Luis Carlos Ogando Dacal

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Produções bibliográficas

• Dacal, Luis C. O. ; CANTARERO, ANDRES ; OLEVANO, VALERIO . Substrate strain and doping effects on the crystal structure of SrNbxTi1−xO3. EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B , v. 92, p. 181, 2019.

• Dacal, Luis C. O. ; CANTARERO, A. . An ab initio study of the polytypism in InP. Scientific Reports , v. 6, p. 33914, 2016.

• PEDROSO, D M ; PASSARO, A ; DACAL, L C O ; VIEIRA, G S ; SILVA, E C F ; QUIVY, A A . Computation of dark current in QWIPs using a modelling based on Ehrenfest theorem. Journal of Physics. D, Applied Physics (Print) , v. 48, p. 365102, 2015.

• DACAL, LUIS C O ; CANTARERO, A . calculations of indium arsenide in the wurtzite phase: structural, electronic and optical properties. Materials Research Express , v. 1, p. 015702, 2014.

• Dacal, Luis C. O. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M. J. S. P. . Excitonic wavefunction engineering based on type II quantum dots. Physica Status Solidi. B, Basic Research , v. *, p. n/a-n/a, 2013.

• Dacal, Luis C. O. ; CANTARERO, A. . Ab initio electronic band structure calculation of InP in the wurtzite phase. Solid State Communications , v. 151, p. 781-784, 2011.

• Möller, M. ; de Lima, M. M. ; CANTARERO, A. ; DACAL, L. C. O. ; Madureira, J. R. ; IIKAWA, F. ; Chiaramonte, T. ; COTTA, M. A. . Polarized and resonant Raman spectroscopy on single InAs nanowires. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 84, p. 085318, 2011.

• Gadret, E. ; Dias, G. ; Dacal, L. ; de Lima Jr., Mauricio ; Ruffo, C. ; IIKAWA, F. ; Brasil, M. ; Chiaramonte, T. ; Cotta, M. ; Tizei, L. ; UGARTE, D. ; CANTARERO, A. . Valence-band splitting energies in wurtzite InP nanowires: Photoluminescence spectroscopy and ab initio calculations. Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 82, p. 125327, 2010.

• CARVALHO, H B de ; BRASIL, M. J. S. P. ; RICHARD, V Lopez ; GOBATO, Y Galvão ; MARQUES, G e ; CAMPS, I ; DACAL, L. C. O. ; HENINI, M ; EAVES, L ; HILL, G. . Electric-field inversion asymmetry: Rashba and Stark effects for holes in resonant tunneling devices. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 74, p. 041305, 2006.

• DACAL, L. C. O. ; DAMIÃO, Álvaro José ; SILVA, Erasmo A de Andrada e . Quantum ballistic conductance of quasi-two-dimensional and three-dimensional semiconductor nanowires. Physical Review. B, Condensed Matter. (Cessou 1997. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics) , v. 71, p. 155330, 2005.

• DACAL, L. C. O. ; BRUM, J. A. . Influence of the coupling between center of mass and internal degrees of freedom on the binding energy of magnetotrions. Physical Review. B, Condensed Matter. (Cessou 1997. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics) , v. 67, p. 33306, 2003.

• DACAL, L. C. O. ; BRUM, J. A. . Binding energy of charged excitons in semiconductor quantum wells in the presence of longitudinal electric fields. Physical Review. B, Condensed Matter. (Cessou 1997. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics) , v. 65, p. 115324, 2002.

• DACAL, L. C. O. ; FERREIRA, R. ; BASTARD, G. ; BRUM, J. A. . Binding energy of charged excitons bound to interface defects of semiconductor quantum wells. Physical Review. B, Condensed Matter. (Cessou 1997. Cont. 1098-0121 Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics) , v. 65, p. 115325, 2002.

• DACAL, L. C. O. ; BRUM, J. A. . Negatively charged donors in semiconductor quantum wells in the presence of longitudinal magnetic and electric fields. Semiconductor Science and Technology , v. 17, p. 1101-1107, 2002.

• DACAL, L. C. O. ; MANSANARES, A. M. ; SILVA, E. C. . Heat source distribution, vertical structure and coating influences on the temperature of operating 0.98 micrometer laser diodes : Photothermal reflectance measurements. Journal of Applied Physics , v. 84, p. 3491-3499, 1998.

