Biossensor, bobina e respectivos métodos de fabrico

  • Número do pedido da patente:
  • PI 0713571-8 A2
  • Data do depósito:
  • 22/06/2007
  • Data da publicação:
  • 23/10/2012
  • Prioridade unionista:
  • País Número Data
    ESTADOS UNIDOS ESTADOS UNIDOS 11/476,702 29/06/2006
Inventores:
  • Classificação:
  • G01N 33/487
    Investiga??o ou an?lise de materiais por m?todos espec?ficos n?o abrangidos pelos grupos ; / Material biol?gico, p. ex. sangue, urina; Hemocitr?metros; / An?lise f?sica de material biol?gico; / de material biol?gico l?quido;
    ;
    G01N 27/22
    Investiga??o ou an?lise de materiais pelo uso de meios el?tricos, eletroqu?micos, ou magn?ticos; / pela investiga??o da imped?ncia; / pela investiga??o da capacit?ncia;
    ;
  • Início da fase nacional:
  • 23/12/2008
  • PCT:
  • Número: US2007071885 Data:22/06/2007
  • WO:
  • Número: 2008/002837 Data: 03/01/2008

BIOSSENSOR, BOBINA E RESPECTIVOS MÉTODOS DE FABRICO. É proporcionado um método de fabrico de um biossensor. O método pode incluir posicionar uma máscara de sombra contendo um padrão de uma pluralidade de conjuntos de características sobre uma camada de base substancialmente plana contendo uma pluralidade de pontos de registro. O método pode incluir formar também pelo menos uma da pluralidadede conjuntos de características sobre a camada de base substancialmente plana depositando seletivamente uma camada de um metarial condutor sobre a camada de base substancialmente plana passando o material condutor sobre a camada de base substancialmente plana passando o material condutor através do padrão da máscara de sombra a partir da camada de base substancialmente plana. De modod alternativo, o método pode incluir proporcionar uma estrutura laminada que inclui uma camada de base substancialmente plana contendo uma pluralidade de pontos de registro e uma camada fotorresistente contendo um padrão de uma pluralidade de conjuntos de características. O método pode ainda incluir formar pelo menos uma da pluralidade de conjuntos de características. O método pode ainda incluir formar pelo menos uma da pluralidade de conjuntos de características sobre acamada de base substancialmente plana depositando seletivamente uma camada de um material condutor sobre a camada de base substancialmente plana passando o material condutor através do padrão da camada fotorresistente e removendo a camada fotorresistente a partir da camada de base substancialmente plana.