Transistor de efeito campo de ponte molecular (tecpm)

  • Número do pedido da patente:
  • PI 0503965-7 A2
  • Data do depósito:
  • 22/08/2005
  • Data da publicação:
  • 24/04/2007
Inventores:
  • Classificação:
  • H01L 29/772
    Dispositivos semicondutores adaptados para retifica??o, amplifica??o, oscila??o ou comuta??o ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superf?cie; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superf?cie, p. ex. camada de deple??o da jun??o PN ou camada de concentra??o de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos; / Tipos de dispositivo semicondutor; / control?veis unicamente pela corrente el?trica fornecida ou pelo potencial el?trico aplicado a um eletrodo que n?o conduz a corrente a ser retificada, amplificada ou comutada; / Dispositivos unipolares; / Transistores de efeito de campo;
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"TRANSISTOR DE EFEITO CAMPO DE PONTE MOLECULAR (TECPM)". Pedido de Patente de Invenção para um nanodispositivo eletrônico, que possui características inéditas por permitir o fluxo e amplificação da corrente elétrica através do aumento do comprimento da ponte de carbono que interliga os grupos moleculares de Imidazol e Piridina, estes grupos atômicos comportam-se eletronicamente como grupos doadores e aceitadores de elétrons, respectivamente. Além de sua reduzida dimensão, em média 3nm (3x10^ 9^ metros), outras inovações significantes são: seu reduzido consumo de energia elétrica; e sua fabricação ser obtida através da síntese química.

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