticos. No caso de pontos quânticos foi complementada a implementação de cálculos de pontos quânticos isolados imersos em estruturas de poços quânticos. Nos desenvolvimentos propostos foi utilizado o pacote de desenvolvimento denominado SDK-LEVSOFT desenvolvido pelo grupo em projetos anteriores. O pacote é uma biblioteca de classes com ferramentas para o uso do Método dos Elementos Finitos nas aproximações unidimensional e bidimensional, e heurísticas para a otimização de dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Luis Carlos Ogando Dacal - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Onofre Félix de Lima Neto - Integrante / Stephan Stephany - Integrante.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Descrição: Desenvolvimento de sensores multiespectrais híbridos, isto é, com transições banda-banda e intrabanda.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Píres - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utiliando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Com este projeto pretende-se: - Produzir e testar protótipos de sensores de infravermelho utilizando a tecnologia de poços quânticos. - Efetuar investigações visando o desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando a tecnologia de pontos quânticos. Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente. Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas. Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (3) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / José Maria Villas Bôas - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2017 - Atual

    Desenvolviemnto de Processos de Fabricação de Matrizes de Sensores de Infravermelho, Descrição: O presente projeto de bolsa de pesquisa no exterior visa complementar o desenvolvimento de tecnologias de fabricação de sensores de infravermelho que vem sendo efetuado por uma rede de instituições de ensino e pesquisa no Brasil, adquirindo competência em uma etapa que atualmente não é possível executar no país. As tecnologias para sensores de infravermelho que vêm sendo desenvolvidas são as de sensores a poços quânticos, QWIP, sensores a pontos quânticos, QDIP, fotodiodos de InGaAs, e sensores biespectrais, com tecnologia mista. O principal gargalo atual para a obtenção de matrizes de sensores, prontas para serem inseridas no plano focal de um sistema óptico, FPA, está na infraestrutura necessária para o processamento do cristal semicondutor após o crescimento epitaxial, a conexão da matriz de sensores com uma matriz de pré-amplificadores de leitura, e o processo subsequente de enrijecimento da conexão, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. A universidade escolhida possui um grupo ativo e reconhecido na área de desenvolvimento de sensores de infravermelho, com toda a infraestrutura necessária à fabricação das FPAs. O trabalho de um ano focará no domínio das técnicas de processamento dos cristais semicondutores gerando as matrizes de sensores, no processo de conexão das matrizes de sensores às de pré-amplificadores de leitura, preenchimento dos espaços vazios entre as matrizes, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. Serão processados tanto substratos crescidos na própria universidade, quanto crescidos no Brasil, gerando a desejada comparação do desempenho das matrizes. Além das tecnologias já abordadas na rede de pesquisa nacional, o pesquisador também desenvolverá trabalhos com sensores de infravermelho que utilizam superredes do tipo II, tecnologia apontada como tendo potencial para tornar-se a nova tecnologia dominante, mas que ainda encontra significativos desafios, especialmente no processamento para gerar as matrizes.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Sanjay Krishna - Integrante.

  • 2013 - 2015

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador.

  • 2011 - Atual

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, Descrição: Desenvolver um protótipo de equipamento de detecção passiva (MAGE Veicular) capaz de executar a recepção, localização de direção e classificação de emissões de radares, para instalção de viaturas. Desenvolver um protótipo experimental de um Sistema de Visão Assistida Multiespectral também conhecido como Enhanced Vision System (EVS), para aplicação em aeronaves ou viaturas do Exército Brasileiro. Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos, obtendo e aprimorando a uniformidade de resposta das matrizes de sensores e obtendo sensores monolíticos com tecnologia hibrida (Sensores de IR nanoestruturados).. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2010 - 2014

    Desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais, Descrição: O objetivo deste projeto é contribuir com a formação de Recursos Humanos qualificado para o esforço nacional de desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais. Os dispositivos de interesse imediato são sensores de infravermelho nanoestruturados, com aplicação para a monitoração do território nacional a partir do espaço e acelerômetros de estado sólido, um sistema microeletromecanico aplicável a sistemas inerciais aeroespaciais. A tecnologia de sensores de infravermelho nanoestruturados está em franca evolução e com grande potencial de uso para aplicações de monitoração do planeta a partir do espaço, sistemas para monitoração de saúde de veículos, sistemas para observação astronômica, dentre outros. Neste tema, o IEAv está inserido em um Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia, cujo principal foco é o desenvolvimento desses sensores com tecnologia completamente nacional, o DISSE. Além disso, o Brasil vem investindo muito em tecnologias para uso espacial, mas ainda existe uma deficiência em sistemas de controle. Um dos projetos mais importantes no âmbito da FINEP, o SIA (Sistemas Inerciais Aeroespaciais), está focado nesse tema, e o desenvolvimento de acelerômetros de estado sólido com tecnologia nacional vem ao encontro desse objetivo, com a nacionalização da tecnologia de um acelerômetro com tecnologia MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), dispositivos de pequeno porte, robustos e confiáveis. As bolsas deverão contribuir para a execução de dois projetos de interesse do setor aeroespacial, o projeto IMAGE, para o desenvolvimento de sensores de infravermelho (classificado como estratégico pelo COMAER), e o projeto ACELERAD para o desenvolvimento de acelerômetros do tipo MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), ambos financiados pela FINEP.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Priscila Pereira Fávero - Integrante / André Flederico Pereira - Integrante / Dárley Domingos de Almeida - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Carlos Fernando Rondina Mateus - Integrante / Janderson Rocha Rodrigues - Integrante / Diogo de Moura Pedroso - Integrante / Lucas Kriesel Sperotto - Integrante / Liangrid Lutiani da Silva - Integrante.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Projeto certificado pela empresa Financiadora de Estudos e Projetos em 13/08/2012., Descrição: Esta proposta tem dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Maurício Pamplona Píres - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro / Ivision Sistemas de Imagem e Visão - Auxílio financeiro / Ivision Sistemas de Imagem e Visão - Cooperação.

  • 2008 - 2010

    Desenvolvimento de software para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores nanoestruturados, Descrição: Este projeto efetuou o desenvolvimento de ferramenta computacional para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores com estruturas de poços e pontos quânticos, visando sua aplicação no desenvolvimento de sensores de infravermelho nanoestruturados. O projeto se insere num esforço para o desenvolvimento da tecnologia para a fabricação e caracterização de sensores de infra-vermelho nanoestruturados no país. Seu foco principal foi o desenvolvimento de uma ferramenta de software para ser utilizada por pesquisadores, alunos e, futuramente, pela iniciativa privada, visto que um dos objetivos do esforço de desenvolvimento de elementos e sistemas sensores é a criação de uma base industrial sólida no país para a produção dos dispositivos e para sua utilização. O projeto complementa o esforço experimental que vem sendo realizado pelo Instituto de Estudos Avançados em colaboração com outras instituições de pesquisa do país. Foram abordadas estruturas com poços, fios e pontos quânticos. No caso de poços quânticos foram implementados cálculos autoconsistentes (efeito do potencial elétrico gerado por elétrons e íons da camada de depleção nas funções de onda nos poços e nas forças de oscilador) e um método de otimização baseado em algoritmos genéticos. No caso de pontos quânticos foi complementada a implementação de cálculos de pontos quânticos isolados imersos em estruturas de poços quânticos. Nos desenvolvimentos propostos foi utilizado o pacote de desenvolvimento denominado SDK-LEVSOFT desenvolvido pelo grupo em projetos anteriores. O pacote é uma biblioteca de classes com ferramentas para o uso do Método dos Elementos Finitos nas aproximações unidimensional e bidimensional, e heurísticas para a otimização de dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Luis Carlos Ogando Dacal - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Onofre Félix de Lima Neto - Integrante / Stephan Stephany - Integrante.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Descrição: Desenvolvimento de sensores multiespectrais híbridos, isto é, com transições banda-banda e intrabanda.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Píres - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utiliando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Com este projeto pretende-se: - Produzir e testar protótipos de sensores de infravermelho utilizando a tecnologia de poços quânticos. - Efetuar investigações visando o desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando a tecnologia de pontos quânticos. Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente. Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas. Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (3) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / José Maria Villas Bôas - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2017 - Atual

    Desenvolviemnto de Processos de Fabricação de Matrizes de Sensores de Infravermelho, Descrição: O presente projeto de bolsa de pesquisa no exterior visa complementar o desenvolvimento de tecnologias de fabricação de sensores de infravermelho que vem sendo efetuado por uma rede de instituições de ensino e pesquisa no Brasil, adquirindo competência em uma etapa que atualmente não é possível executar no país. As tecnologias para sensores de infravermelho que vêm sendo desenvolvidas são as de sensores a poços quânticos, QWIP, sensores a pontos quânticos, QDIP, fotodiodos de InGaAs, e sensores biespectrais, com tecnologia mista. O principal gargalo atual para a obtenção de matrizes de sensores, prontas para serem inseridas no plano focal de um sistema óptico, FPA, está na infraestrutura necessária para o processamento do cristal semicondutor após o crescimento epitaxial, a conexão da matriz de sensores com uma matriz de pré-amplificadores de leitura, e o processo subsequente de enrijecimento da conexão, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. A universidade escolhida possui um grupo ativo e reconhecido na área de desenvolvimento de sensores de infravermelho, com toda a infraestrutura necessária à fabricação das FPAs. O trabalho de um ano focará no domínio das técnicas de processamento dos cristais semicondutores gerando as matrizes de sensores, no processo de conexão das matrizes de sensores às de pré-amplificadores de leitura, preenchimento dos espaços vazios entre as matrizes, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. Serão processados tanto substratos crescidos na própria universidade, quanto crescidos no Brasil, gerando a desejada comparação do desempenho das matrizes. Além das tecnologias já abordadas na rede de pesquisa nacional, o pesquisador também desenvolverá trabalhos com sensores de infravermelho que utilizam superredes do tipo II, tecnologia apontada como tendo potencial para tornar-se a nova tecnologia dominante, mas que ainda encontra significativos desafios, especialmente no processamento para gerar as matrizes.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Sanjay Krishna - Integrante.

  • 2013 - 2015

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2011 - Atual

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, subprojeto Sensores de infravermelho nanoestruturados, Descrição: Este projeto possui 3 subprojetos, sendo que este pesquisador coordena o subprojeto: Sensores de infravermelho nanoestruturados. Este subprojeto tem por objetivo: -Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos. -Obter e aprimorar a uniformidade de resposta matrizes de sensores a poços quânticos. -Avançar no desenvolvimento de sensores a pontos quânticos. -Obter sensores monolíticos biespectrais com tecnologia híbrida.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2010 - 2014

    Desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais, Descrição: O objetivo deste projeto foi contribuir com a formação de Recursos Humanos qualificado para o esforço nacional de desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais. Os dispositivos de interesse imediato são sensores de infravermelho nanoestruturados, com aplicação para a monitoração do território nacional a partir do espaço e acelerômetros de estado sólido, um sistema microeletromecanico aplicável a sistemas inerciais aeroespaciais. A tecnologia de sensores de infravermelho nanoestruturados está em franca evolução e com grande potencial de uso para aplicações de monitoração do planeta a partir do espaço, sistemas para monitoração de saúde de veículos, sistemas para observação astronômica, dentre outros. Neste tema, o IEAv está inserido em um Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia, cujo principal foco é o desenvolvimento desses sensores com tecnologia completamente nacional, o DISSE. Além disso, o Brasil vem investindo muito em tecnologias para uso espacial, mas ainda existe uma deficiência em sistemas de controle. Um dos projetos mais importantes no âmbito da FINEP, o SIA (Sistemas Inerciais Aeroespaciais), está focado nesse tema, e o desenvolvimento de acelerômetros de estado sólido com tecnologia nacional vem ao encontro desse objetivo, com a nacionalização da tecnologia de um acelerômetro com tecnologia MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), dispositivos de pequeno porte, robustos e confiáveis. As bolsas deverão contribuir para a execução de dois projetos de interesse do setor aeroespacial, o projeto IMAGE, para o desenvolvimento de sensores de infravermelho (classificado como estratégico pelo COMAER), e o projeto ACELERAD para o desenvolvimento de acelerômetros do tipo MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), ambos financiados pela FINEP.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / André Flederico Pereira - Integrante / Dárley Domingos de Almeida - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Carlos Fernando Rondina Mateus - Integrante / Janderson Rocha Rodrigues - Integrante / Diogo de Moura Pedroso - Integrante / Lucas Kriesel Sperotto - Integrante / Liangrid Lutiani da Silva - Integrante / Pricila Pereira Fávero - Integrante.

