Tiago de Campos

Bacharel em Física Computacional, Mestre e Doutor em ciências pela Universidade de São Paulo Instituto de Física de São Carlos. Meu foco foi em simulações computacionais de alta performance em sistemas semicondutores, utilizando computação hibrida (CPU + GPU). Realizei Doutorado Sanduíche na Universidade de Regensburg - Alemanha sob a supervisão do Prof. Dr. Jaroslav Fabian, um dos expoentes internacionais na área de spintrônica. Após conclusão do doutorado, continuei como pós-doutor no mesmo laboratório em que conclui o mestrado e doutorado. Também retornei à Universidade de Regensburg como pós-doutor e finalizei minha carreira academia no Departamento de Física da State University at New York - Buffalo - SUNY, supervisionado pelo Prof. Dr. Igor Zutic, outro expoente na área de spintrônica. Tenho como interesse a área de simulações de alta performance em geral incluindo a algebra liner computacional e simulação de sistemas financeiros. Sou proficiente em Fortran e Python.

Informações coletadas do Lattes em 20/07/2025

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Física Aplicada / Opção Computacional

2013 - 2017

Instituto de Física de São Carlos
Título: Spin-orbit coupling effects and g-factors in zinc-blende InSb and wurtzite InAs nanowires using realistic multiband k.p method
Orientador: em Universität Regensburg ( Jaroslav Fabian)
com Guilherme Matos Sipahi. Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. Palavras-chave: Spin-orbit; g-factor; nanowires; InSb; InAs.Grande área: Ciências Exatas e da TerraGrande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada. Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Simulação Computacional de Semicondutores.

Mestrado em Física Aplicada/Opção Computacional

2011 - 2013

Instituto de Física de São Carlos
Título: Nanowires de Inp: cálculo do espectro de absorçao via método k.p,Ano de Obtenção: 2013
Guilherme Matos Sipahi.Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. Palavras-chave: Nanofios de InP; Absorção; Método k.p; GPU.Grande área: Ciências Exatas e da TerraGrande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada. Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Simulação Computacional de Semicondutores.

Graduação em Física Computacional

2006 - 2011

Universidade de São Paulo
Orientador: Guilherme Matos Sipahi
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.

Ensino Médio (2º grau)

2002 - 2004

Colégio São Luís - Anglo Jaboticabal

Pós-doutorado

2018 - 2019

Pós-Doutorado. , State University of New York - University at Buffalo., SUNY, Estados Unidos. , Grande área: Ciências Exatas e da Terra

2018 - 2018

Pós-Doutorado. , Universität Regensburg, UNI/Regensburg, Alemanha. , Grande área: Ciências Exatas e da Terra

2017 - 2018

Pós-Doutorado. , Instituto de Física de São Carlos, IFSC, Brasil. , Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil. , Grande área: Ciências Exatas e da Terra, Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Estados Eletrônicos.

Formação complementar

2013 - 2013

Extensão universitária em Scientific Writing in English I - ICMC/USP. (Carga horária: 25h). , Universidade de São Paulo, USP, Brasil.

2013 - 2013

Extensão universitária em Coding the Matrix (Online Course). (Carga horária: 60h). , Brown University, BROWN, Estados Unidos.

2012 - 2012

Novas Tendências em Matéria Condensada. (Carga horária: 5h). , Instituto de Física de São Carlos, IFSC, Brasil.

2012 - 2012

Estágio de pesquisa - grupo do Dr. Igor Zutic. (Carga horária: 160h). , State University of New York - University at Buffalo., SUNY, Estados Unidos.

2011 - 2011

Introdução à Informação Quântica. (Carga horária: 4h). , Instituto de Física de São Carlos, IFSC, Brasil.

Idiomas

Inglês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Português

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Áreas de atuação

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Computacional.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Simulação Computacional de Semicondutores.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Estados Eletrônicos.

Participação em eventos

March Meeting 2019. Correlated states in magnetic quantum dots with multiple occupancy. 2019. (Congresso).

March Meeting 2019. Electric tuning of topological properties in a symmetric broken gap quantum well. 2019. (Congresso).

1st Paulista-Bavarian Workshop on Nano-Tailored Semiconductor Devices (NTSD). From multiband k.p to effective spin-orbit coupling parameters for semiconductor nanowires: ZB InSb and WZ InAs. 2017. (Congresso).

1st workshop on topological quantum phenomena and quantum information science. 2017. (Encontro).

