Cristina de Freitas Bueno

Pós-doutorado

Formação complementar

Idiomas

Áreas de atuação

Participação em eventos

Participação em bancas

Orientou

Produções bibliográficas

• DE OLIVEIRA, LETÍCIA DA S. ; FONSECA, LUCAS P. ; DE SOUZA, RENATO D. ; BUENO, CRISTINA DE F. ; MARTINS, LUCAS M. ; SCALVI, LUIS V.A. . Deposition of hybrid structures of reduced graphene oxide and tin dioxide thin films, and persistent photoconductivity observation. CURRENT APPLIED PHYSICS , v. 41, p. 49-58, 2022.

• BUENO, CRISTINA F. ; RAMOS, ALINE Y. ; BAILLY, AUDE ; MOSSANG, ERIC ; SCALVI, LUIS V. A. . X-ray absorption spectroscopy and Eu3+-emission characteristics in GaAs/SnO2 heterostructure. SN Applied Sciences , v. 2, p. 1579, 2020.

• SCALVI, LUIS V A ; BUENO, CRISTINA F . Transient decay of photoinduced current in semiconductors and heterostructures. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS , v. 53, p. 033001, 2019.

• DE FREITAS BUENO, CRISTINA ; DE ANDRADE SCALVI, LUIS VICENTE . Electron trapping in the photo-induced conductivity decay in GaAs/SnO2 heterostructure. APPLIED PHYSICS. A, MATERIALS SCIENCE & PROCESSING (INTERNET) , v. 124, p. 1/457, 2018.

• MACHADO, DIEGO ; SCALVI, LUIS ; BUENO, CRISTINA . Photoluminescence of Rare-Earth Ions in the Nanocrystalline GaAs/SnO2 Heterostructure and the Photoinduced Electrical Properties Related to the Interface. Condensed Matter , v. 2, p. 9, 2017.

• DE FREITAS BUENO, CRISTINA ; DE ANDRADE SCALVI, LUIS VICENTE . On the electrical properties of distinct Eu3+ emission centers in the heterojunction GaAs/SnO2. Thin Solid Films , v. 612, p. 303-309, 2016.

• BUENO, CRISTINA DE FREITAS ; SCALVI, LUIS VICENTE DE A. ; LI, MAXIMO SIU ; SAEKI, MARGARIDA J. . Luminescence of Eu^3+ in the thin film heterojunction GaAs/SnO_2. Optical Materials Express , v. 5, p. 59-72, 2015.

• BUENO, C F ; SCALVI, L V A ; SAEKI, M J ; LI, M S . Photoluminescence of the Eu-doped thin film heterojunction GaAs/SnO 2 and rare-earth doping distribution. IOP Conference Series: Materials Science and Engineering (Online) , v. 76, p. 012006, 2015.

• PINEIZ, TATIANE F. ; DE MORAIS, EVANDRO A. ; SCALVI, LUIS V.A. ; BUENO, CRISTINA F. . Interface formation of nanostructured heterojunction SnO2:Eu/GaAs and electronic transport properties. Applied Surface Science , v. 267, p. 200-205, 2013.

• BUENO, CRISTINA DE FREITAS ; MACHADO, DIEGO HENRIQUE DE OLIVEIRA ; PINEIZ, TATIANE DE FÁTIMA ; SCALVI, LUIS VICENTE DE ANDRADE . Photo-Induced conductivity of heterojunction GaAs/Rare-Earth doped SnO2. Materials Research (São Carlos. Impresso) , v. 16, p. 831-838, 2013.

• SCALVI, L. V. A. ; FLORIANO, E. A. ; MACHADO, D. H. O. ; BUENO, C. F. ; BORATTO, M. H. . Heterojunções baseadas em filmes finos de SnO2 obtidos via sol-gel, acoplados a camadas de materiais depositadas via evaporação resistiva. In: 57° Congresso Brasileiro de Cerâmica e 5° Congresso Iberoamericano de Cerâmica, 2013, Natal. 57° Congresso Brasileiro de Cerâmica e 5° Congresso Iberoamericano de Cerâmica, 2013.

