Cristina de Freitas Bueno

Possui graduação em Licenciatura Plena em Física com mérito acadêmico pela Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" (2012), mestrado em Ciência e Tecnologia de Materiais (POSMAT) pela Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" (2015), doutorado em Ciência e Tecnologia de Materiais (POSMAT) pela Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho" (2019). Durante o doutorado, realizou estágio de pesquisa no exterior no Institut Néel CNRS/UGA de Grenoble-França. Tem experiência nas áreas de Física e Ciência dos Materiais, atuando nos seguintes temas: arseneto de gálio, dióxido de estanho, európio, filmes finos e transporte elétrico.

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Acadêmico

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Formação acadêmica

Doutorado em Ciência e Tecnologia de Materiais

2015 - 2019

Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho
Título: Combinação de semicondutores óxidos e GaAs, na forma de filmes finos, para confecção de dispositivos optoeletrônicos
Orientador: em Institut Néel CNRS/UGA ( Aline Ramos)
com Luis Vicente de Andrade Scalvi. Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil. Palavras-chave: Arseneto de gálio; dióxido de estanho.Grande área: Ciências Exatas e da TerraSetores de atividade: Pesquisa e desenvolvimento científico.

Mestrado em Ciência e Tecnologia de Materiais

2013 - 2015

Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho
Título: Deposição de filmes finos de SnO2 e GaAs, visando confecção de dispositivos baseados na heterojunção SnO2/GaAs,Ano de Obtenção: 2015
Luis Vicente de Andrade Scalvi.Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.

Graduação em Licenciatura em Física

2009 - 2012

Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho
Bolsista do(a): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo, FAPESP, Brasil.

Ensino Médio (2º grau)

2005 - 2007

Colégio Ténico Industrial

Ensino Fundamental (1º grau)

1997 - 2004

CENTRO EDUCACIONAL SESI 358

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Formação complementar

2015 - 2015

Treinamento Operacional Microscópio de Força Atômica XE-7 Park. (Carga horária: 8h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2012 - 2012

Física no esporte: Métodos biomecânicos em comportamentos motores. (Carga horária: 4h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2012 - 2012

Regulamentação da profissão de Físico. (Carga horária: 2h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2012 - 2012

Super cordas: Teoria de Tudo?. (Carga horária: 2h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2012 - 2012

Fundamentos de Instrumentação Eletrônica. (Carga horária: 2h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2012 - 2012

An introduction to semiconductor optical cavities. (Carga horária: 3h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2012 - 2012

Os Programas de PósGraduação da Faculdade de Ciências com atuação do.... (Carga horária: 2h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2012 - 2012

Células Solares. (Carga horária: 2h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2012 - 2012

Perícia Criminal: Uma visão geral. (Carga horária: 2h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2011 - 2011

Mecânica Estatística: Ideias, Conceitos e Aplicações. (Carga horária: 4h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2011 - 2011

Técnicas de Comunicação para Professores. (Carga horária: 4h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2011 - 2011

Publicação Científica. (Carga horária: 4h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2011 - 2011

Curso de Verão do Instituto de Física da Universidade de São Paulo. (Carga horária: 40h). , Universidade de São Paulo, USP, Brasil.

2010 - 2010

Relações Interpessoais na Sala de Aula. (Carga horária: 4h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2010 - 2010

As Novas Tecnologias no ensino de Ciências. (Carga horária: 4h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2010 - 2010

Física de Nanomateriais: O Futuro Agora. (Carga horária: 4h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2009 - 2009

Os sites que todo físico deveria conhecer. (Carga horária: 4h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2009 - 2009

Que informações podem ser obtidas por difração de raiosX? Pó ou monocri.... (Carga horária: 3h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2009 - 2009

Desafios de um curso de Física Médica. (Carga horária: 2h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

2009 - 2009

Contribuição da Física no Desenvolvimento de Equipamentos Oftalmológicos.... (Carga horária: 2h). , Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, UNESP, Brasil.

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Idiomas

Inglês

Compreende Bem, Fala Razoavelmente, Lê Bem, Escreve Bem.

Espanhol

Compreende Razoavelmente, Fala Pouco, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.

Português

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

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Áreas de atuação

    Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.

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Participação em eventos

23° Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciência dos Materiais. Photo-induced conductivity decay and XAFS structural study of GaAs/SnO2:Eu heterostructure. 2018. (Congresso).

