Ivan Emilio Chambouleyron

Possui graduação em Engenharia Eletrônica pela Universidad Nacional de La Plata(1962), especialização em Digital Data Transmission pela Philips International Institute For Technological Studies(1963) e doutorado em Física do Estado Sólido pela Université Pierre et Marie Curie(1970). Atualmente é Professor Titular MS-6 da Universidade Estadual de Campinas. Tem experiência na área de Física, com ênfase em Física da Matéria Condensada. Atuando principalmente nos seguintes temas:Laser, detetores, Infravermelho.

Informações coletadas do Lattes em 12/12/2025

Acadêmico

Formação acadêmica

Doutorado em Física do Estado Sólido

1966 - 1970

Université Pierre et Marie Curie
Título: Proprietes photo-electroniques des diodes de seleniure de plomb
Orientador: Minko Balkanski
Palavras-chave: Laser; detetores; Infravermelho.Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada / Especialidade: Prop. Óticas e Espectrosc. da Mat. Condens; Outras Inter. da Mat. com Rad. e Part.. Setores de atividade: Desenvolvimento de Novos Materiais.

Especialização em Digital Data Transmission

1962 - 1963

Philips International Institute For Technological Studies

Graduação em Engenharia Eletrônica

1955 - 1962

Universidad Nacional de La Plata

Idiomas

Bandeira representando o idioma Inglês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Bandeira representando o idioma Espanhol

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Bandeira representando o idioma Italiano

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Pouco.

Bandeira representando o idioma Francês

Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.

Áreas de atuação

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Estruturas Eletrônicas e Propriedades Elétricas de Superfícies; Interf. e Partículas.

Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Áreas Clássicas de Fenomenologia e suas Aplicações/Especialidade: Ótica.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.

Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Aproveitamento da Energia Solar/Especialidade: Celulas Solares e Sistemas Fotovoltaicos.

Participação em bancas

Aluno: Fábio Aparecido Ferri

A R ZANATTACHAMBOULEYRON, I.. Cristalização induzida por níquel em filmes de silício amorfo. 2007. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade de São Paulo/São Carlos.

Orientou

Lucas Romano Muniz

Cristalização do germânio amorfo inducida pelo alumínio; 2007; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

F

D; Origo; Propriedades Óptico-Estruturais de Filmes de A-Ge:H Crescidos Por Sputtering Assistido Por Feixe de Íons; 1998; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

F

T; Reis; Fotocondutividade Em A-Ge:H Dopado Com Elementos da Coluna Iii da Tabela Periódica; 1997; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

M Mulato

Estudo das Propriedades Estruturais e Optoeletrônicas de Filmes Finos de Germânio Amorfo Hidrogenado; 1994; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

R

R; Campomanes; Amônia Como Gás Dopante Em Filmes de A-Ge:H; 1994; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

C

F; O; Graeff; Efeito Metastavel Induzido Por Luz Em A-Ge:H; 1991; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

A

R; Zanatta; Nitrogenio Como Dopante Em Filmes de A-Ge:H; 1991; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

F

E; Fajardo; Carbono Amorfo Hidrogenado Tipo Diamante; 1991; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

F

C; Marques; Celulas Solares Com Estrutura Semicondutor - Isolante - Semicondutor (Sis) - Sno2/Siox/(N) Si; 1984; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

J

M; Montoya; Propiedades Decapas Delgadas de Sno2 Crecidas Por Rocio Quimico; 1979; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

F Dondeo Origo

Cristalização epitaxial de ligas de SiGe sobre GaAs por laser pulsado; 2004; 123 f; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

Françoise T Reis

Fotocondutividade dependente da temperatura em filmes fiinos de germâniuo amorfo hidrogenado dopado com gálio e arsênio,; 2001; 130 f; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

M Mulato

Cristalização Uniforme e Seletiva de Semicondutores Amorfos Utilizando Pulsos de Uma Fonte de Luz Laser; 1998; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

R

R; Campomanes; Dopagem Tipo-N e Mudanças Estruturais Induzidas Pelo Nitrogênio Em Filmes de Germânio Amorfo Hidrogenado; 1998; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

A

R; Zanatta; Nitrogênio Em Semicondutores Amorfos; 1995; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

C F O Graeff

Ligas Amorfas de Silício e Germânio Hidrogenadas e Materiais Relacionados; 1994; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

F

E; Fajardo; Dopagem Tipo P de Filmes de A-Ge:H; 1994; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas, Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

P

Pulino; Modelizacao de Dispositivos Semicondutores Amorfos; 1990; Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

F

C; Marques; Propriedades Estruturais e Optoeletronicas de Ligas Amorfas de Germanio; 1989; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

C Constantino

Materiais Policristalinos e Amorfos Para Conversao Fotovoltaica; 1985; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Estadual de Campinas,; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

E Saucedo

Estudio Teorico - Practico de La Estructura Fotovoltaica Snox - Sio2 - (N) Si; 1980; Tese (Doutorado em Física) - Centro de Investigacion y Estudos Avanzados Instituto Politecnico Nacional,; Orientador: Ivan Emilio Chambouleyron;

Produções bibliográficas

  • Muniz Lucas R ; RIBEIRO C ; ZANATTA, A. R. ; CHAMBOULEYRON, I. . Aluminium-induced nano-crystalline Ge formation at low temperatures. Journal of Physics. Condensed Matter , v. 19, p. 076206, 2007.

  • BURMEISTER, F. ; COMEDI, D. ; CHAMBOULEYRON, I. . Bismuth doping of hydrogenated amorphous germanium thin films. Thin Solid Films , v. 515, p. 2442-2446, 2006.

  • FERRI, F. ; A R ZANATTA ; CHAMBOULEYRON, I. . Metal-induced nanocrystalline structures in Ni-containing amorphous silicon thin films. Journal of Applied Physics , v. 100, p. CID 094311, 2006.

  • VENTURA, S. D. ; BIRGIN, E. G. ; MARTINEZ, J. M. ; CHAMBOULEYRON, I. . Optimization techniques for the estimation of the thickness and the optical parameters of thin films using reflectance data. Journal of Applied Physics , Estados Unidos de America, v. 97, n.CID 043512, 2005.

  • ZANATTA, A. R. ; CHAMBOULEYRON, I. . Low-temperature Al-induced crystallization of amorphous Ge. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 97, n.CID 094914, 2005.

  • FAJARDO, F. ; ZANATTA, A. R. ; CHAMBOULEYRON, I. . Annealing crystallization of a-Ge/Al/Si and a-Ge/Si thin films. Physica Status Solidi. B, Basic Research , Alemanha, v. 242, p. 1906-1909, 2005.

  • FAJARDO, F. E. ; ZANATTA, A. R. ; CHAMBOULEYRON, I. . Annealing effects on crystallized Al-doped a-Ge:H thin films. Physica Status Solidi. A, Applied Research , Alemanha, v. 2, n.10, p. 3750-3753, 2005.

  • DONDEO, F. ; SANTOS, P. V. ; COATIAL, H. ; KRISPIN, P. ; PUDENZI, M. A. A. ; CHAMBOULEYRON, I. . SixGe1-xfilms and heterojunctions produced by epitaxial crystallization of a-SixGe1-x alloys on GaAs. Journal of Non-Crystalline Solids , Inglaterra, v. 338, p. 197-200, 2004.

  • BIRGIN, E. G. ; CHAMBOULEYRON, I. ; MARTINEZ, J. M. . Optimization problems in the estimation of parameters of thin films and the elimination of the influence of the substrate. Journal of Computational and Applied Mathematics , Amsterdam, v. 152, n.1-2, p. 35-50, 2003.

  • BIRGIN, E. G. ; CHAMBOULEYRON, I. ; MARTINEZ, J. M. ; VENTURA, S. D. . Estimation of optical parameters of very thin films. Applied Numerical Mathematics , Holanda, v. 47, p. 109-119, 2003.

  • SANTOS, P. V. ; ZANATTA, A. R. ; JAHN, U. ; TRAMPERT, A. ; DONDEO, F. ; CHAMBOULEYRON, I. . Laser interference structuring of a-Ge films on GaAs. Journal of Applied Physics , EUA, v. 91, n.5, p. 2916-2920, 2002.

  • GOZZO, F. ; EBERLIN, M. N. ; CHAMBOULEYRON, I. . Ab initio calculations of a vacancy in a Ge nano-cluster and its passivation with atomic and molecular hydrogen. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 299, p. 174-178, 2002.

  • REIS, F. T. ; CHAMBOULEYRON, I. . Temperature dependence of the photoconductivity of arsenic-doped hydrogenated amorphous germanium thin films. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 299, p. 179-184, 2002.

  • SANTOS, P. V. ; ZANATTA, A. R. ; DONDEO, F. ; TRAMPERT, A. ; JAHN, U. ; COMEDI, D. ; PUDENZI, M. A. A. ; CHAMBOULEYRON, I. . Pulsed laser crystallization and structuring of a-Ge on GaAs. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 299, p. 137-142, 2002.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; FAJARDO, F. ; ZANATTA, A. R. . Microscopic mechanisms behind the Al-induced crystallization of a-Ge:H films. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 299, p. 143-147, 2002.