• MOLLICONE, M. M. ; DACAL, L. C. O. ; CASTILHO, C. M. C. . Local field and potential barrier in tunneling processes. Applied Surface Science , v. 94/95, p. 68-72, 1996.

• DACAL, L. C. O. ; SILVA, Erasmo A de Andrada e . Conductance of three-dimensional cross junctions in the quantum ballistic regime. In: 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2006, São José dos Campos. Brazilian Journal of Physics - 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. v. 36. p. 369-371.

• DACAL, L. C. O. ; SILVA, Erasmo A de Andrada e . Effects of effective mass discontinuity on the conductance of three-dimensional quantum wires. In: XII Latin American Congress of Surface Science and its Applications, 2006, Angra dos Reis. Brazilian Journal of Physics - XII Latin American Congress of Surface Science and its Applications. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. v. 36. p. 910-912.

• DACAL, L. C. O. ; SILVA, Erasmo A de Andrada e . Contact dimension effects in the conductance of semiconductor nanowires. In: The third international conference on physics and applications of spin-related phenomena in semiconductors, 2005, Santa Bárbara. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. New York: Springer, 2004. v. 18. p. 375-377.

• DACAL, L. C. O. ; BRUM, J. A. . Effects of an electron gas on the negative trion in semiconductor quantum wells. In: The 14th International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, 2001, Praga. Physica E, 2001. v. 12. p. 546-549.

• DACAL, L. C. O. ; FERREIRA, R. ; BASTARD, G. ; BRUM, J. A. . Binding energy of negatively charged excitons in a semiconductor quantum well: the role of interface defects. In: 7th International Conference on Optics and Excitons in Confined Systems, 2001, Montpellier. Physica Status Solidi (a). Berlin: WILEY-VCH Verlag, 2001. v. 190. p. 799-802.

• DACAL, L. C. O. ; BRUM, J. A. . Negative trion binding energy in semiconductor quantum wells. In: 7th International Conference on Optics and Excitons in Confined Systems, 2001, Montpellier. Physica Status Solidi (a). Berlin: WILEY-VCH Verlag, 2001. v. 190. p. 803-807.

• DACAL, L. C. O. ; BRASIL, M. J. S. P. ; BRUM, J. A. . Negatively charged excitons in semiconductor quantum wells : effects of longitudinal electric and magnetic fields. In: 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000, Osaka (Japão). Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2000.

• DACAL, L. C. O. ; MANSANARES, A. M. ; SILVA, E. C. . Heat source distribution, vertical structure and coating influences on the temperature of operating 0.98 microm laser diodes: photothermal reflectance measurements. In: X International Conference on Photoacoustic and Photothermal Phenomena, 1998, Roma. Photoacoustic and Photothermal Phenomena: Tenth International Conference. New York: AIP Conference Proceedings 463, 1998. p. 518-520.

• Dacal, Luis C. O. ; Cantarero, Andrés . Nb doped SrTiO3 for thermoelectric applications, a DFT analysis. In: XXXVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2015, Foz do Iguaçu. XXXVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2015.

• Dacal, Luis C. O. ; Cantarero, Andrés . First principles calculation of the stacking faults contribution to the optical properties of wurtzite InP nanowires.. In: XXXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2014, Costa do Sauípe. XXXVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2014.

• Dacal, Luis C. O. ; CANTARERO, A. . Phonon dispersion curves of InP in the wurtzite phase. In: ENCONTRO DE FÍSICA 2011, 2011, Foz do Iguaçu. ENCONTRO DE FÍSICA 2011, 2011.

• Dacal, Luis C. O. ; CANTARERO, A. . "Ab initio" calculations of InP band structure in the wurtzite phase. In: XXXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2010, Águas de Lindóia. XXXIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2010.

• Gadret, Everton ; RUFFO, C. V. R. S. ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M J S P ; Chiaramonte, T. ; COTTA, M. A. ; de Lima Jr., Mauricio ; CANTARERO, A. ; Dacal, Luis C. O. . Valence band splitting in Wurtzite InP nanowires. In: 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2010, Seul. 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2010.

• MOLLER, Michael ; Dacal, Luis C. O. ; de Lima Jr., Mauricio ; IIKAWA, F. ; Chiaramonte, T. ; COTTA, M. A. ; CANTARERO, A. . Experimental measurement of the E1G gap in wurtzite InAs single nanowires by means of resonant Raman spectroscopy. In: 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2010, Seul. 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, 2010.