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Deposição e caracterização de filmes finos de GaAs,SnO2 e da heterojunção GaAs/SnO2 sem dopagem e com íons de terras raras. In: XXIII Congresso de Iniciação Científica, 2011, Bauru. XXIII Congresso de Iniciação Científica, 2011.

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. ; RAMOS, A. Y. ; MOSSANG, E. . GaAs/SnO2:Eu heterostructure structural study and photo-induced conductivity decay. In: XVI Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2018, Santa Maria. XVI Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica, 2018. p. 14-15.

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. ; RAMOS, A. Y. ; MOSSANG, E. . Photo-induced conductivity decay and XAFS structural study of GaAs/SnO2:Eu heterostructure. In: 23° Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciência dos Materiais, 2018, Foz do Iguaçu. Anais do 23° Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciência dos Materiais, 2018.

• SCALVI, L. V. A. ; BUENO, C. F. ; MACHADO, M. H. . Luminescence of rare earth doping and interface related electrical transport properties of SnO2 thin films based heterostructures. In: 8th International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications, 2018, Maresias. Procedings 8th International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications.

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. ; RAMOS, A. Y. ; MOSSANG, E. . XAFS structural study and electro-optical characteristics of GaAs/SnO2 heterostructure. In: 8th International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications, 2018, Maresias. Procedings 8th International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications, 2018.

• BUENO, C. F. ; MOSSANG, E. ; RAMOS, A. Y. ; SCALVI, L. V. A. . Structural study of different doping of GaAs/SnO2: at%Eu heterostructure and SnO2: at%Eu xerogels and thin films. In: Conférence Matériaux 2018, 2018, Strasbourg, França. Matériaux 2018, 2018.

• BUENO, C. F. ; MACHADO, D. H. O. ; SCALVI, L. V. A. . Photoluminescence of rare-earth ions in nanocrystalline heterostructure GaAs/SnO2 and thermal annealing influence. In: 18th International Conference on Luminescence, 2017, João Pessoa. Proceedings of the 18th International Conference on Luminescence, 2017. v. 1. p. 165.

• MACHADO, D. H. O. ; BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Visible emission of rare-earth ions in nanocrystalline thin films of heterojunction GaAs/SnO2 and photoinduced properties. In: XV Brazilian MRS Metting, 2016, Campinas. Proceedings XV Brazilian MRS Meeting, 2016. p. 221.

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Photoluminescence associated with morphological characteristics of GaAs/SnO2:2%Eu heterojunction. In: XIV Encontro da SBPMat, 2015, Rio de Janeiro. XIV Encontro da SBPMat, 2015.

• BUENO, C F ; SCALVI, L. V. A. ; SAEKI, M. J. ; LI, M. S. . Distribution of Eu3+ on nanocrystalline surface particles of the heterojunction GaAs/SnO2 leading to visible emission.. In: Fourth International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nanomaterials, 2015, Sitges. Abstract book Fourth International Conference on Multifunctional, Hybrid and Nanomaterials, 2015. v. 1. p. 1.

• BUENO, C F ; SCALVI, L. V. A. . Caracterização morfológica e óptica da heterojunção GaAs/SnO2:2%Eu. In: Workshop: A Pós-Graduação em Materiais na UNESP: evolução e tendências, 2015, Bauru. A Pós-Graduação em Materiais na UNESP: evolução e tendências: trabalhos, 2015. v. 1.

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. ; SAEKI, M. J. ; LI, M. S. . Photoluminescence of the Eu-doped thin film heterojunction GaAs/SnO2 and rare-earth doping distribution. In: 17th International Conference on Solid Films and Surfaces, 2014, Rio de Janeiro. Book of Abstracts 17th International Conference on Solid Films and Surfaces, 2014. v. 1. p. 36.

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. ; LI, M. S. . Luminescence bands in the heterojunction GaAs/SnO2 doped with Eu3+. In: IV Reunião Técnica POSMAT, 2014, Sorocaba. Resumos IV Reunião Técnica POSMAT - Materiais na Sociedade: Pesquisa e Aplicação, 2014. v. 1. p. 52.