XVI Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica.GaAs/SnO2:Eu heterostructure structural study and photo-induced conductivity decay. 2018. (Outra).

Workshop: A Pós-Graduação em Materiais na UNESP: evolução e tendências.Caracterização morfológica e óptica da heterojunção GaAs/SnO2:2%Eu. 2015. (Outra).

XIV Encontro da SBPMat. Photoluminescence associated with morphological characteristics of GaAs/SnO2 :2%Eu heterojunction. 2015. (Congresso).

IV Reunião Técnica POSMAT.Luminescence bands in the heterojunction GaAs/SnO2 doped with Eu3+. 2014. (Outra).

6th International Conference on Electroceramics. Photoluminescence of the heterojunction GaAs/SnO2 doped with Eu. 2013. (Congresso).

II Encontro de Astronomia da UNESP.II Encontro de Astronomia da UNESP. 2012. (Encontro).

XI Encontro da SBPMat.Influence of several light sources on electrical properties of GaAs/SnO2:2%Eu heterojunction. 2012. (Encontro).

XI Encontro da SBPMat.XI Encontro da SBPMat. 2012. (Encontro).

XXIV Congresso de Iniciação Científica. Influência de diferentes fontes de luz nas propriedades elétricas da heterojunção GaAs/SnO2:2%Eu. 2012. (Congresso).

XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.Tutorial An introduction to semiconductor optical cavities. 2012. (Encontro).

XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada.Assembling the heterojunction GaAs/SnO2:2%Eu and influence of several light sources on electrical properties. 2012. (Encontro).

X Encontro da SBPMat.X Encontro da SBPMat. 2011. (Encontro).

X Encontro da SBPMat.Interface Formation of Nanostructured Heterojunction SnO2:Eu/GaAs and Photo Induced Electronic Transport. 2011. (Encontro).

XIV Semana da Física.Minicurso Mecânica Estatística: idéias, conceitos e aplicações. 2011. (Outra).

XIV Semana da Física.Minicurso Técnicas de comunicação para professores. 2011. (Outra).

XIV Semana da Física.Minicurso Publicação científica. 2011. (Outra).

XIV Semana da Física.XIV Semana da Física. 2011. (Outra).

XIV Semana da Física.Deposição e caracterização de filmes finos de GaAs e SnO2 para estudo da heterojunção GaAs/SnO2 sem dopagem e com íons terras raras. 2011. (Outra).

XXIII Congresso de Iniciação Científica. Deposição e caracterização de filmes finos de GaAs,SnO2 e da heterojunção GaAs/SnO2 sem dopagem e com íons de terras raras. 2011. (Congresso).

Segunda Semana de Astronomia e Encontro Regional de Ensino de Astronomia.Segunda Semana de Astronomia e Encontro Regional de Ensino de Astronomia. 2010. (Outra).

XIII Semana da Física.Minicurso Física de Nanomateriais: O Futuro Agora. 2010. (Outra).

XIII Semana da Física.Minicurso As Novas Tecnologias no Ensino de Ciências. 2010. (Outra).

XIII Semana da Física.XIII Semana da Física. 2010. (Outra).

XIII Semana da Física.Minicurso Relações Interpessoais na Sala de Aula. 2010. (Outra).

1ª Semana de Astronomia e Encontro Regional de Ensino de Astronomia.Palestra Astrobobagens. 2009. (Encontro).

XII Semana da Física.Palestra Contribuição da Física No Desenvolvimento de Equipamentos Oftalmológicos no Brasil. 2009. (Outra).

XII Semana da Física.Palestra Desafios de um curso de Física Médica. 2009. (Outra).

XII Semana da Física.XII Semana da Física. 2009. (Outra).

XII Semana da Física.Minicurso Os sites que todo físico deveria conhecer. 2009. (Outra).

XII Semana da Física.Palestra Que informações podem ser obtidas por difração de Raio X? Pó ou monocristal?. 2009. (Outra).

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Comissão julgadora das bancas

Neri Alves

Scalvi, L.V. A; Catunda, T.; Pucineli, S. H.;ALVES, N.; Alfonso, A. B.. Combinação de semicondutores óxidos e GaAs, na forma de filmes finos, para confecção de dispositivo optoeletrônicos. 2019. Tese (Doutorado em Pós-Graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais) - Faculdade de Ciências de Bauru - UNESP.