2nd Paulista-Bavarian Workshop on Nano-Tailored Semiconductor Devices (NTSD).Effective spin-orbit coupling parameters for semiconductor nanowires: zincblend InSb and wurtzite InAs. 2017. (Oficina).

March Meeting 2017.Spin-orbit coupling effects in ZB InSb and WZ InAs nanowires using multiband k.p method. 2017. (Encontro).

80th Annual Conference of the DPG. Spin-orbit coupling effects in nanowires using the k.p method. 2016. (Congresso).

17th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP - 17. Optical trends in InP polytypic superlattices. 2015. (Congresso).

SPIE Optics + Photonics: Spintronics VII. Magnetic field effects and nodal ground states in InP nanowires. 2014. (Congresso).

XXVI IUPAP Conference on Computational Physics, CCP2014. Diagonalization of very large dense electronic structure matrices: an out-of-core iterative method. 2014. (Congresso).

16th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP - 16. Comparing electronic and optical properties of wurtzite and zincblende free-standing nanowires. 2013. (Congresso).

II Semana Integrada de Graduação e Pós-Graduação do Instituto de Física de São Carlos - II SIFSC.Simulação de uma estrutura core-shell de AlAs/GaAs. 2012. (Outra).

I Semana Integrada de Graduação e Pós-Graduação do Instituto de Física de São Carlos - I SIFSC.Simulação de sistemas semicondutores com computação heterogênea. 2011. (Seminário).

18 Simpósio Internacional de Iniciação Científica.Computação Heterogênea em GPU e Simulação de Semicondutores de Baixa Dimensionalidade. 2010. (Simpósio).

IV Escola CADSC.Computação Heteronegea em GPU e Simulação de Semicondutores de Baixa Dimensionalidade. 2010. (Seminário).

III Escola de Computação de Alto Desenpenho para Sistesmas Complexos. 2007. (Seminário).

I Escola de Física Computacional Moderna. 2006. (Seminário).

91ª Semana Euclidiana. 2003. (Encontro).

90ª Semana Euclidiana. 2002. (Encontro).

