VINICIUS VONO PERUZZI

Formação complementar

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Áreas de atuação

Participação em eventos

Participação em bancas

Orientou

Produções bibliográficas

• PERUZZI, VINICIUS VONO ; CRUZ, WILLIAM SOUZA ; SILVA, GABRIEL AUGUSTO DA ; SIMOEN, EDDY ; CLAEYS, COR ; GIMENEZ, SALVADOR PINILLOS . Using the Octagonal Layout Style for MOSFETs to Boost the Device Matching in Ionizing Radiation Environments. Ieee Transactions On Device And Materials Reliability , v. 20, p. 754-759, 2020.

• PERUZZI, V. V. ; CRUZ, W. S. ; DA SILVA, GABRIEL AUGUSTO ; SIMOEN, EDDY ; CLAEYS, COR ; GIMENEZ, SALVADOR PINILLOS . Using the Hexagonal Layout Style for MOSFETs to Boost the Device Matching in Ionizing Radiation Environments. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS) , v. 15, p. 1-5, 2020.

• PERUZZI, VINICIUS VONO ; RENAUX, CHRISTIAN ; FLANDRE, DENIS ; GIMENEZ, SALVADOR PINILLOS . Boosting the MOSFETs Matching by Using Diamond Layout Style. JICS. JOURNAL OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (ED. PORTUGUÊS) , v. 12, p. 33-41, 2017.

• GIMENEZ, S.P. ; RENAUX, C. ; DAVINI, E. ; PERUZZI, V.V. ; FLANDRE, D. . Compact diamond MOSFET model accounting for PAMDLE applicable down 150 nm node. ELECTRONICS LETTERS (ONLINE) , v. 50, p. 1618-1620, 2014.

• PERUZZI, V. V. ; SILVA, G. A. ; GIMENEZ, S. P. . Innovative Radiation-Hardened-By-Design Technique to Improve the Tolerance of the Total Ionizing Dose (X-Ray) Effects on the Mismatching of the Analog MOSFETs. In: SBMicro 2023, Chip in Rio, 2023, Rio de Janeiro. Rio de Janeiro. SBMicro 2023, 2023. v. 1. p. 1-4.

• PERUZZI, V.V. ; SILVA, G. A. ; GIMENEZ, S.P. . Total Ionizing Dose (X-Ray) Effects on the Mismaching of the Analog MOSFETs layouted with Different Layout Sytles. In: 36ᵗʰ Symposium on Microelectronics Technology, 2022, Porto Alegre. SBMicro 2022. São Paulo: SBMicro, 2022, 2022. v. 1. p. 1-4.

• PERUZZI, V. V. ; CRUZ, W. S. ; SILVA, G. A. ; Teixeira, R. C. ; SEIXAS JUNIOR, L. E. ; GIMENEZ, S. P. . BOOSTING THE IONIZING RADIATION TOLERANCE IN THE MOSFETS MATCHING BY USING DIAMOND LAYOUT STYLE. In: 34th SBMicro - Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2019, São Paulo. Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2019. v. 1. p. 1-6.

• PERUZZI, V. V. ; GIMENEZ, S. P. . Experimental Comparative Study Regarding the Mismatch Between the FISH nMOSFET and its Conventional Counterparts. In: Seminatec 2018, 2018, São Bernardo do Campo. Seminatec 2018, 2018. v. 1. p. 1-1.

• PERUZZI, V. V. ; RENAUX, C. ; FLANDRE, D. ; GIMENEZ, S. P. . Using Statistical Student's t-Test to Qualify the Electrical Performance of the Diamond MOSFETs. In: 33th SBMicro - Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2018, Bento Gonçalves. Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2018. v. 1. p. 1-4.

• PERUZZI, V. V. ; RENAUX, C. ; FLANDRE, D. ; GIMENEZ, S. P. . Comparative Experimental Study Of The Improved Mosfets Matching By Using The Hexagonal Layout Style. In: 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2017. 32nd Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro 2017), 2017. v. 1. p. 1-8.

• PERUZZI, V.V. ; GIMENEZ, S. P. . Boosting the MOSFETs Matching by Using Diamond Layout Style. In: SBMicro 2016, 2016, Belo Horizonte. Sociedade Brasileira de Microeletrônica, 2016. v. 1. p. 1-4.

• PERUZZI, V. V. ; FLANDRE, D. ; RENAUX, C. ; GIMENEZ, S. P. . Capability of the IDS Analytical Model on Predicting the Diamond Variability by Using the F-Test Statistic Evaluation. In: EUROSOI, 2014, Tarragona. Capability of the IDS Analytical Model on Predicting the Diamond Variability by Using the F-Test Statistic Evaluation, 2014.

• AGOPIAN, P. G. D. ; PERUZZI, V. V. ; GIMENEZ, S. P. ; SILVEIRA, M. A. G. ; MARTINO, J. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Experimental Comparison Between Tensile and Compressive Uniaxilly stressed MuGFETs Under X-Ray Radiation. In: EUROSOI 2013: Ninth Workshop of the Temathic Network on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits, 2013, Paris. Experimental Comparison Between Tensile and Compressive Uniaxilly stressed MuGFETs Under X-Ray Radiation, 2013.

• PERUZZI, V. V. ; GIMENEZ, S. P. ; SILVEIRA, M. A. G. ; AGOPIAN, P. G. D. ; MARTINO, J. ; SIMOEN, E. ; CLAEYS, C. . Comparative Experimental Study Between Tensile and Compressive Uniaxially Stressed nMuGFETs Under X-ray Radiation Focusing on Analog Behavior. In: ECS Transactions, 2013, Toronto. Comparative Experimental Study Between Tensile and Compressive Uniaxially Stressed nMuGFETs Under X-ray Radiation Focusing on Analog Behavior, 2013.

