Henri Ivanov Boudinov
Graduado em Física - Departamento de Física Universidade Estadual de Sófia (1982), Méstre em Física - Departamento de Física Universidade Estadual de Sófia (1983) e Doutor em Física pelo Instituto de Eletrônica Academia das Ciências Bulgária (1991). Atualmente é professor titular do Instituto de Física da Universidade Federal do Rio Grande do Sul. Tem experiência na área de Modificação de materiais com feixes de íons, com ênfase em semicondutores e tecnologias de Microeletrônica. Interesses científicos: Física de dispositivos semicondutores. Processos tecnológicos. Defeitos em semicondutores criados durante o processamento. Síntese de novos materiais eletrônicos. Medidas elétricas em micro e nano-estruturas. Materiais e dispositivos orgânicos.
Informações coletadas do Lattes em 30/07/2025
Acadêmico
Formação acadêmica
Doutorado em Física
1986 - 1991
Instituto de Eletrônica Academia das Ciências Bulgária
Título: Implantação Iônica em Si e GaAs com Doses Altas
Orientador: Prof Dr Dimitar Karpuzov
Palavras-chave: Ion Implantation; Channeling; Computer Simulation; Damage Distribution; High Dose; Rapid Thermal Annealing. Grande área: EngenhariasGrande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Atômica e Molecular / Especialidade: Processos de Colisão e Interações de Átomos e Moléculas. Setores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica; Desenvolvimento de Novos Materiais.
Mestrado em Física
1982 - 1983
Departamento de Física Universidade Estadual de Sófia
Título: Cálculo dos Campos Elétrico e Magnético em Guia de Onda Cilíndrico com Três Camadas Dielétricas, Ano de Obtenção: 1983
Orientador: Prof Dr Ivailo Trifonov
Palavras-chave: Altas freqüencias; Campo elétrico; Campo magnético; Computer Simulation.Grande área: Ciências Exatas e da TerraGrande Área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física Geral / Especialidade: Métodos Matemáticos da Física. Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Telecomunicações / Especialidade: Teoria Eletromagnetica, Microondas, Propagação de Ondas, Antenas. Setores de atividade: Industria Eletro-Eletrônica; Fabricação de Aparelhos e Equipamentos de Telecomunicação.
Pós-doutorado
2000 - 2001
Pós-Doutorado. , RSPhysSE, Australian National University, ANU, Austrália. , Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. , Grande área: Ciências Exatas e da Terra, Grande Área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos / Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.
Idiomas
Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Português
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Russo
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Búlgaro
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Áreas de atuação
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Materiais Elétricos/Especialidade: Materiais e Componentes Semicondutores.
Grande área: Engenharias / Área: Engenharia Elétrica / Subárea: Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas; Instrumentação/Especialidade: Medidas Elétricas.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Estruturas Eletrônicas e Propriedades Elétricas de Superfícies; Interf. e Partículas.
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada/Especialidade: Materiais Dielétricos e Propriedades Dielétricas.
Participação em bancas
TOSIN, M. C.; RADTKE, C.; TUMELERO, M.;BOUDINOV, H.I.. Processamento de Bismuto para Fabricação de Sondas Hall Microscópicas. 2025. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
SILVEIRA, G. G.; PEREIRA, L. G.; R. Papaleo;BOUDINOV, HENRI IVANOV; G. Azevedo. Estudo das propriedades de diamantes policristalinos para uso em detectores no regime de altas energias. 2024. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
A. Moehlecke; Zanesco I;BOUDINOV, HENRI IVANOV; R. Papaleo. Analise de processos de texturação para células solares n-PERC com emissor p+ formado por radiação laser. 2024. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul.
Zanesco I;BOUDINOV, HENRI IVANOV; COSTA, E. M.. ANÁLISE DA BIFACIALIDADE E DA INFLUÊNCIA DA CONCENTRAÇÃO DE OXIGÊNIO E NITROGÊNIO NA PASSIVAÇÃO DE CÉLULAS SOLARES BIFACIAIS PERT BASE P. 2023. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul.
BERNARDI, F.; SOARES, E. A.; BUCHNER, S.;BOUDINOV, HENRI IVANOV. Superhydrophobic Pt-CeO2 nanoparticles as efficient catalyst for the reverse water gas shift reaction. 2023. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Radtke, Cláudio;Corrêa, Silma A.; CASTEGNARO, .. M. V.;BOUDINOV, HENRI IVANOV. Controle da Transição de Fase Cristalina de Dissulfeto de Molibdênio (MoS2) com Feixe de Íons. 2023. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
CORREIA, Ricardo Rego Bordalo; RIBEIRO, P. H. S.; LUNA, E.;BOUDINOV, HENRI I. Development of an ultrasensitive technique for optical characterization measurements. 2022. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
BERNARDI, F.; PANCOTTI, A.; GUSMÃO, Miguel;BOUDINOV, HENRI I. Improving the photodegradation of dyes with SrTiO3-modified nanoparticles. 2021. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
PEREIRA, P. R. S.;BOUDINOV, HENRI I; ROCHA, T. L. A. C.; SCHERER, J. N.. Desenvolvimento de dispositivo microfluídico para lise celular. 2021. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade do Vale do Rio dos Sinos.
Zanesco I;BOUDINOV, HENRI I; COSTA, E. M.. DESENVOLVIMENTO E COMPARAÇÃO DE CÉLULAS SOLARES BIFACIAIS PROCESSADAS COM REDUÇÃO DE ETAPAS TÉRMICAS EM LÂMINAS DE SILÍCIO COM DIFERENTES RESISTIVIDADES DE BASE. 2021. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul.
I.T.S. Garcia; GESHEV, Julian;M.B. PereiraBoudinov H. Flexible Temperature-Pressure Organic Sensor. 2020. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H; PEREIRA, P. R. S.. Desenvolvimento de sensor de pressão para aplicação industrial. 2020. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade do Vale do Rio dos Sinos.