• Gadret, Everton ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M J S P ; Chiaramonte, T. ; COTTA, M. A. ; Tizei, L. H. G. ; UGARTE, D. ; de Lima Jr., Mauricio ; Dacal, Luis C. O. ; CANTARERO, A. . A- and B-bands optical emissions from wurtzite InP nanowires. In: 14th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2009, Curitiba. 14th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2009. p. 34-34.

• Gadret, Everton ; IIKAWA, F. ; BRASIL, M J S P ; Chiaramonte, T. ; COTTA, M. A. ; Tizei, L. H. G. ; UGARTE, D. ; de Lima Jr., Mauricio ; Dacal, Luis C. O. ; CANTARERO, A. . Optical emission from the A- and B- valence bands from wurtzite InP nanowires. In: 11th International Conference of Optics of Excitons in Confined Systems, 2009, Masdri. 11th International Conference of Optics of Excitons in Confined Systems, 2009.

• Dacal, Luis C. O. ; CANTARERO, A. . ?Ab-initio? calculation of the Indium nitride band structure with GW band gap correction. In: Advanced School on Hybrid Nanostructured Materials for Photovoltaic Applications, 2009, Valencia. Advanced school on hybrid nanostructured materials for photovoltaic applications, 2009.

• PASSARO, A. ; ABE, N. M. ; TANAKA, R. Y. ; Dacal, Luis C. O. . Condutância em sistemas balísticos bidimensionais tipo cruz usando o método de elementos finitos.. In: XXXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2008, Águas de Lindóia. XXXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2008.

• DACAL, L. C. O. . Quantum ballistic conductance of quasi-two-dimensional and three-dimensional semiconductor nanowires beyond the zero temperature limit. In: XXX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2007, São Lourenço - MG. Resumos do XXX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2007.

• DACAL, L. C. O. ; BRASIL, M. J. S. P. ; IIKAWA, F. . Excitonic Wave Function Engineering in Type II Quantum Dots. In: International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Systems, 2007, Gênova. International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Systems, 2007. p. 52-53.

• DACAL, L. C. O. ; GODOY, M P F de . Energy calculations for spatially indirect excitons in InP/GaAs quantum dots. In: XXIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2006, São Lourenço. XXIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2006.

• DACAL, L. C. O. ; SILVA, Erasmo A de Andrada e . Analyzing the dimensionality of contacts in semiconductor quantum wires through the electronic wave function phase shift. In: XXVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2005, Santos. XXVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2005. p. 347-347.

• CARVALHO, H B de ; BRASIL, M J S P ; CAMPS, I ; GOBATO, Y Galvão ; MARQUES, G e ; RICHARD, V Lopez ; DACAL, L. C. O. ; HENINI, M ; EAVES, L . Rashba spin-orbit effects on resonant tunneling devices. In: XII Latin American Congress of Surface Science and its Applications, 2005, Angra dos Reis. XII Latin American Congress of Surface Science and its Applications - Program and Abstracts, 2005. p. 35-36.

• DACAL, L. C. O. ; SILVA, Erasmo A de Andrada e ; DAMIÃO, Álvaro José . Dimensionality effects on the conductance of semiconductor quantum wires. In: XVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2004, Poços de Caldas. Resumos do XVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2004. p. 250-251.

• DACAL, L. C. O. ; SILVA, Erasmo A de Andrada e . Rashba effect and control of spin transport in semiconductor quantum wires: a three dimensional approach. In: XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2003, Caxambu. Resumos do XXVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2003. p. 366-366.

• DACAL, L. C. O. ; BRUM, J. A. ; FERREIRA, R. ; BASTARD, G. . Charged excitons in semiconductor quantum wells: effects of structural confinement and external fields. In: XI Latin American Congress of Surface Science and its Applications, 2003, Pucón. XI Latin American Congress of Surface Science and its Applications, 2003. p. MoII4-MoII4.

• DACAL, L. C. O. ; FERREIRA, R. ; BASTARD, G. ; BRUM, J. A. . Binding energy of negatively charged excitons in a semiconductor quantum well : the interface defects contribution. In: X Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001, Guarujá ? SP. X Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 2001.

• DACAL, L. C. O. ; BRUM, J. A. . Negatively charged excitons in the presence of longitudinal electric and magnetic fields. In: XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001, São Lourenço ? MG. XXIV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 2001.