  • 2010 - 2013

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados, Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Descrição: Este projeto teve dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2010

    Desenvolvimento de software para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores nanoestruturados, Descrição: Este projeto efetuou o desenvolvimento de ferramenta computacional para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores com estruturas de poços e pontos quânticos, visando sua aplicação no desenvolvimento de sensores de infravermelho nanoestruturados. O projeto se insere num esforço para o desenvolvimento da tecnologia para a fabricação e caracterização de sensores de infra-vermelho nanoestruturados no país. Seu foco principal foi o desenvolvimento de uma ferramenta de software para ser utilizada por pesquisadores, alunos e, futuramente, pela iniciativa privada, visto que um dos objetivos do esforço de desenvolvimento de elementos e sistemas sensores é a criação de uma base industrial sólida no país para a produção dos dispositivos e para sua utilização. O projeto complementa o esforço experimental que vem sendo realizado pelo Instituto de Estudos Avançados em colaboração com outras instituições de pesquisa do país. Foram abordadas estruturas com poços, fios e pontos quânticos. No caso de poços quânticos foram implementados cálculos autoconsistentes (efeito do potencial elétrico gerado por elétrons e íons da camada de depleção nas funções de onda nos poços e nas forças de oscilador) e um método de otimização baseado em algoritmos genéticos. No caso de pontos quânticos foi complementada a implementação de cálculos de pontos quânticos isolados imersos em estruturas de poços quânticos. Nos desenvolvimentos propostos foi utilizado o pacote de desenvolvimento denominado SDK-LEVSOFT desenvolvido pelo grupo em projetos anteriores. O pacote é uma biblioteca de classes com ferramentas para o uso do Método dos Elementos Finitos nas aproximações unidimensional e bidimensional, e heurísticas para a otimização de dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Luis Carlos Ogando Dacal - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Onofre Félix de Lima Neto - Integrante / Stephan Stephany - Integrante.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Descrição: O projeto teve por objetivos dar seqüência ao desenvolvimento da tecnologia de produção de sensores de infravermelho a poços e pontos quânticos, com vistas a aplicações civis e militares. Também será desenvolvida a tecnologia de produção de sensores bicromáticos com tecnologia híbrida QWIP e banda-banda (InGaAs).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utiliando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente. Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas. Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante / José Maria Villas-Boas - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2017 - Atual

    Desenvolviemnto de Processos de Fabricação de Matrizes de Sensores de Infravermelho, Descrição: O presente projeto de bolsa de pesquisa no exterior visa complementar o desenvolvimento de tecnologias de fabricação de sensores de infravermelho que vem sendo efetuado por uma rede de instituições de ensino e pesquisa no Brasil, adquirindo competência em uma etapa que atualmente não é possível executar no país. As tecnologias para sensores de infravermelho que vêm sendo desenvolvidas são as de sensores a poços quânticos, QWIP, sensores a pontos quânticos, QDIP, fotodiodos de InGaAs, e sensores biespectrais, com tecnologia mista. O principal gargalo atual para a obtenção de matrizes de sensores, prontas para serem inseridas no plano focal de um sistema óptico, FPA, está na infraestrutura necessária para o processamento do cristal semicondutor após o crescimento epitaxial, a conexão da matriz de sensores com uma matriz de pré-amplificadores de leitura, e o processo subsequente de enrijecimento da conexão, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. A universidade escolhida possui um grupo ativo e reconhecido na área de desenvolvimento de sensores de infravermelho, com toda a infraestrutura necessária à fabricação das FPAs. O trabalho de um ano focará no domínio das técnicas de processamento dos cristais semicondutores gerando as matrizes de sensores, no processo de conexão das matrizes de sensores às de pré-amplificadores de leitura, preenchimento dos espaços vazios entre as matrizes, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. Serão processados tanto substratos crescidos na própria universidade, quanto crescidos no Brasil, gerando a desejada comparação do desempenho das matrizes. Além das tecnologias já abordadas na rede de pesquisa nacional, o pesquisador também desenvolverá trabalhos com sensores de infravermelho que utilizam superredes do tipo II, tecnologia apontada como tendo potencial para tornar-se a nova tecnologia dominante, mas que ainda encontra significativos desafios, especialmente no processamento para gerar as matrizes.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Sanjay Krishna - Integrante.

  • 2013 - 2015

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2011 - Atual

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, subprojeto Sensores de infravermelho nanoestruturados, Descrição: Este projeto possui 3 subprojetos, sendo que este pesquisador coordena o subprojeto: Sensores de infravermelho nanoestruturados. Este subprojeto tem por objetivo: -Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos. -Obter e aprimorar a uniformidade de resposta matrizes de sensores a poços quânticos. -Avançar no desenvolvimento de sensores a pontos quânticos. -Obter sensores monolíticos biespectrais com tecnologia híbrida.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2010 - 2014

    Desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais, Descrição: O objetivo deste projeto foi contribuir com a formação de Recursos Humanos qualificado para o esforço nacional de desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais. Os dispositivos de interesse imediato são sensores de infravermelho nanoestruturados, com aplicação para a monitoração do território nacional a partir do espaço e acelerômetros de estado sólido, um sistema microeletromecanico aplicável a sistemas inerciais aeroespaciais. A tecnologia de sensores de infravermelho nanoestruturados está em franca evolução e com grande potencial de uso para aplicações de monitoração do planeta a partir do espaço, sistemas para monitoração de saúde de veículos, sistemas para observação astronômica, dentre outros. Neste tema, o IEAv está inserido em um Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia, cujo principal foco é o desenvolvimento desses sensores com tecnologia completamente nacional, o DISSE. Além disso, o Brasil vem investindo muito em tecnologias para uso espacial, mas ainda existe uma deficiência em sistemas de controle. Um dos projetos mais importantes no âmbito da FINEP, o SIA (Sistemas Inerciais Aeroespaciais), está focado nesse tema, e o desenvolvimento de acelerômetros de estado sólido com tecnologia nacional vem ao encontro desse objetivo, com a nacionalização da tecnologia de um acelerômetro com tecnologia MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), dispositivos de pequeno porte, robustos e confiáveis. As bolsas deverão contribuir para a execução de dois projetos de interesse do setor aeroespacial, o projeto IMAGE, para o desenvolvimento de sensores de infravermelho (classificado como estratégico pelo COMAER), e o projeto ACELERAD para o desenvolvimento de acelerômetros do tipo MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), ambos financiados pela FINEP.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / André Flederico Pereira - Integrante / Dárley Domingos de Almeida - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Carlos Fernando Rondina Mateus - Integrante / Janderson Rocha Rodrigues - Integrante / Diogo de Moura Pedroso - Integrante / Lucas Kriesel Sperotto - Integrante / Liangrid Lutiani da Silva - Integrante / Pricila Pereira Fávero - Integrante.

  • 2010 - 2013

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados, Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Descrição: Este projeto teve dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2010

    Desenvolvimento de software para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores nanoestruturados, Descrição: Este projeto efetuou o desenvolvimento de ferramenta computacional para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores com estruturas de poços e pontos quânticos, visando sua aplicação no desenvolvimento de sensores de infravermelho nanoestruturados. O projeto se insere num esforço para o desenvolvimento da tecnologia para a fabricação e caracterização de sensores de infra-vermelho nanoestruturados no país. Seu foco principal foi o desenvolvimento de uma ferramenta de software para ser utilizada por pesquisadores, alunos e, futuramente, pela iniciativa privada, visto que um dos objetivos do esforço de desenvolvimento de elementos e sistemas sensores é a criação de uma base industrial sólida no país para a produção dos dispositivos e para sua utilização. O projeto complementa o esforço experimental que vem sendo realizado pelo Instituto de Estudos Avançados em colaboração com outras instituições de pesquisa do país. Foram abordadas estruturas com poços, fios e pontos quânticos. No caso de poços quânticos foram implementados cálculos autoconsistentes (efeito do potencial elétrico gerado por elétrons e íons da camada de depleção nas funções de onda nos poços e nas forças de oscilador) e um método de otimização baseado em algoritmos genéticos. No caso de pontos quânticos foi complementada a implementação de cálculos de pontos quânticos isolados imersos em estruturas de poços quânticos. Nos desenvolvimentos propostos foi utilizado o pacote de desenvolvimento denominado SDK-LEVSOFT desenvolvido pelo grupo em projetos anteriores. O pacote é uma biblioteca de classes com ferramentas para o uso do Método dos Elementos Finitos nas aproximações unidimensional e bidimensional, e heurísticas para a otimização de dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Luis Carlos Ogando Dacal - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Onofre Félix de Lima Neto - Integrante / Stephan Stephany - Integrante.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Patricia Lustoza de Souza em 15/12/2017., Descrição: O projeto teve por objetivos dar seqüência ao desenvolvimento da tecnologia de produção de sensores de infravermelho a poços e pontos quânticos, com vistas a aplicações civis e militares. Também será desenvolvida a tecnologia de produção de sensores bicromáticos com tecnologia híbrida QWIP e banda-banda (InGaAs).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utiliando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente. Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas. Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante / José Maria Villas-Boas - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2017 - Atual

    Desenvolviemnto de Processos de Fabricação de Matrizes de Sensores de Infravermelho, Descrição: O presente projeto de bolsa de pesquisa no exterior visa complementar o desenvolvimento de tecnologias de fabricação de sensores de infravermelho que vem sendo efetuado por uma rede de instituições de ensino e pesquisa no Brasil, adquirindo competência em uma etapa que atualmente não é possível executar no país. As tecnologias para sensores de infravermelho que vêm sendo desenvolvidas são as de sensores a poços quânticos, QWIP, sensores a pontos quânticos, QDIP, fotodiodos de InGaAs, e sensores biespectrais, com tecnologia mista. O principal gargalo atual para a obtenção de matrizes de sensores, prontas para serem inseridas no plano focal de um sistema óptico, FPA, está na infraestrutura necessária para o processamento do cristal semicondutor após o crescimento epitaxial, a conexão da matriz de sensores com uma matriz de pré-amplificadores de leitura, e o processo subsequente de enrijecimento da conexão, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. A universidade escolhida possui um grupo ativo e reconhecido na área de desenvolvimento de sensores de infravermelho, com toda a infraestrutura necessária à fabricação das FPAs. O trabalho de um ano focará no domínio das técnicas de processamento dos cristais semicondutores gerando as matrizes de sensores, no processo de conexão das matrizes de sensores às de pré-amplificadores de leitura, preenchimento dos espaços vazios entre as matrizes, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. Serão processados tanto substratos crescidos na própria universidade, quanto crescidos no Brasil, gerando a desejada comparação do desempenho das matrizes. Além das tecnologias já abordadas na rede de pesquisa nacional, o pesquisador também desenvolverá trabalhos com sensores de infravermelho que utilizam superredes do tipo II, tecnologia apontada como tendo potencial para tornar-se a nova tecnologia dominante, mas que ainda encontra significativos desafios, especialmente no processamento para gerar as matrizes.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Sanjay Krishna - Integrante.

  • 2013 - 2015

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2011 - Atual

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, subprojeto Sensores de infravermelho nanoestruturados, Descrição: Este projeto possui 3 subprojetos, sendo que este pesquisador coordena o subprojeto: Sensores de infravermelho nanoestruturados. Este subprojeto tem por objetivo: -Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos. -Obter e aprimorar a uniformidade de resposta matrizes de sensores a poços quânticos. -Avançar no desenvolvimento de sensores a pontos quânticos. -Obter sensores monolíticos biespectrais com tecnologia híbrida.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2010 - 2014

    Desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais, Descrição: O objetivo deste projeto foi contribuir com a formação de Recursos Humanos qualificado para o esforço nacional de desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais. Os dispositivos de interesse imediato são sensores de infravermelho nanoestruturados, com aplicação para a monitoração do território nacional a partir do espaço e acelerômetros de estado sólido, um sistema microeletromecanico aplicável a sistemas inerciais aeroespaciais. A tecnologia de sensores de infravermelho nanoestruturados está em franca evolução e com grande potencial de uso para aplicações de monitoração do planeta a partir do espaço, sistemas para monitoração de saúde de veículos, sistemas para observação astronômica, dentre outros. Neste tema, o IEAv está inserido em um Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia, cujo principal foco é o desenvolvimento desses sensores com tecnologia completamente nacional, o DISSE. Além disso, o Brasil vem investindo muito em tecnologias para uso espacial, mas ainda existe uma deficiência em sistemas de controle. Um dos projetos mais importantes no âmbito da FINEP, o SIA (Sistemas Inerciais Aeroespaciais), está focado nesse tema, e o desenvolvimento de acelerômetros de estado sólido com tecnologia nacional vem ao encontro desse objetivo, com a nacionalização da tecnologia de um acelerômetro com tecnologia MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), dispositivos de pequeno porte, robustos e confiáveis. As bolsas deverão contribuir para a execução de dois projetos de interesse do setor aeroespacial, o projeto IMAGE, para o desenvolvimento de sensores de infravermelho (classificado como estratégico pelo COMAER), e o projeto ACELERAD para o desenvolvimento de acelerômetros do tipo MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), ambos financiados pela FINEP.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / André Flederico Pereira - Integrante / Dárley Domingos de Almeida - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Carlos Fernando Rondina Mateus - Integrante / Janderson Rocha Rodrigues - Integrante / Diogo de Moura Pedroso - Integrante / Lucas Kriesel Sperotto - Integrante / Liangrid Lutiani da Silva - Integrante / Pricila Pereira Fávero - Integrante.