Evandro Augusto de Morais

SCALVI, L. V. A.; SILVA, J. H. D.;MORAIS, EVANDRO A. DE. Deposição de Filmes Finos de SnO2 e GaAs, visando confecção de dispositivos baseados na heterojunção SnO2/GaAs. 2015 - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.

Evandro Augusto de Morais

SCALVI, L. V. A.; SILVA, J. H. D.;MORAIS, E. A.. Deposição de Filmes Finos de SnO2 e GaAs, visando confecção de dispositivos baseados na heterojunção SnO2/GaAs. 2014 - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.

José Humberto Dias da Silva

SCALVI, Luís Vicente de Andrade; Morais EA;daSilva, JHD. Deposição de filmes finos de SnO2 e GaAs visando a confecção de dispositivos baseados na heterojunção SnO2/GaAs. 2015. Dissertação (Mestrado em Ciência e Tecnologia de Materiais) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.

José Humberto Dias da Silva

SCALVI, Luís Vicente de Andrade; Morais EA;daSilva, JHD. Deposição de filmes finos de SnO2 e GaAs e confecção de dispositivos baseados na heterojunção SnO2/GaAs. 2014. Exame de qualificação (Mestrando em Ciência e Tecnologia de Materiais) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.

Luis Vicente de Andrade Scalvi

SCALVI, L. V. A.; Silva, J.H.D.; MORAIS, E. A.. Deposição de filmes finos de SnO2 e GaAs, visando confecção de dispositivos baseados na heterojunção SnO2/GaAs. 2015. Dissertação (Mestrado em Ciência e Tecnologia de Materiais) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.

Luis Vicente de Andrade Scalvi

SCALVI, LUIS VICENTE A.; Catunda, T;PULCINELLI, Sandra H; ALVES, N.; ALFONSO, A. B.. Combinação de semicondutores óxidos e GaAs, na forma de filmes finos, para confecção de dispositivos optoeletrônicos.. 2019. Tese (Doutorado em Ciência e Tecnologia de Materiais) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.

Luis Vicente de Andrade Scalvi

SCALVI, L. V. A.; Catunda, T;FLORIANO, E. A.. Avaliação de Propriedades da Heteroestrutura GaAs/SnO2 na forma de filmes finos, para confecção de dispositivos eletrônicos. 2018. Exame de qualificação (Doutorando em Ciência e Tecnologia de Materiais) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.

Luis Vicente de Andrade Scalvi

SCALVI, L. V. A.; Silva, J.H.D.; MORAIS, E. A.. Deposição de filmes finos de SnO2 e GaAs, e confecção de dispositivos baseados na heterojunção SnO2/GaAs. 2014. Exame de qualificação (Mestrando em Ciência e Tecnologia de Materiais) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.

Emerson Aparecido Floriano

SCALVI, L. V. A.; CATUNDA, T.;FLORIANO, E. A.. Avaliação de Propriedades da Heteroestrutura GaAs/SnO2 na forma de filmes finos, para confecção de dispositivos eletrônicos. 2018. Exame de qualificação (Doutorando em Doutorado em Ciência e Tecnologia de Materiais) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.

Sandra Helena Pulcinelli

SCALVI, Luis Vicente de Andrade; CATUNDA, T;PULCINELLI, S. H.; Alves, N; Alfonso, AB. Combinação de semicondutores óxidos e GaAs, na forma de filmes finos, para confecção de dispositivos optpeletrônicos. 2019. Tese (Doutorado em Ciência e Tecnologia de Materiais) - UNESP - Faculdade de Ciências de Bauru.

Alexys Bruno Alfonso

SCALVI, L. V. A.; CATUNDA, T.; PULCINELLI, S. H.; ALVES, N.;Bruno-Alfonso, A.. Combinação de semicondutores óxidos e GaAs, na forma de filmes finos, para confecção de dispositivos optoeletrônicos. 2019. Tese (Doutorado em Ciência e Tecnologia de Materiais) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho.