Boudinov H; Carreira W.H.; Ferreira S.B.. Desenvolvimento de cateter implantável de monitorização de pressão intracraniana. 2019. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade do Vale do Rio dos Sinos.
STILICK, J. F.; Levin Y.;Boudinov H; R. da Silva. Interação entre placas metálicas no interior de uma solução eletrolítica. 2019. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Baptista D.Boudinov H; DORNELES, L.. Estudo da Estabilidade de Nanoestruturas de Ag e Au Frente a Irradiação de Elétrons. 2019. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Carreira W.H.;Boudinov H; LORA, P. S.. MONITORING OF BLOOD COAGULATION PROCESS ON GRAPHENE FIELD EFFECT TRANSISTOR BIOSENSO. 2019. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade do Vale do Rio dos Sinos.
BERNARDI, F.; LOPEZ, O. W. P.; N. Balzaretti;Boudinov H. Unraveling the influence of the CeO2-x (0 ≤ x ≤ 0.5) properties in the reactivity of the Cu-CeO2-x nanoparticles towards the CO oxidation reaction. 2019. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Radtke, Cláudio;M.B. Pereira; A da C Viegas;Boudinov H. Fabrication of Ion Sensitive Field Effect Transistors. 2018. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
AGOPIAN, P.; GIMENEZ, S. P.;Boudinov H. Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla. 2018. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
A. Moehlecke; Zanesco I; R. Papaleo;Boudinov H. Desenvolvimento e análise da passivação com dióxido de silício de células solares com campo retrodifusor seletivo. 2017. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul.
Soares, Gabriel Vieira; Santos MJL; ARAUJO, L. L.;Boudinov H. Crescimento de Grafeno por CVD e sua interação físico-química com hidrogênio. 2017. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Baptista D.; Carreira W.H.; Horovitz F.;Boudinov H. Síntese e passivação de nanofios de óxido de zinco. 2017. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Ziebell L.F.;Boudinov H; F. Haas; J.H.F. Severo. Efeitos de ondas do tipo cíclotron eletrônica sobre a evolução de instabilidades neoclássicas em tokamaks. 2016. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
CORREIA, Ricardo Rego BordaloBoudinov H; Dias J.; M.A.R.C de Alencar. Espectroscopia óptica não linear em anel antirressonante. 2016. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
MOREIRA, EDUARDO C.; Wirt G;CORREIA, Ricardo Rego Bordalo; CAMPO, L. F.;Boudinov H. Caracterização e aplicação de derivados de benzazolas em dispositivos orgânicos emissores de luz. 2016. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H; MOREIRA, EDUARDO C.; GIULIAN, R.; Horovitz F.. Controle das Propriedades Ópticas e Elétricas do ITO (Indium Tin Oxide) por Bombardeamento com Íons. 2015. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
GESHEV, Julian; PIROTA, K.;Boudinov H; A da C Viegas. Análize micromagnética e desenvolvimento computacional aplicados a sistemas que apresentam acoplamento de troca. 2015. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Ely F;Baptista D.; Wirt G;Boudinov H. Álcool Polivinílico (PVA) como dielétrico de porta em eletrônica orgânica. 2014. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H; RIBEIRO, G. M.; RIZZATO, F.; TEIXEIRA, Sérgio Ribeiro. Nitreto de silício depositado por sputtering reativo para aplicação em memória não-volátil. 2013. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Stedile, Fernanda C.; G. Azevedo; R. Hinrichs;Boudinov H. Investigação da interface entre filmes Dielétricos crescidos termicamente e o carbeto de silício monocristalino com potencial de uso em microeletrônica. 2012. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H; Horovitz F.; U. Sias;CORREIA, Ricardo Rego Bordalo. Fotoluminescência de nitreto de silício não-estequiométrico depositado por sputterin reativo. 2012. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H; GESHEV, Julian; R. Sommer;GRANDE, P. L.. Exchange Bias em Filmes Policristalinos: Estudo da Importância dos Spins da Interface e do Volume do Antiferromagnetismo. 2011.
Boudinov H; D. Hadjimichef; J. Arenzon; G. Hoff. Hadronterapia: simulações da Conmtribuição de Processos Nucleares para o Tratamento de Tumores. 2011. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H; A. Moehlecke; TEIXEIRA, Sérgio Ribeiro;M.B. Pereira. Fabricação e caracterização de um sensor múltiplo sensível a posição. 2011. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Baptista D.; MAMMANA, V.; Dias J.;Boudinov H. Síntese e caracterização de nanofios de ZnO para aplicações em emissão de campo. 2010. Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Araújo C.B.; Petzhold C.L.; TEIXEIRA, Sérgio Ribeiro;Boudinov H. Síntese e caracterização de nanocristais de PbSe em substrato de SOI. 2010. Dissertação (Mestrado em Ciências dos Materiais) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Crug C;Boudinov H; BRUNNET, Leonardo. Passivação da superfície do germânio visandoao uso em nanoeletrônica. 2009. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H; PASA, Andre; M. Barbosa;BEHAR, M. Pré-amorfização de silício por implantação iônica de estanho para formação de junções rasas. 2007. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
GAY, M. B.; Maekawa; ERICHSEN JUNIOR, Rubem;Boudinov H. Processos Eletrofracos de Corrente Carregada em Altas Energias. 2007. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
A. Moehlecke; Zanesco I;Boudinov H; Einloft SMO. Analise de Gettering por Alumínio no Processo de Fabricação de Células Solares. 2007. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul.
Ziebell L.F.; ALVES, M. V.; Gaelzer R.;Boudinov H. Efeitos de Gradientes Perpendiculares na Amplificação da Radiação Quilométrica das Auroras. 2007. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Messaddeq Y.; Levin Y.;Boudinov H; Horovitz F.. Extensão do Método de Monitoração da Espessura Óptica para uma Classe de Fluidos não-Newtonianos. 2007. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov HSILVA JR, Eronides F. daAMARAL, L.; Dahmen S. Dopagem tipo-n em estruturas semicondutoras. 2007. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H. Dispositivos Emissores de Luz com Base em Silício Poroso tendo como Eletrodo Transparente o Óxido de Estanho Dopado com Flúor. 2006. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Paraná.