• BRUM, J. A. ; DACAL, L. C. O. . Negatively charged complexes in low dimension semiconductors. In: Inter-American Workshop on the use of synchrotron radiation for research and symposium on nanotechnologies, 2001, Campinas - SP. Inter-American Workshop on the use of synchrotron radiation for research and symposium on nanotechnologies, 2001.

• DACAL, L. C. O. ; BRUM, J. A. ; BRASIL, M. J. S. P. . D- binding energy in quantum wells in the presence of electric and magnetic fields. In: Atoms, Molecules and Quantum Dots in Laser Fields: Fundamental Processes, 2000, Pisa (Itália). Atoms, Molecules and Quantum Dots in Laser Fields: Fundamental Processes, 2000.

• BRUM, J. A. ; DACAL, L. C. O. ; HAWRYLAK, P. ; IIKAWA, F. ; MAIALLE, M. ; NARVAEZ, G. ; URDANIVIA, J. ; WASILEWSKI, Z. . Charged exciton copmplexes in semiconductor quantum wells. In: Third Caribbean Workshop on Quantum Mechanics, Particles and Fields, 2000, Havana ? Cuba. Third Caribbean Workshop on Quantum Mechanics, Particles and Fields, 2000.

• DACAL, L. C. O. ; BRUM, J. A. ; BRASIL, M. J. S. P. . Binding energy of Coulomb complexes in low-dimensional semiconductors. In: IX Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1999, Belo Horizonte ? MG. IX Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 1999.

• DACAL, L. C. O. ; RASNIK, I. ; BRASIL, M. J. S. P. ; BRUM, J. A. . Magnetoexcitons in low-dimesional structures in the presence of interface roughness. In: XXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1998, Caxambu ? MG. XXI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1998.

• DACAL, L. C. O. ; MANSANARES, A. M. ; MARTINS, R. B. ; SACHS, A. C. . Thermal characterisation of telecommunication laser-diodes by Photothermal Microscopy. In: XX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1997, Caxambu - MG. XX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1997.

• DACAL, L. C. O. ; MANSANARES, A. M. ; SILVA, E. C. ; MARTINS, R. B. ; SACHS, A. C. . Thermal maps of operating diode lasers obtained by Photothermal Microscopy. In: XIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1996, Águas de Lindóia - SP. XIX Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1996.

• MOLLICONE, M. M. ; DACAL, L. C. O. ; CASTILHO, C. M. C. . Campo Elétrico Local e Probabilidade de Tunelamento de Elétrons. In: XVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1995, Caxambu - MG. XVIII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1995.

• MOLLICONE, M. M. ; DACAL, L. C. O. ; CASTILHO, C. M. C. . Barreira de Potencial e Campo Elétrico Local em Processos de Ionização por Campo. In: XIII Encontro de Físicos do Norte e Nordeste, 1995, Salvador -BA. XIII Encontro de Físicos do Norte e Nordeste, 1995.

• DACAL, L. C. O. ; MANSANARES, A. M. ; SILVA, E. C. ; MARTINS, R. B. . Temperature distribution of telecommunication lasers obtained by photothermal microscopy. In: XIII Simpósio Latino Americano de Física do Estado Sólido, 1995, Gramado - RS. XIII Simpósio Latino Americano de Física do Estado Sólido, 1995.

• MOLLICONE, M. M. ; DACAL, L. C. O. ; CASTILHO, C. M. C. . Local Field and Potential Barrier in Tunneling Processes. In: 42nd International Field Emission Symposium, 1995, Madison - Winsconsin (USA). 42nd International Field Emission Symposium, 1995.

• DACAL, L. C. O. ; ANDRADE NETO, A. V. ; CASTILHO, C. M. C. . Soluções Analíticas para a Probabilidade de Ionização: Uma Análise Crítica. In: XVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1994, Caxambu - MG. XVII Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1994.

• BERNARDES, L. A. ; VICENTIN, F. C. ; TOLENTINO, H. ; DACAL, L. C. O. . Traçado de Raios para a Estação de Espalhamento de Raios X a Baixo Ângulo do LNLS Utilizando Programa SHADOW. In: XVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1993, Caxambu - MG. XVI Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada, 1993.

• CASTILHO, C. M. C. ; DACAL, L. C. O. . Ionização por Campo: Soluções Analíticas. In: XI Encontro de Físicos do Norte e Nordeste, 1993, João Pessoa - PB. XI Encontro de Físicos do Norte e Nordeste, 1993.