  • 2010 - 2013

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados, Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Descrição: Este projeto teve dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2010

    Desenvolvimento de software para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores nanoestruturados, Descrição: Este projeto efetuou o desenvolvimento de ferramenta computacional para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores com estruturas de poços e pontos quânticos, visando sua aplicação no desenvolvimento de sensores de infravermelho nanoestruturados. O projeto se insere num esforço para o desenvolvimento da tecnologia para a fabricação e caracterização de sensores de infra-vermelho nanoestruturados no país. Seu foco principal foi o desenvolvimento de uma ferramenta de software para ser utilizada por pesquisadores, alunos e, futuramente, pela iniciativa privada, visto que um dos objetivos do esforço de desenvolvimento de elementos e sistemas sensores é a criação de uma base industrial sólida no país para a produção dos dispositivos e para sua utilização. O projeto complementa o esforço experimental que vem sendo realizado pelo Instituto de Estudos Avançados em colaboração com outras instituições de pesquisa do país. Foram abordadas estruturas com poços, fios e pontos quânticos. No caso de poços quânticos foram implementados cálculos autoconsistentes (efeito do potencial elétrico gerado por elétrons e íons da camada de depleção nas funções de onda nos poços e nas forças de oscilador) e um método de otimização baseado em algoritmos genéticos. No caso de pontos quânticos foi complementada a implementação de cálculos de pontos quânticos isolados imersos em estruturas de poços quânticos. Nos desenvolvimentos propostos foi utilizado o pacote de desenvolvimento denominado SDK-LEVSOFT desenvolvido pelo grupo em projetos anteriores. O pacote é uma biblioteca de classes com ferramentas para o uso do Método dos Elementos Finitos nas aproximações unidimensional e bidimensional, e heurísticas para a otimização de dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Luis Carlos Ogando Dacal - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Onofre Félix de Lima Neto - Integrante / Stephan Stephany - Integrante.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Patricia Lustoza de Souza em 15/12/2017., Descrição: O projeto teve por objetivos dar seqüência ao desenvolvimento da tecnologia de produção de sensores de infravermelho a poços e pontos quânticos, com vistas a aplicações civis e militares. Também será desenvolvida a tecnologia de produção de sensores bicromáticos com tecnologia híbrida QWIP e banda-banda (InGaAs).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utiliando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente. Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas. Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante / José Maria Villas-Boas - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2017 - Atual

    Desenvolviemnto de Processos de Fabricação de Matrizes de Sensores de Infravermelho, Descrição: O presente projeto de bolsa de pesquisa no exterior visa complementar o desenvolvimento de tecnologias de fabricação de sensores de infravermelho que vem sendo efetuado por uma rede de instituições de ensino e pesquisa no Brasil, adquirindo competência em uma etapa que atualmente não é possível executar no país. As tecnologias para sensores de infravermelho que vêm sendo desenvolvidas são as de sensores a poços quânticos, QWIP, sensores a pontos quânticos, QDIP, fotodiodos de InGaAs, e sensores biespectrais, com tecnologia mista. O principal gargalo atual para a obtenção de matrizes de sensores, prontas para serem inseridas no plano focal de um sistema óptico, FPA, está na infraestrutura necessária para o processamento do cristal semicondutor após o crescimento epitaxial, a conexão da matriz de sensores com uma matriz de pré-amplificadores de leitura, e o processo subsequente de enrijecimento da conexão, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. A universidade escolhida possui um grupo ativo e reconhecido na área de desenvolvimento de sensores de infravermelho, com toda a infraestrutura necessária à fabricação das FPAs. O trabalho de um ano focará no domínio das técnicas de processamento dos cristais semicondutores gerando as matrizes de sensores, no processo de conexão das matrizes de sensores às de pré-amplificadores de leitura, preenchimento dos espaços vazios entre as matrizes, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. Serão processados tanto substratos crescidos na própria universidade, quanto crescidos no Brasil, gerando a desejada comparação do desempenho das matrizes. Além das tecnologias já abordadas na rede de pesquisa nacional, o pesquisador também desenvolverá trabalhos com sensores de infravermelho que utilizam superredes do tipo II, tecnologia apontada como tendo potencial para tornar-se a nova tecnologia dominante, mas que ainda encontra significativos desafios, especialmente no processamento para gerar as matrizes.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Sanjay Krishna - Integrante.

  • 2013 - 2015

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2011 - Atual

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, subprojeto Sensores de infravermelho nanoestruturados, Descrição: Este projeto possui 3 subprojetos, sendo que este pesquisador coordena o subprojeto: Sensores de infravermelho nanoestruturados. Este subprojeto tem por objetivo: -Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos. -Obter e aprimorar a uniformidade de resposta matrizes de sensores a poços quânticos. -Avançar no desenvolvimento de sensores a pontos quânticos. -Obter sensores monolíticos biespectrais com tecnologia híbrida.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2010 - 2014

    Desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais, Descrição: O objetivo deste projeto foi contribuir com a formação de Recursos Humanos qualificado para o esforço nacional de desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais. Os dispositivos de interesse imediato são sensores de infravermelho nanoestruturados, com aplicação para a monitoração do território nacional a partir do espaço e acelerômetros de estado sólido, um sistema microeletromecanico aplicável a sistemas inerciais aeroespaciais. A tecnologia de sensores de infravermelho nanoestruturados está em franca evolução e com grande potencial de uso para aplicações de monitoração do planeta a partir do espaço, sistemas para monitoração de saúde de veículos, sistemas para observação astronômica, dentre outros. Neste tema, o IEAv está inserido em um Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia, cujo principal foco é o desenvolvimento desses sensores com tecnologia completamente nacional, o DISSE. Além disso, o Brasil vem investindo muito em tecnologias para uso espacial, mas ainda existe uma deficiência em sistemas de controle. Um dos projetos mais importantes no âmbito da FINEP, o SIA (Sistemas Inerciais Aeroespaciais), está focado nesse tema, e o desenvolvimento de acelerômetros de estado sólido com tecnologia nacional vem ao encontro desse objetivo, com a nacionalização da tecnologia de um acelerômetro com tecnologia MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), dispositivos de pequeno porte, robustos e confiáveis. As bolsas deverão contribuir para a execução de dois projetos de interesse do setor aeroespacial, o projeto IMAGE, para o desenvolvimento de sensores de infravermelho (classificado como estratégico pelo COMAER), e o projeto ACELERAD para o desenvolvimento de acelerômetros do tipo MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), ambos financiados pela FINEP.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / André Flederico Pereira - Integrante / Dárley Domingos de Almeida - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Carlos Fernando Rondina Mateus - Integrante / Janderson Rocha Rodrigues - Integrante / Diogo de Moura Pedroso - Integrante / Lucas Kriesel Sperotto - Integrante / Liangrid Lutiani da Silva - Integrante / Pricila Pereira Fávero - Integrante.

  • 2010 - 2013

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados, Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Descrição: Este projeto teve dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2010

    Desenvolvimento de software para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores nanoestruturados, Descrição: Este projeto efetuou o desenvolvimento de ferramenta computacional para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores com estruturas de poços e pontos quânticos, visando sua aplicação no desenvolvimento de sensores de infravermelho nanoestruturados. O projeto se insere num esforço para o desenvolvimento da tecnologia para a fabricação e caracterização de sensores de infra-vermelho nanoestruturados no país. Seu foco principal foi o desenvolvimento de uma ferramenta de software para ser utilizada por pesquisadores, alunos e, futuramente, pela iniciativa privada, visto que um dos objetivos do esforço de desenvolvimento de elementos e sistemas sensores é a criação de uma base industrial sólida no país para a produção dos dispositivos e para sua utilização. O projeto complementa o esforço experimental que vem sendo realizado pelo Instituto de Estudos Avançados em colaboração com outras instituições de pesquisa do país. Foram abordadas estruturas com poços, fios e pontos quânticos. No caso de poços quânticos foram implementados cálculos autoconsistentes (efeito do potencial elétrico gerado por elétrons e íons da camada de depleção nas funções de onda nos poços e nas forças de oscilador) e um método de otimização baseado em algoritmos genéticos. No caso de pontos quânticos foi complementada a implementação de cálculos de pontos quânticos isolados imersos em estruturas de poços quânticos. Nos desenvolvimentos propostos foi utilizado o pacote de desenvolvimento denominado SDK-LEVSOFT desenvolvido pelo grupo em projetos anteriores. O pacote é uma biblioteca de classes com ferramentas para o uso do Método dos Elementos Finitos nas aproximações unidimensional e bidimensional, e heurísticas para a otimização de dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Luis Carlos Ogando Dacal - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Onofre Félix de Lima Neto - Integrante / Stephan Stephany - Integrante.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Patricia Lustoza de Souza em 15/12/2017., Descrição: O projeto teve por objetivos dar seqüência ao desenvolvimento da tecnologia de produção de sensores de infravermelho a poços e pontos quânticos, com vistas a aplicações civis e militares. Também será desenvolvida a tecnologia de produção de sensores bicromáticos com tecnologia híbrida QWIP e banda-banda (InGaAs).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utiliando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente. Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas. Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante / José Maria Villas-Boas - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2017 - Atual

    Desenvolviemnto de Processos de Fabricação de Matrizes de Sensores de Infravermelho, Descrição: O presente projeto de bolsa de pesquisa no exterior visa complementar o desenvolvimento de tecnologias de fabricação de sensores de infravermelho que vem sendo efetuado por uma rede de instituições de ensino e pesquisa no Brasil, adquirindo competência em uma etapa que atualmente não é possível executar no país. As tecnologias para sensores de infravermelho que vêm sendo desenvolvidas são as de sensores a poços quânticos, QWIP, sensores a pontos quânticos, QDIP, fotodiodos de InGaAs, e sensores biespectrais, com tecnologia mista. O principal gargalo atual para a obtenção de matrizes de sensores, prontas para serem inseridas no plano focal de um sistema óptico, FPA, está na infraestrutura necessária para o processamento do cristal semicondutor após o crescimento epitaxial, a conexão da matriz de sensores com uma matriz de pré-amplificadores de leitura, e o processo subsequente de enrijecimento da conexão, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. A universidade escolhida possui um grupo ativo e reconhecido na área de desenvolvimento de sensores de infravermelho, com toda a infraestrutura necessária à fabricação das FPAs. O trabalho de um ano focará no domínio das técnicas de processamento dos cristais semicondutores gerando as matrizes de sensores, no processo de conexão das matrizes de sensores às de pré-amplificadores de leitura, preenchimento dos espaços vazios entre as matrizes, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. Serão processados tanto substratos crescidos na própria universidade, quanto crescidos no Brasil, gerando a desejada comparação do desempenho das matrizes. Além das tecnologias já abordadas na rede de pesquisa nacional, o pesquisador também desenvolverá trabalhos com sensores de infravermelho que utilizam superredes do tipo II, tecnologia apontada como tendo potencial para tornar-se a nova tecnologia dominante, mas que ainda encontra significativos desafios, especialmente no processamento para gerar as matrizes.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Sanjay Krishna - Integrante.

  • 2013 - 2015

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2011 - Atual

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, subprojeto Sensores de infravermelho nanoestruturados, Descrição: Este projeto possui 3 subprojetos, sendo que este pesquisador coordena o subprojeto: Sensores de infravermelho nanoestruturados. Este subprojeto tem por objetivo: -Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos. -Obter e aprimorar a uniformidade de resposta matrizes de sensores a poços quânticos. -Avançar no desenvolvimento de sensores a pontos quânticos. -Obter sensores monolíticos biespectrais com tecnologia híbrida.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2010 - 2014

    Desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais, Descrição: O objetivo deste projeto foi contribuir com a formação de Recursos Humanos qualificado para o esforço nacional de desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais. Os dispositivos de interesse imediato são sensores de infravermelho nanoestruturados, com aplicação para a monitoração do território nacional a partir do espaço e acelerômetros de estado sólido, um sistema microeletromecanico aplicável a sistemas inerciais aeroespaciais. A tecnologia de sensores de infravermelho nanoestruturados está em franca evolução e com grande potencial de uso para aplicações de monitoração do planeta a partir do espaço, sistemas para monitoração de saúde de veículos, sistemas para observação astronômica, dentre outros. Neste tema, o IEAv está inserido em um Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia, cujo principal foco é o desenvolvimento desses sensores com tecnologia completamente nacional, o DISSE. Além disso, o Brasil vem investindo muito em tecnologias para uso espacial, mas ainda existe uma deficiência em sistemas de controle. Um dos projetos mais importantes no âmbito da FINEP, o SIA (Sistemas Inerciais Aeroespaciais), está focado nesse tema, e o desenvolvimento de acelerômetros de estado sólido com tecnologia nacional vem ao encontro desse objetivo, com a nacionalização da tecnologia de um acelerômetro com tecnologia MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), dispositivos de pequeno porte, robustos e confiáveis. As bolsas deverão contribuir para a execução de dois projetos de interesse do setor aeroespacial, o projeto IMAGE, para o desenvolvimento de sensores de infravermelho (classificado como estratégico pelo COMAER), e o projeto ACELERAD para o desenvolvimento de acelerômetros do tipo MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), ambos financiados pela FINEP.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / André Flederico Pereira - Integrante / Dárley Domingos de Almeida - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Carlos Fernando Rondina Mateus - Integrante / Janderson Rocha Rodrigues - Integrante / Diogo de Moura Pedroso - Integrante / Lucas Kriesel Sperotto - Integrante / Liangrid Lutiani da Silva - Integrante / Pricila Pereira Fávero - Integrante.