Boudinov H. Estudo da difusão translacional em um modelo para água. 2006. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H. Determinação da Posição Reticular de F em Si Pré-Amorfizado. 2006. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
SCHELP, Luiz Fernando;Boudinov H; PIQUINI, Paulo. Filmes finos de óxidos de vanádio depositados por sputtering reativo. 2006. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal de Santa Maria.
SWART, J. W.Boudinov H; DINIZ, Jose Alexandre; P Tatsch. Projeto de Dispositivo Supressor de Surto de Tensão. 2006. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) - Universidade Estadual de Campinas.
Boudinov H; DINIZ, Jose Alexandre; ALMEIDA, Rita Maria Cunha de;STEDILE, Fernanda. Caracterização elétrica de estruturas metal/ dielétrico high-k/ Si. 2005. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov HGRANDE, P. L.; GESHEV, Julian; FREIRE, Valder Nogueira. Junções rasas em Si e SIMOX. 2004. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H; VASCONCELLOS, Marcos Antonio Zen; ERICHSEN JUNIOR, Rubem; CREMONA, Marco. Desenvolvimento e Otimização de Fotodetector de Silício Bidimensional Sensível a Posição. 2004. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H; ROMAN, Lucimara; TEIXEIRA, Sérgio Ribeiro;CORREIA, Ricardo Rego Bordalo. Modificação de Características Elétricas de Estruturas Semicondutoras III-V Através de Bombardeamento com Íons. 2004. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H. Efeito da Radiação UV-A na Resistividade Elétrica de Materiais Poliméricos. 2003. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul.
Boudinov H. Otimização das Regiões Altamente Dopadas de Células Solares Fabricadas por Processos Térmicos Rápidos. 2003. Dissertação (Mestrado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul.
Boudinov HSILVA, A Ferreira da; PUREUR NETO, Paulo; GUSMÃO, Miguel. Defeitos Responsáveis pela Isolação de GaAs Irradiado com Prótons. 2003. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov HDANILOV, I.BAUMVOL, ICARRO, Luigi. Os efeitos de fluxos de prótons sobre dispositivos MOS no espaço. 2003. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H. Estudo da Evolução Estrutural Induzida por Irradiação Iônica em Multicamadas de Fe30Co70/Cu. 2002. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H. A Sincronização de Osciladoresde Rössler Acoplados. 2002. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H. Um modelo partônico para a difração aplicado ao DIS. 1998. Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H. Equipamento Automático para Caracterização Corrente -Tensão de Dispositivos Semicondutores. 1994. Dissertação (Mestrado em Engenharia de Minas, Metalúrgica e de Materiais) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
PALMIERI, Rodrigo; Radtke, Cláudio;STEDILE, Fernanda; GIULIAN, R.;BOUDINOV, HENRI IVANOV. Características e mecanismos do crescimento térmico de SiO2 sobre SiC utilizando diferentes espécies oxidantes. 2024. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
KHAN, S.; MELO JUNIOR, M.; AVELLANEDA, C. A. O.;BOUDINOV, HENRI IVANOV; TUMELERO, M. A.. BiVO4 dopado com metal (Zn e W) decorado com cocatalisadores FeMnOx e FeNiOx para aplicações fotocatalíticas. 2023. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
KHAN, S.; AHMAD, M. A.; QADIR, M. I.;BOUDINOV, HENRI IVANOV; CASTEGNARO, .. M. V.. Exploring the Properties of Pure and Mo-Doped Ta3N5: A Theoretical and Experimental Investigation. 2023. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Wirt G; SOUZA, M.; Crug C;BOUDINOV, HENRI IVANOV. Quantum-Corrected Monte Carlo Device Simulator for n-type Tri-gate Transistors. 2023. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
J. Morais; PANIAGO, R. M.; SALES, L. H. M.; N. Balzaretti;BOUDINOV, HENRI I. Utilização de Nanopartículas Bimetálicas PdCu na Produção de Energia Limpa e Renovável. 2022. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Martino JA; AGOPIAN, P.;BOUDINOV, HENRI I; DINIZ, Jose Alexandre; Sebastião G. dos Santos Filho; OLIVEIRA, A. V.. ESTUDO DE TRANSISTORES FABRICADOS EM ESTRUTURAS DE NANOFIO E NANOFOLHA DE SILÍCIO. 2022. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
Martino JA;BOUDINOV, HENRI I; SONNENBERG, V.; GIMENEZ, S. P.; ONMORI, R. K.. PROJETO E FABRICAÇÃO DE TRANSISTORES SOI COM FORMAÇÃO DE FONTE/DRENO INDUZIDA POR CAMPO ELÉTRICO ? BESOI MOSFET. 2022. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
BORDIN, J. R.; DICKMAN, R.; KONING, M.; STASSEN, H. K.;Boudinov H. Molecular Modeling of Fluids: Colloids, Water, Alcohols and their Mixtures. 2021. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Soares, Gabriel Vieira; BARCELOS, I. D.; N. Balzaretti;Boudinov H. CRESCIMENTO DE HETEROESTRUTURAS DE VAN DER WAALS VISANDO A APLICAÇÕES EM NANOELETRÔNICA. 2021. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
SOUZA, P.; KHAN, S.; TUMELERO, M. A.;BOUDINOV, HENRI I. Hybrid Organic-Inorganic Perovskite Solar Cells. 2021. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Martino JA;BOUDINOV, HENRI I; Sebastião G. dos Santos Filho; GIMENEZ, S. P.; PERSEGHINI, S. D. S.. ESTUDO DOS TRANSISTORES DE TUNELAMENTO POR EFEITO DE CAMPO COMO BIOSSENSORES. 2021. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
A. Moehlecke; Zanesco I;BOUDINOV, HENRI I; DEDAVID, B.; ROCHA FILHO, J. B.. CÉLULAS SOLARES BIFACIAIS EM LÂMINAS FINAS DE SILÍCIO TIPO N: OTIMIZAÇÃO DE PROCESSOS DE FABRICAÇÃO. 2021. Tese (Doutorado em Engenharia e Tecnologia de Materiais) - Pontifícia Universidade Católica do Rio Grande do Sul.