  • DONDEO, F. ; SANTOS, P. V. ; RAMSTEINER, M. ; COMEDI, D. ; PUDENZI, M. A. A. ; CHAMBOULEYRON, I. . Pulsed laser crystallization of SiGe alloys on GaAs. Brazilian Journal of Physics , Brasil, v. 32, n.2A, p. 376-378, 2002.

  • DALBA, G. ; FORNASINI, P. ; GRISENTI, R. ; ROCCA, F. ; CHAMBOULEYRON, I. . Local order of Sb and Bi dopants in hydrogenated amorphous germanium thin films studied by EXAFS. Applied Physics Letters , EUA, v. 81, n.4, p. 625-627, 2002.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; VENTURA, S. D. ; BIRGIN, E. G. ; MARTINEZ, J. M. . Optical constants and thickness determination of very thin amorphous semiconductor films. Journal of Applied Physics , EUA, v. 92, n.6, p. 3093-3102, 2002.

  • MULATO, M. ; ZANATTA, A. R. ; TOET, D. ; CHAMBOULEYRON, I. . Optical diffraction gratings produced by laser interference of a-GeN. Applied Physics Letters , EUA, v. 81, p. 2731-2733, 2002.

  • VERCESI, A. ; HOGAN, D. ; CHAMBOULEYRON, I. ; MARTINEZ, J. M. ; ARRUDA, J. R. ; ALVES, O. L. ; ARRUDA, P. ; HOFFMANN, R. . Desafios da Pesquisa no Brasil: Uma Contribuição ao Debate. São Paulo em Perspectiva , Brasil, v. 16, n.4, p. 15-23, 2002.

  • SANTOS, P. V. ; TRAMPERT, A. ; DONDEO, F. ; COMEDI, D. ; ZHU, H. J. ; PLOOG, K. H. ; ZANATTA, A. R. ; CHAMBOULEYRON, I. . Epitaxial pulsed laser crystallization of amorphous germanium on GaAs. Journal of Applied Physics , EUA, v. 90, p. 2575-2580, 2001.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; FAJARDO, F. ; ZANATTA, A. R. . Aluminum-induced crystallization of a-Ge:H thin films. Applied Physics Letters , EUA, v. 79, n.20, p. 3233-3235, 2001.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Latin America needs science culture. Chemistry And Industry, Inglaterra, v. 1, n.January, p. 11-11, 2000.

  • COMEDI, D. ; ORIGO, F. D. ; CHAMBOULEYRON, I. ; PENG, Z. L. ; MASCHER, P. . Compact hydrogenated amorphous germanium films by ion-beam sputtering deposition. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 266-9, n.2002, p. 713-716, 2000.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; COMEDI, D. ; DALBA, G. ; FORNASINI, P. ; GRISENTI, R. ; ROCCA, F. . Local coordination and electronic doping of Column III metals in hydrogenated amorphous germanium. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 266/9, n.2002, p. 726-729, 2000.

  • REIS, F. T. ; COMEDI, D. ; CHAMBOULEYRON, I. . Temperature dependence of the photoconductivity of gallium-doped amorphous germanium films. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 226/9, p. 730-734, 2000.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; COMEDI, D. ; DALBA, G. ; FORNASINI, P. ; GRISENTI, R. ; ROCCA, F. . Internal stress-induced changes of impurity coordination and doping mechanisms in a-Ge:H doped with Column III metals. Solid State Communications , Inglaterra, v. 115, n.2, p. 89-93, 2000.

  • MULATO, M. ; CHAMBOULEYRON, I. ; BIRGIN, E. G. ; MARTINEZ, J. M. . Determination of thickness and optical constants of amorphous silicon from transmittance data. Applied Physics Letters , EUA, v. 77, n.14, p. 2133-2135, 2000.

  • A R ZANATTA ; FAJARDO, F. ; MULATO, M. ; LIMA JR, M. M. ; MARQUES, F. C. ; CHAMBOULEYRON, I. . RF sputtered a-Si:H and a-Ge:H films: a comparative study. Asian Journal of Physics , India, v. 9, p. 681-891, 2000.

  • CAMPOMANES, R. R. ; COMEDI, D. ; CHAMBOULEYRON, I. . Structural changes induced by nitrogen in the a-Ge:H network. Journal of Applied Physics , EUA, v. 85, p. 3108-3113, 1999.

  • BIRGIN, E. G. ; CHAMBOULEYRON, I. ; MARTÍNEZ, J. M. . Estimation of the optical constants and thickness of thin films using unsconstrained optimization. Journal of Computational Physics, EUA, v. 151, n.2, p. 862-880, 1999.

  • PENG, Z. L. ; COMEDI, D. ; ORIGO, F. D. ; CHAMBOULEYRON, I. ; SIMPSON, P. J. ; MARSCHER, P. . Investigation of ion-bombardment effects on the formation of voids during deposition of a-Ge:H. Physica. B, Condensed Matter , v. 273, p. 579-583, 1999.

  • DALBA, G. ; FORNASINI, P. ; GRISENTI, R. ; CHAMBOULEYRON, I. ; COMEDI, D. ; ROCCA, F. . Local coordination of Ga impurity in hydrogenated amorphous germanium studied by EXAFS. Applied Physics Letters , v. 74, p. 281-283, 1999.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Latin America treats science as a curiosity. Nature (London) , Inglaterra, v. 401, n.6750, p. 208-208, 1999.

  • MARQUES, F. C. ; URDANIVIA, J. ; CHAMBOULEYRON, I. . A simple technology to improve crystalline-silicon solar cell efficiency. Solar Energy Materials and Solar Cells , Holanda, v. 52, n.3-4, p. 285-292, 1998.

  • MULATO, M. ; TYGEL, D. ; CHAMBOULEYRON, I. . On the retrieval of particle size distributions from small-angle scattering data: the influence of statistical data dispersion. Journal of Applied Crystallography , Reino Unido, v. 31, p. 149-153, 1998.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; MARTINEZ, J. M. ; MORETTI, A. C. ; MULATO, M. . Optical constants of thin films by means of a pointwise constrained optimization approach. Thin Solid Films , Holanda, v. 317, n.1-2, p. 133-136, 1998.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; COMEDI, D. . Column III and V elements as substitutional dopants in hydrogenated amorphous germanium. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 230, p. 411-417, 1998.

  • MULATO, M. ; TOET, D. ; AICHMAYR, G. ; SANTOS, P. V. ; CHAMBOULEYRON, I. . Short-pulse laser crystallization and structuring of a-Ge. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 230, p. 930-933, 1998.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; ZANATTA, A. R. . Nitrogen in germanium (Review). Journal of Applied Physics , EUA, v. 84, n.1, p. 1-30, 1998.

  • REIS, F. T. ; COMEDI, D. ; CHAMBOULEYRON, I. . Steady state conductivity of Ga- and In-doped hydrogenated amorphous germanium thin films. Journal of Applied Physics , EUA, v. 83, p. 353-357, 1998.

  • ZANATTA, A. R. ; MULATO, M. ; CHAMBOULEYRON, I. . Exponential absorption edge and disorder in column IV amorphous semiconductors. Journal of Applied Physics , EUA, v. 84, p. 5184-5190, 1998.

  • POLIAN, A. ; ITIE, J. P. ; MIGUEL, A. S. ; BADRO, J. ; TINOCO, T. ; CHAMBOULEYRON, I. . Spectroscopie d'absorption X sous haute pression. Bulletin de la Societe Française de Physique, França, v. 112, p. 43-46, 1998.

  • DALBA, G. ; FORNASINI, P. ; GRISENTI, R. ; ROCCA, F. ; CHAMBOULEYRON, I. ; GRAEFF, C. F. O. . Local order in hydrogenated amorphous germanium thin films studied by EXAFS. Journal of Physics Condensed Matter, UK, v. 9, n.27, p. 5875-5888, 1997.

  • MULATO, M. ; TOET, D. ; SANTOS, P. V. ; CHAMBOULEYRON, I. . Laser crystalization and structuring of amorphous germanium films. Applied Physics Letters , EUA, v. 70, n.26, p. 3570-3572, 1997.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; MARTINEZ, J. M. ; MORETTI, A. C. ; MULATO, M. . The retrieval of optical constants and thickness of thin films from transmission spectra. Applied Optics , EUA, v. 36, n.31, p. 8238-8247, 1997.

  • MULATO, M. ; TYGEL, D. ; CHAMBOULEYRON, I. . The influence of the available scattering vector range on the retrieval of particle size distributions from small angle scattering Intensity Data. Journal of Applied Crystallography , Inglaterra, v. 30, n.2, p. 808-810, 1997.

  • MULATO, M. ; TOET, D. ; SANTOS, P. V. ; CHAMBOULEYRON, I. . Short-pulse laser-induced crystallization of iIntrinsic and hydrogenated amorphous germanium thin films. Journal of Applied Physics , EUA, v. 82, p. 5159-5166, 1997.

  • MULATO, M. ; TYGEL, D. ; CHAMBOULEYRON, I. . Determination of particle size distribution from SAXS intensity data: the effects of the scattering vector range and statistical noise. Journal of Applied Crystallography , Reino Unido, v. 30, p. 808-810, 1997.

