Milena Cervo Sulzbach
Bacharel em Física pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul. Durante a graduação teve experiência com sistemas magnéticos e que apresentem efeito de Transferência de Spin. Durante o mestrado estudou memórias resistivas (ReRAM) baseada na difusão de oxigênio e cobre em TiO2 usando feixe de íons (NPR, MEIS, RBS). Doutora em física pela Universidade Autònoma de Barcelona (UAB). Sua pesquisa de doutorado foi realizada no Instituto de Ciência de Materiais de Barcelona (ICMAB) sobre o estudo de junções tunel ferroelétricas (FTJ) compostas de Hf0.5Zr0.5O2 e suas caracteristicas memristivas. Tem interesse na aplicação de óxidos complexos em componentes de computação neuromórfica.
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Acadêmico
Formação acadêmica
Doutorado em Física
2017 - 2021
Institut de Ciència de Materials de Barcelona
Título: Resistive Switching in Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric tunnel junctions
Orientador: Josep Fontcuberta
Bolsista do(a): La Caixa, LA CAIXA, Espanha.
Mestrado em Física
2015 - 2017
Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Título: Síntese de memórias resistivas de TiO2 e caracterização por feixe de íons,Ano de Obtenção: 2017
Pedro Luis Grande.Coorientador: Luis Gustavo Pereira. Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil. Palavras-chave: Memórias resistivas; TiO2; Análise por feixe de íons.
Graduação em Física
2011 - 2014
Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Título: Transferência de Spin em Nanoponteiras de Tungstênio
Orientador: Luis Gustavo Pereira
Bolsista do(a): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico, CNPq, Brasil.
Pós-doutorado
2021
Pós-Doutorado. , Bergische Universität Wuppertal, UNI WUPPERTAL, Alemanha.
Formação complementar
2012 - 2012
IX Escola do CBPF. (Carga horária: 30h). , Centro Brasileiro de Pesquisas Físicas, CBPF, Brasil.
Idiomas
Inglês
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Razoavelmente.
Espanhol
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Português
Compreende Bem, Fala Bem, Lê Bem, Escreve Bem.
Alemão
Compreende Razoavelmente, Fala Pouco, Lê Pouco, Escreve Pouco.
Áreas de atuação
Grande área: Ciências Exatas e da Terra / Área: Física / Subárea: Física da Matéria Condensada.
Participação em eventos
International School of Oxide Electronics.Electroresistance in ferroelectric tunnel Hf0.5Zr0.5O2 barriers. 2019. (Outra).
25th International Workshop on Oxide Electronics. Thermionic Field Emission in back-to-back BaTiO3-based Schottky interfaces. 2018. (Congresso).
COST TO-BE Spring Meeting 2018.Back-to-back Schottky diode model for BaTiO3?based tunneling device. 2018. (Encontro).
Technologies for Oxide Electronics School. 2018. (Outra).
8th International Workshop on High-Resolution Depth Profiling.Characterization of resistive memories using micro-beam RBS. 2016. (Outra).
VIII Taller de colisiones inelásticas en la materia.Characterization of resistive memories using NRA and micro-beam RBS. 2016. (Encontro).
XIV Brazil MRS Meeting.Characterization of resistive memories via MEIS. 2015. (Encontro).
III Brazilian Workshop on Magnetization Dynamics. Spin transfer analysis via Landau-Lifshitz-Gilbert equation. 2014. (Congresso).
XXV SIC UFRGS 2013.Análise de transferência de spin através de nanoponteiras. 2013. (Outra).
IX Escola do CBPF.Análise de transferência de spin através de nanoponteiras. 2012. (Outra).
XXIV SIC UFRGS 2012.Análise de transferência de spin através de nanoponteiras. 2012. (Outra).
Produções bibliográficas
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SULZBACH, MILENA CERVO ; ESTANDÍA, SAÚL ; LONG, XIAO ; LYU, JIKE ; DIX, NICO ; GÀZQUEZ, JAUME ; CHISHOLM, MATTHEW F. ; SÁNCHEZ, FLORENCIO ; FINA, IGNASI ; FONTCUBERTA, JOSEP . Unraveling Ferroelectric Polarization and Ionic Contributions to Electroresistance in Epitaxial Hf Zr O Tunnel Junctions. Advanced Electronic Materials , v. 6, p. 1900852, 2020.
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SULZBACH, MILENA CERVO ; ESTANDÍA, SAÚL ; GÀZQUEZ, JAUME ; SÁNCHEZ, FLORENCIO ; FINA, IGNASI ; FONTCUBERTA, JOSEP . Blocking of Conducting Channels Widens Window for Ferroelectric Resistive Switching in Interface Engineered Hf Zr O Tunnel Devices. ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS , v. 30, p. 2002638, 2020.
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QIAN, MENGDI ; FINA, IGNASI ; SULZBACH, MILENA CERVO ; SÁNCHEZ, FLORENCIO ; FONTCUBERTA, JOSEP . Synergetic Electronic and Ionic Contributions to Electroresistance in Ferroelectric Capacitors. Advanced Electronic Materials , v. 5, p. 1800646, 2019.
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SULZBACH, M.C. ; SELAU, F.F. ; TROMBINI, H. ; GRANDE, P.L. ; MARMITT, G.G. ; PEREIRA, L.G. ; VOS, M. ; ELLIMAN, R.G. . Characterization of oxygen self-diffusion in TiO2 resistive-switching layers by nuclear reaction profiling. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS , v. 441, p. 8-11, 2019.
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SULZBACH, M. C. ; CICHELERO, R. ; OLIVEIRA, A. H. ; PEREIRA, L. G. . Spin transfer analysis via Landau-Lifshitz-Gilbert equation. In: III Brasilian Workshop on Magnetization Dynamics, 2014, Santa Maria. Resumo, 2014.
