Mateus Dalponte

possui graduação em Física pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, (2002), mestrado em Física pela UFRGS (2004) e doutorado em Física pela UFRGS (2008) com estágio de doutorado no exterior com duração de 1 ano em Rutgers University, NJ, EUA (2005-2006). Tem experiência na área de Física, com ênfase em física de semicondutores para microeletrônica, tendo atuado principalmente nos seguintes temas: silício, SIMOX, implantação iônica, tratamentos térmicos, dopagem, interação de dopantes com defeitos. Executou também trabalhos em materiais para usos em células fotovoltaicas e em processos para produção de células solares de silício de baixo custo e alta eficiência. Foi pós-doutorando pela CAPES onde atuou em 2 projetos: fabricação de nanofios para aplicações em sensores e fabricação de nanofilmes em multicamada para aplicações em revestimentos de alta dureza. Foi também tecnologista em Física no Departamento de Engenharia Oceânica do Instituto de Estudos do Mar Almirante Paulo Moreira (IEAPM) da Marinha do Brasil tendo interesse em desenvolvimento de sensores para caracterização de águas oceânicas (perfis de temperatura, salinidade e pressão) e uso de método criptográficos para comunicação submarina através de sonar. Atualmente é sócio-diretor da FemtoSec Tecnologia da Informação Ltda, empresa de segurança da informação que atua na área de defesa cibernética. Em parceria com a empresa Axur, coordena projetos de P&D&I para novos serviços de segurança cibernética.

Informações coletadas do Lattes em 14/10/2022

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Física

2004 - 2008

Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Título: Redistribuição e ativação de dopantes em Si com excesso de vacâncias
Orientador: em The State University of New Jersey - New Brunswick ( Torgny Gustafsson)
com Henri Ivanov Boudinov. Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.

Mestrado em Física

2002 - 2004

Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Título: Junções rasas em Si e SIMOX, Ano de Obtenção: 2004
Henri Ivanov Boudinov.Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. Palavras-chave: Ion implantation; Silicon; Shallow junction; Microeletronics; SIMOX; arsenic. Grande área: EngenhariasSetores de atividade: Atividades No Campo das Nanotecnologias e Desenvolvimento de Nanoprodutos; Fabricação de Máquinas, Aparelhos e Materiais Elétricos; Fabricação de Material Eletrônico Básico.

Graduação em Física

1998 - 2002

Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.

Pós-doutorado

2010 - 2010

2009 - 2009

Pós-Doutorado. , Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil. , Bolsista do(a): Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior, CAPES, Brasil. , Grande área: Ciências Exatas e da Terra, Grande Área: Outros / Área: Microeletrônica. , Grande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Nanotecnologia.

Formação complementar

2010 - 2010

Gerenciamento de Projetos - Methodware. (Carga horária: 16h). , Beware Consultoria Empresarial, BEWARE, Brasil.

2003 - 2003

Treinamento em Software para Microcontroladores. , Motorola, SPS, Brasil.

2002 - 2002

X-Ray Absorption & Application in Material Science. (Carga horária: 20h). , Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.

2000 - 2002

Bolsa de Iniciação Científica Pibic Cnpq. , Universidade Federal do Rio Grande do Sul, UFRGS, Brasil.

2001 - 2001

III Emicro Escola de Microeltrônica da Sbc Sul. (Carga horária: 40h). , Universidade Federal de Santa Maria, UFSM, Brasil.

Idiomas

Inglês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Espanhol

Compreende Razoavelmente, Fala Razoavelmente, Lê Razoavelmente, Escreve Pouco.

Português

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Italiano

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Eslovaco

Compreende Razoavelmente, Fala Pouco, Lê Pouco, Escreve Pouco.

Áreas de atuação

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Ciência da Computação / Subárea: Tecnologia da Informação.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Ciência da Computação / Subárea: Tecnologia da Informação/Especialidade: Segurança da Informação.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Células Solares.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação/Especialidade: Instrumentação - Sensores.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Semicondutores.

Participação em eventos

III Maratona de Empreendedorismo da UFRGS.1o lugar na III Maratona de Empreendedorismo da UFRGS como co-autor do plano de negócios da Empresa-X Semicondutores S.A.. 2002. (Outra).

