Antônio Eudócio Pozo de Mattos
Possui graduação em Bacharelado em Física pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul (2010).
Informações coletadas do Lattes em 27/04/2026
Acadêmico
Formação acadêmica
Mestrado em andamento em Física
2010 - Atual
Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Título: em andamento
Henri Ivanov Boudinov.Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Graduação em Bacharelado em Física
2006 - 2010
Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Título: EFEITOS DA IRRADIAÇÃO DE ÍONS SOBRE AS PROPRIEDADES ELÉTRICAS DE NANOTUBOS DE CARBONO E NANOCAMADAS DE GREFENO
Orientador: Henri Ivanov Boudinov
Idiomas
Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Espanhol
Compreende Razoavelmente, Fala Pouco, Lê Bem, Escreve Pouco.
Participação em eventos
XXII Salão de Iniciação Cientifica. EFEITOS DA IRRADIAÇÃO DE ÍONS SOBRE AS PROPRIEDADES ELÉTRICAS DE NANOTUBOS DE CARBONO E NANOCAMADAS DE GREFENO. 2010. (Congresso).
XXI Salão de Iniciação Cientifica. Bombardeamento de Nanotubos de Carbono com Prótons. 2009. (Congresso).
XIX Salão de Iniciação Científica. Propriedades Superparamagnéticas em Sistemas FeCu. 2007. (Congresso).
XVIII Salão de iniciação cientifica. Obtenção de fitas de ligas fora do equilibrio por melt spinning. 2006. (Congresso).
Produções bibliográficas
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MATTOS, A. E. P. ; G. Sombrio ; BOUDINOV, H. I. ; P. L. Franzen ; PERREIRA, M. B. . Si nanocrystals embedded in SiO_2 produced by reactive sputtering for light emission. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011, João Pessoa. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011.
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G. Sombrio ; MATTOS, A. E. P. ; BOUDINOV, H. I. ; PERREIRA, M. B. ; P. L. Franzen . Photoluminescence in Non-Stochiometric Silicon Nitride Films Obtained by Reactive Sputtering. In: 26th Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011, João Pessoa. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2011, 2011.
Histórico profissional
Endereço profissional
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Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Instituto de Física. , Av. Bento Gonçalves 9500, Agronomia, 91501-970 - Porto Alegre, RS - Brasil, Telefone: (51) 33086480, Ramal: 6532
Experiência profissional
2012 - 2019
Centro de Excelência em Tecnologia Eletrônica AvançadaVínculo: Celetista formal, Enquadramento Funcional: Analista de Processos - Filmes Finos, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
2010 - Atual
Universidade Federal do Rio Grande do SulVínculo: Bolsista de Mestrado, Enquadramento Funcional: Aluno de Mestrado, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
2009 - 2010
Universidade Federal do Rio Grande do SulVínculo: Iniciação Tecnológica, Enquadramento Funcional: Bolsista PIBIT, Carga horária: 20, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações:
Pesquisa em Propriedades Elétricas de Nanotubos de Carbono
Aluno do Laboratório de Microeletrônica IF-UFRGS
2006 - 2009
Universidade Federal do Rio Grande do SulVínculo: Bolsa PIBIC/CNPq, Enquadramento Funcional: Bolsista de Iniciação Científica, Carga horária: 20, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações:
Grupo Melt-Spinning e Espectroscopia Mössbauer
2020 - Atual
Interuniversity Microelectronics CentreVínculo: Celetista, Enquadramento Funcional: ALD-Epitaxy Process Engineer, Carga horária: 40, Regime: Dedicação exclusiva.
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