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Foi orientado por

Luis Vicente de Andrade Scalvi

Deposição de filmes finos de SnO2 e GaAs, visando confecção de dispositivos baseados na heterojunção SnO2/GaAs; 2015; Dissertação (Mestrado em Ciência e Tecnologia de Materiais) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Luis Vicente de Andrade Scalvi;

Luis Vicente de Andrade Scalvi

Avaliação de propriedades ópticas e eletrônicas da heteroestrutura GaAs/SnO2:Eu na forma de filmes finos; 2019; Tese (Doutorado em Ciência e Tecnologia de Materiais) - Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Luis Vicente de Andrade Scalvi;

Luis Vicente de Andrade Scalvi

Deposição e Caracterização de filmes finos de SnO2 e GaAs, e investigação da heterojunção SnO2/GaAs; Dopagem com íons terras-raras; ; 2012; Iniciação Científica; (Graduando em Licenciatura em Fisica) - Faculdade de Ciências de Bauru, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Luis Vicente de Andrade Scalvi;

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Produções bibliográficas

  • DE FREITAS BUENO, CRISTINA ; DE ANDRADE SCALVI, LUIS VICENTE . Electron trapping in the photo-induced conductivity decay in GaAs/SnO2 heterostructure. APPLIED PHYSICS. A, MATERIALS SCIENCE & PROCESSING (INTERNET) , v. 124, p. 1/457, 2018.

  • MACHADO, DIEGO ; SCALVI, LUIS ; BUENO, CRISTINA . Photoluminescence of Rare-Earth Ions in the Nanocrystalline GaAs/SnO2 Heterostructure and the Photoinduced Electrical Properties Related to the Interface. Condensed Matter , v. 2, p. 9, 2017.

  • DE FREITAS BUENO, CRISTINA ; DE ANDRADE SCALVI, LUIS VICENTE . On the electrical properties of distinct Eu3+ emission centers in the heterojunction GaAs/SnO2. Thin Solid Films , v. 612, p. 303-309, 2016.

  • BUENO, CRISTINA DE FREITAS ; SCALVI, LUIS VICENTE DE A. ; LI, MAXIMO SIU ; SAEKI, MARGARIDA J. . Luminescence of Eu^3+ in the thin film heterojunction GaAs/SnO_2. Optical Materials Express , v. 5, p. 59-72, 2015.

  • BUENO, C F ; SCALVI, L V A ; SAEKI, M J ; LI, M S . Photoluminescence of the Eu-doped thin film heterojunction GaAs/SnO 2 and rare-earth doping distribution. IOP Conference Series: Materials Science and Engineering (Online) , v. 76, p. 012006, 2015.

  • PINEIZ, TATIANE F. ; DE MORAIS, EVANDRO A. ; SCALVI, LUIS V.A. ; BUENO, CRISTINA F. . Interface formation of nanostructured heterojunction SnO2:Eu/GaAs and electronic transport properties. Applied Surface Science , v. 267, p. 200-205, 2013.

  • BUENO, CRISTINA DE FREITAS ; MACHADO, DIEGO HENRIQUE DE OLIVEIRA ; PINEIZ, TATIANE DE FÁTIMA ; SCALVI, LUIS VICENTE DE ANDRADE . Photo-Induced conductivity of heterojunction GaAs/Rare-Earth doped SnO2. Materials Research (São Carlos. Impresso) , v. 16, p. 831-838, 2013.

  • SCALVI, L. V. A. ; FLORIANO, E. A. ; MACHADO, D. H. O. ; BUENO, C. F. ; BORATTO, M. H. . Heterojunções baseadas em filmes finos de SnO2 obtidos via sol-gel, acoplados a camadas de materiais depositadas via evaporação resistiva. In: 57° Congresso Brasileiro de Cerâmica e 5° Congresso Iberoamericano de Cerâmica, 2013, Natal. 57° Congresso Brasileiro de Cerâmica e 5° Congresso Iberoamericano de Cerâmica, 2013.

  • BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Deposição e caracterização de filmes finos de GaAs,SnO2 e da heterojunção GaAs/SnO2 sem dopagem e com íons de terras raras. In: XXIII Congresso de Iniciação Científica, 2011, Bauru. XXIII Congresso de Iniciação Científica, 2011.

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  • SCALVI, L. V. A. ; BUENO, C. F. ; MACHADO, M. H. . Luminescence of rare earth doping and interface related electrical transport properties of SnO2 thin films based heterostructures. In: 8th International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications, 2018, Maresias. Procedings 8th International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications.

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  • BUENO, C. F. ; MOSSANG, E. ; RAMOS, A. Y. ; SCALVI, L. V. A. . Structural study of different doping of GaAs/SnO2: at%Eu heterostructure and SnO2: at%Eu xerogels and thin films. In: Conférence Matériaux 2018, 2018, Strasbourg, França. Matériaux 2018, 2018.

  • BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. ; RAMOS, A. Y. ; MOSSANG, E. . GaAs/SnO2:Eu heterostructure structural study and photo-induced conductivity decay. In: XVI Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2018, Santa Maria. XVI Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2018. p. 14-15.

  • BUENO, C. F. ; MACHADO, D. H. O. ; SCALVI, L. V. A. . Photoluminescence of rare-earth ions in nanocrystalline heterostructure GaAs/SnO2 and thermal annealing influence. In: 18th International Conference on Luminescence, 2017, João Pessoa. Proceedings of the 18th International Conference on Luminescence, 2017. v. 1. p. 165.

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  • BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Photoluminescence associated with morphological characteristics of GaAs/SnO2:2%Eu heterojunction. In: XIV Encontro da SBPMat, 2015, Rio de Janeiro. XIV Encontro da SBPMat, 2015.

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  • BUENO, C F ; SCALVI, L. V. A. . Caracterização morfológica e óptica da heterojunção GaAs/SnO2:2%Eu. In: Workshop: A Pós-Graduação em Materiais na UNESP: evolução e tendências, 2015, Bauru. A Pós-Graduação em Materiais na UNESP: evolução e tendências: trabalhos, 2015. v. 1.

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  • BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Influência de diferentes fontes de luz nas propriedades elétricas da heterojunção GaAs/SnO2:2%Eu. In: XXIV Congresso de Iniciação Científica, 2012, Bauru. XXIV Congresso de Iniciação Científica, 2012.

  • BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Influence of several light sources on electrical properties of GaAs/SnO2:2%Eu heterojunction. In: XI Encontro da SBPMat, 2012, Florianópolis. Anais do XI Encontro da SBPMat, 2012.

  • SCALVI, L. V. A. ; BUENO, C. F. ; MACHADO, D. H. O. ; PINEIZ, T. F. . Photo-induced electrical properties of heterojunction RE-SnO2/GaAs deposited by sol-gel-dip-coating / resistive evaporation. In: 7th International Symposium onAdvanced Materials and Nanostructures, 2012, Sorocaba. 7th ISAMN Program Book, 2012. v. 1. p. 149.

  • BUENO, C. F. ; PINEIZ, T. F. ; SCALVI, L. V. A. . Interface Formation of Nanostructured Heterojunction SnO2:Eu/GaAs and Photo Induced Electronic Transport. In: X Encontro da SBPMat, 2011, Gramado. Anais do X SBPMat, 2011.

  • BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Deposição ecaracterização de filmes finos de GaAs/SnO2 sem dopagem e com íons terras raras. In: XIV Semana da Física, 2011, Bauru. Resumos da XIV Semana da Física, 2011.

  • BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. ; RAMOS, A. Y. ; MOSSANG, E. . Photo-induced conductivity decay and XAFS structural study of GaAs/SnO2:Eu heterostructure. 2018. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. ; RAMOS, A. Y. ; MOSSANG, E. . GaAs/SnO2:Eu heterostructure structural study and photo-induced conductivity decay. 2018. (Apresentação de Trabalho/Outra).

  • BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Caracterização morfológica e óptica da heterojunção GaAs/SnO2:2%Eu. 2015. (Apresentação de Trabalho/Outra).

  • BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Photoluminescence associated with morphological characteristic of GaAs/SnO2:2%Eu heterojunction. 2015. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Luminescence bands in the heterojunction GaAs/SnO2 doped with Eu3+. 2014. (Apresentação de Trabalho/Outra).

  • BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Photoluminescence of the heterojunction GaAs/SnO2 doped with Eu. 2013. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

  • BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Assembling the heterojunction GaAs/SnO2:2%Eu and influence of several light sources on electrical properties. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Influência de diferentes fontes de luz nas propriedades elétricas da heterojunção GaAs/SnO2:2%Eu. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Influence of several light sources on electrical properties of GaAs/SnO2:2%Eu heterojunction. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Deposição e caracterização de filmes finos de GaAs, SnO2 e da heterojunção GaAs/SnO2 sem dopagem e com íons de terras raras. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • SCALVI, L. V. A. ; BUENO, C. F. ; PINEIZ, T. F. . Interface Formation of Nanostructured Heterojunction SnO2:Eu/GaAs and Photoinduced Electronic Transport. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

  • BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Deposição e caracterização de filmes finos de GaAs e SnO2 para estudo da heterojunção GaAs/SnO2. 2011. (Apresentação de Trabalho/Outra).