  • ZANATTA, A. R. ; CHAMBOULEYRON, I. ; SANTOS, P. V. . Study of structural changes in amorphous germanium-nitrogen alloys by optical techniques. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 79, n.1, p. 433-438, 1996.

  • MULATO, M. ; CHAMBOULEYRON, I. . Small angle X-ray and neutron scattering of polydisperse systems: determination of the scattering particle size distribution. Journal of Applied Crystallography , Reino Unido, v. 29, p. 29-37, 1996.

  • ZANATTA, A. R. ; CHAMBOULEYRON, I. . Bond distribution and structure of amorphous germanium-nitrogen alloys. Physica Status Solidi. B, Basic Research , Alemanha, v. 193, n.2, p. 399-410, 1996.

  • ZANATTA, A. R. ; CHAMBOULEYRON, I. . Absorption edge, band tails and disorder of amorphous semiconductors. Physical Review B - Solid State , Estados Unidos, v. 53, n.7, p. 3833-3837, 1996.

  • MULATO, M. ; CHAMBOULEYRON, I. . a-Si:Ge thin films. Brazilian Journal of Physics , São Paulo, v. 26, p. 363-367, 1996.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Photovoltaics in the developing world. Energy , EUA, v. 21, n.5, p. 385-394, 1996.

  • MULATO, M. ; CHAMBOULEYRON, I. ; TORRIANI, I. . Hydrogen bonding and void microstructure of a-Ge:H films. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 79, n.8, p. 4453-4455, 1996.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; CAMPOMANES, R. . Ammonia as an active doping source gas of hydrogenated amorphous germanium films. Physical Review B - Solid State , Estados Unidos, v. 53, n.19, p. 12566-12569, 1996.

  • COMEDI, D. ; ZANATTA, A. R. ; ALVAREZ, F. ; CHAMBOULEYRON, I. . Electronic structure of amorphous germanium-nitrogen alloys : A UV photoelectron spectroscopy study. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 198, p. 136-139, 1996.

  • COMEDI, D. ; FAJARDO, F. ; CHAMBOULEYRON, I. . Band tails and defect density in p-type doped hydrogenated amorphous germanium. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 198, p. 399-402, 1996.

  • COMEDI, D. ; CHAMBOULEYRON, I. . Dopant impurity-induced defects in p-type doped hydrogenated amorphous germanium. Applied Physics Letters , EUA, v. 69, n.12, p. 1737-1739, 1996.

  • FAJARDO, F. ; COMEDI, D. ; CHAMBOULEYRON, I. ; GARCIA, M. . Propriedades optoeletronicas de películas de germanio amorfo hidrogenado dopadas com In, Ga y Al. Revista Colombiana de Física, Colômbia, v. 28, p. 95-98, 1996.

  • FAJARDO, F. ; COMEDI, D. ; CHAMBOULEYRON, I. . Cristalizacion de peliculas de germanio amorfo hidrogenado inducida por la incorporacion de aluminio. Revista Colombiana de Física, Colômbia, v. 28, p. 99, 1996.

  • ZANATTA, A. R. ; LANDERS, R. ; CASTRO, S. G. C. ; KLEIMAN, G. G. ; CHAMBOULEYRON, I. ; GRILLI, M. L. . XPS study of amorphous germanium-nitrogen alloys. Applied Physics Letters , v. 66, p. 1258-1260, 1995.

  • ZANATTA, A. R. ; CHAMBOULEYRON, I. . Local electronegativity and chemical shift in Si and Ge molecules and alloys. Solid State Communications , Reino Unido, v. 95, n.4, p. 207-210, 1995.

  • COMEDI, D. ; ZANATTA, A. R. ; ALVAREZ, F. ; CHAMBOULEYRON, I. . Photoelectron spectroscopy of core levels using He II (40.8 Ev) excitation. Journal of Vacuum Science & Technology B , Holanda, v. 13, n.4, p. 2278-2280, 1995.

  • FAJARDO, F. ; CHAMBOULEYRON, I. . Structural and electronic properties of In-doped a-Ge:H films. Physical Review B - Solid State , Estados Unidos, v. 52, n.7, p. 4965-4973, 1995.

  • COMEDI, D. ; FAJARDO, F. ; CHAMBOULEYRON, I. . Properties of Ga-doped hydrogenated amorphous germanium. Physical Review B - Solid State , Estados Unidos, v. 52, n.7, p. 4974-4985, 1995.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; GRAEFF, C. F. ; ZANATTA, A. R. ; FAJARDO, F. ; MULATO, M. ; COMEDI, D. ; CAMPOMANES, R. ; MARQUES, F. C. . The perspectives of hydrogenated amorphous germanium as an electronic material. Physica Status Solidi. A, Applied Research , Alemanha, v. 192, n.2, p. 241-251, 1995.

  • MULATO, M. ; TORRIANI, I. ; CHAMBOULEYRON, I. . On the influence of deposition temperature on the microvoid structure and hydrogenation of a-Ge:H films. Brazilian Journal of Physics , v. 24, p. 420-423, 1994.

  • ZANATTA, A. R. ; CHAMBOULEYRON, I. . Nitrogen doping in amorphous semiconductors. Brazilian Journal of Physics , v. 24, p. 434-437, 1994.

  • GRAEFF, C. F. O. ; CHAMBOULEYRON, I. ; STUTZMANN, M. . The recombination process in hydrogenated amorphous silicon germanium alloys. Brazilian Journal of Physics , v. 24, p. 438-441, 1994.

  • FREIRE JR, F. L. ; ACHETE, C. A. ; GRAEFF, C. F. O. ; CHAMBOULEYRON, I. ; MARIOTTO, G. . Study of annealed amorphous hydrogenated films by elastic recoil detection analysis. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research , Holanda, v. 85, n.1-4, p. 55-59, 1994.

  • MARCANO, G. ; ZANATTA, A. R. ; CHAMBOULEYRON, I. . Photoconductivity of intrinsic and nitrogen-doped hydrogenated amorphous germanium thin films. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 75, n.9, p. 4662-4667, 1994.

  • FAJARDO, F. ; COMEDI, D. ; CHAMBOULEYRON, I. . Indium and gallium p-type doping of hydrogenated amorphous germanium thin films. Applied Physics Letters , Estados Unidos, v. 64, n.24, p. 3273-3275, 1994.

  • GRAEFF, C. F. ; CHAMBOULEYRON, I. . Structure and optoelectronic properties of Ge-rich amorphous silicon germanium alloys. Journal of Applied Physics , v. 76, p. 2473-2478, 1994.

  • COMEDI, D. ; FAJARDO, F. ; CHAMBOULEYRON, I. ; TABACNIKS, M. . Estimation of indium-to-germanium and gallium-to-germanium sputtering yields ratios using co-sputtering deposition. Journal of Vacuum Science and Technology. Part A. Vacuum, Surfaces and Films , Estados Unidos, v. 12, n.6, p. 3149-3151, 1994.

  • PATRIARCA, F. ; SEBASTIANI, M. ; WANG, S. ; CHAMBOULEYRON, I. ; EVANGELISTI, F. . Electronic states of aA-Si:H upon Cs adsorption and deep defect creation. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 164, p. 833-836, 1993.

  • GRAEFF, C. F. ; BRANDT, M. S. ; EBERHARDT, K. ; CHAMBOULEYRON, I. ; STUTZMANN, M. . Spin dependent photoconductivity in hydrogenated amorphous silicon - germanium alloys. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 164, p. 15-18, 1993.

  • MULATO, M. ; TORRIANI, I. ; CHAMBOULEYRON, I. . SAXS and IR study of sputtered a-Ge:H. Journal of Non-Crystalline Solids , v. 164, p. 155-158, 1993.

  • FAJARDO, F. ; CHAMBOULEYRON, I. . Hydrogenated amorphous germanium Schottky barrier diodes. Journal of Physics Condensed Matter, Inglaterra, v. 5, p. 347-348, 1993.

  • ZANATTA, A. R. ; CHAMBOULEYRON, I. . Nitrogen In the amorphous germanium network: From high dilution to the alloy phase. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 48, n.7, p. 4560-4570, 1993.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Hydrogenated amorphous germanium and its alloys. Journal of Physics Condensed Matter, Reino Unido, v. 5, p. 73-80, 1993.

  • GRAEFF, C. F. ; FREIRE JR, F. L. ; CHAMBOULEYRON, I. . Hydrogen and deuterium incorporation and release process in RF-sputtered hydrogenated or deuterated amorphous germanium Films. Philosophical Magazine B-Physics of Condensed Matter Statistical Mechanics Electronic Optical and Magnetic Properties , Reino Unido, v. 67, n.5, p. 691-704, 1993.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; ZANATTA, A. R. . On the doping efficiency of nitrogen in hydrogenated amorphous germanium. Applied Physics Letters , v. 62, n.1, p. 58-60, 1993.

  • MARQUES, F. C. ; CHAMBOULEYRON, I. . The role of silicon solar cell fabrication in intermediate level PV training. Progress In Photovoltaics, Reino Unido, v. 1, p. 79-81, 1993.

  • ZANATTA, A. R. ; FREIRE JR, F. L. ; CHAMBOULEYRON, I. . Infrared absorption and composition of amorphous germanium-nitrogen alloys. Journal of Physics Condensed Matter, Inglaterra, v. 5, p. 313-314, 1993.