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. ; LI, M. S. . Photoluminescence of the heterojunction GaAs/SnO2 doped with Eu. In: 6th International Conference on Electroceramics, 2013, João Pessoa. 6th International Conference on Electroceramics, 2013.

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Assembling the heterojunction GaAs/SnO2:2%Eu and influence of several light sources on electrical properties. In: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2012, Águas de Lindóia. Anais do XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2012.

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Influência de diferentes fontes de luz nas propriedades elétricas da heterojunção GaAs/SnO2:2%Eu. In: XXIV Congresso de Iniciação Científica, 2012, Bauru. XXIV Congresso de Iniciação Científica, 2012.

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Influence of several light sources on electrical properties of GaAs/SnO2:2%Eu heterojunction. In: XI Encontro da SBPMat, 2012, Florianópolis. Anais do XI Encontro da SBPMat, 2012.

• SCALVI, L. V. A. ; BUENO, C. F. ; MACHADO, D. H. O. ; PINEIZ, T. F. . Photo-induced electrical properties of heterojunction RE-SnO2/GaAs deposited by sol-gel-dip-coating / resistive evaporation. In: 7th International Symposium onAdvanced Materials and Nanostructures, 2012, Sorocaba. 7th ISAMN Program Book, 2012. v. 1. p. 149.

• BUENO, C. F. ; PINEIZ, T. F. ; SCALVI, L. V. A. . Interface Formation of Nanostructured Heterojunction SnO2:Eu/GaAs and Photo Induced Electronic Transport. In: X Encontro da SBPMat, 2011, Gramado. Anais do X SBPMat, 2011.

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Deposição ecaracterização de filmes finos de GaAs/SnO2 sem dopagem e com íons terras raras. In: XIV Semana da Física, 2011, Bauru. Resumos da XIV Semana da Física, 2011.

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. ; RAMOS, A. Y. ; MOSSANG, E. . GaAs/SnO2:Eu heterostructure structural study and photo-induced conductivity decay. 2018. (Apresentação de Trabalho/Outra).

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. ; RAMOS, A. Y. ; MOSSANG, E. . Photo-induced conductivity decay and XAFS structural study of GaAs/SnO2:Eu heterostructure. 2018. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Caracterização morfológica e óptica da heterojunção GaAs/SnO2:2%Eu. 2015. (Apresentação de Trabalho/Outra).

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Photoluminescence associated with morphological characteristic of GaAs/SnO2:2%Eu heterojunction. 2015. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Luminescence bands in the heterojunction GaAs/SnO2 doped with Eu3+. 2014. (Apresentação de Trabalho/Outra).

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Photoluminescence of the heterojunction GaAs/SnO2 doped with Eu. 2013. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Assembling the heterojunction GaAs/SnO2:2%Eu and influence of several light sources on electrical properties. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Influência de diferentes fontes de luz nas propriedades elétricas da heterojunção GaAs/SnO2:2%Eu. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Influence of several light sources on electrical properties of GaAs/SnO2:2%Eu heterojunction. 2012. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Deposição e caracterização de filmes finos de GaAs e SnO2 para estudo da heterojunção GaAs/SnO2. 2011. (Apresentação de Trabalho/Outra).

• BUENO, C. F. ; SCALVI, L. V. A. . Deposição e caracterização de filmes finos de GaAs, SnO2 e da heterojunção GaAs/SnO2 sem dopagem e com íons de terras raras. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

• SCALVI, L. V. A. ; BUENO, C. F. ; PINEIZ, T. F. . Interface Formation of Nanostructured Heterojunction SnO2:Eu/GaAs and Photoinduced Electronic Transport. 2011. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