Produções bibliográficas

MAYER, WILLIAM ; SCHIELA, WILLIAM F. ; YUAN, JOSEPH ; HATEFIPOUR, MEHDI ; SARNEY, WENDY L. ; SVENSSON, STEFAN P. ; LEFF, ASHER C. ; CAMPOS, TIAGO ; WICKRAMASINGHE, KAUSHINI S. ; DARTIAILH, MATTHIEU C. ; 'UTI', IGOR ; SHABANI, JAVAD . Superconducting Proximity Effect in InAsSb Surface Quantum Wells with In Situ Al Contacts. ACS Applied Electronic Materials , v. 2, p. 2351-2356, 2020.
DIRNBERGER, FLORIAN ; KAMMERMEIER, MICHAEL ; KÖNIG, JAN ; FORSCH, MORITZ ; FARIA JUNIOR, PAULO E. ; CAMPOS, TIAGO ; FABIAN, JAROSLAV ; SCHLIEMANN, JOHN ; SCHÜLLER, CHRISTIAN ; KORN, TOBIAS ; WENK, PAUL ; BOUGEARD, DOMINIQUE . Ultralong spin lifetimes in one-dimensional semiconductor nanowires. APPLIED PHYSICS LETTERS , v. 114, p. 202101, 2019.
CAMPOS, T ; TOLOZA SANDOVAL, M A ; DIAGO-CISNEROS, L ; SIPAHI, G M . Electrical tuning of helical edge states in topological multilayers. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER , v. 31, p. 495501, 2019.
CAMPOS, T. ; FARIA JUNIOR, PAULO E. ; GMITRA, MARTIN ; SIPAHI, GUILHERME M. ; FABIAN, JAROSLAV . Spin-orbit coupling effects in zinc-blende InSb and wurtzite InAs nanowires: Realistic calculations with multiband k p method. PHYSICAL REVIEW B , v. 97, p. 245402, 2018.
BASTOS, C. M. O. ; SABINO, F. ; FARIA JUNIOR, PAULO E. ; CAMPOS, T. ; SILVA, J. L. F. ; SIPAHI, G. M. . Stability and accuracy control of k p parameters. Semiconductor Science and Technology (Print) , v. 31, p. 105002, 2016.
FARIA JUNIOR, PAULO E. ; CAMPOS, TIAGO ; BASTOS, CARLOS M. O. ; GMITRA, MARTIN ; FABIAN, JAROSLAV ; SIPAHI, GUILHERME M. . Realistic multiband approach from and spin-orbit coupling effects of InAs and InP in wurtzite phase. Physical Review B , v. 93, p. 235204, 2016.
FARIA JUNIOR, P. E. ; CAMPOS, T. ; SIPAHI, G. M. . Interband polarized absorption in InP polytypic superlattices. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS , v. 116, p. 193501, 2014.
SANDOVAL, MARCELO ALEJANDRO TOLOZA ; CAMPOS, Tiago de ; SIPAHI, GUILHERME MATOS . Tunable band gap inversion in broken gap quantum wells. In: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2017, Maresias, 2017.
CAMPOS, T. ; FARIA JUNIOR, P. E. ; SIPAHI, G. M. . Comparing electronic and optical properties of wurtzite and zincblende free-standing nanowires. In: 16th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2013, Itirapuna. Abstracts, 2013.
CAMPOS, T. ; FARIA JUNIOR, P. E. ; SIPAHI, G. M. . Simulação de uma estrutura core-shell de AlAs/GaAs. In: SEMANA DO INSTITUTO DE FÍSICA DE SÃO CARLOS - SIFSC, 2, 2012, São Carlos. Livro de Resumos, 2012. p. 132.
CAMPOS, T. ; SIPAHI, G. M. . Simulação de sistemas semicondutores com computação heterogênea. In: Semana do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC, 2011, São Carlos. Caderno de Resumos, 2011. p. 218.
CAMPOS, T. ; SANDOVAL, MARCELO ALEJANDRO TOLOZA ; DIAGO-CISNEROS, L. ; SIPAHI, GUILHERME M. . Electric tuning of topological properties in a symmetric broken gap quantum well. 2019. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
CAMPOS, T. ; PIENTKA, J. ; MATOS-ABIAGUE, A. ; HAN, J. E. ; ZUTIC, I. . Correlated states in magnetic quantum dots with multiple occupancy. 2019. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
CAMPOS, T. ; FARIA JUNIOR, P. E. ; GMITRA, M. ; SIPAHI, G. M. ; FABIAN, J. . Spin-orbit coupling effects in ZB InSb and WZ InAs nanowires using multiband k.p method. 2017. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
CAMPOS, T. ; FARIA JUNIOR, P. E. ; GMITRA, M. ; SIPAHI, G. M. ; FABIAN, J. . From multiband k.p to effective spin-orbit coupling parameters for semiconductor nanowires: ZB InSb and WZ InAs. 2017. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
CAMPOS, Tiago de ; FARIA JUNIOR, P. E. ; SIPAHI, G. M. ; GMITRA, M. ; FABIAN, J. . Spin-orbit coupling effects in nanowires using k.p method. 2016. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
G. M., Sipahi ; SABINO, F. ; BASTOS, C. M. O. ; FARIA JUNIOR, P. E. ; CAMPOS, T. ; SILVA, J. L. F. . k.p parameters with accuracy control from preexistent first-principles band structure calculations. 2016. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
FARIA JUNIOR, P. E. ; CAMPOS, T. ; BASTOS, C. M. O. ; SIPAHI, G. M. ; GMITRA, M. ; FABIAN, J. . Effective multiband Hamiltonian for InAs in wurtzite phase. 2016. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
SIPAHI, G. M. ; CAMPOS, T. ; FARIA JUNIOR, P. E. ; GMITRA, M. ; ZUTIC, I. ; FABIAN, J. . Spin-orbit coupling in InSb semiconductor nanowires: physical limits for Majorana states. 2016. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
CAMPOS, T. ; FARIA JUNIOR, P. E. ; SIPAHI, G. M. . Optical trends in InP polytypic superlattices. 2015. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
CAMPOS, Tiago de ; FARIA JUNIOR, P. E. ; SIPAHI, G. M. ; ZUTIC, I. . Magnetic field effects and nodal ground states in InP nanowires. 2014. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
CAMPOS, Tiago de ; SIPAHI, G. M. . Diagonalization of very large dense electronic structure matrices: an out-of-core iterative method. 2014. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
CAMPOS, T. ; FARIA JUNIOR, P. E. ; SIPAHI, G. M. . Comparing electronic and optical properties of wurtzite and zincblende free-standing nanowires. 2013. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
CAMPOS, T. ; FARIA JUNIOR, P. E. ; SIPAHI, G. M. . Simulação de uma estrutura core-shell de AlAs/GaAs. 2012. (Apresentação de Trabalho/Outra).
CAMPOS, Tiago de ; G. M., Sipahi . Simulação de sistemas semicondutores com computação heterogênea. 2011. (Apresentação de Trabalho/Outra).
CAMPOS, T. ; G. M., Sipahi . Computação Heteronegea em GPU e Simulação de Semicondutores de Baixa Dimensionalidade. 2010. (Apresentação de Trabalho/Outra).
CAMPOS, T. ; G. M., Sipahi . Computação Heteronegea em GPU e Simulação de Semicondutores de Baixa Dimensionalidade. 2010. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).
CAMPOS, T. ; SANDOVAL, MARCELO ALEJANDRO TOLOZA ; DIAGO-CISNEROS, L. ; SIPAHI, GUILHERME M. . Electrical tuning of helical edge states in topological multilayers 2019 (http://arxiv.org/abs/1903.02687).
MAYER, W. ; SCHIELA, W. F. ; YUAN, J. ; HATEFIPOUR, M. ; SARNEY, W. L. ; SVENSSON, S. P. ; LEFF, A. C. ; CAMPOS, T. ; WICKRAMASINGHE, K. S. ; DARTIAILH, M. C. ; ZUTIC, I. ; SHABANI, J. . Superconducting proximity effect in InAsSb surface quantum wells with in-situ Al contact 2019 (https://arxiv.org/abs/1909.12571).
CAMPOS, T. ; FARIA JUNIOR, P. E. ; GMITRA, M. ; SIPAHI, G. M. ; FABIAN, JAROSLAV . Spin-orbit coupling effects in zinc-blende InSb and wurtzite InAs nanowires: realistic calculations with multiband k.p method 2018 (https://arxiv.org/abs/1802.06734).
DIRNBERGER, F. ; KAMMERMEIER, M. ; KONIG, J. ; FORSCH, M. ; FARIA JUNIOR, PAULO E. ; CAMPOS, T. ; FABIAN, J. ; SCHLIEMANN, J. ; SCHULLER, C. ; KORN, T. ; WENK, P. ; BOUGEARD, D. . Ultralong spin lifetimes in one-dimensional semiconductor nanowires 2018 (http://arxiv.org/abs/1809.08009).
FARIA JUNIOR, P. E. ; CAMPOS, T. ; BASTOS, CARLOS M. O. ; GMITRA, MARTIN ; FABIAN, J. ; SIPAHI, GUILHERME M. . Realistic multiband k.p approach from ab initio and spin-orbit coupling effects of InAs and InP in wurtzite phase 2016 (http://arxiv.org/abs/1604.06014).
BASTOS, CARLOS M. O. ; SABINO, F. ; FARIA JUNIOR, PAULO E. ; CAMPOS, T. ; SILVA, J. L. F. ; SIPAHI, GUILHERME M. . Stability and accuracy control of kp parameters 2016 (http://arxiv.org/abs/1608.04982).
FARIA JUNIOR, P. E. ; CAMPOS, T. ; G. M., Sipahi . Interband polarized absorption in InP polytypical superlattices 2014 (http://arxiv.org/abs/1409.6836).