  • 2010 - 2013

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados, Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Descrição: Este projeto teve dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2010

    Desenvolvimento de software para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores nanoestruturados, Descrição: Este projeto efetuou o desenvolvimento de ferramenta computacional para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores com estruturas de poços e pontos quânticos, visando sua aplicação no desenvolvimento de sensores de infravermelho nanoestruturados. O projeto se insere num esforço para o desenvolvimento da tecnologia para a fabricação e caracterização de sensores de infra-vermelho nanoestruturados no país. Seu foco principal foi o desenvolvimento de uma ferramenta de software para ser utilizada por pesquisadores, alunos e, futuramente, pela iniciativa privada, visto que um dos objetivos do esforço de desenvolvimento de elementos e sistemas sensores é a criação de uma base industrial sólida no país para a produção dos dispositivos e para sua utilização. O projeto complementa o esforço experimental que vem sendo realizado pelo Instituto de Estudos Avançados em colaboração com outras instituições de pesquisa do país. Foram abordadas estruturas com poços, fios e pontos quânticos. No caso de poços quânticos foram implementados cálculos autoconsistentes (efeito do potencial elétrico gerado por elétrons e íons da camada de depleção nas funções de onda nos poços e nas forças de oscilador) e um método de otimização baseado em algoritmos genéticos. No caso de pontos quânticos foi complementada a implementação de cálculos de pontos quânticos isolados imersos em estruturas de poços quânticos. Nos desenvolvimentos propostos foi utilizado o pacote de desenvolvimento denominado SDK-LEVSOFT desenvolvido pelo grupo em projetos anteriores. O pacote é uma biblioteca de classes com ferramentas para o uso do Método dos Elementos Finitos nas aproximações unidimensional e bidimensional, e heurísticas para a otimização de dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Luis Carlos Ogando Dacal - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Onofre Félix de Lima Neto - Integrante / Stephan Stephany - Integrante.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Patricia Lustoza de Souza em 15/12/2017., Descrição: O projeto teve por objetivos dar seqüência ao desenvolvimento da tecnologia de produção de sensores de infravermelho a poços e pontos quânticos, com vistas a aplicações civis e militares. Também será desenvolvida a tecnologia de produção de sensores bicromáticos com tecnologia híbrida QWIP e banda-banda (InGaAs).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utiliando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente. Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas. Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante / José Maria Villas-Boas - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2017 - Atual

    Desenvolviemnto de Processos de Fabricação de Matrizes de Sensores de Infravermelho, Descrição: O presente projeto de bolsa de pesquisa no exterior visa complementar o desenvolvimento de tecnologias de fabricação de sensores de infravermelho que vem sendo efetuado por uma rede de instituições de ensino e pesquisa no Brasil, adquirindo competência em uma etapa que atualmente não é possível executar no país. As tecnologias para sensores de infravermelho que vêm sendo desenvolvidas são as de sensores a poços quânticos, QWIP, sensores a pontos quânticos, QDIP, fotodiodos de InGaAs, e sensores biespectrais, com tecnologia mista. O principal gargalo atual para a obtenção de matrizes de sensores, prontas para serem inseridas no plano focal de um sistema óptico, FPA, está na infraestrutura necessária para o processamento do cristal semicondutor após o crescimento epitaxial, a conexão da matriz de sensores com uma matriz de pré-amplificadores de leitura, e o processo subsequente de enrijecimento da conexão, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. A universidade escolhida possui um grupo ativo e reconhecido na área de desenvolvimento de sensores de infravermelho, com toda a infraestrutura necessária à fabricação das FPAs. O trabalho de um ano focará no domínio das técnicas de processamento dos cristais semicondutores gerando as matrizes de sensores, no processo de conexão das matrizes de sensores às de pré-amplificadores de leitura, preenchimento dos espaços vazios entre as matrizes, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. Serão processados tanto substratos crescidos na própria universidade, quanto crescidos no Brasil, gerando a desejada comparação do desempenho das matrizes. Além das tecnologias já abordadas na rede de pesquisa nacional, o pesquisador também desenvolverá trabalhos com sensores de infravermelho que utilizam superredes do tipo II, tecnologia apontada como tendo potencial para tornar-se a nova tecnologia dominante, mas que ainda encontra significativos desafios, especialmente no processamento para gerar as matrizes.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Sanjay Krishna - Integrante.

  • 2013 - 2015

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2011 - Atual

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, subprojeto Sensores de infravermelho nanoestruturados, Descrição: Este projeto possui 3 subprojetos, sendo que este pesquisador coordena o subprojeto: Sensores de infravermelho nanoestruturados. Este subprojeto tem por objetivo: -Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos. -Obter e aprimorar a uniformidade de resposta matrizes de sensores a poços quânticos. -Avançar no desenvolvimento de sensores a pontos quânticos. -Obter sensores monolíticos biespectrais com tecnologia híbrida.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2010 - 2014

    Desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais, Descrição: O objetivo deste projeto foi contribuir com a formação de Recursos Humanos qualificado para o esforço nacional de desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais. Os dispositivos de interesse imediato são sensores de infravermelho nanoestruturados, com aplicação para a monitoração do território nacional a partir do espaço e acelerômetros de estado sólido, um sistema microeletromecanico aplicável a sistemas inerciais aeroespaciais. A tecnologia de sensores de infravermelho nanoestruturados está em franca evolução e com grande potencial de uso para aplicações de monitoração do planeta a partir do espaço, sistemas para monitoração de saúde de veículos, sistemas para observação astronômica, dentre outros. Neste tema, o IEAv está inserido em um Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia, cujo principal foco é o desenvolvimento desses sensores com tecnologia completamente nacional, o DISSE. Além disso, o Brasil vem investindo muito em tecnologias para uso espacial, mas ainda existe uma deficiência em sistemas de controle. Um dos projetos mais importantes no âmbito da FINEP, o SIA (Sistemas Inerciais Aeroespaciais), está focado nesse tema, e o desenvolvimento de acelerômetros de estado sólido com tecnologia nacional vem ao encontro desse objetivo, com a nacionalização da tecnologia de um acelerômetro com tecnologia MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), dispositivos de pequeno porte, robustos e confiáveis. As bolsas deverão contribuir para a execução de dois projetos de interesse do setor aeroespacial, o projeto IMAGE, para o desenvolvimento de sensores de infravermelho (classificado como estratégico pelo COMAER), e o projeto ACELERAD para o desenvolvimento de acelerômetros do tipo MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), ambos financiados pela FINEP.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / André Flederico Pereira - Integrante / Dárley Domingos de Almeida - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Carlos Fernando Rondina Mateus - Integrante / Janderson Rocha Rodrigues - Integrante / Diogo de Moura Pedroso - Integrante / Lucas Kriesel Sperotto - Integrante / Liangrid Lutiani da Silva - Integrante / Pricila Pereira Fávero - Integrante.

  • 2010 - 2013

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados, Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Descrição: Este projeto teve dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2010

    Desenvolvimento de software para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores nanoestruturados, Descrição: Este projeto efetuou o desenvolvimento de ferramenta computacional para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores com estruturas de poços e pontos quânticos, visando sua aplicação no desenvolvimento de sensores de infravermelho nanoestruturados. O projeto se insere num esforço para o desenvolvimento da tecnologia para a fabricação e caracterização de sensores de infra-vermelho nanoestruturados no país. Seu foco principal foi o desenvolvimento de uma ferramenta de software para ser utilizada por pesquisadores, alunos e, futuramente, pela iniciativa privada, visto que um dos objetivos do esforço de desenvolvimento de elementos e sistemas sensores é a criação de uma base industrial sólida no país para a produção dos dispositivos e para sua utilização. O projeto complementa o esforço experimental que vem sendo realizado pelo Instituto de Estudos Avançados em colaboração com outras instituições de pesquisa do país. Foram abordadas estruturas com poços, fios e pontos quânticos. No caso de poços quânticos foram implementados cálculos autoconsistentes (efeito do potencial elétrico gerado por elétrons e íons da camada de depleção nas funções de onda nos poços e nas forças de oscilador) e um método de otimização baseado em algoritmos genéticos. No caso de pontos quânticos foi complementada a implementação de cálculos de pontos quânticos isolados imersos em estruturas de poços quânticos. Nos desenvolvimentos propostos foi utilizado o pacote de desenvolvimento denominado SDK-LEVSOFT desenvolvido pelo grupo em projetos anteriores. O pacote é uma biblioteca de classes com ferramentas para o uso do Método dos Elementos Finitos nas aproximações unidimensional e bidimensional, e heurísticas para a otimização de dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Luis Carlos Ogando Dacal - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Onofre Félix de Lima Neto - Integrante / Stephan Stephany - Integrante.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Patricia Lustoza de Souza em 15/12/2017., Descrição: O projeto teve por objetivos dar seqüência ao desenvolvimento da tecnologia de produção de sensores de infravermelho a poços e pontos quânticos, com vistas a aplicações civis e militares. Também será desenvolvida a tecnologia de produção de sensores bicromáticos com tecnologia híbrida QWIP e banda-banda (InGaAs).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utiliando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente. Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas. Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante / José Maria Villas-Boas - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2020 - Atual

    DISPOSITIVOS DE FOTODETECÇÃO: CÉLULAS FOTOVOLTAICAS E FOTODETECTORES DE INFRAVERMELHO, Descrição: Um objetivo desse projeto é avançar no desenvolvimento de células de tripla junção no Brasil para aplicações espaciais. Os materiais a serem utilizados são semicondutores III-V. No primeiro caso, o ponto alto da inovação é utilizar poços quânticos múltiplos tensionados para se obter uma camada ativa com energia de gap ideal para a junção pn intermediária de uma célula tripla, visando uma maior eficiência na conversão de energia solar em elétrica. Também, otimizaremos a célula de Ge da estrutura tripla para que se adeque às características da nova célula intermediária. No caso dos fotodetectores de infravermelho o objetivo é fabricar detectores para o SWIR com reduzida corrente de fuga, utilizando tanto a geometria planar que exige difusão de dopantes e processamento sofisticado da estrutura, quanto a passivação por recrescimento. Também será investigada a deposição de filmes antirreflexo para esses detectores pela técnica de sputtering. Além disso, para os QWIPs pretendemos obter fotodetectores que consigam detectar mais de um comprimento de onda a temperatura ambiente. Os objetivos específicos são onze: ? Otimizar a difusão de As e P em Ge. ? Obter uma célula de Ge. ? Otimizar a heteroepitaxia de GaAs sobre substrato de Ge para células solares de tripla junção. ? Aprimorar o balanço de tensão de poços quânticos de InGaAs/InGaP casados com substrato de Ge e/ou GaAs para uso na célula intermediária de uma tripla junção. ? Fabricar a célula de poços quânticos múltiplos. ? Dominar a difusão de Zn em InP para aplicação em SWIR. ? Desenvolver um fotodetector de InGaAs/InP de baixa corrente reversa para a faixa do SWIR em geometria plana. ? Desenvolver um fotodetector de InGaAs/InP de baixa corrente reversa para a faixa do SWIR com passivação feita por recrescimento. ? Obter filmes antirreflexo sobre substratos de InP depositados por sputtering. ? Obter QWIPs com superrede assimétrica operando de forma dual, detectando dois comprimentos de onda. ? Demonstrar a sintonizabilidade de QWIPs com superrede.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Osvaldo Moraes Braga Filho - Integrante / Eduarda de Proença Rosa Campos - Integrante., Financiador(es): CAPES - Centro Anhanguera de Promoção e Educação Social - Auxílio financeiro.

  • 2018 - Atual

    Desenvolvimento da Capacitação Nacional para Fabricação Matrizes de Sensores de Infravermelho, Descrição: A presente proposta busca contribuir para o estabelecimento da capacidade nacional de produzir matrizes de sensores de infravermelho. As matrizes de sensores abordadas nessa etapa são do tipo fotodiodos de InGaAs. Trata-se da continuidade de um esforço que já vem sendo feito em associação a outras instituições de ensino e pesquisa do país a mais de uma década. Na presente etapa, buscaremos estabelecer, em solo nacional, a capacidade de produção de matrizes até o ponto em que estas devem ser acopladas ao circuito integrado de leitura, ROIC. O acoplamento das matrizes aos ROICs deve ser feito ainda no exterior através de contrato. Também pretende-se avaliar o potencial de novas estruturas de sensores do tipo QWIP, mas não se pretende fabricar matrizes desses sensores nessa etapa.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Osvaldo Moraes Braga Filho - Integrante / Eduarda de Proença Rosa Campos - Integrante., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2017 - 2018

    Desenvolviemnto de Processos de Fabricação de Matrizes de Sensores de Infravermelho, Descrição: O presente projeto de bolsa de pesquisa no exterior visa complementar o desenvolvimento de tecnologias de fabricação de sensores de infravermelho que vem sendo efetuado por uma rede de instituições de ensino e pesquisa no Brasil, adquirindo competência em uma etapa que atualmente não é possível executar no país. As tecnologias para sensores de infravermelho que vêm sendo desenvolvidas são as de sensores a poços quânticos, QWIP, sensores a pontos quânticos, QDIP, fotodiodos de InGaAs, e sensores biespectrais, com tecnologia mista. O principal gargalo atual para a obtenção de matrizes de sensores, prontas para serem inseridas no plano focal de um sistema óptico, FPA, está na infraestrutura necessária para o processamento do cristal semicondutor após o crescimento epitaxial, a conexão da matriz de sensores com uma matriz de pré-amplificadores de leitura, e o processo subsequente de enrijecimento da conexão, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. A universidade escolhida possui um grupo ativo e reconhecido na área de desenvolvimento de sensores de infravermelho, com toda a infraestrutura necessária à fabricação das FPAs. O trabalho de um ano focará no domínio das técnicas de processamento dos cristais semicondutores gerando as matrizes de sensores, no processo de conexão das matrizes de sensores às de pré-amplificadores de leitura, preenchimento dos espaços vazios entre as matrizes, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. Serão processados tanto substratos crescidos na própria universidade, quanto crescidos no Brasil, gerando a desejada comparação do desempenho das matrizes. Além das tecnologias já abordadas na rede de pesquisa nacional, o pesquisador também desenvolverá trabalhos com sensores de infravermelho que utilizam superredes do tipo II, tecnologia apontada como tendo potencial para tornar-se a nova tecnologia dominante, mas que ainda encontra significativos desafios, especialmente no processamento para gerar as matrizes.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Sanjay Krishna - Integrante.