I Mostra de Trabalho dos Pós-Graduandos do IF-UFRGS.I Mostra de Trabalhos dos Pós-Graduandos do IF-UFRGS. 2002. (Outra).

IBMM - Ion Beam Modification of Materials. IBMM - Ion Beam Modification of Materials. 2000. (Congresso).

Produções bibliográficas

Goncharova, L.V. ; DALPONTE, M. ; FENG, T. ; GUSTAFSSON, T. ; GARFUNKEL, E. ; Lysaght, P.S. ; BERSUKER, G. . Diffusion and interface growth in hafnium oxide and silicate ultrathin films on Si(001). Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics , v. 83, p. 115329, 2011.
DALPONTE, M. ; ADAM, M. C. ; BOUDINOV, H. I. ; FENG, T. ; GONCHAROVA, L. V. ; GARFUNKEL, E. ; GUSTAFSSON, T. . Effect of excess vacancy concentration on As and Sb doping in Si. Journal of Physics. D, Applied Physics , v. 42, p. 165106, 2009.
DALPONTE, M. ; BOUDINOV, H. ; GONCHAROVA, L. V. ; GARFUNKEL, E. ; GUSTAFSSON, T. . MEIS study of antimony implantation in SIMOX and vacancy-rich Si (100). Journal of Physics. D, Applied Physics , v. 40, p. 4222-4227, 2007.
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GONCHAROVA, L. V. ; DALPONTE, M. ; STARODUB, D. ; GUSTAFSSON, T. ; GARFUNKEL, E. ; LYSAGHT, P. ; FORAN, B. ; BARNETT, J. ; BERSUKER, G. . Oxygen diffusion and reactions in Hf-based dielectrics. Applied Physics Letters , v. 89, p. 044108-1-044108-3, 2006.
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DALPONTE, M. ; GUSTAFSSON, T. ; GONCHAROVA, L. V. ; GARFUNKEL, E. ; STARODUB, D. ; VAITHYANATHAN, V. ; BARNES, R. ; LYSAGHT, P. ; HONG, M. ; SCHLOM, D. G. . Structure, composition and order at interfaces of crystalline oxides and other high-k materials on silicon. In: Defects in High-k, 2005, Sao Petersburgo. NATO series book on "Defects in high-k", 2005.
DALPONTE, M. ; GONCHAROVA, L. V. ; GARFUNKEL, E. ; GUSTAFSSON, T. . Ion Scattering Studies of Advanced Gate Stack Materials. In: Semiconductor Research Corporation Annueal Review, 2005, Raighley, NC, USA. Semiconductor Research Corporation Annueal Review, 2005.
DALPONTE, M. ; BOUDINOV, H. ; GONCHAROVA, L. V. ; STARODUB, D. ; GARFUNKEL, E. ; GUSTAFSSON, T. . Thermal Activation of As implanted in bulk-Si and SIMOX. In: International Workshop on High Resolution Depth Profiling, 2005, Bar Harbor, Maine, USA. International Workshop on High Resolution Depth Profiling, 2005.
DALPONTE, M. ; GONCHAROVA, L. V. ; GARFUNKEL, E. ; GUSTAFSSON, T. . Oxygen diffusion and reduction of interfacial layer in high-k metal oxide gate stacks. In: AVS 52nd International Symposium & Exhibition, 2005, Boston, MA, USA. AVS 52nd International Symposium & Exhibition, 2005.
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DALPONTE, M. ; SOUZA, J. P. . Implantação iônica de baixa energia de Sb em cristais de Si. In: XIII Salão de Iniciação Científica, 2002, Porto Alegre. XII Salão de Iniciação Científica, 2002.
DALPONTE, M. ; BOUDINOV, H. ; HENTZ, A. ; SCHUNEMANN, L. . Fabricação de Membranas Finas em Silício <100>. In: I Encontro Sul-Americano de Colisões Inelásticas na Matéria, 2002, Gramado - RS - Brasil. I Encontro Sul-Americano de Colisões Inelásticas na Matéria, 2002.
DALPONTE, M. ; SOUZA, J. P. ; BOUDINOV, H. . Estudo da Implantação de As em Si e SIMOX com Baixas Energias. In: XIV Salão de Iniciação Científica, 2002, Porto Alegre - RSm - Brasil. XIV Salão de Iniciação Científica, 2002.
DALPONTE, M. ; SOUZA, J. P. . Estudo da implantação iônica de baixa energia de Sb em cristais de Si. In: Iniciação científica em relatos, 2001, Porto Alegre. Iniciação científica em relatos, 2001.
N. M. Bom ; Dalponte, M. ; C. Krug ; G. V. Soares ; RADTKE, C. . Physico-chemical properties of Al2O3/Ge structures. 2011. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
DALPONTE, M. ; ADAM, M. C. ; BOUDINOV, H. ; FENG, T. ; GONCHAROVA, L. V. ; GARFUNKEL, E. ; GUSTAFSSON, T. . Sub-nanometric resolution profiling of dopants and electric charge carriers in Si. 2010. (Apresentação de Trabalho/Conferência ou palestra).
de OLIVEIRA, R. M. ; DALPONTE, M. ; BOUDINOV, H. I. . Structural Characterization of Arsenic Implanted SOI. 2009. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).
DALPONTE, M. ; GONCHAROVA, L. V. ; BOUDINOV, H. ; GARFUNKEL, E. ; GUSTAFSSON, T. . MEIS study of Sb implantation in O or N pre-implantated Si(100) and SIMOX. 2006. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