Ziebell L.F.; Caldas IL; J.H.F. Severo;BOUDINOV, HENRI I; F. Haas. Geração de corrente pela ação de ondas de cíclotron eletrônicas e a evolução temporal de ilhas magnéticas em plasmas de tokamaks. 2021. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
SOUZA, P.; CRUZ, L. R. O.;BOUDINOV, HENRI I; PENELLO, G. M.; PINTO, L. D.. Células Solares de Banda Intermediária de Pontos Quânticos de InAs em InGaP. 2021. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Pontifícia Universidade Católica do Rio de Janeiro.
GESHEV, Julian; R. Sommer; MACEDO, W. A. A.;Boudinov H; MAGALHAES, S. G.. Heteroestruturas baseadas em CuO ? um magnetoelétrico e multiferróico em altas temperaturas. 2020. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
D.L. Monteiro;Boudinov H; DINIZ, Jose Alexandre; PENELLO, G. M.; MENDES, V. F.; RAMIREZ, J. C.. Análise, Caracterização e Simulação de Sistemas Fotovoltaicos Fotoajustáveis. 2020. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal de Minas Gerais.
CORREIA, Ricardo Rego Bordalo; BONI, L.; PADILHA JUNIOR, L. A.;Boudinov H; BONATTO, C.. Desenvolvimento de novas técnicas de caracterização ótica não linear e estudos de novos materiais. 2020. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H; CIMA, C. A.; A. Moehlecke; J. Morais;Soares, Gabriel V.. Desenvolvimento, Caracterização e Otimização de Transistores Orgânicos de Efeito de Campo. 2019. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
P.L. Grande; SANTANNA, M. M.; FIGUEROA, C. A.; J. Morais;Boudinov H. Versatilidade da técnica MEIS na caracterização de nanomateriais e dispositivos avançados. 2019. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Baptista D.; FICHTNER, P. F. P.; Bettini J;Boudinov HM.B. Pereira. Modificação de Filmes Finos de CdSe e PbSe por Irradiação com Feixe de Elétrons. 2018. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
DINIZ, Jose Alexandre; FERREIRA, L. F.; Wirt G;Boudinov H. Modeling and Simulation of Selfheating Effects in p-type MOS Transistors. 2018. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
R. Papaleo; J. Morais; A. de Siervo;Boudinov HCORREIA, Ricardo Rego Bordalo. ?Influência da composição, arranjo atômico e suporte na reatividade das nanopartículas de Pt-Pd com o enxofre. 2017. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
GIULIAN, R.;Boudinov H; L. Amaral; PASA, Andre; R. Papaleo. Estudo da formação de poros em InSb irradiado por feixes de íons. 2017. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
P.L. Grande; E.F. da Silveira; PASA, Andre;Boudinov H; R. da Silva. Óxidos metálicos de memórias resistivas investigados por retroespalhamento de elétrons e íons. 2017. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
AGOPIAN, P.;Boudinov H; FONTES, M. B. A.; CHAVEZ, M. I. A.; Sebastião G. dos Santos Filho. TRANSISTORES DE TUNELAMENTO INDUZIDO POR EFEITO DE CAMPO APLICADOS A CIRCUITOS BÁSICOS. 2017. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
I. Hummelgen;Boudinov H; BUFON, C. C. B.;SAUL, Cyro Ketzer; SERBENA, J. P. M.. MODIFICATION OF CHARGE TRANSPORT PROPERTIES IN DEFECT-FREE POLY(3- HEXYLTHIOPHENE-2,5-DIYL) BASED FIELD-EFFECT TRANSISTORS. 2017. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Paraná.
Boudinov H; Carreira W.H.; TUMELERO, M. A.; Radtke, Cláudio. Diodos Schottky de SiC para uso como detectores de energia de partículas carregadas. 2017. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
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PUREUR NETO, Paulo; D.H.M. Júnior; S.B. Fagan;Baptista D.Boudinov H. Propriedades de magnetotransporte em Grafite modificada por implantação de íons. 2016. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Pakter R.; Viana R.L.; Lopes S.R.; Ziebell L.F.;Boudinov H. Um modelo cinético para o fluxo de elétrons num dispositivo de campos cruzados. 2016. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
I. Hummelgen;SAUL, Cyro Ketzer; de ABREU, G. J. P.;Boudinov H; BECHTOLD, I. H.. Otimização de transistores de efeito de campo orgânicos baseados em ftalocianinas metálicas. 2016. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Paraná.
Boudinov HSTEDILE, Fernanda; VASCONCELLOS, Marcos Antonio Zen; MOREIRA, EDUARDO C.. Foto e eletroluminescência de filmes de nitreto de silício não estequiométricos depositados por sputtering reativo. 2016. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
COSTA, M. H. M.; N. Balzaretti; Radtke, Cláudio;Boudinov H. Processamento físico-químico de semicondutores com alta mobilidade de portadores de carga: Germânio e Grafeno. 2015. Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H; I.T.S. Garcia; AVELLANEDA, C. A. O.; CARENHO, N. L. V.; MENEZES, E. W.. Filmes finos de óxido de tungstênio obtidos por anodização: Estrutura e propriedades fotoluminescentes e fotocatalíticas. 2015. Tese (Doutorado em Química) - Universidade Federal de Pelotas.
Martino JA; Sebastião G. dos Santos Filho; ONMORI, R. K.;Boudinov H; TORRES, K. F. A.. Caracterização elétrica de túnel-FET em estrutura de nanofio com fontes de SiGe e Ge em função da temperatura. 2015. Tese (Doutorado em Engenharia Elétrica) - Universidade de São Paulo.