  • 2013 - 2015

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2011 - Atual

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, subprojeto Sensores de infravermelho nanoestruturados, Descrição: Este projeto possui 3 subprojetos, sendo que este pesquisador coordena o subprojeto: Sensores de infravermelho nanoestruturados. Este subprojeto tem por objetivo: -Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos. -Obter e aprimorar a uniformidade de resposta matrizes de sensores a poços quânticos. -Avançar no desenvolvimento de sensores a pontos quânticos. -Obter sensores monolíticos biespectrais com tecnologia híbrida.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Osvaldo Moraes Braga Filho - Integrante / Raquel Martins Villela Nunes - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2010 - 2014

    Desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais, Descrição: O objetivo deste projeto foi contribuir com a formação de Recursos Humanos qualificado para o esforço nacional de desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais. Os dispositivos de interesse imediato são sensores de infravermelho nanoestruturados, com aplicação para a monitoração do território nacional a partir do espaço e acelerômetros de estado sólido, um sistema microeletromecanico aplicável a sistemas inerciais aeroespaciais. A tecnologia de sensores de infravermelho nanoestruturados está em franca evolução e com grande potencial de uso para aplicações de monitoração do planeta a partir do espaço, sistemas para monitoração de saúde de veículos, sistemas para observação astronômica, dentre outros. Neste tema, o IEAv está inserido em um Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia, cujo principal foco é o desenvolvimento desses sensores com tecnologia completamente nacional, o DISSE. Além disso, o Brasil vem investindo muito em tecnologias para uso espacial, mas ainda existe uma deficiência em sistemas de controle. Um dos projetos mais importantes no âmbito da FINEP, o SIA (Sistemas Inerciais Aeroespaciais), está focado nesse tema, e o desenvolvimento de acelerômetros de estado sólido com tecnologia nacional vem ao encontro desse objetivo, com a nacionalização da tecnologia de um acelerômetro com tecnologia MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), dispositivos de pequeno porte, robustos e confiáveis. As bolsas deverão contribuir para a execução de dois projetos de interesse do setor aeroespacial, o projeto IMAGE, para o desenvolvimento de sensores de infravermelho (classificado como estratégico pelo COMAER), e o projeto ACELERAD para o desenvolvimento de acelerômetros do tipo MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), ambos financiados pela FINEP.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / André Flederico Pereira - Integrante / Dárley Domingos de Almeida - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Carlos Fernando Rondina Mateus - Integrante / Janderson Rocha Rodrigues - Integrante / Diogo de Moura Pedroso - Integrante / Lucas Kriesel Sperotto - Integrante / Liangrid Lutiani da Silva - Integrante / Pricila Pereira Fávero - Integrante.

  • 2010 - 2013

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados, Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Descrição: Este projeto teve dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2010

    Desenvolvimento de software para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores nanoestruturados, Descrição: Este projeto efetuou o desenvolvimento de ferramenta computacional para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores com estruturas de poços e pontos quânticos, visando sua aplicação no desenvolvimento de sensores de infravermelho nanoestruturados. O projeto se insere num esforço para o desenvolvimento da tecnologia para a fabricação e caracterização de sensores de infra-vermelho nanoestruturados no país. Seu foco principal foi o desenvolvimento de uma ferramenta de software para ser utilizada por pesquisadores, alunos e, futuramente, pela iniciativa privada, visto que um dos objetivos do esforço de desenvolvimento de elementos e sistemas sensores é a criação de uma base industrial sólida no país para a produção dos dispositivos e para sua utilização. O projeto complementa o esforço experimental que vem sendo realizado pelo Instituto de Estudos Avançados em colaboração com outras instituições de pesquisa do país. Foram abordadas estruturas com poços, fios e pontos quânticos. No caso de poços quânticos foram implementados cálculos autoconsistentes (efeito do potencial elétrico gerado por elétrons e íons da camada de depleção nas funções de onda nos poços e nas forças de oscilador) e um método de otimização baseado em algoritmos genéticos. No caso de pontos quânticos foi complementada a implementação de cálculos de pontos quânticos isolados imersos em estruturas de poços quânticos. Nos desenvolvimentos propostos foi utilizado o pacote de desenvolvimento denominado SDK-LEVSOFT desenvolvido pelo grupo em projetos anteriores. O pacote é uma biblioteca de classes com ferramentas para o uso do Método dos Elementos Finitos nas aproximações unidimensional e bidimensional, e heurísticas para a otimização de dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Luis Carlos Ogando Dacal - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Onofre Félix de Lima Neto - Integrante / Stephan Stephany - Integrante.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Patricia Lustoza de Souza em 15/12/2017., Descrição: O projeto teve por objetivos dar seqüência ao desenvolvimento da tecnologia de produção de sensores de infravermelho a poços e pontos quânticos, com vistas a aplicações civis e militares. Também será desenvolvida a tecnologia de produção de sensores bicromáticos com tecnologia híbrida QWIP e banda-banda (InGaAs).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utiliando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente. Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas. Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante / José Maria Villas-Boas - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2020 - Atual

    DISPOSITIVOS DE FOTODETECÇÃO: CÉLULAS FOTOVOLTAICAS E FOTODETECTORES DE INFRAVERMELHO, Descrição: Um objetivo desse projeto é avançar no desenvolvimento de células de tripla junção no Brasil para aplicações espaciais. Os materiais a serem utilizados são semicondutores III-V. No primeiro caso, o ponto alto da inovação é utilizar poços quânticos múltiplos tensionados para se obter uma camada ativa com energia de gap ideal para a junção pn intermediária de uma célula tripla, visando uma maior eficiência na conversão de energia solar em elétrica. Também, otimizaremos a célula de Ge da estrutura tripla para que se adeque às características da nova célula intermediária. No caso dos fotodetectores de infravermelho o objetivo é fabricar detectores para o SWIR com reduzida corrente de fuga, utilizando tanto a geometria planar que exige difusão de dopantes e processamento sofisticado da estrutura, quanto a passivação por recrescimento. Também será investigada a deposição de filmes antirreflexo para esses detectores pela técnica de sputtering. Além disso, para os QWIPs pretendemos obter fotodetectores que consigam detectar mais de um comprimento de onda a temperatura ambiente. Os objetivos específicos são onze: ? Otimizar a difusão de As e P em Ge. ? Obter uma célula de Ge. ? Otimizar a heteroepitaxia de GaAs sobre substrato de Ge para células solares de tripla junção. ? Aprimorar o balanço de tensão de poços quânticos de InGaAs/InGaP casados com substrato de Ge e/ou GaAs para uso na célula intermediária de uma tripla junção. ? Fabricar a célula de poços quânticos múltiplos. ? Dominar a difusão de Zn em InP para aplicação em SWIR. ? Desenvolver um fotodetector de InGaAs/InP de baixa corrente reversa para a faixa do SWIR em geometria plana. ? Desenvolver um fotodetector de InGaAs/InP de baixa corrente reversa para a faixa do SWIR com passivação feita por recrescimento. ? Obter filmes antirreflexo sobre substratos de InP depositados por sputtering. ? Obter QWIPs com superrede assimétrica operando de forma dual, detectando dois comprimentos de onda. ? Demonstrar a sintonizabilidade de QWIPs com superrede.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Osvaldo Moraes Braga Filho - Integrante / Eduarda de Proença Rosa Campos - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.

  • 2018 - Atual

    Desenvolvimento da Capacitação Nacional para Fabricação Matrizes de Sensores de Infravermelho, Descrição: A presente proposta busca contribuir para o estabelecimento da capacidade nacional de produzir matrizes de sensores de infravermelho. As matrizes de sensores abordadas nessa etapa são do tipo fotodiodos de InGaAs. Trata-se da continuidade de um esforço que já vem sendo feito em associação a outras instituições de ensino e pesquisa do país a mais de uma década. Na presente etapa, buscaremos estabelecer, em solo nacional, a capacidade de produção de matrizes até o ponto em que estas devem ser acopladas ao circuito integrado de leitura, ROIC. O acoplamento das matrizes aos ROICs deve ser feito ainda no exterior através de contrato. Também pretende-se avaliar o potencial de novas estruturas de sensores do tipo QWIP, mas não se pretende fabricar matrizes desses sensores nessa etapa.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Osvaldo Moraes Braga Filho - Integrante / Eduarda de Proença Rosa Campos - Integrante., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2017 - 2018

    Desenvolviemnto de Processos de Fabricação de Matrizes de Sensores de Infravermelho, Descrição: O presente projeto de bolsa de pesquisa no exterior visa complementar o desenvolvimento de tecnologias de fabricação de sensores de infravermelho que vem sendo efetuado por uma rede de instituições de ensino e pesquisa no Brasil, adquirindo competência em uma etapa que atualmente não é possível executar no país. As tecnologias para sensores de infravermelho que vêm sendo desenvolvidas são as de sensores a poços quânticos, QWIP, sensores a pontos quânticos, QDIP, fotodiodos de InGaAs, e sensores biespectrais, com tecnologia mista. O principal gargalo atual para a obtenção de matrizes de sensores, prontas para serem inseridas no plano focal de um sistema óptico, FPA, está na infraestrutura necessária para o processamento do cristal semicondutor após o crescimento epitaxial, a conexão da matriz de sensores com uma matriz de pré-amplificadores de leitura, e o processo subsequente de enrijecimento da conexão, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. A universidade escolhida possui um grupo ativo e reconhecido na área de desenvolvimento de sensores de infravermelho, com toda a infraestrutura necessária à fabricação das FPAs. O trabalho de um ano focará no domínio das técnicas de processamento dos cristais semicondutores gerando as matrizes de sensores, no processo de conexão das matrizes de sensores às de pré-amplificadores de leitura, preenchimento dos espaços vazios entre as matrizes, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. Serão processados tanto substratos crescidos na própria universidade, quanto crescidos no Brasil, gerando a desejada comparação do desempenho das matrizes. Além das tecnologias já abordadas na rede de pesquisa nacional, o pesquisador também desenvolverá trabalhos com sensores de infravermelho que utilizam superredes do tipo II, tecnologia apontada como tendo potencial para tornar-se a nova tecnologia dominante, mas que ainda encontra significativos desafios, especialmente no processamento para gerar as matrizes.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Sanjay Krishna - Integrante.

  • 2013 - 2015

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2011 - Atual

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, subprojeto Sensores de infravermelho nanoestruturados, Descrição: Este projeto possui 3 subprojetos, sendo que este pesquisador coordena o subprojeto: Sensores de infravermelho nanoestruturados. Este subprojeto tem por objetivo: -Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos. -Obter e aprimorar a uniformidade de resposta matrizes de sensores a poços quânticos. -Avançar no desenvolvimento de sensores a pontos quânticos. -Obter sensores monolíticos biespectrais com tecnologia híbrida.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Osvaldo Moraes Braga Filho - Integrante / Raquel Martins Villela Nunes - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2010 - 2014

    Desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais, Descrição: O objetivo deste projeto foi contribuir com a formação de Recursos Humanos qualificado para o esforço nacional de desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais. Os dispositivos de interesse imediato são sensores de infravermelho nanoestruturados, com aplicação para a monitoração do território nacional a partir do espaço e acelerômetros de estado sólido, um sistema microeletromecanico aplicável a sistemas inerciais aeroespaciais. A tecnologia de sensores de infravermelho nanoestruturados está em franca evolução e com grande potencial de uso para aplicações de monitoração do planeta a partir do espaço, sistemas para monitoração de saúde de veículos, sistemas para observação astronômica, dentre outros. Neste tema, o IEAv está inserido em um Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia, cujo principal foco é o desenvolvimento desses sensores com tecnologia completamente nacional, o DISSE. Além disso, o Brasil vem investindo muito em tecnologias para uso espacial, mas ainda existe uma deficiência em sistemas de controle. Um dos projetos mais importantes no âmbito da FINEP, o SIA (Sistemas Inerciais Aeroespaciais), está focado nesse tema, e o desenvolvimento de acelerômetros de estado sólido com tecnologia nacional vem ao encontro desse objetivo, com a nacionalização da tecnologia de um acelerômetro com tecnologia MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), dispositivos de pequeno porte, robustos e confiáveis. As bolsas deverão contribuir para a execução de dois projetos de interesse do setor aeroespacial, o projeto IMAGE, para o desenvolvimento de sensores de infravermelho (classificado como estratégico pelo COMAER), e o projeto ACELERAD para o desenvolvimento de acelerômetros do tipo MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), ambos financiados pela FINEP.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / André Flederico Pereira - Integrante / Dárley Domingos de Almeida - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Carlos Fernando Rondina Mateus - Integrante / Janderson Rocha Rodrigues - Integrante / Diogo de Moura Pedroso - Integrante / Lucas Kriesel Sperotto - Integrante / Liangrid Lutiani da Silva - Integrante / Pricila Pereira Fávero - Integrante.