• DACAL, L. C. O. ; CASTILHO, C. M. C. ; ESPERIDIAO, A. S. . Espalhamento LEED e Topografia de Superfícies. In: XII Seminário Estudantil de Pesquisa, 1993, Salvador. Resumos do XII Seminário Estudantil de Pesquisa, 1993. p. 26-26.

• DACAL, L. C. O. ; ESPERIDIAO, A. S. ; CASTILHO, C. M. C. . Topografia de Superfícies e Cálculo Dinâmico da Difração de Elétrons : Curvas LEED IxV. In: X Encontro de Físicos do Norte e Nordeste, 1992, Recife - PE. X Encontro de Físicos do Norte e Nordeste, 1992.

• DACAL, L. C. O. . I Encontro de Verão de Física do ITA. 2006. (Curso de curta duração ministrado/Extensão).

Projetos de pesquisa

• 2011 - 2013

  Cálculos ?ab initio? do alinhamento de bandas em nanofios de InP, Descrição: O crescimento de nanofios semicondutores revelou a possibilidade de estabilização da fase wurtzita em materiais que apresentam simetria tipo blenda de zinco quando amostras ?bulk? são crescidas. Na prática, a pequena diferença na energia das duas fases gera a possibilidade de escolha da fase dominante através das condições de crescimento, mas gera também falhas de empilhamento que se organizam na simetria desfavorecida. Efeitos de confinamento de cargas devido ao descasamento das estruturas de bandas das duas fases serão inevitáveis. Com o objetivo de separar este efeito de outros presentes na caracterização óptica dos nanofios, este projeto de pesquisa propõe a realização de cálculos ?ab initio? do alinhamento de bandas na interface de sistemas InP wurtzita com falhas de empilhamento tipo blenda de zinco e vice-versa. Lembrando que descasamento de bandas em interfaces entre estruturas distintas não são de fácil determinação experimental, realizaremos estes cálculos também em sistemas InAs / InP tipo blenda de zinco considerando cada um dos compostos como determinante do parâmetro de rede no plano da interface. Os resultados obtidos serão de grande importância para os colaboradores experimentais que esperam suporte teórico para as medições realizadas e a serem feitas.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Doutorado: (2) . , Integrantes: Luis Carlos Ogando Dacal - Coordenador / Maria José Santos Pompeu Brasil - Integrante / José Antonio Brum - Integrante / Fernando Iikawa - Integrante / Onofre Felix de Lima Neto - Integrante / Everton G. Gadret - Integrante / Andres Cantarero - Integrante / Udson Mendes - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 3

• 2008 - 2010

  Desenvolvimento de software para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores nanoestruturados, Descrição: Este projeto efetuou o desenvolvimento de ferramenta computacional para auxílio ao projeto e à análise de dispositivos semicondutores com estruturas de poços e pontos quânticos, visando sua aplicação no desenvolvimento de sensores de infravermelho nanoestruturados. O projeto se insere num esforço para o desenvolvimento da tecnologia para a fabricação e caracterização de sensores de infra-vermelho nanoestruturados no país. Seu foco principal foi o desenvolvimento de uma ferramenta de software para ser utilizada por pesquisadores, alunos e, futuramente, pela iniciativa privada, visto que um dos objetivos do esforço de desenvolvimento de elementos e sistemas sensores é a criação de uma base industrial sólida no país para a produção dos dispositivos e para sua utilização. O projeto complementa o esforço experimental que vem sendo realizado pelo Instituto de Estudos Avançados em colaboração com outras instituições de pesquisa do país. Foram abordadas estruturas com poços, fios e pontos quânticos. No caso de poços quânticos foram implementados cálculos autoconsistentes (efeito do potencial elétrico gerado por elétrons e íons da camada de depleção nas funções de onda nos poços e nas forças de oscilador) e um método de otimização baseado em algoritmos genéticos. No caso de pontos quânticos foi complementada a implementação de cálculos de pontos quânticos isolados imersos em estruturas de poços quânticos. Nos desenvolvimentos propostos foi utilizado o pacote de desenvolvimento denominado SDK-LEVSOFT desenvolvido pelo grupo em projetos anteriores. O pacote é uma biblioteca de classes com ferramentas para o uso do Método dos Elementos Finitos nas aproximações unidimensional e bidimensional, e heurísticas para a otimização de dispositivos... , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Luis Carlos Ogando Dacal - Integrante / Ângelo Pássaro - Coordenador / Nancy Mieko Abe - Integrante / Gustavo Soares Vieira - Integrante / Ademar Muraro Jr. - Integrante / Onofre Felix de Lima Neto - Integrante / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Stephan Stephany - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 2