  • ZANATTA, A. R. ; CHAMBOULEYRON, I. . Transport properties of nitrogen doped amorphous germanium films. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , Estados Unidos, v. 46, n.4, p. 2119-2125, 1992.

  • PASCARELLI, S. ; BOSCHERINI, F. ; MOBILIO, S. ; ZANATTA, A. R. ; MARQUES, F. C. ; CHAMBOULEYRON, I. . Extended X-ray absorption fine-structure investigation of short-range order in a-Ge(1-x)Snx alloys. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , Estados Unidos, v. 46, n.11, p. 6718-6723, 1992.

  • CASTILHO, J. ; CHAMBOULEYRON, I. ; MARQUES, F. C. ; RETTORI, C. ; ALVAREZ, F. . Electrical conductivity of amorphous silicon doped with Rare Earths. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , Estados Unidos, v. 43, n.11, p. 8946-8950, 1991.

  • SANTOS, P. V. ; GRAEFF, C. F. ; CHAMBOULEYRON, I. . Light induced metastability in a-Ge:H. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 128, n.3, p. 243-254, 1991.

  • GRAEFF, C. F. ; FREIRE JR, F. L. ; CHAMBOULEYRON, I. . Hydrogen diffusion in RF-sputtered a-Ge:H thin films. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 137/38, p. 41-44, 1991.

  • BARRIO, R. A. ; TAGUENA, J. ; CASTILLO, F. L. ; CHAMBOULEYRON, I. . Model of the electronic structure of amorphous germanium tin alloys. Solid State Communications , Reino Unido, v. 74, p. 103-105, 1990.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; MARQUES, F. C. ; DIONISIO, P. H. ; BAUMUOL, I. J. ; BARRIO, R. A. . Mossbauer study of hydrogenated amorphous germanium-tin thin films alloys. Journal of Applied Physics , v. 66, n.5, p. 2083-2090, 1989.

  • BOSCHERINI, F. ; FILIPPONI, A. ; PASCARELLI, S. ; EVANGELISTI, F. ; MOBILIO, S. ; MARQUES, F. C. ; CHAMBOULEYRON, I. . Short range order in amorphous germanium-nitrogen alloys studid by EXAFS spectroscopy. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , Estados Unidos, v. 39, n.54, p. 8364-8370, 1989.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Eletricidade solar. Ciência Hoje , v. 9, n.54, p. 32-40, 1989.

  • CASTILHO, J. H. ; MARQUES, F. C. ; BARBERIS, G. E. ; RETTORI, C. ; ALVAREZ, F. ; CHAMBOULEYRON, I. . New paramagnetic center in amorphous silicon doped with Rare Earths. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , v. 39, n.1, p. 2860-2863, 1989.

  • ARCE, R. ; KOROPECKI, R. R. ; BUITRAGO, R. ; ALVAREZ, F. ; CHAMBOULEYRON, I. . Direct evidence of porosity in carbon-rich hydrogenated amorphous silicon carbide thin films alloys. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 66, n.9, p. 4544-4546, 1989.

  • BARRIO, R. A. ; CARRIÇO, A. S. ; MARQUES, F. C. ; SANJURJO, J. ; CHAMBOULEYRON, I. . Vibrational properties of amorphous Si-N and Ge-N alloys. Journal of Physics Condensed Matter, Inglaterra, v. 1, n.1, p. 69-78, 1989.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; MARQUES, F. C. . Use of hydrogenation in the study of the properties of amorphous germanium tin alloys. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 65, n.4, p. 1591-1597, 1989.

  • CASTILHO, J. H. ; BARBERIS, G. E. ; RETTORI, C. ; MARQUES, F. C. ; CHAMBOULEYRON, I. ; ALVAREZ, F. . Electron spin resonance in amorphous silicon doped with Gd. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics , Estados Unidos, v. B39, n.12, p. 8398-8402, 1989.

  • MARQUES, F. C. ; EVANGELISTI, F. ; CHAMBOULEYRON, I. . Infrared analysis of a-Ge(1-x):H. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 114, p. 561-563, 1989.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; MARQUES, F. C. ; BAUMVOL, J. ; BARRIO, R. A. . The Structure of defects in amorphous germanium tin alloys. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 114, p. 558-560, 1989.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; LLORET, L. ; ROCA, P. ; SARDIN, G. ; ANDREU, J. . Hidrogen content, transport properties and light degradation of a-Si:H films containing artificially generated interfaces. Solar Energy Materials and Solar Cells , Estados Unidos, v. 17, n.1, p. 1-16, 1988.

  • ALVAREZ, F. ; FRAGNITO, H. ; CHAMBOULEYRON, I. . Electroluminiscence from amorphous silicon carbide hetero-junctions under reverse biased conditions. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 63, n.1, p. 244-246, 1988.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; MARQUES, F. C. ; SOUZA, J. P. . Structure and composition of amorphous Ge-Sn thin films. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 63, n.11, p. 5596-5598, 1988.

  • ALVAREZ, F. ; FRAGNITO, H. ; PRIETO, P. ; CHAMBOULEYRON, I. . Visible light emission from reverse biased amorphous silicon carbide p-i-n structures. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 97&98, p. 1319-1322, 1987.

  • CHAMBOULEYRON, I. . A Third World view of the photovoltaic market. Solar Energy , Estados Unidos, v. 36, n.5, p. 381-386, 1986.

  • MARQUES, F. C. ; CHAMBOULEYRON, I. . Surface barrier SnO2\SiOx\c-Si(n) solar cells: optimization of the fabrication process. Solar Energy Materials and Solar Cells , Estados Unidos, v. 17, n.2-3, p. 167-181, 1986.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Band-gap tailoring in amorphous germanium-nitrogen compounds. Applied Physics Letters , Estados Unidos, v. 47, n.2, p. 117-119, 1985.

  • ALVAREZ, F. ; CHAMBOULEYRON, I. ; GOBBI, A. ; MENDONÇA, C. ; CASTRO, F. . On the influence of an external D.C. substrate bias on boron and phosphorus doping efficiencies in a-Si:H. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 77&78, p. 527-530, 1985.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; MARQUES, F. C. ; CISNEROS, J. ; ALVAREZ, F. ; MOEHLECKE, S. ; LOSCH, W. ; PEREYRA, I. . Optical properties of off-stoichiometric amorphous germanium nitride compounds. Journal of Non-Crystalline Solids , Holanda, v. 77&78, p. 1309-1312, 1985.

  • ALVAREZ, F. ; CHAMBOULEYRON, I. ; CONSTANTINO, C. ; CISNEROS, J. . Doping effects in off-stoichiometric glow discharge amorphous silicon nitride. Applied Physics Letters , Estados Unidos, v. 44, n.1, p. 116-118, 1984.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Multiple-gap amorphous solar cells reconsidered. Solar Cells, Estados Unidos, v. 12, n.4, p. 393-400, 1984.

  • ALVAREZ, F. ; CHAMBOULEYRON, I. . Photoelectronic properties of amorphous silicon nitride compounds. Solar Energy Materials, Estados Unidos, v. 10, n.2, p. 151-170, 1984.

  • JOUSSE, D. ; CONSTANTINO, C. ; CHAMBOULEYRON, I. . Highly conductive and transparent amorphous tin oxide. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 54, n.1, p. 431-434, 1983.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; CONSTANTINO, C. ; FANTINI, M. ; FARIAS, M. . On the chlorine content in chemically sprayed tin oxide films. Solar Energy Materials, Estados Unidos, v. 9, n.2, p. 127-138, 1983.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Principles and operation of crystalline and amorphous solar cells. Revista Brasileira de Física, Brasil, p. 305, 1983.

  • BUSTARRET, E. ; ALVAREZ, F. ; BRENZIKOFER, R. ; VILCHE, A. ; CHAMBOULEYRON, I. . Raman spectra of amorphous silicon thin films deposited by glow discharge. Revista Brasileira de Física, Brasil, p. 455, 1983.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; CONSTANTINO, C. ; FANTINI, M. ; FARIAS, M. . SIMS and AES analyses of stannic oxide films. Journal of the Electrochemical Society , Estados Unidos, v. 129, n.3, p. C104-C104, 1982.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; CONSTANTINO, C. ; JOUSSE, D. ; ASSUMPÇÃO, R. ; BRENZIKOFER, R. . Electrical and optical properties of amorphous tin oxide. Journal de Physique, Paris, v. 42, n.C4, p. 1009-1012, 1981.

  • CHAMBOULEYRON, I. . High efficiency GaAs-GaAl1-xAsx electroluminescent diodes. Solid-State Electronics , Estados Unidos, v. 22, n.1, p. 115-116, 1979.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; SAUCEDO, E. . Properties of chemically sprayed SnO2 films on Si solar cells. Solar Energy Materials, Estados Unidos, v. 1, n.3-4, p. 299-311, 1979.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Franz-Keldysh effect and photovoltaic edge of PbSe IR detectors. Solid-State Electronics , Estados Unidos, v. 19, p. 605-609, 1976.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; BESSON, J. M. ; BALKANSKI, M. . Photovoltaic effect in lead selenide p-n junctions. Journal of Applied Physics , Estados Unidos, v. 44, p. 3222-3230, 1973.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Optoelectrónica. Acta Cientifica, Buenos Aires, v. 5, p. 132-138, 1972.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Efecto laser en las sales de plomo. Anales Soc Cientifica Argentina, Buenos Aires, v. 11, p. 23-38, 1971.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Adaptación óptica y rendimiento de diodos electroluminiscentes de GaAs. Acta Científica, Buenos Aires, v. 3, p. 74-79, 1970.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Dilthey o la lírica del historicismo. Revista de Filosofia Universidad de La Plata, La Plata, v. 10, p. 129-131, 1961.