  • 2010 - 2013

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados, Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Descrição: Este projeto teve dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2010

    Desenvolvimento de software para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores nanoestruturados, Descrição: Este projeto efetuou o desenvolvimento de ferramenta computacional para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores com estruturas de poços e pontos quânticos, visando sua aplicação no desenvolvimento de sensores de infravermelho nanoestruturados. O projeto se insere num esforço para o desenvolvimento da tecnologia para a fabricação e caracterização de sensores de infra-vermelho nanoestruturados no país. Seu foco principal foi o desenvolvimento de uma ferramenta de software para ser utilizada por pesquisadores, alunos e, futuramente, pela iniciativa privada, visto que um dos objetivos do esforço de desenvolvimento de elementos e sistemas sensores é a criação de uma base industrial sólida no país para a produção dos dispositivos e para sua utilização. O projeto complementa o esforço experimental que vem sendo realizado pelo Instituto de Estudos Avançados em colaboração com outras instituições de pesquisa do país. Foram abordadas estruturas com poços, fios e pontos quânticos. No caso de poços quânticos foram implementados cálculos autoconsistentes (efeito do potencial elétrico gerado por elétrons e íons da camada de depleção nas funções de onda nos poços e nas forças de oscilador) e um método de otimização baseado em algoritmos genéticos. No caso de pontos quânticos foi complementada a implementação de cálculos de pontos quânticos isolados imersos em estruturas de poços quânticos. Nos desenvolvimentos propostos foi utilizado o pacote de desenvolvimento denominado SDK-LEVSOFT desenvolvido pelo grupo em projetos anteriores. O pacote é uma biblioteca de classes com ferramentas para o uso do Método dos Elementos Finitos nas aproximações unidimensional e bidimensional, e heurísticas para a otimização de dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Luis Carlos Ogando Dacal - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Onofre Félix de Lima Neto - Integrante / Stephan Stephany - Integrante.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Patricia Lustoza de Souza em 15/12/2017., Descrição: O projeto teve por objetivos dar seqüência ao desenvolvimento da tecnologia de produção de sensores de infravermelho a poços e pontos quânticos, com vistas a aplicações civis e militares. Também será desenvolvida a tecnologia de produção de sensores bicromáticos com tecnologia híbrida QWIP e banda-banda (InGaAs).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utiliando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente. Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas. Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante / José Maria Villas-Boas - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2021 - Atual

    Desenvolvimento de Processos de Fabricação de FPAS de InGaAs em Solo Nacional, FPASWIR, Descrição: Esse projeto visa o desenvolvimento de processos de fabricação de matrizes de fotodetectores de infravermelho para a faixa entre 0.9 e 1.7 microns, denominada SWIR, de InGaAs em solo nacional. Trata-se de um projeto desafiador pois as diferentes etapas envolvidas no processamento desse material para a confecção dos dispositivos são bastante sofisticadas. A ideia nesse projeto é utilizar infraestrutura existente para demonstrar a viabilidade de se produzir essa estratégica família de dispositivos no país e, a partir daí, não só nos tornar aptos a produzir tais componentes em maior escala numa infraestrutura futura específica, como nos colocar na vanguarda da detecção infravermelha.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Técnico de nível médio: (0) Graduação: (0) / Mestrado acadêmico: (4) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (3) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Luciana Dornelas Pinto - Integrante / Germano Maioli Penello - Integrante / Osvaldo Moraes Braga Filho - Integrante / Raquel Martins Villela Nunes - Integrante / Patricia Lustoza de Souza - Coordenador / Rudy Massami Sakamoto Kawabata - Integrante / Audrey Roberto Silva - Integrante / Marcos Vinícius Puydinger dos Santos - Integrante / José Alexandre Diniz - Integrante / Elaine Nunes Nascimento - Integrante / Marcelo Lessa - Integrante / Fabiano Rodrigo Borges - Integrante / Marcelo Gomes Rua - Integrante / Paulo Herique Pereira - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.Número de orientações: 5

  • 2020 - Atual

    Desenvolvimento de Matrizes de Sensores de Infravermelho para a Defesa, Descrição: O projeto visa estabelecer um processo de fabricação de matrizes de fotodiodos de InGaAs em solo nacional, utilizando-se infraestrutura e competência existentes em instituições acadêmicas. Será necessário adequar a infraestrutura dessas instituições.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (4) Doutorado: (3) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Nancy Mieko Abe - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Osvaldo Moraes Braga Filho - Integrante / Raquel Martins Villela Nunes - Integrante., Número de orientações: 4

  • 2020 - Atual

    DISPOSITIVOS DE FOTODETECÇÃO: CÉLULAS FOTOVOLTAICAS E FOTODETECTORES DE INFRAVERMELHO, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Patricia Lustoza de Souza em 16/09/2021., Descrição: Um objetivo desse projeto é avançar no desenvolvimento de células de tripla junção no Brasil para aplicações espaciais. Os materiais a serem utilizados são semicondutores III-V. No primeiro caso, o ponto alto da inovação é utilizar poços quânticos múltiplos tensionados para se obter uma camada ativa com energia de gap ideal para a junção pn intermediária de uma célula tripla, visando uma maior eficiência na conversão de energia solar em elétrica. Também, otimizaremos a célula de Ge da estrutura tripla para que se adeque às características da nova célula intermediária. No caso dos fotodetectores de infravermelho o objetivo é fabricar detectores para o SWIR com reduzida corrente de fuga, utilizando tanto a geometria planar que exige difusão de dopantes e processamento sofisticado da estrutura, quanto a passivação por recrescimento. Também será investigada a deposição de filmes antirreflexo para esses detectores pela técnica de sputtering. Além disso, para os QWIPs pretendemos obter fotodetectores que consigam detectar mais de um comprimento de onda a temperatura ambiente. Os objetivos específicos são onze: ? Otimizar a difusão de As e P em Ge. ? Obter uma célula de Ge. ? Otimizar a heteroepitaxia de GaAs sobre substrato de Ge para células solares de tripla junção. ? Aprimorar o balanço de tensão de poços quânticos de InGaAs/InGaP casados com substrato de Ge e/ou GaAs para uso na célula intermediária de uma tripla junção. ? Fabricar a célula de poços quânticos múltiplos. ? Dominar a difusão de Zn em InP para aplicação em SWIR. ? Desenvolver um fotodetector de InGaAs/InP de baixa corrente reversa para a faixa do SWIR em geometria plana. ? Desenvolver um fotodetector de InGaAs/InP de baixa corrente reversa para a faixa do SWIR com passivação feita por recrescimento. ? Obter filmes antirreflexo sobre substratos de InP depositados por sputtering. ? Obter QWIPs com superrede assimétrica operando de forma dual, detectando dois comprimentos de onda. ? Demonstrar a sintonizabilidade de QWIPs com superrede.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Osvaldo Moraes Braga Filho - Integrante / Eduarda de Proença Rosa Campos - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.Número de orientações: 3

  • 2020 - Atual

    Análise dos espectros de reflexão de minerais do amazonas para especificação de uma câmera de infravermelho brasileira para mineração industrial, Descrição: O desenvolvimento da indústria mineradora no país precisa levar em conta os novos recursos minerais presentes em áreas remotas como no interior do estado do Amazonas, e para isso é necessário investimentos em prospecção e desenvolvimento de tecnologias de análise mineral. Uma tecnologia bastante conhecida e utilizada para análise de minerais é a espectroscopia de reflexão no infravermelho próximo (NIRS). Neste caso, o infravermelho próximo é entendido como a faixa espectral de 780 nm a 2.500 nm. Esta técnica tem obtido grande destaque por permitir que o espectrômetro sejam construídos equipamento de escala laboratorial e também portáteis, e o fato das atuais tecnologias permitirem um equipamento NIRS projetado para ser compacto permite que seja deslocado para o campo de mineração para realização de análises in loco. Atualmente existe no mercado equipamentos para realização de NIRS de modo remoto, no contexto da mineração em campo, na faixa de $ 40 mil. Possibilitando a realização medições com qualidade, confiabilidade, e rapidez permitindo definir limites geológicos em tempo real, garantindo economia de recursos financeiro das empresas, e um melhor planejamento na escolha da localização das minas e das perfurações para extração de minérios. A técnica necessita da existência de uma ampla biblioteca espectral das amostras minerais de interesse para se tornar viável e ser possível realizar uma análise espectral confiável. Este projeto tem por objetivo realizar um estudo preliminar dos espectros de reflexão dos principais minérios de interesse das indústrias de mineração do Amazonas, obtendo domínio científico de como realizar com eficiência a caracterização destes minerais por meio destes espectros. espera-se desenvolver um sistema de geoinformação destinado ao acesso e à visualização dos dados coletados em campo em cada uma das mineradoras visitadas. Para cada uma delas, serão apresentados os dados coletados, os minerais de interesse, a localização e informações relevantes sobre os minerais que forem obtidas ao longo dos testes em laboratório. Além disso, as fichas de campo e medições em laboratório também serão compartilhadas, seguindo as premissas do Open Science. Nossa meta é ao final do projeto definir os quesitos necessários para subsidiar o futuro desenvolvimento de um equipamento portátil e com tecnologia nacional para análise em campo de minérios. E neste percurso gerar conhecimento a respeito dos espectros de reflexão específicos dos minerais do estado.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante / Tiago Gonçalves Santos - Coordenador / Adriano Pereira Guilherme - Integrante / Márcio Antônio Couto Ferreira - Integrante / Jean Felipe Silva de Abreu - Integrante / Rogério da Silva Auanario - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo a Pesquisa do Estado do Amazonas - Auxílio financeiro.

  • 2018 - 2020

    Desenvolvimento da Capacitação Nacional para Fabricação Matrizes de Sensores de Infravermelho, Descrição: A presente proposta busca contribuir para o estabelecimento da capacidade nacional de produzir matrizes de sensores de infravermelho. As matrizes de sensores abordadas nessa etapa são do tipo fotodiodos de InGaAs. Trata-se da continuidade de um esforço que já vem sendo feito em associação a outras instituições de ensino e pesquisa do país a mais de uma década. Na presente etapa, buscaremos estabelecer, em solo nacional, a capacidade de produção de matrizes até o ponto em que estas devem ser acopladas ao circuito integrado de leitura, ROIC. O acoplamento das matrizes aos ROICs deve ser feito ainda no exterior através de contrato. Também pretende-se avaliar o potencial de novas estruturas de sensores do tipo QWIP, mas não se pretende fabricar matrizes desses sensores nessa etapa.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Osvaldo Moraes Braga Filho - Integrante / Eduarda de Proença Rosa Campos - Integrante., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2017 - 2018

    Desenvolviemnto de Processos de Fabricação de Matrizes de Sensores de Infravermelho, Descrição: O presente projeto de bolsa de pesquisa no exterior visa complementar o desenvolvimento de tecnologias de fabricação de sensores de infravermelho que vem sendo efetuado por uma rede de instituições de ensino e pesquisa no Brasil, adquirindo competência em uma etapa que atualmente não é possível executar no país. As tecnologias para sensores de infravermelho que vêm sendo desenvolvidas são as de sensores a poços quânticos, QWIP, sensores a pontos quânticos, QDIP, fotodiodos de InGaAs, e sensores biespectrais, com tecnologia mista. O principal gargalo atual para a obtenção de matrizes de sensores, prontas para serem inseridas no plano focal de um sistema óptico, FPA, está na infraestrutura necessária para o processamento do cristal semicondutor após o crescimento epitaxial, a conexão da matriz de sensores com uma matriz de pré-amplificadores de leitura, e o processo subsequente de enrijecimento da conexão, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. A universidade escolhida possui um grupo ativo e reconhecido na área de desenvolvimento de sensores de infravermelho, com toda a infraestrutura necessária à fabricação das FPAs. O trabalho de um ano focará no domínio das técnicas de processamento dos cristais semicondutores gerando as matrizes de sensores, no processo de conexão das matrizes de sensores às de pré-amplificadores de leitura, preenchimento dos espaços vazios entre as matrizes, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. Serão processados tanto substratos crescidos na própria universidade, quanto crescidos no Brasil, gerando a desejada comparação do desempenho das matrizes. Além das tecnologias já abordadas na rede de pesquisa nacional, o pesquisador também desenvolverá trabalhos com sensores de infravermelho que utilizam superredes do tipo II, tecnologia apontada como tendo potencial para tornar-se a nova tecnologia dominante, mas que ainda encontra significativos desafios, especialmente no processamento para gerar as matrizes.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Sanjay Krishna - Integrante.

  • 2013 - 2015

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2011 - 2022

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, subprojeto Sensores de infravermelho nanoestruturados, Descrição: Este projeto possui 3 subprojetos, sendo que este pesquisador coordena o subprojeto: Sensores de infravermelho nanoestruturados. Este subprojeto tem por objetivo: -Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos. -Obter e aprimorar a uniformidade de resposta matrizes de sensores a poços quânticos. -Avançar no desenvolvimento de sensores a pontos quânticos. -Obter sensores monolíticos biespectrais com tecnologia híbrida.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Osvaldo Moraes Braga Filho - Integrante / Raquel Martins Villela Nunes - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2010 - 2014

    Desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais, Descrição: O objetivo deste projeto foi contribuir com a formação de Recursos Humanos qualificado para o esforço nacional de desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais. Os dispositivos de interesse imediato são sensores de infravermelho nanoestruturados, com aplicação para a monitoração do território nacional a partir do espaço e acelerômetros de estado sólido, um sistema microeletromecanico aplicável a sistemas inerciais aeroespaciais. A tecnologia de sensores de infravermelho nanoestruturados está em franca evolução e com grande potencial de uso para aplicações de monitoração do planeta a partir do espaço, sistemas para monitoração de saúde de veículos, sistemas para observação astronômica, dentre outros. Neste tema, o IEAv está inserido em um Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia, cujo principal foco é o desenvolvimento desses sensores com tecnologia completamente nacional, o DISSE. Além disso, o Brasil vem investindo muito em tecnologias para uso espacial, mas ainda existe uma deficiência em sistemas de controle. Um dos projetos mais importantes no âmbito da FINEP, o SIA (Sistemas Inerciais Aeroespaciais), está focado nesse tema, e o desenvolvimento de acelerômetros de estado sólido com tecnologia nacional vem ao encontro desse objetivo, com a nacionalização da tecnologia de um acelerômetro com tecnologia MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), dispositivos de pequeno porte, robustos e confiáveis. As bolsas deverão contribuir para a execução de dois projetos de interesse do setor aeroespacial, o projeto IMAGE, para o desenvolvimento de sensores de infravermelho (classificado como estratégico pelo COMAER), e o projeto ACELERAD para o desenvolvimento de acelerômetros do tipo MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), ambos financiados pela FINEP.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / André Flederico Pereira - Integrante / Dárley Domingos de Almeida - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Carlos Fernando Rondina Mateus - Integrante / Janderson Rocha Rodrigues - Integrante / Diogo de Moura Pedroso - Integrante / Lucas Kriesel Sperotto - Integrante / Liangrid Lutiani da Silva - Integrante / Pricila Pereira Fávero - Integrante.