• 2007 - 2008

  ESTADOS EXCITONICOS EM NANOESTRUTURAS SEMICONDUTORAS TIPO II., Descrição: Este projeto propõe um estudo teórico de complexos excitônicos em nanoestruturas semicondutoras tipo II usando o método variacional dentro do modelo de massa efetiva. As estruturas a serem analisadas são formadas por um ponto quântico de InP/GaAs e um poço quântico de InGaAs/GaAs. Os elétrons ficarão confinados no ponto enquanto os buracos no poço. A variação da distância entre estas duas regiões permitirá controlar a influência da interação colombiana sobre o estado do complexo excitônico e monitorar seu reflexo em propriedades como a energia e o tempo de recombinação dos portadores, as quais são de grande interesse para a confecção de dispositivos opto-eletrônicos. Este trabalho contará com o apoio experimental da Dra. Maria José Santos Pompeu Brasil e do Dr. Fernando Iikawa (UNICAMP) que analisarão as amostras descritas acima. Contaremos também com a colaboração do Dr. Antônio Justino Ruas Madureira (UnB) que realizará cálculos através do método split-operator. Este método, apesar de superar dificuldades ligadas à falta de simetria do sistema estudado, apresenta um custo computacional muito elevado. Desta forma, os resultados variacionais darão uma visão geral da dependência das propriedades de interesse com os parâmetros estruturais e indicarão quais conjuntos destes parâmetros merecem ter os resultados refinados pelo método split-operator.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Luis Carlos Ogando Dacal - Coordenador / Fernando Iikawa - Integrante / M J S P Brasil - Integrante / Madureira, J. R. - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 3

• 2003 - 2005

  Interações de spin e propriedades de transporte em heteroestruturas semicondutoras, Descrição: Um dos obstáculos à construção de dispositivos spintrônicos é a falta de uma melhor descrição dos processos de acoplamento spin-órbita em semicondutores. Este projeto busca contribuir para a solução deste problema apresentando um tratamento do efeito Rashba em fios quânticos semicondutores mais rigoroso que aqueles atualmente conhecidos. O modelo do fio quântico através de um Hamiltoniano de massa efetiva tipo Kane fornece uma expressão analítica para o termo Rashba que é função dos parâmetros usuais para o semicondutor bulk evitando estimativas de parâmetros adicionais. Simultaneamente, o caráter tridimensional do sistema permitirá uma representação completa desta interação spin-órbita. Estas duas características constituem as principais inovações propostas por nosso modelo para estudo da influência do acoplamento spin-órbita sobre a condutância do dispositivo. Trabalharemos sempre dentro do regime de transporte linear balístico.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Luis Carlos Ogando Dacal - Coordenador / Erasmo A de Andrada e Silva - Integrante., Financiador(es): Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Auxílio financeiro., Número de produções C, T & A: 8