SANTANNA, M. M.; R. Sommer;Boudinov H; ARAUJO, L. L.. Exchange Bias em Sistemas com Óxidos de Metais de Transição: Modificações via Implantação Iônica e Efeito de Treinamento. 2014. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
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TEIXEIRA, Sérgio Ribeiro; P.A.Z. Suarez;FICHTNER, P. F. P.Boudinov H. Síntese e aplicação de nanotubos de óxido de tântalo fabricado por anodização: um promissor fotocatalisador para foto-geração de hidrogênio. 2012. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
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Boudinov H; GUSMÃO, Miguel; JARDIM, Renato de Figueredo. Relaxação estrutural de camadas pseudomorficas de SiGe/Si(100) induzida por implantação iônica e tratamento térmico. 2004. Exame de qualificação (Doutorando em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
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CIMA, C. A.Boudinov H; Ferreira S.B.. Desenvolvimento de processo de encapsulamento de sensor de pressão industrial. 2019. Exame de qualificação (Mestrando em Engenharia Elétrica) - Universidade do Vale do Rio dos Sinos.
REIS, R.;Boudinov H; JOHAN, M.. Simulação de portas quânticas com FPGA. 2012. Exame de qualificação (Mestrando em Computação) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov HBaptista D.; Prado S.D.. F. Cauduro.Nanofios Semicondutores para Nanosensoramento Ultra-sensível. 2009. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H; SUSIN, A.. Estudo sobre Circuitos Tolerantes a falhas Externas. 2006. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia de Computação) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul.
Boudinov H; Martino JA; Sebastião G. dos Santos Filho. Livre Docência - Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, UNICAMP. 2007. Universidade Estadual de Campinas.
Orientou
Análise por feixe de íons de Polivinil álcool para uso em eletrônica orgânica; Início: 2020; Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; (Orientador);
Desenvolvimento de cateter implantável para monitorização de pressão e temperatura intracranianas; Início: 2019; Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul; (Orientador);
Sensor orgânico flexível de pressão e temperatura; 2020; Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Fabrication of Ion Sensitive Field Effect Transistors; 2018; Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Controle das características elétricas e ópticas do ITO através de bombardeamento com íons; 2016; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Compostos fotoativos derivados de benzazolas: uma abordagem teórico-experimental para aplicação em dispositivos orgânicos emissores de luz; 2016; Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Álcool Polivinílico (PVA) como dielétrico de porta em eletrônica orgânica; 2014; Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Nitreto de silício depositado por sputtering reativo para aplicação em memória não-volátil; 2013; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Desenvolvimento de Sensor Múltiplo de Posição; 2012; Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Fotoluminescência de nano cristais de Si enterrados em Si3N4; 2012; Dissertação (Mestrado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Pré-amorfização de silício por implantação iônica de estanho para formação de junções rasas tipo-p; 2007; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, ; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Junsões razas em Si; Medidas elétricas; 2007; 0 f; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Caracterização elétrica de estruturas metal/ dielétrico high-k/ Si; 2005; 99 f; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Desenvolvimento e Otimização de um Fotodetector de Silício Bidemencional Sensível a Posição; 2004; 113 f; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Junções razas em Si e SIMOX; 2004; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Modificação de Características Elétricas de Estruturas Semicondutoras III-V Através de Bombardeamento com Íons; 2004; 95 f; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, ; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Defeitos Responsáveis pela Isolação de GaAs Irradiado com Prótons; 2003; 196 f; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Os efeitos de fluxos de prótons sobre dispositivos MOS no espaço; 2003; 86 f; Dissertação (Mestrado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Electrical Isolation of AlGaAs by Ion Implantation; 2001; Dissertação (Mestrado em Electronic materials) - Electronic Materials Engineering Department, ; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Células fotovoltaicas com estrutura perovskita; 2021; Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Caracterização elétrica de materiais para dispositivos orgânicos; 2019; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Carbeto de silício (SiC) como material para detecção de radiação; 2017; Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Desenvolvimento e caracterização de materiais para uso em transistores orgânicos de efeito de campo; 2017; Tese (Doutorado em Engenharia de Minas, Metalúrgica e de Materiais) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, ; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Propriedades Optoeletrônicas de Nanofios de ZnO; 2016; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Coorientador: Henri Ivanov Boudinov;
Estudo de Eletroluminescência de Nitreto de Silício Não-Estequiométrico Depositado por Sputtering Reativo; 2016; Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Síntese por feixe de íons de camadas nanométricas de SiC e GaN; 2013; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Coorientador: Henri Ivanov Boudinov;
Defeitos eletricamente ativos em estruturas metal-óxido-carbeto de silício (SiC); 2009; 0 f; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Isolação Elétrica por Implantação Iônica em GaAs e AlGaAs; 2008; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Redistribuição e ativação de dopantes em Si com excesso de vacâncias; 2008; 0 f; Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Desenvolvimento e otimização de tecnologia CMOS com porta de silício policristalino; 2008; 0 f; Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Lógica Quaternária de Alto Desempenho e Baixo Consumo para Circuitos VLSI; 2007; Tese (Doutorado em Microeletrônica) - Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Orientador: Henri Ivanov Boudinov;
Defect Engineering of InP and InGaAs for Optoelectronic Applications; 2002; 203 f; Tese (Doutorado em Electronic Materials Department) - RSPhysSE, Australian National University, ; Coorientador: Henri Ivanov Boudinov;
2023; Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Henri Ivanov Boudinov;
2016; Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Henri Ivanov Boudinov;
2014; Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico; Henri Ivanov Boudinov;
2013; Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Henri Ivanov Boudinov;
2012; Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Henri Ivanov Boudinov;
2010; Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Henri Ivanov Boudinov;
2010; Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Henri Ivanov Boudinov;
2009; Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Henri Ivanov Boudinov;
2008; Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Henri Ivanov Boudinov;
2006; Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior; Henri Ivanov Boudinov;
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Boudinov H . Formation of highly doped p-type GaAs layers by carbon ion implantation. In: 12th International Conference on Ion Beam Modification of Materials IBMM, 2000, Porto Alegre. 12th International Conference on IBMM. Porto Alegre: Abstracts of the 12th International Conference on IBMM, 2000.