• PERUZZI, V. V. ; RENAUX, C. ; FLANDRE, D. ; GIMENEZ, S. P. . Experimental Validation of the Drain Current Analytical Model of the Fully Depleted Diamond SOI nMOSFET by Using the T-Test Statistical Evaluation. In: SBMicro 2012 - 27th SYMPOSIUM ON MICROELECTRONICS TECHNOLOGY AND DEVICES, 2012, Brasília. Experimental Validation of the Drain Current Analytical Model of the Fully Depleted Diamond SOI nMOSFET by Using the T-Test Statistical Evaluation, 2012.

• PERUZZI, V.V. ; ABRAHAM, E. R. ; FERREIRA, L. A. ; BOARATTI, M. F. G. . Aplicação de uma Máquina de Estado para Controle de um Encoder. In: Simpósio de Pesquisa do Grande ABC, 2016, Santo André. Simpósio de Pesquisa do Grande ABC, 2016.

• PERUZZI, V.V. ; RENAUX, C. ; FLANDRE, D. ; GIMENEZ, S.P. . Estudo do Efeito PAMDLE em Função do Ângulo entre Dreno e Fonte da Geometria Hexagonal de Porta do MOSFET Diamante. In: Simpósio de Pesquisa do Grande ABC, 2016, Santo André. Estudo do Efeito PAMDLE em Função do Ângulo entre Dreno e Fonte da Geometria Hexagonal de Porta do MOSFET Diamante, 2016.

• PERUZZI, V. V. ; FLANDRE, D. ; RENAUX, C. ; GIMENEZ, S. P. . Estudo Experimental do Casamento entre as Corrente de Dreno dos SOI nMOSFETs do Tipo Diamante e dos seus Convencionais Equivalentes. In: Simpósio de Pesquisa do Grande ABC, 2013, São Bernardo do Campo. Estudo Experimental do Casamento entre as Corrente de Dreno dos SOI nMOSFETs do Tipo Diamante e dos seus Convencionais Equivalentes, 2013.

• PERUZZI, V. V. ; GIMENEZ, S. P. . Estudo do comportamento da variabilidade elétrica entre MOSFETs Diamante e Convencional. In: Simpósio de Pesquisa do Grande ABC, 2011, São Caetano do Sul. Estudo do comportamento da variabilidade elétrica entre MOSFETs Diamante e Convencional, 2011.

• PERUZZI, V. V. ; SILVA, G. A. ; GIMENEZ, S.P. . Total Ionizing Dose (X-Ray) Effects on the Mismaching of the Analog MOSFETs layouted with Different Layout Sytles. 2022. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

• PERUZZI, V. V. ; CRUZ, W. S. ; SILVA, G. A. ; Teixeira, R. C. ; SEIXAS JUNIOR, L. E. ; GIMENEZ, S.P. . BOOSTING THE IONIZING RADIATION TOLERANCE IN THE MOSFETS MATCHING BY USING DIAMOND LAYOUT STYLE. 2019. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

• PERUZZI, V. V. ; RENAUX, C. ; FLANDRE, D. ; GIMENEZ, S.P. . Using Statistical Student's t-Test to Qualify the Electrical Performance of the Diamond MOSFETs. 2018. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

• PERUZZI, V. V. ; GIMENEZ, S.P. . Experimental Comparative Study Regarding the Mismatch Between the FISH nMOSFET and its Conventional Counterparts. 2018. (Apresentação de Trabalho/Seminário).

• PERUZZI, V. V. ; RENAUX, C. ; FLANDRE, D. ; GIMENEZ, S.P. . Comparative Experimental Study Of The Improved Mosfets Matching By Using The Hexagonal Layout Style. 2017. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

• PERUZZI, V.V. ; ABRAHAM, E. R. ; FERREIRA, L. A. ; BOARATTI, M. F. G. . Aplicação de uma máquina de estado para controle de um encoder. 2016. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

• PERUZZI, V. V. ; GIMENEZ, S.P. . Boosting the MOSFETs Matching by Using Diamond Layout Style. 2016. (Apresentação de Trabalho/Simpósio).

• PERUZZI, V. V. ; FLANDRE, D. ; RENAUX, C. ; GIMENEZ, S.P. . Capability of the IDS Analytical Model on Predicting the Diamond Variability by Using the F-Test Statistic Evaluation. 2014. (Apresentação de Trabalho/Congresso).

Projetos de pesquisa

• 2005 - Atual

  Inovadores Estilos de Leiaute para MOSFETs, Descrição: Estudo dos diferentes estilos de leiaute para MOSFETs que são capazes de potencializar o desempenho elétrico e a tolerância às radiações ionizantes, principalmente aquelas associadas aos efeitos da Dose Total Ionizante (Total Ionizing Dose, TID) dos MOSFETs.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (3) / Mestrado acadêmico: (4) / Doutorado: (3) . , Integrantes: Vinicius Vono Peruzzi - Integrante / Salvador Pinillos Gimenez - Coordenador / Gabriel Augusto da Silva - Integrante / Rodrigo Alves de Lima Moreto - Integrante / Egon Henrique Salerno Galembeck - Integrante / Marcello Marcelino Correia - Integrante / Luciano Mendes Camillo - Integrante.

Prêmios