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Projetos de pesquisa

  • 2015 - 2019

    Combinação de semicondutores óxidos e GaAs, na forma de filmes finos, para confecção de dispositivos optoeletrônicos, Descrição: O trabalho envolve a produção e caracterização elétrica e óptica de filmes finos, em etapas distintas. Etapa 1) Deposição de GaAs e SnO2 formando a heterojunção GaAs/SnO2. O óxido poderá ser substituído por TiO2 nesta etapa, formando a heterojunção GaAs/TiO2. A camada de SnO2 será dopada com íons terras-raras, como Eu ou Er, onde possuem alta eficiência de emissão, e a combinação com GaAs visa separar os centros espalhadores de elétrons (íons terras-raras ionizados) da região de transporte elétrico (via GaAs, que possui alta mobilidade eletrônica). Etapa 2) Deposição de camada isolante, que deve ser de alumina (Al2O3), mas pode também ser de zircônia (ZrO2). O objetivo aqui é obter conhecimento para a confecção de um transistor transparente de efeito de campo, onde sobre a heterojunção semicondutor óxido/GaAs será depositada uma camada isolante. O Al2O3 é preferido para este papel, pois possui alta constante dielétrica e baixa corrente de fuga. Os dopantes terras-raras a serem usados serão Eu3+, para luminescência no vermelho, ou Er3+ com emissão no infravermelho próximo. As medidas a serem realizadas na etapa 1 incluem: caracterização elétrica em função da temperatura, absorção ótica no UV-Vis e FTIR, fotoluminescência, difração de raios-X, microscopia eletrônica de varredura, para avaliar as interfaces substrato/SnO2 (ou substrato/TiO2), substrato/GaAs e SnO2/GaAs (ou TiO2/GaAs), já que o canal de condução interfacial é um parâmetro fundamental para as propriedades de transporte. Nesta etapa, estão previstas também medidas de espectroscopia de ressonância magnética (NMR) para extrair informações das ligações químicas e composição local, e espectroscopia de ressonância paramagnética eletrônica (EPR), visando o estudo das estruturas internas com grandes detalhes, incluindo o estado de oxidação dos dopantes utilizados. Nesta etapa inclui-se também um estágio no exterior para estudo das heterojunções usando radiação Sincrotron, além de medidas no Laboratório Nacional de Luz Sincrotron (LNLS), Campinas. Na etapa 2, onde será depositada a camada isolante, serão avaliadas as condições de transporte longitudinal e transversal (corrente de fuga) no dispositivo construído (transistor transparente de efeito de campo). É prevista também a análise do controle de emissão do íon terra-rara a partir da modulação do canal de condução no dispositivo. O objetivo principal é o desenvolvimento do conhecimento científico e tecnológico, e a contribuição para a confecção de dispositivos eletroluminescentes e/ou transistores transparentes de alta mobilidade eletrônica.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Cristina de Freitas Bueno - Coordenador.