  • CHAMBOULEYRON, I. (Org.) ; ALVAREZ, F. (Org.) ; STUTZMANN, M. (Org.) ; TAYLOR, P. C. (Org.) ; MARQUES, F. (Org.) . Amorphous and Microcrystalline Semiconductors. Elsevier Science, 2004. v. 338/40. 852p .

  • CHAMBOULEYRON, I. (Org.) . Mais vagas com qualidade. O desafio do ensino superior no Brasil. Campinas: Editora UNICAMP, 2001. v. 3000. 122p .

  • HILL, R. (Org.) ; CHAMBOULEYRON, I. (Org.) . Prospects for photovoltaics: commercialization, mass production and application for development. NEW YORK: UNITED NATIONS PUBLICATIONS, ATAS 8, 1992. v. 1. 303p .

  • CHAMBOULEYRON, I. (Org.) ; HUEPE, C. (Org.) ; MACEDO, I. (Org.) ; SEJENOICH, H. (Org.) ; SANCHEZ, V. (Org.) ; VIQUEIRA, F. (Org.) ; TAMBORENEA, F. (Org.) ; SZEKELY, F. (Org.) ; IQUEIRA, M. (Org.) . Energy alternatives in Latin America. Dublin: Tycooly International Pub. Ltd., 1982. 00462p .

  • CHAMBOULEYRON, I. . Photovoltaic capacity-building: Brazil. In: United Nations Development Programme. (Org.). Sharing Innovative Experiences. New York: United Nations Publications, 2003, v. 8, p. 1-9.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; COMEDI, D. . Amorphous silicon and germanium. In: Buschkow K H; Cahn R W; Flemings M C; Ilschner B; Kramer E J; Mahajan S. (Org.). Encyclopedia of materials: science and technology. Oxford: Elsevier Science, 2001, v. 1, p. 289-299.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; MARTÍNEZ, J. M. . Optical properties of dielectric and semiconductor thin films. In: Nalwa H S. (Org.). Handbook of thin film materials. San Diego: Academic Press, 2001, v. 3, p. 593-622.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Ciência e exclusão. In: Ivan Chambouleyron. (Org.). Mais vagas com qualidade. O desafio do ensino superior no Brasil. Campinas: Editora UNICAMP, 2001, v. , p. 23-27.

  • VERCESI, A. ; HOGAN, D. ; CHAMBOULEYRON, I. ; MARTÍNEZ, J. M. ; ARRUDA, J. R. F. ; ALVES, O. L. ; ARRUDA, P. ; HOFFMANN, R. . A questão do aumento de vagas na Unicamp. Idéias para uma reestruturação do ensino de graduação. In: Ivan Chambouleyron. (Org.). Mais vagas com qualidade. O desafio do ensino superior no Brasil. Campinas: Editora UNICAMP, 2001, v. , p. 29-39.

  • TAVARES, H. ; CHAMBOULEYRON, I. . O desafio do ensino superior no século XXI. In: Ivan Chambouleyron. (Org.). Mais vagas com qualidade. O desafio do ensino superior no Brasil. Campinas: Editora UNICAMP, 2001, v. , p. 41-60.

  • TAVARES, H. ; CHAMBOULEYRON, I. . The 21st century higher education challenge in São Paulo State and Brazil. In: Willi Bolle. (Org.). The University of the 21st Century. São Paulo: EDUSP, 2001, v. , p. 267-282.

  • DALBA, G. ; GRISENTI, R. ; ROCCA, F. ; FORNASINI, P. ; COMEDI, D. ; CHAMBOULEYRON, I. . EXAFS determination of the local environment of Column III and V elements in amorphous germanium thin films. In: ESRF. (Org.). European Synchrotron Radiation Facility: Highlights 1999. Grenoble, França: ESRF, 2000, v. , p. -.

  • CHAMBOULEYRON, I. . A view from Latin America regarding the basic sciences and development. In: Martha Garret; Claes Granqvist. (Org.). Basic Sciences and Development: Rethinking Donor Policy. INGLATERRA: Ashgate Publishing, 1998, v. , p. 107-116.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Long term prospects of photovoltaics. In: F. Treble. (Org.). Generating electricity from the Sun. London: Pergamon Press, 1991, v. , p. 125-144.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Variable band gap amorphous semiconductors. In: F. Leccabue. (Org.). Crystal growth and characterization of advanced materials. Singapore: World Scientific, 1988, v. , p. 0444-0461.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Multijunction solar cells. In: F. Leccabue. (Org.). Crystal growth and characterization of advanced materials. Singapore: World Scientific, 1988, v. , p. 0433-0443.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Dependencia tecnologica: consecuencia de la dependencia economica y social. In: Cronista Comercial. (Org.). La Argentina que debe ser. 1ed.Buenos Aires: El Cronista Comercial, 1973, v. 1, p. -.

  • CHAMBOULEYRON, I. . L'effet photovoltaique. In: G. F. Nardelli. (Org.). Tecnologie avanzate di materiali semiconduttori. Milano: Cooperativa Universitaria Editrice Milanese, 1970, v. , p. 0137-0152.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Theorie simple de la jonction p-n. In: G. F. Nardelli. (Org.). Tecnologie avanzate di materiali semiconduttori. Milano: Cooperativa Universitaria Editrice Milanese, 1970, v. , p. 0112-0136.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; ARRUDA, J. R. F. . Uma década de avaliação docente na UNICAMP. Jornal da Unicamp, Campinas, Brasil, , v. 173, p. 14 - 15, 03 abr. 2002.

  • VERCESI, A. ; HOGAN, D. ; CHAMBOULEYRON, I. ; ARRUDA, J. R. F. ; MARTÍNEZ, J. M. ; ALVES, O. L. ; ARRUDA, P. ; HOFFMANN, R. . Os desafios da pesquisa no Brasil. Jornal da Unicamp, Campinas, SP, , v. 170, p. 1 - 4, 26 fev. 2002.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Ciência e numerologia. Folha de São Paulo, São Paulo, , v. Espec., p. 7 - 7, 12 set. 1999.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; CHAMBOULEYRON, I. E. . Faltam cérebros para o futuro. Livre Mercado - Estadual, Brasil, , v. 2, p. 20 - 26.

  • VERCESI, A. ; HOGAN, D. ; CHAMBOULEYRON, I. ; MARTÍNEZ, J. M. ; ARRUDA, J. R. F. ; ALVES, O. L. ; ARRUDA, P. ; HOFFMANN, R. . A questão do aumento de número de vagas da UNICAMP. Jornal da UNICAMP, Brasil, , v. 15-156, p. 10 - 11.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Ciência e exclusão. Folha de São Paulo, Brasil, p. A3 - A3.

  • CHAMBOULEYRON, I. . A impressão de um pesquisador. Interface, Campinas, SP, Brasil, , v. II, p. 1 - 1.

  • MULATO, M. ; ZANATTA, A. R. ; TOET, D. ; CHAMBOULEYRON, I. . Laser interference structuring of a-GeN for the production of optical diffraction grating. In: MAterials Research Society Symposium, 2003, San Francisco, CA. Amorphous and Nanocrystalline Silicon-Based Films. Pittsburgh: Materials Research Society, 2003. v. 762. p. A 17..

  • BIRGIN, E. ; MARTINEZ, J. M. ; CHAMBOULEYRON, I. . Estimation of the optical constants and thickness of thin films using unconstrained optimization. In: Conference on Optical Interference Coatings, 1998. Optical Interference Coatings. Tucson, AZ, EUA: OSA Technical Digest Series. v. 1. p. 132-134.

  • ORIGO, F. ; HAMMER, P. ; COMEDI, D. ; CHAMBOULEYRON, I. . Void-free hydrogenated amorphous germanium films by ion beam sputtering deposition. In: Amorphous silicon technology, 1998, San Francisco. MRS Symposium Proceedings. Pittsburgh: Eds. S. Wagner, M. Hack, H.M. Branz, R. Schropp and I. Shimizu, 1998. v. 507. p. 477-482.

  • ZANATTA, A. R. ; LANDERS, R. ; CASTRO, S. G. C. ; KLEIMAN, G. G. ; CHAMBOULEYRON, I. . XPS study of non-stoichiometric amorphous germanium-nitrogen alloys. In: Simposio Latino Americano de Fisica de Superificies, 1996, Cancun. AIP Conference Proceedings. EUA: Eds. I. Hernandez Calderon and R. Asomoza, 1996. v. 378. p. 305-309.

  • COMEDI, D. ; ZANATTA, A. R. ; CHAMBOULEYRON, I. ; ALVAREZ, F. . Valence band structure of amorphous germanium-nitrogen alloys. In: Simposio Latino Americano de Fisica de Superficies, 1996, Cancun. AIP Conference Proceedings. New York, EUA: Eds. I. Hernandez-Calderon and R. Asomoza, 1996. v. 378. p. 310-314.