  • 2010 - 2013

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados, Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Descrição: Este projeto teve dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2010

    Desenvolvimento de software para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores nanoestruturados, Descrição: Este projeto efetuou o desenvolvimento de ferramenta computacional para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores com estruturas de poços e pontos quânticos, visando sua aplicação no desenvolvimento de sensores de infravermelho nanoestruturados. O projeto se insere num esforço para o desenvolvimento da tecnologia para a fabricação e caracterização de sensores de infra-vermelho nanoestruturados no país. Seu foco principal foi o desenvolvimento de uma ferramenta de software para ser utilizada por pesquisadores, alunos e, futuramente, pela iniciativa privada, visto que um dos objetivos do esforço de desenvolvimento de elementos e sistemas sensores é a criação de uma base industrial sólida no país para a produção dos dispositivos e para sua utilização. O projeto complementa o esforço experimental que vem sendo realizado pelo Instituto de Estudos Avançados em colaboração com outras instituições de pesquisa do país. Foram abordadas estruturas com poços, fios e pontos quânticos. No caso de poços quânticos foram implementados cálculos autoconsistentes (efeito do potencial elétrico gerado por elétrons e íons da camada de depleção nas funções de onda nos poços e nas forças de oscilador) e um método de otimização baseado em algoritmos genéticos. No caso de pontos quânticos foi complementada a implementação de cálculos de pontos quânticos isolados imersos em estruturas de poços quânticos. Nos desenvolvimentos propostos foi utilizado o pacote de desenvolvimento denominado SDK-LEVSOFT desenvolvido pelo grupo em projetos anteriores. O pacote é uma biblioteca de classes com ferramentas para o uso do Método dos Elementos Finitos nas aproximações unidimensional e bidimensional, e heurísticas para a otimização de dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Luis Carlos Ogando Dacal - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Onofre Félix de Lima Neto - Integrante / Stephan Stephany - Integrante.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Patricia Lustoza de Souza em 15/12/2017., Descrição: O projeto teve por objetivos dar seqüência ao desenvolvimento da tecnologia de produção de sensores de infravermelho a poços e pontos quânticos, com vistas a aplicações civis e militares. Também será desenvolvida a tecnologia de produção de sensores bicromáticos com tecnologia híbrida QWIP e banda-banda (InGaAs).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utiliando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente. Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas. Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante / José Maria Villas-Boas - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2024 - Atual

    Desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho, Descrição: Visa-se desenvolver tecnologias de fabricação de sensores de infravermelho e aplicações estratégicas destes, voltadas à observação tática e a ensaios para veículos hipersônicos. Focar-se-á em sensores dos tipos fotodiodos de InGaAs, a pontos quânticos coloidais e de óxido de vanádio recoberto por grafeno.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (2) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Tiago Gonçalves Santos - Integrante / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Sanjay Krishna - Integrante / Luciana Dornelas Pinto - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Patricia Lustoza de Souza - Integrante / Rudy Massami Sakamoto Kawabata - Integrante / José Alexandre Diniz - Integrante / Argemiro Soares da Silva Sobrinho - Integrante / André Luis de Jesus Pereira - Integrante / Douglas Macel Gonçalves Leite - Integrante / Rodrigo Sávio Pessoa - Integrante / Henrique Duarte da Fonseca Filho - Integrante / Eduardo Adriano Cotta - Integrante., Financiador(es): CAPES - Centro Anhanguera de Promoção e Educação Social - Auxílio financeiro.

  • 2021 - Atual

    Desenvolvimento de Processos de Fabricação de FPAS de InGaAs em Solo Nacional, FPASWIR, Descrição: Esse projeto visa o desenvolvimento de processos de fabricação de matrizes de fotodetectores de infravermelho para a faixa entre 0.9 e 1.7 microns, denominada SWIR, de InGaAs em solo nacional. Trata-se de um projeto desafiador pois as diferentes etapas envolvidas no processamento desse material para a confecção dos dispositivos são bastante sofisticadas. A ideia nesse projeto é utilizar infraestrutura existente para demonstrar a viabilidade de se produzir essa estratégica família de dispositivos no país e, a partir daí, não só nos tornar aptos a produzir tais componentes em maior escala numa infraestrutura futura específica, como nos colocar na vanguarda da detecção infravermelha.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Técnico de nível médio: (0) Graduação: (0) / Mestrado acadêmico: (4) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (3) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Luciana Dornelas Pinto - Integrante / Germano Maioli Penello - Integrante / Osvaldo Moraes Braga Filho - Integrante / Raquel Martins Villela Nunes - Integrante / Patricia Lustoza de Souza - Coordenador / Rudy Massami Sakamoto Kawabata - Integrante / Audrey Roberto Silva - Integrante / Marcos Vinícius Puydinger dos Santos - Integrante / José Alexandre Diniz - Integrante / Elaine Nunes Nascimento - Integrante / Marcelo Lessa - Integrante / Fabiano Rodrigo Borges - Integrante / Marcelo Gomes Rua - Integrante / Paulo Herique Pereira - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 3

  • 2020 - Atual

    Desenvolvimento de Matrizes de Sensores de Infravermelho para a Defesa, Descrição: O projeto visa estabelecer um processo de fabricação de matrizes de fotodiodos de InGaAs em solo nacional, utilizando-se infraestrutura e competência existentes em instituições acadêmicas. Será necessário adequar a infraestrutura dessas instituições.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (4) Doutorado: (3) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Nancy Mieko Abe - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Osvaldo Moraes Braga Filho - Integrante / Raquel Martins Villela Nunes - Integrante., Número de produções C, T & A: 2

  • 2020 - Atual

    DISPOSITIVOS DE FOTODETECÇÃO: CÉLULAS FOTOVOLTAICAS E FOTODETECTORES DE INFRAVERMELHO, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Patricia Lustoza de Souza em 16/09/2021., Descrição: Um objetivo desse projeto é avançar no desenvolvimento de células de tripla junção no Brasil para aplicações espaciais. Os materiais a serem utilizados são semicondutores III-V. No primeiro caso, o ponto alto da inovação é utilizar poços quânticos múltiplos tensionados para se obter uma camada ativa com energia de gap ideal para a junção pn intermediária de uma célula tripla, visando uma maior eficiência na conversão de energia solar em elétrica. Também, otimizaremos a célula de Ge da estrutura tripla para que se adeque às características da nova célula intermediária. No caso dos fotodetectores de infravermelho o objetivo é fabricar detectores para o SWIR com reduzida corrente de fuga, utilizando tanto a geometria planar que exige difusão de dopantes e processamento sofisticado da estrutura, quanto a passivação por recrescimento. Também será investigada a deposição de filmes antirreflexo para esses detectores pela técnica de sputtering. Além disso, para os QWIPs pretendemos obter fotodetectores que consigam detectar mais de um comprimento de onda a temperatura ambiente. Os objetivos específicos são onze: ? Otimizar a difusão de As e P em Ge. ? Obter uma célula de Ge. ? Otimizar a heteroepitaxia de GaAs sobre substrato de Ge para células solares de tripla junção. ? Aprimorar o balanço de tensão de poços quânticos de InGaAs/InGaP casados com substrato de Ge e/ou GaAs para uso na célula intermediária de uma tripla junção. ? Fabricar a célula de poços quânticos múltiplos. ? Dominar a difusão de Zn em InP para aplicação em SWIR. ? Desenvolver um fotodetector de InGaAs/InP de baixa corrente reversa para a faixa do SWIR em geometria plana. ? Desenvolver um fotodetector de InGaAs/InP de baixa corrente reversa para a faixa do SWIR com passivação feita por recrescimento. ? Obter filmes antirreflexo sobre substratos de InP depositados por sputtering. ? Obter QWIPs com superrede assimétrica operando de forma dual, detectando dois comprimentos de onda. ? Demonstrar a sintonizabilidade de QWIPs com superrede.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Osvaldo Moraes Braga Filho - Integrante / Eduarda de Proença Rosa Campos - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 1

  • 2020 - Atual

    Análise dos espectros de reflexão de minerais do amazonas para especificação de uma câmera de infravermelho brasileira para mineração industrial, Descrição: O desenvolvimento da indústria mineradora no país precisa levar em conta os novos recursos minerais presentes em áreas remotas como no interior do estado do Amazonas, e para isso é necessário investimentos em prospecção e desenvolvimento de tecnologias de análise mineral. Uma tecnologia bastante conhecida e utilizada para análise de minerais é a espectroscopia de reflexão no infravermelho próximo (NIRS). Neste caso, o infravermelho próximo é entendido como a faixa espectral de 780 nm a 2.500 nm. Esta técnica tem obtido grande destaque por permitir que o espectrômetro sejam construídos equipamento de escala laboratorial e também portáteis, e o fato das atuais tecnologias permitirem um equipamento NIRS projetado para ser compacto permite que seja deslocado para o campo de mineração para realização de análises in loco. Atualmente existe no mercado equipamentos para realização de NIRS de modo remoto, no contexto da mineração em campo, na faixa de $ 40 mil. Possibilitando a realização medições com qualidade, confiabilidade, e rapidez permitindo definir limites geológicos em tempo real, garantindo economia de recursos financeiro das empresas, e um melhor planejamento na escolha da localização das minas e das perfurações para extração de minérios. A técnica necessita da existência de uma ampla biblioteca espectral das amostras minerais de interesse para se tornar viável e ser possível realizar uma análise espectral confiável. Este projeto tem por objetivo realizar um estudo preliminar dos espectros de reflexão dos principais minérios de interesse das indústrias de mineração do Amazonas, obtendo domínio científico de como realizar com eficiência a caracterização destes minerais por meio destes espectros. espera-se desenvolver um sistema de geoinformação destinado ao acesso e à visualização dos dados coletados em campo em cada uma das mineradoras visitadas. Para cada uma delas, serão apresentados os dados coletados, os minerais de interesse, a localização e informações relevantes sobre os minerais que forem obtidas ao longo dos testes em laboratório. Além disso, as fichas de campo e medições em laboratório também serão compartilhadas, seguindo as premissas do Open Science. Nossa meta é ao final do projeto definir os quesitos necessários para subsidiar o futuro desenvolvimento de um equipamento portátil e com tecnologia nacional para análise em campo de minérios. E neste percurso gerar conhecimento a respeito dos espectros de reflexão específicos dos minerais do estado.. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante / Tiago Gonçalves Santos - Coordenador / Adriano Pereira Guilherme - Integrante / Márcio Antônio Couto Ferreira - Integrante / Jean Felipe Silva de Abreu - Integrante / Rogério da Silva Auanario - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo a Pesquisa do Estado do Amazonas - Auxílio financeiro.

  • 2018 - 2020

    Desenvolvimento da Capacitação Nacional para Fabricação Matrizes de Sensores de Infravermelho, Descrição: A presente proposta busca contribuir para o estabelecimento da capacidade nacional de produzir matrizes de sensores de infravermelho. As matrizes de sensores abordadas nessa etapa são do tipo fotodiodos de InGaAs. Trata-se da continuidade de um esforço que já vem sendo feito em associação a outras instituições de ensino e pesquisa do país a mais de uma década. Na presente etapa, buscaremos estabelecer, em solo nacional, a capacidade de produção de matrizes até o ponto em que estas devem ser acopladas ao circuito integrado de leitura, ROIC. O acoplamento das matrizes aos ROICs deve ser feito ainda no exterior através de contrato. Também pretende-se avaliar o potencial de novas estruturas de sensores do tipo QWIP, mas não se pretende fabricar matrizes desses sensores nessa etapa.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (2) Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Osvaldo Moraes Braga Filho - Integrante / Eduarda de Proença Rosa Campos - Integrante., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2017 - 2018

    Desenvolvimento de Processos de Fabricação de Matrizes de Sensores de Infravermelho, Descrição: O presente projeto de bolsa de pesquisa no exterior visa complementar o desenvolvimento de tecnologias de fabricação de sensores de infravermelho que vem sendo efetuado por uma rede de instituições de ensino e pesquisa no Brasil, adquirindo competência em uma etapa que atualmente não é possível executar no país. As tecnologias para sensores de infravermelho que vêm sendo desenvolvidas são as de sensores a poços quânticos, QWIP, sensores a pontos quânticos, QDIP, fotodiodos de InGaAs, e sensores biespectrais, com tecnologia mista. O principal gargalo atual para a obtenção de matrizes de sensores, prontas para serem inseridas no plano focal de um sistema óptico, FPA, está na infraestrutura necessária para o processamento do cristal semicondutor após o crescimento epitaxial, a conexão da matriz de sensores com uma matriz de pré-amplificadores de leitura, e o processo subsequente de enrijecimento da conexão, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. A universidade escolhida possui um grupo ativo e reconhecido na área de desenvolvimento de sensores de infravermelho, com toda a infraestrutura necessária à fabricação das FPAs.O trabalho de um ano focará no domínio das técnicas de processamento dos cristais semicondutores gerando as matrizes de sensores, no processo de conexão das matrizes de sensores às de pré-amplificadores de leitura, preenchimento dos espaços vazios entre as matrizes, afinamento do substrato e deposição de filme antirreflexo. Serão processados tanto substratos crescidos na própria universidade, quanto crescidos no Brasil, gerando a desejada comparação do desempenho das matrizes. Além das tecnologias já abordadas na rede de pesquisa nacional, o pesquisador também desenvolverá trabalhos com sensores de infravermelho que utilizam superredes do tipo II, tecnologia apontada como tendo potencial para tornar-se a nova tecnologia dominante, mas que ainda encontra significativos desafios, especialmente no processamento para gerar as matrizes.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Sanjay Krishna - Integrante., Financiador(es): (FAPESP) Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Bolsa.