Projetos de desenvolvimento

• 2019 - Atual

  PROCAD-DEFESA-2019- DESENVOLVIMENTOS NACIONAIS EM PROPULSÃO HIPERSÔNICA ASPIRADA COM FOCO NO ACESSO AO ESPAÇO E DEFESA, Descrição: Processo: 88881.387753/2019-01. Valor Financiado: R$ 983.263,04 No cenário internacional, ensaios em voo de veículos hipersônicos para o desenvolvimento da tecnologia e de armamentos foram realizados por EUA, China, Rússia, Índia, Austrália, e CE [1]-[16]. Limitações ao acesso tecnológico na área já são discutidas [17] e a extensão das limitações impostas será determinada pelas Nações que demonstrarem possuir domínio significativo da tecnologia durante as discussões dos tratados multilaterais. O Brasil é um dos poucos países, e o único na América do Sul e Central, que investem em P&D&I em combustão supersônica ("scramjet") para aplicações aeroespaciais. O COMAER mantém compromisso com o desenvolvimento dessa tecnologia estratégica desde 2008, com o financiamento do projeto Propulsão Hipersônica 14-X - PROPHIPER, executado pelo IEAV. A competência do IEAv nesta área é reconhecida internacionalmente. Esta proposta busca contribuir para a área, com foco principal em propulsão hipersônica a ar aspirado e está associada ao Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia em Propulsão Hipersônica a Ar Aspirado, INCT PRO-HYPER, aprovado no mérito em 2017. As instituições coparticipes também estão associadas ao INCT PRO-HYPER. Um dos objetivos do INCT é consonante com o estipulado no Edital PROCAD-Defesa: envolvimento de instituições de pesquisa militares e civis e Universidades em um assunto atual e de fundamental importância para que o Brasil possa ocupar uma posição de destaque no tema, com direito a discutir as questões associadas aos tratados de não proliferação. O número de pesquisadores atuando em áreas de interesse do setor aeroespacial, envolvendo Espaço e Defesa, é pequeno, fato conhecido e expresso no PNPD-2011-2020. O setor Espacial contava em 2011 com apenas 3400 técnicos (engenheiros, cientistas e outros profissionais de nível superior), e indicava uma carência imediata de 2000 especialistas. A carência aumenta desde 2011. A situação é ainda mais grave quando consideramos que o número de especialistas na área de hipersônica é da ordem de duas a três dezenas. O Programa de Pós-Graduação em Ciências e Tecnologias Espaciais, PG-CTE, aprovado pela CAPES em 2011, envolve docentes de três instituições de pesquisa e ensino da Defesa: o Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA), o Instituto de Aeronáutica e Espaço, IAE, e o Instituto de Estudos Avançados, IEAv. As 3 instituições participam deste projeto. De 2012 a 2018 o PG-CTE formou 25 mestres e 2 doutores na área de hipersônica. Alguns discentes foram absorvidos na Industria Nacional Aeroespacial ou criaram startups. Duas empresas participam do projeto, uma delas fundada por egresso do PG-CTE que também participará do projeto. No contexto do PROCAD-Defesa, a área temática prioritária é ?Tecnologias aplicadas à Defesa, nas áreas aeroespacial, nuclear e cibernética?, mas a proposta também possui aderência às áreas temáticas ?Cenários internacional e regional de Segurança e Defesa?, ?Cooperação internacional em Defesa? e ?Indústria, Gestão e economia de Defesa?... , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Mestrado acadêmico: (1) Doutorado: (7) . , Integrantes: Luis Carlos Ogando Dacal - Integrante / Ângelo Pássaro - Coordenador / Roberto Yuji Tanaka - Integrante / Orlando Roberto Neto - Integrante / Dermeval Carinhana Junior - Integrante / Paulo Gilberto de Paula Toro - Integrante / Israel da Silveira Rego - Integrante / George Santos Marinho - Integrante / Ângelo de Carvalho Paulino - Integrante / Fernando Martini Catalano - Integrante / Leda Marise Vialta - Integrante / Jefte da Silva Guimarães - Integrante / Argemiro Soares da Silva Sobrinho - Integrante / Thiago Lima de Assunção - Integrante / André Carlos Fraile Júnior - Integrante / Gilberto Petraconi Filho - Integrante / RUBENS MARIBONDO DO NASCIMENTO - Integrante / EDUARDO MORGADO BELO - Integrante / CARLOS D´ANDRADE SOUTO - Integrante / Jesuino Takachi Tomita - Integrante / Douglas Marcel Gonçalves Leite - Integrante / Ijar Milagre da Fonseca - Integrante / Ana Paula Cysne Barbosa - Integrante / MANILO SOARES MARQUES - Integrante / THIAGO CARDOSO DE SOUZA - Integrante / Raimundo Carlos Silverio Freire Junior - Integrante / JOSE DANIEL DINIZ MELO - Integrante / CARLOS ALBERTO PASKOCIMAS - Integrante / SANDI ITAMAR SCHAFER DE SOUZA - Integrante / ALVARO MARTINS ABDALLA - Integrante / PAULO CELSO GRECO JUNIOR - Integrante / Humberto Araujo Machado - Integrante / TIAGO CAVALCANTI ROLIM - Integrante / DANTON JOSE FORTES VILLAS BOAS - Integrante / CARLOS HENRIQUE MELO SOUZA - Integrante / PEDRO ANTONIO MATOS - Integrante / Ramon Carneiro - Integrante / João de Barro Monteiro Cavalcanti - Integrante / Lucas Alexandre Gonçalves Ribeiro - Integrante., Financiador(es): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - Auxílio financeiro.