Projetos de pesquisa

• 2019 - 2020

  Deposition of SnO/SnO2 heterojunctions pointing to optoelectronic devices, Descrição: The main idea in this project is to join different stoichiometries of tin oxide for the construction of electronic devices. It will be combined tin monoxide (SnO), in the monocrystalline form, which exhibits p-type conductivity, deposited by molecular beam epitaxy (MBE), and tin dioxide (SnO2), naturally n-type, deposited by two different techniques: sol-gel-dip-coating (totally chemical route) or by a combination of powder obtained via sol-gel, with resistive evaporation of this powder, for deposition in the form of thin film. This coupling leads to the creation of a transparent p-n junction, which can be used as a photodiode in optoelectronics. Alternatively, the possibility of SnO2 layer doping with rare-earth ions such as Eu or Er, may create other application perspectives, such as electroluminescent devices. The devices built will be electrically characterized through temperature-dependent current-voltage curves and excitation with monochromatic light from several distinct sources. In addition, the structural and morphological characterization, through SEM, AFM and XRD, will be fundamental to understand the coupling between these materials and the interface and surface quality. The advance of this project will also give the candidate the opportunity to develop part of the work at Paul-Drude-Institut in Berlin, Germany.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Cristina de Freitas Bueno - Coordenador.

• 2015 - 2019

  Combinação de semicondutores óxidos e GaAs, na forma de filmes finos, para confecção de dispositivos optoeletrônicos, Descrição: O trabalho envolve a produção e caracterização elétrica e óptica de filmes finos, em etapas distintas. Etapa 1) Deposição de GaAs e SnO2 formando a heterojunção GaAs/SnO2. O óxido poderá ser substituído por TiO2 nesta etapa, formando a heterojunção GaAs/TiO2. A camada de SnO2 será dopada com íons terras-raras, como Eu ou Er, onde possuem alta eficiência de emissão, e a combinação com GaAs visa separar os centros espalhadores de elétrons (íons terras-raras ionizados) da região de transporte elétrico (via GaAs, que possui alta mobilidade eletrônica). Etapa 2) Deposição de camada isolante, que deve ser de alumina (Al2O3), mas pode também ser de zircônia (ZrO2). O objetivo aqui é obter conhecimento para a confecção de um transistor transparente de efeito de campo, onde sobre a heterojunção semicondutor óxido/GaAs será depositada uma camada isolante. O Al2O3 é preferido para este papel, pois possui alta constante dielétrica e baixa corrente de fuga. Os dopantes terras-raras a serem usados serão Eu3+, para luminescência no vermelho, ou Er3+ com emissão no infravermelho próximo. As medidas a serem realizadas na etapa 1 incluem: caracterização elétrica em função da temperatura, absorção ótica no UV-Vis e FTIR, fotoluminescência, difração de raios-X, microscopia eletrônica de varredura, para avaliar as interfaces substrato/SnO2 (ou substrato/TiO2), substrato/GaAs e SnO2/GaAs (ou TiO2/GaAs), já que o canal de condução interfacial é um parâmetro fundamental para as propriedades de transporte. Nesta etapa, estão previstas também medidas de espectroscopia de ressonância magnética (NMR) para extrair informações das ligações químicas e composição local, e espectroscopia de ressonância paramagnética eletrônica (EPR), visando o estudo das estruturas internas com grandes detalhes, incluindo o estado de oxidação dos dopantes utilizados. Nesta etapa inclui-se também um estágio no exterior para estudo das heterojunções usando radiação Sincrotron, além de medidas no Laboratório Nacional de Luz Sincrotron (LNLS), Campinas. Na etapa 2, onde será depositada a camada isolante, serão avaliadas as condições de transporte longitudinal e transversal (corrente de fuga) no dispositivo construído (transistor transparente de efeito de campo). É prevista também a análise do controle de emissão do íon terra-rara a partir da modulação do canal de condução no dispositivo. O objetivo principal é o desenvolvimento do conhecimento científico e tecnológico, e a contribuição para a confecção de dispositivos eletroluminescentes e/ou transistores transparentes de alta mobilidade eletrônica.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Cristina de Freitas Bueno - Coordenador.