  • FAJARDO, F. ; COMEDI, D. ; TABACNIKS, M. ; CHAMBOULEYRON, I. . Transport properties of p-type doped hydrogenated amorphous germanium films. In: Simposio Latino Americano de Fisica de Superficies, 1996, Cancun. AIP Conference Proceedings. New York, EUA: Eds. I. Hernandez Calderon and R. Asomoza, 1996. v. 378. p. 324-327.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Dissemination of photovoltaics in the developing world: the role of international centers of excellence. In: First World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 1995, Hawai. First World Conference on Photovoltaic Energy Conversion. EUA: Ed. IEEE, 1995. p. 2321-2324.

  • GRAEFF, C. F. O. ; CHAMBOULEYRON, I. . Germanium-rich hydrogenated silicon germanium alloys. In: 12th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 1994, Amsterdam. 12th EU PVSEC. Stephens Pub. Co, London, UK: Eds. H. Hill, W. Palz and P. Helm, 1994. p. 362-366.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; MARQUES, F. C. . Barriers to the PV dissemination in third world countries: the Brazilian case. In: 12th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 1994, Amsterdam. Proceedings of the 12th EU PVSEC. Stephens Pub. Co, London, UK: Eds. H. Hill, W. Palz and P. Helm, 1994. p. 358-361.

  • FAJARDO, F. ; GRAEFF, C. F. O. ; CHAMBOULEYRON, I. . Doping effects of indium In hydrogenated amorphous germanium. In: 12th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 1994, Amsterdam. Proceedings of the 12th EU PVSEC. Stephens Pub. Co., London, UK: Eds. H. Hill, W. Palz and P. Helm. p. 358-362.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Amorphous Silicon Solar Cells. In: Workshop on material sciences and physics of non-conventional energy sources, 1993, Buenos Aires. Proceedings of the Workshop on material sciences and physics of non-conventional energy sources. Buenos Aires, Argentina: Eds. A. Boselli, A. Lamagna and J.A. Moragues, CNEA,. p. 153-161.

  • ZANATTA, A. R. ; CHAMBOULEYRON, I. . Nitrogen doping in a-Ge:H films. In: 11th EC Photovoltaic Solar Energy Conference, 1993, Montreux. Proceedings 11th EU PVSEC. Harwood Pub., Brussels: Eds. L. Guimarães, W. Palz, C. de Reyff, H. Kiess and P. Helm, 1993. p. 629-633.

  • MARQUES, F. C. ; ROMEIRO, M. I. ; CHAMBOULEYRON, I. . Photovoltaic training program at an undergraduate level in Brazil. In: Proc. Workshop on Materials Science and Physics of Non-Conventional Energy Sources, 1993, Buenos Aires. Proc. Workshop on Materials Science and Physics of Non-Conventional Energy Sources. CNEA, Buenos Aires, Argentina: R. Boselli, A. Lamagna and R. Moragues, eds., 1993. p. 1542-1546.

  • ZANATTA, A. R. ; GRAEFF, C. F. O. ; CHAMBOULEYRON, I. . Deposition and characterization of a-Ge:H thin films. In: 5th Brazilian school on semiconductor physics, 1992, Aguas de Lindoia. Proceedings of the 5th Brazilian school on semiconductor physics. Singapore: Eds. J.R. Leite, A. Fazzio and A. Chaves, World Scientific Pub., 1992. p. 469-473.

  • CHAMBOULEYRON, I. . The role of R & D in the development of a PV capacity: a critical appraisal. In: Prospects for photovoltaics: commercialization, mass production and application for development, 1992, São Paulo. Advanced Technology Assessment System. New York, USA: Eds: R. Hill and I. Chambouleyron, United Natios Pub.,, 1992. v. 8. p. 69-74.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Integrated policy in environment and energy development. In: Prospects for photovoltaics: commercialization, mass production and application for development, 1992, São Paulo. Advanced Technology Assessment System. New York, USA: Eds: R. Hill and I. Chambouleyron, United Nations Pub.,, 1992. v. 8. p. 126-132.

  • MARTINEZ, J. T. ; BARRIO, R. A. ; CHAMBOULEYRON, I. . Study of tin in amorphous germanium. In: DISORDER IN CONDENSED MATTER PHYSICS, 1991, OXFORD. DISORDER IN CONDENSED MATTER PHYSICS. OXFORD, INGLATERRA: EDS. J.A. BLACKMAN AND J. TAGUENA, CLARENDON PRESS, 1991. p. 139-0.

  • MARQUES, F. C. ; CHAMBOULEYRON, I. . Structural properties of a-GeN:H alloys. In: Defects in Semiconductors, 1991, Boston. MRS Symp. Proc. - Defects in Semicondustors. BOSTON, MA, USA: Eds. P.D. Bristowe, J.E. Epperson, J.E. Griffith and Z. Lilienthal-Weber, 1991. v. 209. p. 555-559.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Experimental physics in third world countries: problems and opportunities. In: Conference on Physics and Physicists for Development, 1991. Proccedings of the Conference. ENSCHEDE, HOLLANDA: EDS. J. DE BRUIJN AND D. FEIL. p. 108-112.

  • GRAEFF, C. F. O. ; FREIRE JR, F. L. ; CHAMBOULEYRON, I. . Hydrogen diffusion in a-Ge:H films. In: 5TH Brazilian School on Semiconductor Physics, 1991, Aguas de Lindoia. Advances in Semiconductor Physics. Singapore: Eds. J.R. Leite, A. Fazzio and A. Chaves, World Scientific, 1991. p. 474-479.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Photovoltaic power generation: social, economic and environmental aspects. In: ENERGY AND ENVIRONMENT INTO THE 1990'S, 1990. ENERGY AND ENVIRONMENT INTO THE 1990'S. READING, INGLATERRA: Ed. A. Sayigh, Pergamon Press, 1990. v. 1. p. 205-0.

  • SANTOS, P. V. ; GRAEFF, C. F. O. ; MARCANO, G. ; CHAMBOULEYRON, I. . Light induced metastable defects in a-Ge:H. In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 1990. MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS. SAN FRANCISCO, CA, USA: PC TAYLOR, Y HAMAKAWA, MG THOMPSON, A MADAN AND PG LECOMBER, 1990. v. 192. p. 769-0.

  • WETSEL, A. E. ; JONES, S. J. ; TURNER, W. A. ; PAUL, W. ; ZAWAWI, I. E. ; CHAHED, L. ; THEYE, M. L. ; MARQUES, F. C. ; CHAMBOULEYRON, I. . Comparison of the properties of sputtered and glow discharge a-Ge:H. In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 1990. MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS. SAN FRANCISCO, CA, USA: P C TAYLOR, Y HAMAKAWA, M J THOMPSON, A MADAN AND P G LECOMBER. v. 192. p. 547-0.

  • FIORINI, P. ; MITTIGA, A. ; CHAMBOULEYRON, I. ; EVANGELISTI, F. . Optimum bang-gap for amorphous silicon based solar cells. In: 21st IEEE Photovoltaic Specialist Conf., 1990, New York. 21st IEEE Photovoltaic Specialist Conf.. New York: IEEE, 1990. p. 1526.

  • GRAEFF, C. F. O. ; SANTOS, P. V. ; MARCANO, G. ; CHAMBOULEYRON, I. . Staebler-Wronski effect in a-Ge:H films. In: 21st IEEE Photovoltaic Specialists Conf., 1990, Orlando. Proc. 21st IEEE Photovoltaic Specialists Conf.. New York: IEEE, 1990. p. 1564-1568.

  • MARQUES, F. C. ; CHAMBOULEYRON, I. . Optoelectronic properties of high quality hydrogenated amorphous germanium films. In: 9th E.C. Photovoltaic Solar Energy Conference, 1989, Freiburg. Proc. 9th E.C. Photovoltaic Solar Energy Conference. Dordrecht: W. Paltz, G.T. Wrixon and P. Helm, Kluwer Academic Pub., 1989. p. 1042-1047.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; MARQUES, F. C. . Semiconductor properties of a-Ge:Sn:H thin films. In: Materials Research Society Symposium, 1988, Pittsburgh. Amorphous Silicon Technology. Pittsburgh: A. Madan, M.J. Thompson, P.C. Taylor, P.G. Le comber and Y. Hamakawa, MRS, 1988. v. 118. p. 685-688.

  • ZAMPIERI, P. ; MARQUES, F. C. ; AGUIAR, M. R. ; MEI, P. ; CHAMBOULEYRON, I. . Obtention of poly-crystalline solar cells from metalurgical grade silicon. In: Alternative Energy Sources VIII, 1988. Alternative Energy Sources VIII, 1988. v. I. p. 639.

  • ALVAREZ, F. ; GOBBI, A. ; MARQUES, F. C. ; CHAMBOULEYRON, I. . On the influence of an external D.C. substrate bias on boron doping in a-Si:H. In: 8 th E.C. Photovoltaic Solar Energy Conf., 1988, Florence. 8 th E.C. Photovoltaic Solar Energy Conf.. Dordrecht: Eds. I. Solomon, B. Equer and P. Helm, Kluwer Academic Pub., 1988. p. 862-866.