  • 2013 - 2015

    Deposição de filmes finos de SnO2 e GaAs, e confecção de dispositivos baseados na heterojunção SnO2/GaAs/camada isolante, Descrição: O trabalho envolve a produção e caracterização elétrica e óptica de filmes finos, em etapas distintas. Etapa 1) Deposição de GaAs e SnO2 e Heterojunção GaAs/SnO2 : a) SnO2 dopado com íons terras-raras, depositado via sol-gel-dip-coating, b) GaAs. Será feita a incorporação do dopante terra-rara na matriz do semicondutor óxido (SnO2), onde possuem alta eficiência de emissão, e combinação de SnO2 com um semicondutor de alta mobilidade eletrônica (GaAs), visando separar os centros espalhadores de elétrons (íons terras-raras ionizados) da região de transporte elétrico. A investigação elétrica foto-induzida da interface entre os semicondutores será fundamental nesta etapa. Etapa 2) a) deposição de camada isolante, que deve ser de alumina (Al2O3), mas pode também ser de sílica (SiO2). O objetivo aqui é obter conhecimento para a confecção de um transistor transparente de efeito de campo, onde sobre a heterojunção SnO2/GaAs, será depositada uma camada isolante, preferencialmente Al2O3, isolante de alta constante dielétrica a baixa corrente de fuga. A camada de GaAs deverá ser depositada pela técnica de evaporação resistiva, mas poderão também ser usados substratos comerciais ou material obtido por técnicas mais sofisticadas, como MBE. O dopante terra-rara a ser usado será Eu3+, para luminescência no vermelho, e/ou Er3+, com emissão no infravermelho próximo. Serão analisadas as condições de deposição e as características elétricas dos filmes, principalmente no que concerne ao transporte elétrico foto-induzido da heterojunção. As medidas a serem realizadas na etapa 1 incluem: resistividade em função da temperatura, absorção ótica no UV-Vis e FTIR, difração de raios-X, capacitância, microscopia eletrônica de varredura, para avaliar as interfaces substrato/SnO2, substrato/GaAs e SnO2/GaAs, já que o canal de condução interfacial é um parâmetro fundamental para as propriedades de transporte. Na etapa 2, onde será depositada a camada isolante, serão avaliadas as condições de transporte longitudinal e transversal (corrente de fuga) no dispositivo construído (transistor transparente de efeito de campo). É prevista também a análise do controle de emissão do íon terra-rara a partir da modulação do canal de condução no dispositivo. O objetivo principal é desenvolvimento do conhecimento científico e tecnológico, e a contribuição para a confecção de dispositivos eletroluminescentes e/ou transistores transparentes de alta mobilidade eletrônica.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Cristina de Freitas Bueno - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Bolsa.

  • 2011 - 2012

    Deposição e Caracterização de filmes finos de SnO2 e GaAs, e investigação da heterojunção SnO2/GaAs. Dopagem com íons terras-raras., Descrição: Produção e caracterização elétrica e óptica de dois tipos de filmes finos: a) SnO2 dopado com íons terras-raras, depositado via sol-gel-dip-coating, b) GaAs, depositado pela técnica de evaporação resistiva. Numa segunda etapa os filmes de GaAs serão depositados sobre os filmes de dióxido de estanho, visando combinar três aspectos fundamentais: 1) incorporação do terra-rara na matriz do semicondutor óxido, onde possuem alta eficiência de emissão, 2) combinação do semicondutor óxido com um semicondutor de alta mobilidade eletrônica, visando separar os centros espalhadores de elétrons (íons terras-raras ionizados) da região de transporte elétrico, 3) investigação da interface entre os semicondutores. Serão analisadas as condições de deposição e as características elétricas dos filmes, principalmente no que concerne ao transporte elétrico da heterojunção, considerando que este tipo de interface pode aumentar a condutividade elétrica. Visando explorar ainda mais as propriedades da interface da heterojunção, serão realizados experimentos de excitação óptica dos filmes, com obtenção de sinal elétrico. O objetivo principal é desenvolvimento do conhecimento científico e tecnológico, visando contribuir para a futura confecção de dispositivos eletroluminescentes.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Cristina de Freitas Bueno - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Bolsa.

Histórico profissional

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Endereço profissional

  • Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho, Faculdade de Ciências de Bauru. , Avenida Engenheiro Luiz Edmundo Carrijo Coube, 14-01, Núcleo Residencial Presidente Geisel, 17033360 - Bauru, SP - Brasil, Telefone: (14) 31036000

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Experiência profissional

  • 2015 - Atual

    Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho

    Vínculo: Aluno, Enquadramento Funcional: Doutorado, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

    Outras informações:
    PROCESSO CAPES 1512822 (04/2015 - 09/2015) PROCESSO CAPES 1560672 (10/2015 - 03/2019)

  • 2013 - 2015

    Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho

    Vínculo: Aluno, Enquadramento Funcional: Mestrado, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

    Outras informações:
    PROCESSO FAPESP 2012/21239-9

  • 2011 - 2012

    Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho

    Vínculo: Aluno, Enquadramento Funcional: Iniciação Científica, Carga horária: 20, Regime: Dedicação exclusiva.

    Outras informações:
    PROCESSO FAPESP 2010/20460-8

    Atividades

    • 03/2011

      Pesquisa e desenvolvimento , Faculdade de Ciências de Bauru, .,Linhas de pesquisa

  • 2017 - 2018

    Institut Néel CNRS/UGA

    Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Aluno de Doutorado (estágio), Regime: Dedicação exclusiva.

    Outras informações:
    PROCESSO CAPES 88881.131882/2016-01