• 2013 - 2015

  Deposição de filmes finos de SnO2 e GaAs, e confecção de dispositivos baseados na heterojunção SnO2/GaAs/camada isolante, Descrição: O trabalho envolve a produção e caracterização elétrica e óptica de filmes finos, em etapas distintas. Etapa 1) Deposição de GaAs e SnO2 e Heterojunção GaAs/SnO2 : a) SnO2 dopado com íons terras-raras, depositado via sol-gel-dip-coating, b) GaAs. Será feita a incorporação do dopante terra-rara na matriz do semicondutor óxido (SnO2), onde possuem alta eficiência de emissão, e combinação de SnO2 com um semicondutor de alta mobilidade eletrônica (GaAs), visando separar os centros espalhadores de elétrons (íons terras-raras ionizados) da região de transporte elétrico. A investigação elétrica foto-induzida da interface entre os semicondutores será fundamental nesta etapa. Etapa 2) a) deposição de camada isolante, que deve ser de alumina (Al2O3), mas pode também ser de sílica (SiO2). O objetivo aqui é obter conhecimento para a confecção de um transistor transparente de efeito de campo, onde sobre a heterojunção SnO2/GaAs, será depositada uma camada isolante, preferencialmente Al2O3, isolante de alta constante dielétrica a baixa corrente de fuga. A camada de GaAs deverá ser depositada pela técnica de evaporação resistiva, mas poderão também ser usados substratos comerciais ou material obtido por técnicas mais sofisticadas, como MBE. O dopante terra-rara a ser usado será Eu3+, para luminescência no vermelho, e/ou Er3+, com emissão no infravermelho próximo. Serão analisadas as condições de deposição e as características elétricas dos filmes, principalmente no que concerne ao transporte elétrico foto-induzido da heterojunção. As medidas a serem realizadas na etapa 1 incluem: resistividade em função da temperatura, absorção ótica no UV-Vis e FTIR, difração de raios-X, capacitância, microscopia eletrônica de varredura, para avaliar as interfaces substrato/SnO2, substrato/GaAs e SnO2/GaAs, já que o canal de condução interfacial é um parâmetro fundamental para as propriedades de transporte. Na etapa 2, onde será depositada a camada isolante, serão avaliadas as condições de transporte longitudinal e transversal (corrente de fuga) no dispositivo construído (transistor transparente de efeito de campo). É prevista também a análise do controle de emissão do íon terra-rara a partir da modulação do canal de condução no dispositivo. O objetivo principal é desenvolvimento do conhecimento científico e tecnológico, e a contribuição para a confecção de dispositivos eletroluminescentes e/ou transistores transparentes de alta mobilidade eletrônica.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Cristina de Freitas Bueno - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Bolsa.

• 2011 - 2012

  Deposição e Caracterização de filmes finos de SnO2 e GaAs, e investigação da heterojunção SnO2/GaAs. Dopagem com íons terras-raras., Descrição: Produção e caracterização elétrica e óptica de dois tipos de filmes finos: a) SnO2 dopado com íons terras-raras, depositado via sol-gel-dip-coating, b) GaAs, depositado pela técnica de evaporação resistiva. Numa segunda etapa os filmes de GaAs serão depositados sobre os filmes de dióxido de estanho, visando combinar três aspectos fundamentais: 1) incorporação do terra-rara na matriz do semicondutor óxido, onde possuem alta eficiência de emissão, 2) combinação do semicondutor óxido com um semicondutor de alta mobilidade eletrônica, visando separar os centros espalhadores de elétrons (íons terras-raras ionizados) da região de transporte elétrico, 3) investigação da interface entre os semicondutores. Serão analisadas as condições de deposição e as características elétricas dos filmes, principalmente no que concerne ao transporte elétrico da heterojunção, considerando que este tipo de interface pode aumentar a condutividade elétrica. Visando explorar ainda mais as propriedades da interface da heterojunção, serão realizados experimentos de excitação óptica dos filmes, com obtenção de sinal elétrico. O objetivo principal é desenvolvimento do conhecimento científico e tecnológico, visando contribuir para a futura confecção de dispositivos eletroluminescentes.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Cristina de Freitas Bueno - Coordenador., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Bolsa.