Histórico profissional

Endereço profissional

Axur. , R. Pe. Chagas, 66 loja 6, Moinhos de Vento, 90570-080 - Porto Alegre, RS - Brasil, Telefone: (51) 81055735, URL da Homepage:

Experiência profissional

2011 - Atual

FemtoSec Tecnologia da Informação

Vínculo: Sócio, Enquadramento Funcional: Sócio diretor, Carga horária: 40

2011 - Atual

Axur

Vínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Coordenador/pesquisador, Carga horária: 20

Outras informações:
Coordena projetos de P&D&I na área de Tecnologia da Informação voltados para defesa cibernética. Atua também no suporte à equipe de pré-venda da Axur em testes e demosntrações de produtos/serviços a clientes.

2010 - 2011

Instituto de Estudos do Mar Almirante Paulo Moreira

Vínculo: , Enquadramento Funcional: Tecnologista em Física, Carga horária: 40

Outras informações:
Atuação em pesquisa e desenvolvimento de sensores para caracterização de águas oceânicas através de medidas de temperatura, salinidade e pressão. Atuação também em estudo de métodos criptográficos para aplicação em comunicação submarina através de sonar.

2009 - 2009

Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul

Vínculo: RPA - Profissional autônomo, Enquadramento Funcional: Prestador de serviços - Profissional autônomo, Carga horária: 20

Outras informações:
Atuação como profissional autônomo na área de pesquisa e desenvolvimento de células solares de silício no NT-Solar - Núcleo Tecnológico de Energia Solar da PUCRS, sob a coordenação dos Prof. Adriano Moehlecke e Izete Zanesco, partcipando do projeto Planta-piloto, com o objetivo de produzir 200 painéis fotovoltaicos. O trabalho envolve a cadeia completa de produção, partindo de lâminas de silício puro, passando por todo o processo fisico-químico de produção, pela caracterização elétrica das células propriamente ditas e pela montagem dos painéis até atingirem o estágio de produto finalizado, prontos para a instalação no local escolhido para uso.

2009 - 2009

Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul

Vínculo: Celetista formal, Enquadramento Funcional: Técnico Nível Superior NT-Solar PUCRS, Carga horária: 44

Outras informações:
Atuação como tecnico de laboratorio na área de pesquisa e desenvolvimento de células solares de silício no NT-Solar - Núcleo Tecnológico de Energia Solar da PUCRS, sob a coordenação dos Prof. Adriano Moehlecke e Izete Zanesco, partcipando do projeto Planta-piloto, com o objetivo de produzir painéis fotovoltaicos. O trabalho envolve a cadeia completa de produção, partindo de lâminas de silício puro, passando por todo o processo fisico-químico de produção, pela caracterização elétrica das células propriamente ditas e pela montagem dos painéis até atingirem o estágio de produto finalizado, prontos para a instalação no local escolhido para uso.