  • MARQUES, F. ; ZAMPIERI, P. ; AGUIAR, M. R. ; MEI, P. ; CHAMBOULEYRON, I. . Solar cells from unidirectional solidified metalurgical silicon. In: Current Topics on Semiconductor Physics, 1988, Sao Paulo. Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: O. Hipolito, G. Marques and A. Fazzio, World Scientific Pub, 1988. p. 238-242.

  • MARQUES, F. C. ; SANJURJO, J. A. ; CHAMBOULEYRON, I. ; SCHULZ, P. A. B. . Vibrational properties of non-stoichiometric amorphous germanium nitride compounds. In: Current Topics on Semiconductor Physics, 1988. Current Topics on Semiconductor Physics, 1988. p. 233-237.

  • MARQUES, F. C. ; CHAMBOULEYRON, I. ; SILVA, J. H. D. ; LOSCH, W. . Optical and electronic properties of hydrogenated silicon-germanium alloys. In: Current Topics on Semiconductor Physics, 1988. Current Topics on Semiconductor Physics, 1988. p. 168.

  • CHELLO, D. ; CHAMBOULEYRON, I. ; BARUCH, P. . Band-gap optimization for amorphous solar cells: a comparative study. In: 19th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., 1987, Orlando. 19th IEEE Photovoltaic Specialists Conf.. New York: IEEE, 1987. p. 851-854.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; LLORET, A. ; ROCA, P. ; SARDIN, G. ; ANDREU, J. . Properties of a-Si:H/a-Si:H interfaces generated by plasma switching. In: 7 th E.C. Photovoltaic Solar Energy Conf., 1987, Sevilla. 7 th E.C. Photovoltaic Solar Energy Conf.. Dordrecht: D. Reidel, 1986. p. 555-459.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; CHELLO, D. ; BARUCH, P. . Conversion efficiency of tandem solar cells. In: 2nd International Photovoltaic Science and Engineering Conf., 1986, Beijing. 2nd International Photovoltaic Science and Engineering Conf.. Hong Kong: Adfield Advertising Co. Ltd., 1986. p. 596.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; ALVAREZ, F. . Conversion efficiency of multiple-gap solar cells under different irradiation conditions. In: 18th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., 1985, Orlando. 18th IEEE Photovoltaic Specialists Conf.. New York: IEEE, 1985. p. 533.

  • SANTOS, P. ; CHAMBOULEYRON, I. ; BOLZAN, V. ; MEI, P. . Polycrystalline solar cells from up-graded metallurgical silicon. In: 17th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., 1984, Orlando. 17th IEEE Photovoltaic Specialists Conf.. New York: IEEE, 1984. p. 1395-1399.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; ALVAREZ, F. ; TESSLER, L. . Photoconductivity and optical absorption in doped and undoped glow discharge produced amorphous silicon nitride compounds. In: 17th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., 1984, Orlando. 17th IEEE Photovoltaic Specialists Conf.. New York: IEEE, 1984. p. 235.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; MARQUES, F. . Transport mechanisms in SnO2/SiO2/SiOx/c-Si(n) solar cells. In: 17thIEEE Photovoltaic Specialists Conf., 1984, Orlando. 17th IEEE Photovoltaic Specialists Conf.. New York: IEEE, 1984. p. 1392-1396.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; DAGNINO, R. ; MULLER, A. ; MITLAG, H. ; MACIEL, C. ; BIASOTTO, G. ; FRICK, O. . Technical and enonomical evaluation of the brazilian potential photovoltaic market. In: 1st International Photovoltaic Science and Engineering Conf., 1984, Kobe. 1st International Photovoltaic Science and Engineering Conf.. Tokyo: Nippon Press Center, 1984. p. 493.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; MARQUES, F. C. . Otimizacao de celulas solares Sn02/Si)x/n-Si. In: IV Congresso Brasileiro de Microeletronica, 1984, Sao Paulo. Anais do IV Congresso Brasileiro de Microeletronica. Sao Paulo: Escola Politecnica-Universidade de Sao Paulo, 1984. v. 1. p. 234-239.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Research on hydrogenated amorphous silicon and its alloys. In: Simposio latinoamericano de Fisica de Sistemas Amorfos, 1984, Niteroi. Anais do SLAFSA. Rio de Janeiro: CLAF, 1984. v. 1. p. 221-231.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; TESSLER, L. ; ALVAREZ, F. . On the temperature dependence of the photoconductivity of amorphous silicon nitride. In: Simposio Latinoamericano de Fisica de Sistemas Amorfos, 1984, Niteroi. Anais do SLAFSA. Rio de Janeiro: CLAF, 1984. v. 1. p. 221-225.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; CISNEROS, J. I. ; ALVAREZ, F. ; BUSTARRET, E. . Calculation of absorption coefficient of amorphous semiconductors in the medium infrared range. In: Simposio Latinoamericano de Fisica de Sistemas Amorfos, 1984, Niteroi. Anais do SLAFSA. Rio de Janeiro: CLAF, 1984. v. 1. p. 221-227.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; BRENZIKOFER, R. . Growth and characterization of a-Si:H thin films. In: Simposio Latinoamericano de Fisica de Sistemas Amorfos, 1984, Niteroi. Anais do SLAFSA. Rio de Janeiro: CLAF, 1984. v. 1. p. 184-192.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; ALVAREZ, F. ; CONSTANTINO, C. ; CISNEROS, J. . Doping effects on variable optical gap amorphous silicon nitride compounds. In: 5th E.C. Photovoltaic Solar Energy Conf., 1983, Athens. Proc. 5th E.C. Photovoltaic Solar Energy Conf.. Dordrecht: D. Reidel, 1983. p. 818-822.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; CONSTANTINO, C. ; ALVAREZ, F. ; CISNEROS, J. ; BUSTARRET, E. . a-SiN:H - Novo material para aplicacoes fotovoltaicas. In: III Congresso Brasileiro de Microeletronica, 1983, Sao Paulo. Anais do III Congresso Brasileiro de Microeletonica. Sao Paulo: Escola Politecnica-Universidade de Sao Paulo, 1983. v. 1. p. 249-254.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; MARQUES, F. C. . Celulas solares SnO2/SiO2/n-Si. In: III Congresso Brasileiro de Microeletronica, 1983, Sao Paulo. Anais do III Congresso Brasileiro de Microeletronica. Sap Paulo: Escola Politecnica-Universidade de Sao Paulo, 1983. v. 1. p. 184-189.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; SANTOS, P. V. . Confeccao e caracterizacao de celulas solares de silicio policristalino. In: III Congresso Brasileiro de Microeletronica, 1983, Sao Paulo. Anais do III Coingresso Brasileiro de Microeletronica. Sao Paulo: Escola Politecnica-Universidade de Sao Paulo, 1983. v. 1. p. 147-152.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; SAUCEDO, E. ; MONTOYA, J. . Reduction of surface recombination velocity on silicon surfaced by SnO2 films. In: 2nd E.C. Photovoltaic Solar Energy Conf., 1979, Berlin. 2nd E.C. Photovoltaic Solar Energy Conf.. Dordrecht: D. Reidel, 1979. p. 647.

  • CHEVALIER, Y. ; DUENAS, F. ; CHAMBOULEYRON, I. . A novel photovoltaic panel for low cost power. In: 13th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., 1978, Washington, DC. 13th IEEE Photovoltaic Specialists Conf.. New York: IEEE, 1978. p. 738.

  • CHAMBOULEYRON, I. . Solar cell sheet resistance analysis. In: 1 st E.C. Photovoltaic Solar energy Conf., 1977, Luxemburgo. 1 st E.C. Photovoltaic Solar energy Conf.. Dordrecht: D. Reidel, 1977. p. 987-991.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; CHEVALIER, Y. . Silicon double solar cell. In: 1st E.C. Photovoltaic Solar Energy Conf., 1977, Luxemburgo. 1st E.C. Photovoltaic Solar Energy Conf.. Dordrecht: Ed. D. Reidel, 1977. p. 967-971.

  • CHEVALIER, Y. ; CHAMBOULEYRON, I. . Getting more power out of silicon. In: 1st E.C. Photovoltaic Solar Energy Conf., 1977, Dordrecht. 1st E.C. Photovoltaic Solar Energy Conf.. Dordrecht: D. Reidel, 1977. p. 977-981.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; VALLE, J. L. . Diseno y fabricacion de celdas solares de silicio. In: III Congreso Nacional de Ingenieria, 1977, Oaxtepec. Actas del II Congreso Nacional de Ingenieria. Mexico: Academia nacional de Ingenieria, 1977. p. 167-172.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; MARTINEZ, G. ; BESSON, J. ; BALKANSKI, M. . Temperature dependence of the photovoltaic spectrum of PbSe diodes. In: 3rd International Conference on Photoconductivity, 1971, Palo Alto, CA. Photoconductivity. New York: Erik M. Pell, Pergamnon Press, 1971. p. 61-71.

  • MARTINEZ, G. ; CHAMBOULEYRON, I. ; BESSON, J. ; BALKANSKI, M. . Variation sous pression de l'emission radiative et de l'effet photovoltaique de PbSe. In: Colloque International du CNRS, 1970, Grenoble. Colloque International du CNRS. Paris: CNRS, 1970. v. 188. p. 16.