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Boudinov H . Electrical isolation of InP conductive layers by proton irradiation. In: Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, 2000, Melbourne. Abstracts of COMMADS 2000, 2000.
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PEPE, I. ; ARAÚJO, C. Moysés ; SILVA, Ts da ; SILVA, A Ferreira da ; SOUZA, Jp de ; Boudinov H . Estudo da Variação da Energia do GAP Ótico dos Sistemas Si:Bi e Si:Bi,p. In: XVII Encontro de Físicos do Norte Nordeste, 1999, 1999.
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Boudinov H . Random Stopping Power Measurements of 10B in Si in the 300-800 keV Energy Range. In: 13th International Conference on Ion Beam Analysis, 27th July - 1st August, 1997, Lisboa, Portugal. Abstracts of 13th International Conference on Ion Beam Analysis, 27th July - 1st August, 1997.
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Boudinov H . Electrical Isolation of GaAs by Light Ion Irradiation Damage. In: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Semiconductors, July 31- August 4, 1997, Campos de Jordão, SP. Abstracts of Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Semiconductors 1997, 1997.
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Boudinov H . Stopping Power of He Ions in the <100> Axial Channel of Si Crystals Measured Between 380 keV and 4 MeV. In: IBMM'95, 1995, Canberra. Abstracts of International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM), February 1995, 1995.
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Boudinov H . Dynamic Annealing During 11B+, 12C+ and 14N+ Implantation in Si. In: 7-th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 16 -21 July 1995, 1995, Rio de Janeiro. Abstracts of 7-th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, 16 -21 July 1995, 1995.
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Boudinov H . Effects of Carbon Implantation on SiO2 - Si Structure. In: X-th Congress of the Brazilian Microelectronics Society and I-st Ibero- American Microelectronics Conference, 31 July - 4 August 1995, Canela, RS, Brazil, 1995, Canela. Abstracts of X-th Congress of the Brazilian Microelectronics Society and I-st Ibero- American Microelectronics Conference, 31 July - 4 August 1995, Canela, RS, Brazil, 1995.
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Boudinov H . Electrical Isolation of Ion Implanted GaAs Layers by Proton Bombardment. In: X-th Congress of the Brazilian Microelectronics Society and I-st Ibero- American Microelectronics Conference, 31 July - 4 August 1995, Canela, RS, Brazil, 1995, Canela, RS. Abstracts of X-th Congress of the Brazilian Microelectronics Society and I-st Ibero- American Microelectronics Conference, 31 July - 4 August 1995, Canela, RS, Brazil, 1995.
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Boudinov H . Induced Disorder Study of Implanted Hg1-xCdxTe by RBS and Channeling. In: XIII Simpósio Latino- Americano de Física do Estado Sólido, 5 -10 November 1995, 1995, Gramado, RS. Abstracts of XIII Simpósio Latino- Americano de Física do Estado Sólido, 5 -10 November 1995, 1995.
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Boudinov H . Electrical Isolation in GaAs by Light Ion Irradiation. In: II-nd International Workshop on Ion Implantation, 10 -11 November 1995, 1995, Gramado. Abstracts of II-nd International Workshop on Ion Implantation, 10 -11 November 1995, 1995.
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Boudinov H . Electrical Activation of Boron Co-implanted with Carbon in Silicon Substrate. In: International Workshop on Ion Implantation, 1993, Gramado. Abstracts of International Workshop on Ion Implantation 1993, 1993.
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Boudinov H . Defect Depth Profiles in Bismuth Implanted Silicon. In: International Workshop on Ion Implantation, 1993, Gramado. Abstracts of International Workshop on Ion Implantation 1993, 1993.
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Boudinov H . Dual Implantation of B+ and C+ in Silicon. In: XVI Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 18 -22 May 1993, 1993, Caxambu, Brasil. Abstracts do XVI Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada, 1993.
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Boudinov H . Sputtering Effects During High Dose Implantation. In: International Conference of Energy Pulse and Particle Beam Modifications of Materials, 1989, Dresden. Abstracts of EPM'89 04-08 Sept 1989, 1989.
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Boudinov H . High Dose Implanted Si and GaAs. In: VI-th International School on Vacuum, Electron and Ion Technologies, 1989, Varna. Abstracts of VI-th International School VEIT'89, 20-26 Sept 1989, Varna, 1989.
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Boudinov H . RHEED Investigation of Ion Implanted GaAs. In: VI-th International School on Vacuum, Electron and Ion Technologies, 1989, Varna. Abstracts of VI-th International School on VEIT'89, 1989.
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Boudinov H . Defect Depth Profiles in Si, Implanted with B+ and As+. In: VI-th International School on Vacuum, Electron and Ion Technologies, 1989, Varna. ASbstracts of VI-th International School on VEIT'89, 1989.
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Boudinov H . Temperature Field Calculation During Flash Lamp Annealing of Si wafers. In: Int. Conf. on Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials, 1988, Lublin. Abstracts of Int. Conf. on Ion Implantation in Semiconductors and Other Materials 12-17 Sept 1988, 1988.
Outras produções
Boudinov H ; SILVA, Ricardo Cunha Gonçalves da . Dispositivo Fotossensor Sensivel a Posição e Processo de Fabricação do Mesmo. 2004.
SOUZA, J. P. de ; Boudinov H ; CIMA, C. A. . Processo Nmos de 5 Micrômetros Para Produção de Circuitos Integrados. 1998.