  • 2013 - 2015

    Sensores de Infravermelho Convencionais e Nanoestruturados, Descrição: Objetivos - Melhoramento de processos de fabricação de matrizes de InGaAs e de QWIPs. - Investigação de novas estruturas de QWIPs. - Continuidade do desenvolvimento de sensores multiespectrais monolíticos. - Dar continuidade à articulação dos grupos de pesquisa envolvidos com o desenvolvimento de tecnologias para o infravermelho e as empresas nacionais interessadas nessa tecnologia.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2011 - 2022

    Programa de Desenvolvimento de Sensores para Defesa, subprojeto Sensores de infravermelho nanoestruturados, Descrição: Este projeto possui 3 subprojetos, sendo que este pesquisador coordena o subprojeto: Sensores de infravermelho nanoestruturados. Este subprojeto tem por objetivo: -Dar continuidade ao desenvolvimento de sensores de infravermelho utilizando as tecnologias de poços e pontos quânticos. -Obter e aprimorar a uniformidade de resposta matrizes de sensores a poços quânticos. -Avançar no desenvolvimento de sensores a pontos quânticos. -Obter sensores monolíticos biespectrais com tecnologia híbrida.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Maurício Pamplona Pires - Integrante / Ângelo Pássaro - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Ruy Morgado de Castro - Integrante / Cristian Anderson Delfino - Integrante / Osvaldo Moraes Braga Filho - Integrante / Raquel Martins Villela Nunes - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2010 - 2014

    Desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais, Descrição: O objetivo deste projeto foi contribuir com a formação de Recursos Humanos qualificado para o esforço nacional de desenvolvimento de dispositivos semicondutores para aplicações espaciais. Os dispositivos de interesse imediato são sensores de infravermelho nanoestruturados, com aplicação para a monitoração do território nacional a partir do espaço e acelerômetros de estado sólido, um sistema microeletromecanico aplicável a sistemas inerciais aeroespaciais. A tecnologia de sensores de infravermelho nanoestruturados está em franca evolução e com grande potencial de uso para aplicações de monitoração do planeta a partir do espaço, sistemas para monitoração de saúde de veículos, sistemas para observação astronômica, dentre outros. Neste tema, o IEAv está inserido em um Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia, cujo principal foco é o desenvolvimento desses sensores com tecnologia completamente nacional, o DISSE. Além disso, o Brasil vem investindo muito em tecnologias para uso espacial, mas ainda existe uma deficiência em sistemas de controle. Um dos projetos mais importantes no âmbito da FINEP, o SIA (Sistemas Inerciais Aeroespaciais), está focado nesse tema, e o desenvolvimento de acelerômetros de estado sólido com tecnologia nacional vem ao encontro desse objetivo, com a nacionalização da tecnologia de um acelerômetro com tecnologia MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), dispositivos de pequeno porte, robustos e confiáveis. As bolsas deverão contribuir para a execução de dois projetos de interesse do setor aeroespacial, o projeto IMAGE, para o desenvolvimento de sensores de infravermelho (classificado como estratégico pelo COMAER), e o projeto ACELERAD para o desenvolvimento de acelerômetros do tipo MEMS (sistemas micro-eletromecânicos), ambos financiados pela FINEP.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / André Flederico Pereira - Integrante / Dárley Domingos de Almeida - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Carlos Fernando Rondina Mateus - Integrante / Janderson Rocha Rodrigues - Integrante / Diogo de Moura Pedroso - Integrante / Lucas Kriesel Sperotto - Integrante / Liangrid Lutiani da Silva - Integrante / Pricila Pereira Fávero - Integrante., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.

  • 2010 - 2013

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados, Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador., Financiador(es): (CNPq) Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Bolsa.

  • 2008 - 2012

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Nanoestruturados com Transições Intrabanda e Interbanda, Descrição: Este projeto teve dois objetivos básicos: - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes lineares de fotodiodos de InGaAs com comprimento de onda de corte em 1,7 micra. - Desenvolver a tecnologia de produção de pequenas matrizes bidimensionais de sensores de infravermelho de poços quânticos (QWIPs). Este desenvolvimento é uma etapa na produção de matrizes de sensores, FPAs (focal plane arrays), que integram sistemas para geração de imagens no infravermelho termal.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

  • 2008 - 2010

    Desenvolvimento de software para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores nanoestruturados, Descrição: Este projeto efetuou o desenvolvimento de ferramenta computacional para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores com estruturas de poços e pontos quânticos, visando sua aplicação no desenvolvimento de sensores de infravermelho nanoestruturados. O projeto se insere num esforço para o desenvolvimento da tecnologia para a fabricação e caracterização de sensores de infra-vermelho nanoestruturados no país. Seu foco principal foi o desenvolvimento de uma ferramenta de software para ser utilizada por pesquisadores, alunos e, futuramente, pela iniciativa privada, visto que um dos objetivos do esforço de desenvolvimento de elementos e sistemas sensores é a criação de uma base industrial sólida no país para a produção dos dispositivos e para sua utilização. O projeto complementa o esforço experimental que vem sendo realizado pelo Instituto de Estudos Avançados em colaboração com outras instituições de pesquisa do país. Foram abordadas estruturas com poços, fios e pontos quânticos. No caso de poços quânticos foram implementados cálculos autoconsistentes (efeito do potencial elétrico gerado por elétrons e íons da camada de depleção nas funções de onda nos poços e nas forças de oscilador) e um método de otimização baseado em algoritmos genéticos. No caso de pontos quânticos foi complementada a implementação de cálculos de pontos quânticos isolados imersos em estruturas de poços quânticos. Nos desenvolvimentos propostos foi utilizado o pacote de desenvolvimento denominado SDK-LEVSOFT desenvolvido pelo grupo em projetos anteriores. O pacote é uma biblioteca de classes com ferramentas para o uso do Método dos Elementos Finitos nas aproximações unidimensional e bidimensional, e heurísticas para a otimização de dispositivos.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Luis Carlos Ogando Dacal - Integrante / Angelo Passaro - Coordenador / Onofre Félix de Lima Neto - Integrante / Stephan Stephany - Integrante., Financiador(es): (FAPESP) Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro.

  • 2006 - 2010

    Sensores de Infravermelho Baseados em Semicondutores da Família III-V Utilizando Transições Intrabanda (Nanoestruturados) e Interbanda, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Patricia Lustoza de Souza em 15/12/2017., Descrição: O projeto teve por objetivos dar seqüência ao desenvolvimento da tecnologia de produção de sensores de infravermelho a poços e pontos quânticos, com vistas a aplicações civis e militares. Também será desenvolvida a tecnologia de produção de sensores bicromáticos com tecnologia híbrida QWIP e banda-banda (InGaAs).. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Integrante / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Coordenador / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante., Financiador(es): CAPES - Centro Anhanguera de Promoção e Educação Social - Auxílio financeiro.

  • 2004 - 2008

    Desenvolvimento de Sensores de Infravermelho Utilizando a Tecnologia de Poços Quânticos, Descrição: Os sensores de infravermelho a poços quânticos (QWIP) foram desenvolvidos na última década sendo que apenas recentemente os primeiros sensores utilizando essa tecnologia começaram a ser comercializados. Estes sensores envolvem a utilização de compostos da família III-V, cuja tecnologia de processamento apresenta alto grau de maturidade. Esta tecnologia demonstrou-se bastante vantajosa. Os mesmos apresentam alta sensibilidade, capacidade de operação em mais de uma faixa de freqüência de forma simultânea ou alternada (operação multicromática), baixo custo, facilidade de integração com circuitos de leitura, baixa dissipação térmica, baixo tempo de resposta e alta homogeneidade nas matrizes de sensores. Eles podem ser produzidos para operar na janela óptica de 3 a 5 micra (MWIR), na janela óptica de 8 a 14 micra (LWIR), ou em comprimentos de onda ainda maiores (VLWIR), podendo operar em mais de uma janela simultaneamente.Só existem duas tecnologias capazes de produzir sensores de resposta multicromáticas, são os sensores de HgCdTe e os QWIP. Os sensores a HgCdTe, apesar de apresentarem excelente detectividade, envolvem a utilização de materiais perigosos e de difícil manipulação, além de apresentar problemas para a obtenção de matrizes de sensores homogêneas.Os sensores de infravermelho a pontos quânticos (QDIP) são ainda objeto de estudo em todo o mundo, mas são apontados como a provável próxima tecnologia dominante na fabricação de sensores de infravermelho fotônicos. As vantagens potenciais estão tanto no que se refere ao custo quanto ao desempenho.. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (3) Doutorado: (1) . , Integrantes: Gustavo Soares Vieira - Coordenador / Paulo Sérgio Soares Guimarães - Integrante / Patrícia Lustoza de Souza - Integrante / Wagner Nunes Rodrigues - Integrante / Antônio Carlos da Cunha Migliano - Integrante / Nancy Mieko Abe - Integrante / Sandra Marcela Landi - Integrante / Christiana Villas Bôas Tribuzy - Integrante / Luiz Alberto Cury - Integrante / Flávio Orlando Plentz Filho - Integrante / Cesar Boschetti - Integrante / Euclydes Marega Junior - Integrante / José Maria Villas-Boas - Integrante / Nelson Studart - Integrante / Mauricio Pamplona Pires - Integrante / Angelo Passaro - Integrante., Financiador(es): Financiadora de Estudos e Projetos - Auxílio financeiro.

Histórico profissional

Endereço profissional

  • Instituto de Estudos Avançados, Divisão de Física Aplicada. , Trevo Coronel Aviador José Alberto Albano do Amarante, 01, Putim, 12228-001 - Sao Jose dos Campos, SP - Brasil, Telefone: (12) 39475516, Fax: (12) 39441177, URL da Homepage:

Experiência profissional

2020 - Atual

Universidade Federal do Amazonas

Vínculo: , Enquadramento Funcional:

2017 - 2018

Ohio State University

Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Pesquisador Visitante, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Pesquisador visitante com bolsa FAPESP, BPE

2012 - 2013

Associação Parque Tecnológico de São josé dos Campos

Vínculo: , Enquadramento Funcional:

2002 - Atual

Instituto de Estudos Avançados, IEAv

Vínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Pesquisador Titular, Carga horária: 40

Outras informações:
O Instituto de Estudos Avançados (IEAv) é uma Instituição de Ciência e Tecnologia do Ministério da Defesa, subordinada ao Departamento de Ciência e Tecnologia Aeroespacial, DCTA.

Atividades

  • 01/2003

    Pesquisa e desenvolvimento, Divisão de Física Aplicada.,Linhas de pesquisa

2012 - Atual

Instituto Tecnológico de Aeronáutica

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Professor permanente, Carga horária: 16

Outras informações:
Docente Permanente no Programa de Pós Graduação em Ciências e Tecnologias Espaciais do Instituto Tecnológico de Aeronáutica, Curso por Associação de IES tendo o ITA como instituição mãe e com a participação do IEAv e do IAE, ambos institutos do DCTA.

2007 - Atual

Instituto Tecnológico de Aeronáutica

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Professor colaborador, Carga horária: 8

Atividades

  • 01/2012

    Ensino, Ciências e Tecnologias Espaciais, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Física de Dispositivos Semicondutores, Sensores II

1995 - 1996

University of California, Santa Barbara

Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Assistente de Pesquisa, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Trabalho desenvolvido durante doutorado sanduíche.

1999 - 1999

Universidade Federal de Minas Gerais

Vínculo: Outro, Enquadramento Funcional: Professor substituto, Carga horária: 20

Atividades

  • 02/1999 - 07/1999

    Ensino, Física, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Física Geral B

  • 02/1999 - 07/1999

    Ensino, Engenharia de Controle e Automação, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Física Geral B

2001 - 2001

Fundação Centro Tecnológico de Minas Gerais

Vínculo: Pesquisador Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisador, Carga horária: 40

1999 - 2000

Fundação Centro Tecnológico de Minas Gerais

Vínculo: Bolsista recém-doutor, Enquadramento Funcional: Pesquisador, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

1998 - 1999

Fundação Centro Tecnológico de Minas Gerais

Vínculo: Bolsista recém-doutor, Enquadramento Funcional: Pesquisador, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Trabalho com pêndulo de torção para determinação da concentração de carbono em solução sólida, em aços de ultra baixo carbono

Atividades

  • 09/1999 - 12/2001

    Direção e administração, Setor de Desenvolvimento Tecnológico, Setor de Metalurgia.,Cargo ou função, Administrador do Laboratório de Tratamentos de Superfície sob Vácuo.

  • 09/1999 - 12/2001

    Pesquisa e desenvolvimento.,Linhas de pesquisa

  • 09/1999 - 12/2001

    Serviços técnicos especializados , Setor de Desenvolvimento Tecnológico, Setor de Metalurgia.,Serviço realizado, Manutenção de Equipamentos de PVD.

  • 09/1999 - 12/2001

    Treinamentos ministrados , Setor de Desenvolvimento Tecnológico, Setor de Metalurgia.,Treinamentos ministrados, Treinamento de estagiários e bolsistas em técnicas de vácuo e PVD

1999 - 1999

Pontifícia Universidade Católica de Minas Gerais, PUC Minas

Vínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: Professor Assistente, Carga horária: 8

1988 - 1988

Telecomunicações de Minas Gerais

Vínculo: Estágio, Enquadramento Funcional: Técnico em Eletrônica, Carga horária: 20

Atividades

  • 02/1988 - 10/1988

    Estágios , Telecomunicações de Minas Gerais.,Estágio realizado, Sistemas de Multiplexação.