Histórico profissional

Endereço profissional

Universidade de São Paulo, Instituto de Física de São Carlos. , Avenida Trabalhador São Carlense, 400, Centro, 13566-590 - Sao Carlos, SP - Brasil, Telefone: (16) 33738097

Experiência profissional

2013 - 2017

Universidade de São Paulo

Vínculo: Aluno, Enquadramento Funcional: Aluno Doutorado, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

2011 - 2013

Universidade de São Paulo

Vínculo: Aluno, Enquadramento Funcional: Aluno Mestrado, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

2011 - 2011

Universidade de São Paulo

Vínculo: Aluno, Enquadramento Funcional: Estagiário, Carga horária: 6

Outras informações:
Monitoria Institucional

2010 - 2010

Universidade de São Paulo

Vínculo: Aluno, Enquadramento Funcional: Bolsista IC, Carga horária: 20

Atividades

07/2011
Pesquisa e desenvolvimento, Instituto de Física de São Carlos, Departamento de Física e Ciência Interdisciplinar.,Linhas de pesquisa
07/2011 - 12/2011
Ensino, Física Computacional, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, FFI0201 Introdução à Física Computacional

2018 - 2018

Universität Regensburg, UNI/Regensburg

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Researcher, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

2015 - 2016

Universität Regensburg, UNI/Regensburg

Vínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Doutorando Sanduíche, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.