Projetos de pesquisa
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2023 - Atual
INCT NAMITEC - Nano e Microeletrônica para tecnologias habilitadoras, Projeto certificado pelo(a) coordenador(a) Jacobus Willibrordus Swart em 04/09/2023., Descrição: Neste projeto, intitulado INCT NAMITEC, trata-se de uma rede ampla de colaboração que objetiva pesquisa,desenvolvimento, inovação, formação de recursos humanos e divulgação de ciência no tema de Micro e Nanofabricação para as tecnologias habilitadoras, incluindo Inteligência Artificial, Internet das Coisas, Materiais Avançados, Biotecnologia e Nanotecnologia. Essa rede foi construída e fortalecida com o apoio de projetos INCT anteriores que tiveram aportes financeiro de 2001 a 2016. Posteriormente, no último edital INCT, a rede NAMITEC foi contemplada com o selo de excelência INCT. O projeto atual tem o foco em materiais, processos, novos dispositivos semicondutores e circuitos de interface e aplicações de IoT, entre outras. Inclui-se aplicações para o controle ambiental, qualidade do solo, de águas, do ar, detecção de gases, biomedicina e agropecuária, temas que estão na vanguarda da evolução tecnológica mundial e são cruciais para a inovação em vários setores da economia. Os dispositivos e sensores a serempesquisados e desenvolvidos incluem FinFET, BioFET, ISFET, FET de grafeno, QuBit e fotônica integrada, incluindo dispositivos de carbeto de silício, necessários para a indústria automobilística, e novas células solares TANDEM com eficiência superior. A proposta inclui uma considerável interação com o setor industrial, como empresas de encapsulamento eletrônico (SMART, HTMicron), design house (Chipus, von Braun), fotovoltaica (BYD), equipamentos de rede elétrica (Treetech), tratamento de águas e efluentes (Digimed), pecuária (Embrapa), equipamentos s (Toth, Novetech), entre outras. Inclui também uma forte colaboração internacional com centros avançados como IMEC, CEA/LETI e NXP Semiconductors, entre vários outros, totalizando 37 colaboradores do exterior. O INCT NAMITEC contribuirá significativamente para o desenvolvimento do setor industrial de tecnologia avançada, tornando o país maiscompetitivo, independente e avançado.. , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Integrante / J. W. Swart - Coordenador / Jose Alexandre Diniz - Integrante.
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2011 - Atual
Dispositivos eletrônicos de semicondutores orgânicos, Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador.
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2007 - 2016
Estudo da fotoluminescência, eletroluminescência e morfologia de nanocristais produzidos por implantação iônica a quente de Si e Ge em matriz de Si3N4 e Ge, Eu e Tb em matriz de SiO2, Situação: Desativado; Natureza: Pesquisa. , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador.
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2004 - Atual
Medidas elétricas em estruturas MOS com oxidos alternativos, Descrição: Medidas elétricas em estruturas MOS com oxidos alternativos "high-k". , Situação: Em andamento; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (1) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador / Rodrigo Palmieri - Integrante.
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2002 - 2016
Fotodetetores de silício, Descrição: Fotodetetores de silício. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (2) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (2) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador / Ricardo Cunha Gonçalves da Silva - Integrante.
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2001 - 2010
Comportamento de Célula solar e transistor MOS no espaço, Descrição: Comportamento de Célula solar e transistor MOS no espaço. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (1) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador / Rodrigo Parizotto - Integrante.
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2000 - 2010
Junções razas em Si e SIMOX, Descrição: Junções razas em Si e SIMOX. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador / Mateus Dalponte - Integrante.
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1997 - 2012
Modelamento de defeitos criados por implantação iônica em Silício, Descrição: Modelamento de defeitos criados por implantação iônica em Silício e GaAs. , Situação: Desativado; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador.
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1997 - 2004
Ativação e redistribuição de dopantes, implantados na estrutura SIMOX durante recozimento térmico rápido, Descrição: Ativação e redistribuição de dopantes, implantados na estrutura SIMOX durante recozimento térmico rápido. , Situação: Desativado; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Integrante / J. P. de Souza - Coordenador / Mateus Dalponte - Integrante.
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1996 - 2018
Isolação elétrica de semicondutores compostos através de bombardeamento com íons leves, Descrição: Isolação elétrica de semicondutores compostos através de bombardeamento com íons leves. , Situação: Desativado; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (1) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador / A.V.P. Coelho - Integrante.
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1996 - 2014
Engenharia de defeitos em semicondutores, Descrição: Engenharia de defeitos em semicondutores. , Situação: Desativado; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador.
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1994 - 2000
Acumulação de defeitos durante implantação de íons leves em silício, Descrição: Acumulação de defeitos durante implantação de íons leves em silício. , Situação: Desativado; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Integrante / J. P. de Souza - Coordenador / C. A. Cima - Integrante.
Projetos de desenvolvimento
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2001 - Atual
Desenvolvimento de tecnologia CMOS, Descrição: Desenvolvimento de tecnologia CMOS. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador.
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1997 - 1999
Tecnologia NMOS, Descrição: Tecnologia NMOS. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Integrante / J. P. de Souza - Coordenador / C. A. Cima - Integrante.
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2001 - Atual
Desenvolvimento de tecnologia CMOS, Descrição: Desenvolvimento de tecnologia CMOS. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador.
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1997 - 1999
Tecnologia NMOS, Descrição: Tecnologia NMOS. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Integrante / J. P. de Souza - Coordenador / C. A. Cima - Integrante.
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2001 - Atual
Desenvolvimento de tecnologia CMOS, Descrição: Desenvolvimento de tecnologia CMOS. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador.
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1997 - 1999
Tecnologia NMOS, Descrição: Tecnologia NMOS. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Integrante / J. P. de Souza - Coordenador / C. A. Cima - Integrante.
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2001 - Atual
Desenvolvimento de tecnologia CMOS, Descrição: Desenvolvimento de tecnologia CMOS. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador.
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1997 - 1999
Tecnologia NMOS, Descrição: Tecnologia NMOS. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Integrante / J. P. de Souza - Coordenador / C. A. Cima - Integrante.
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2001 - Atual
Desenvolvimento de tecnologia CMOS, Descrição: Desenvolvimento de tecnologia CMOS. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador.