  • CHAMBOULEYRON, I. ; BESSON, J. ; BALKANSKI, M. ; RODOT, H. . Effect of temperature on the radiative emission of PbSe lasers. In: 9th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors, 1968, Moscu. 9th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors. Leningrad: Ed. USSR Acad. Sciences, 1968. p. 546-562.

  • FERRI, F. ; A R ZANATTA ; CHAMBOULEYRON, I. . Ni-Induced crystallization in amorphous silicon thin films: Influence of the substrate and the Ni concentration. In: 11th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces: from Semiconductors to Nanoscience, 2007, Manaus. En andamento, 2007.

Outras produções

CHAMBOULEYRON, I. . Solar energy in Latin America. 1986.

CHAMBOULEYRON, I. ; HUEPE, C. . Bases para el desarrollo de las fuentes de energía nuevas y renovábles en Venezuela. 1983.

CHAMBOULEYRON, I. . Fuentes no-convencionales de energía en América Latina: áreas prioritarias para la acción interinstitucional. 1980.

MULATO, M. ; CHAMBOULEYRON, I. . Sas21. 1998.

CHEVALIER, Y. ; CHAMBOULEYRON, I. . Capteur photovoltaique a retroilumination. 1977.

CHAMBOULEYRON, I. ; LECLERC, P. ; TRAYAUD, J. P. . Dispositif de lumiere modulable. 1965.

BIRGIN, E. J. ; CHAMBOULEYRON, I. ; MARTÍNEZ, J. M. . Metodologia para estimação das constantes opticas e da espessura de um filme fino utilizando minimização irrestrita. 1999.

CHAMBOULEYRON, I. . State of the art of solar energy research and development in Latin American institutions. 1988.

CHAMBOULEYRON, I. ; HUEPE, C. ; MACEDO, I. C. ; ORTIZ, F. ; SANCHEZ, V. ; SARAVIA, L. ; SEJENOVICH, H. ; SZEKELY, F. ; TAMBORENEA, M. ; VIQUEIRA, F. . Non-conventional energy sources in Latin America: study of capabilities. 1979.

CHAMBOULEYRON, I. . Aspectos básicos da conversão da energia solar. 1979.

CHAMBOULEYRON, I. ; TAMBORENEA, M. ; SEJENOVICH, H. . Energía, estilos de desarrollo y fuentes no-convencionales de energía. 1978.

CHAMBOULEYRON, I. . Diseño y fabricacion de rejas colectoras de corriente en celdas solares. 1977.

CHAMBOULEYRON, I. ; RUSS, T. ; SPINELLI, L. . Planta productora de diodos rectificadores de silicio de media potencia. 1975.

CHAMBOULEYRON, I. ; BOMCHIL, G. ; GONZALEZ, H. . Semiconductores inhomogeneos en equilibrio. 1972.

CHAMBOULEYRON, I. ; VOSS, M. ; LECLERC, P. . Etude des emetteurs a l'arseniure de gallium. 1965.

CHAMBOULEYRON, I. ; LECLERC, P. ; LEFORT, C. ; ROULSTON, D. ; VOSS, M. ; VIGNE, G. . Contribution a l'étude des elements fondamentaux d'une liaison infrarouge. 1964.

CHAMBOULEYRON, I. ; TARJAN, M. . Design and performance of a modulo-2 adder. 1963.

CHAMBOULEYRON, I. . Design of a fast pulse pattern generator. 1963.

CHAMBOULEYRON, I. . Dynamic display by means of a blocking oscillator triggered by a capacitive counter. 1962.

Prêmios

2001

Member Reference Group, International Programme of Physical Sciences, Uppsala University, Suécia.

1999

PALMES ACADEMIQUES, Ministere de l'Education, la Recherche et la Technoilogie, França.

1996

FELLOW, American Physical Society, EUA.

1992

PREMIO ZEFERINO VAZ DE RECONHECIMENTO ACADEMICO, Universidade Estadual de Campinas.

1986

ENERGY FOR MANKIND AWARD, The Global Energy Society - California, USA.

1979

SENIOR MEMBER, THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERS-IEEE.

Histórico profissional

Endereço profissional

  • Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física Aplicada. , Rua Bertrano Russel, sem número, Barão Geraldo, 13083970 - Campinas, SP - Brasil, Telefone: (19) 7885374, Ramal: 85374, Fax: (19) 7885376, URL da Homepage:

Experiência profissional

1995 - 1996

Princeton University

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Visiting fellow, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

  • 08/1995 - 03/1996

    Pesquisa e desenvolvimento , Department Of Electrical Engineering, .,Linhas de pesquisa

1993 - 1993

Università Di Roma La Sapienza

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

  • 01/1993 - 03/1993

    Pesquisa e desenvolvimento , Istituto Di Fisica, .,Linhas de pesquisa

1985 - 1986

Ecole Polytechnique

Vínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Maitre de Recherche, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

  • 09/1985 - 08/1986

    Pesquisa e desenvolvimento , Laboratoire de Physique Nucleaire Et Hautes Energies, .,Linhas de pesquisa

1979 - Atual

Universidade Estadual de Campinas

Vínculo: Professor Universitário, Enquadramento Funcional: Professor Titular MS-6, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

  • 04/1998

    Direção e administração, Reitoria, Pro-Reitoria de Pesquisa.,Cargo ou função, Pró-Reitor de Pesquisa.

  • 06/1979

    Pesquisa e desenvolvimento , Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física Aplicada.,Linhas de pesquisa

  • 06/1979

    Ensino, Fisica, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Cursos de física básica e física do estado solido

  • 06/1979

    Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Cursos especializados em física da matéria condensada

  • 05/1991 - 04/1993

    Direção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física Aplicada.,Cargo ou função, Chefe de Departamento.

  • 05/1987 - 04/1989

    Direção e administração, Instituto de Física Gleb Wataghin, Departamento de Física Aplicada.,Cargo ou função, Chefe de Departamento.

1976 - 1979

Centro de Investigacion y Estudos Avanzados Instituto Politecnico Nacional

Vínculo: Professor titular, Enquadramento Funcional: Professor visitante, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

  • 09/1976 - 04/1979

    Pesquisa e desenvolvimento , Instituto Politecnico Nacional, .,Linhas de pesquisa

  • 09/1976 - 04/1979

    Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Fisica da matéria condensada, Dispositivos eletrônicos

1973 - 1974

Universidad Tecnologica Nacional

Vínculo: Servidor público ou celetista, Enquadramento Funcional: Rector, Carga horária: 40

Atividades

  • 05/1973 - 04/1974

    Direção e administração, .,Cargo ou função, Reitor.

1972 - 1974

Universidad de Buenos Aires

Vínculo: Servidor público ou celetista, Enquadramento Funcional: Professor titular, Carga horária: 12

Atividades

  • 03/1972 - 04/1974

    Ensino, Engenharia Eletrica, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Dispositivos electronicos

1971 - 1976

Comission Nacional de Estudos Geo Heliofísicos

Vínculo: Pesquisador, Enquadramento Funcional: Pesquisador, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

  • 03/1971 - 05/1976

    Direção e administração, Comission Nacional de Estudos Geo Heliofísicos, Comission Nacional de Estudos Geo Heliofísicos.,Cargo ou função, Chefe de departamento - Semiconductores.

  • 02/1971 - 05/1976

    Pesquisa e desenvolvimento , Comission Nacional de Estudos Geo Heliofísicos, Comission Nacional de Estudos Geo Heliofísicos.,Linhas de pesquisa

1966 - 1971

Centre National de la Recherche Scientifique

Vínculo: Servidor público ou celetista, Enquadramento Funcional: Attache de Recherche 6, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.

Atividades

  • 10/1966 - 01/1971

    Pesquisa e desenvolvimento , Laboratoire de Physique Des Solides, Universidade Paris VI.,Linhas de pesquisa

1963 - 1966

Compagnie Generale de Telegraphie Sans Fil

Vínculo: Servidor público ou celetista, Enquadramento Funcional: Pesquisador, Carga horária: 44, Regime: Dedicação exclusiva.

Outras informações:
Pesquisa em diodos emissores de luz e lasers

Atividades

  • 09/1963 - 08/1966

    Pesquisa e desenvolvimento .,Linhas de pesquisa

Propriedade Intelectual

Patentes (1)

Criando um monitoramento

Nossos robôs irão buscar nos nossos bancos de dados todos os processos de Ivan Emilio Chambouleyron e sempre que o nome aparecer em publicações dos Diários Oficiais, avisaremos por e-mail e pelo painel do usuário

Para criar um monitoramento é preciso estar cadastrado

continuar

15 segundos

para se cadastrar

+ de 900 mil

usuários cadastrados

Criando um monitoramento

Nossos robôs irão buscar nos nossos bancos de dados todas as movimentações desse processo e sempre que o processo aparecer em publicações dos Diários Oficiais e nos Tribunais, avisaremos por e-mail e pelo painel do usuário

Para criar um monitoramento é preciso estar cadastrado

continuar

15 segundos

para se cadastrar

+ de 900 mil

usuários cadastrados

Confirma a exclusão?