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1997 - 1999
Tecnologia NMOS, Descrição: Tecnologia NMOS. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Integrante / J. P. de Souza - Coordenador / C. A. Cima - Integrante.
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2001 - Atual
Desenvolvimento de tecnologia CMOS, Descrição: Desenvolvimento de tecnologia CMOS. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador.
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1997 - 1999
Tecnologia NMOS, Descrição: Tecnologia NMOS. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Integrante / J. P. de Souza - Coordenador / C. A. Cima - Integrante.
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2001 - Atual
Desenvolvimento de tecnologia CMOS, Descrição: Desenvolvimento de tecnologia CMOS. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador.
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1997 - 1999
Tecnologia NMOS, Descrição: Tecnologia NMOS. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Integrante / J. P. de Souza - Coordenador / C. A. Cima - Integrante.
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1997 - 1999
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2001 - Atual
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1997 - 1999
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2001 - Atual
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1997 - 1999
Tecnologia NMOS, Descrição: Tecnologia NMOS. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Integrante / J. P. de Souza - Coordenador / C. A. Cima - Integrante.
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2001 - Atual
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1997 - 2006
Tecnologia NMOS, Descrição: Tecnologia NMOS. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Integrante / J. P. de Souza - Coordenador / C. A. Cima - Integrante.
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2001 - Atual
Desenvolvimento de tecnologia CMOS, Descrição: Desenvolvimento de tecnologia CMOS. , Situação: Em andamento; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (1) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (1) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Coordenador.
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1997 - 2006
Tecnologia NMOS, Descrição: Tecnologia NMOS. , Situação: Concluído; Natureza: Desenvolvimento. , Alunos envolvidos: Graduação: (0) / Especialização: (0) / Mestrado acadêmico: (0) / Mestrado profissional: (0) / Doutorado: (0) . , Integrantes: Henri Ivanov Boudinov - Integrante / J. P. de Souza - Coordenador / C. A. Cima - Integrante.
Histórico profissional
Endereço profissional
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Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Instituto de Física, Departamento de Física. , Av. Bento Gonçalves 9500, Agronomia, 91501970 - Porto Alegre, RS - Brasil - Caixa-postal: 15051, Telefone: (51) 33086547, Ramal: 6547, URL da Homepage:
Experiência profissional
2004 - 2008
Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado do Rio Grande do SulVínculo: Comitê Assessor de Física, Enquadramento Funcional: Comitê Assessor de Física, Carga horária: 1
Outras informações:
Coordenador Substituto do Comitê Assessor de Física da Fapergs de agosto de 2006 a julho de 2008. Membro do Comitê Assessor de Física da Fapergs a partir de agosto de 2004.
2015 - Atual
Universidade Federal do Rio Grande do SulVínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor titular, Regime: Dedicação exclusiva.
2006 - 2015
Universidade Federal do Rio Grande do SulVínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Associado, Regime: Dedicação exclusiva.
1996 - 2006
Universidade Federal do Rio Grande do SulVínculo: Servidor Público, Enquadramento Funcional: Professor Adjunto, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações:
01/2003 - 12/2004 Membro Suplente da Comição de Pós-Graduação em Física
01/2005 - 12/2006 Membro Titular da Comição de Pós-Graduação em Física
2002 - 02/2005 Membro Titular da Comição de Pós-Graduação em Microeletrônica
03/2007 - 02/2009 Coordenador do Programa de Pós-Graduação em Microeletrônica
1993 - 1996
Universidade Federal do Rio Grande do SulVínculo: Professor Visitante, Enquadramento Funcional: Pesquisador Visitante Estrangeiro, Regime: Dedicação exclusiva.
Atividades
-
01/2011
Pesquisa e desenvolvimento, Instituto de Física.,Linhas de pesquisa
-
01/2003
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, Departamento de Física.,Cargo ou função, Membro da Comissão de Pós-Graduação em Física.
-
10/2002
Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Física dos Dispositivos Semicondutores, Processamento Físico-Químico di Silício
-
09/2002
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, Departamento de Física.,Cargo ou função, Membro da Comissão de Pós-Graduação em Microeletrônica.
-
07/1998
Ensino, Física, Nível: Pós-Graduação,Disciplinas ministradas, Física dos semicondutores, Introdução em semicondutores, Medidas elétricas da estrutura MOS, Portadores majoritários e minoritários em semicondutores
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01/1997
Conselhos, Comissões e Consultoria, Instituto de Física, Departamento de Física.,Cargo ou função, Chefe da Comissão de Proteção Radiológica.
-
01/1995
Ensino, Física, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Física Geral - Eletricidade e magnetismo, Física experimental - Eletricidade e Magnetismo, Técnicas de física Nuclear, Física Geral - Mecânica
-
01/1993
Pesquisa e desenvolvimento, Instituto de Física, Departamento de Física.,Linhas de pesquisa
-
03/2001 - 12/2001
Ensino, Microeletrônica, Nível: Especialização,Disciplinas ministradas, Técnicas de caracterização de materiais, processos e dispositivos, Laboratório de fabricação de dispositivos semicondutores, Processos de fabricação de dispositivos de silício
-
03/1998 - 12/1999
Ensino, Curso de Especialização Em Radiações Ionizantes, Nível: Especialização,Disciplinas ministradas, Estágio Hospitalar do Curso de Especialização em radiações ionozantes, Instrumentação e medidas
1989 - 1992
Universidade TécnicaVínculo: Colaborador, Enquadramento Funcional: Professor associado, Carga horária: 20
Atividades
-
10/1989 - 07/1992
Ensino, Física Geral Eletromagnetismo, Nível: Graduação,Disciplinas ministradas, Física Geral, Física dos semicondutores
1984 - 1992
Instituto de MicroeletrônicaVínculo: Servidor público ou celetista, Enquadramento Funcional: Pesquisador, Carga horária: 40
Atividades
-
01/1984 - 12/1992
Pesquisa e desenvolvimento, Setor de Dispositivos Eletrônicos Disctretos, Divisão de Implantação Iônica.,Linhas de pesquisa
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