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SULZBACH, M. C. ; PEREIRA, L. G. . Análise de transferência de spin através de nanoponteiras. In: XXV SIC UFRGS 2013, 2013, Porto Alegre. Resumos, 2013.
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SULZBACH, M. C. ; PEREIRA, L. G. . Análise de transferência de spin através de nanoponteiras. In: XXIV SIC UFRGS 2012, 2012, Porto Alegre. Resumos, 2012.
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CUNHA, R.O. ; HEINEMANN, M. ; KUHN, M. F. ; SULZBACH, M. C. ; SCHMIDT, J. E. ; PEREIRA, L. G. . Medidas de transferência de spin usando nanoponteiras. In: VIII Escola Brasileira de Magnetismo, 2011, Ouro Preto. Programas e Resumos. Ouro Preto, 2011.
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SULZBACH, MILENA CERVO ; ESTANDÍA, SAÚL ; GÀZQUEZ, JAUME ; SÁNCHEZ, FLORENCIO ; FINA, IGNASI ; FONTCUBERTA, JOSEP . Selective blocking of conducting channels in Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric junctions. 2020. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SULZBACH, MILENA CERVO ; ESTANDÍA, SAÚL ; GÀZQUEZ, JAUME ; SÁNCHEZ, FLORENCIO ; FINA, IGNASI ; FONTCUBERTA, JOSEP . Selective blocking of conducting channels in Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric junctions. 2020. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SULZBACH, M.C. ; Lyu, J. ; Estandía, S. ; Gàzquez, J. ; Sánchez, F. ; FINA, IGNASI ; FONTCUBERTA, JOSEP . Electroresistance in ferroelectric tunnel Hf0.5Zr0.5O2 barriers. 2019. (Apresentação de Trabalho/Outra).
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SULZBACH, M.C. ; Lyu, J. ; Long, X. ; Gàzquez, J. ; Estandía, S. ; Dix, N. ; SÁNCHEZ, FLORENCIO ; FINA, IGNASI ; FONTCUBERTA, JOSEP . Ferroelectricity and resistive switching in ferroelectric tunnel Hf0.5Zr0.5O2 barriers. 2019. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SULZBACH, M.C. ; MACIA, F. ; FINA, IGNASI ; QIAN, MENGDI ; SÁNCHEZ, FLORENCIO ; FONTCUBERTA, JOSEP . Thermionic Field Emission in back-to-back BaTiO3-based Schottky interfaces. 2018. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SULZBACH, M.C. ; MACIA, F. ; FINA, IGNASI ; QIAN, MENGDI ; FONTCUBERTA, JOSEP . Back-to-back Schottky diode model for BaTiO3?based tunneling device. 2018. (Apresentação de Trabalho/Congresso).
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SULZBACH, M. C. ; MARMITT, G. G. ; PEREIRA, L. G. ; GRANDE, P. L. . Characterization of resistive memories using micro-beam RBS. 2016. (Apresentação de Trabalho/Outra).
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SULZBACH, M. C. ; MARMITT, G. G. ; BOUDINOV, H.I. ; PEREIRA, L. G. ; GRANDE, P. L. . Characterization of resistive memories using NRA and micro-beam RBS. 2016. (Apresentação de Trabalho/Outra).
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SULZBACH, M. C. ; PEREIRA, L. G. . Análise de transferência de spin através de nanoponteiras. 2013. (Apresentação de Trabalho/Outra).
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SULZBACH, M. C. ; PEREIRA, L. G. . Análise de transferência de spin através de nanoponteiras. 2012. (Apresentação de Trabalho/Outra).
Projetos de pesquisa
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2013 - 2014
Estudo das propriedades magnéticas e de transporte em sistemas nanoestruturados, Descrição: O estudo de sistemas magnéticos nano-estruturados, juntamente com o desenvolvimento de novas técnicas de fabricação e análise de dispositivos, estão permitindo observar o comportamento da matéria em situações até agora não conhecidas. A redução da dimensionalidade conduz a um universo onde os efeitos quânticos assumem um importante papel, suplantando as descrições clássicas. No que diz respeito ao magnetismo, estes novos sistemas podem apresentar comportamentos peculiares não observados em sistemas massivos similares. Quando estudamos sistemas de baixa dimensionalidade, isto quer dizer sistemas cujas dimensões são comparáveis ao próprio átomo, devemos considerar que a influência da vizinhança espacial, no sítio em questão, deixa de ser isotrópica, pois o número de átomos vizinhos a uma superfície é comparável àquela pertencente parte massiva. Esta quebra de simetria assume um papel fundamental nas propriedades magnéticas gerando fases magnéticas com anisotropia bem definidas. De forma similar, temos uma quebra de simetria para os elétrons de condução num metal (responsáveis pela condução elétrica), pois quando as espessuras das camadas individuais que compõe os filmes são da ordem do livre caminho médio eletrônico, a "memória" de spin se conserva ao longo de sua trajetória e este pode encontrar diferentes situações de transporte de acordo com a configuração magnética do sistema. Este controle na polarização da corrente elétrica conduz a um efeito importante, chamado de transferência de spin, tal que a sua manifestação mais conhecida é o controle da magnetização de uma fina camada de ferromagnético por uma corrente elétrica spin-polarizada. Neste trabalho pretende-se desenvolver estudos sistemáticos sobre o comportamento magnético, resistivo e magnetorresistivo de sistemas de baixa dimensão, dando importância aos seguintes tópicos: - Efeito de Exchange Bias em estruturas baseadas em IrMn/Co; - Magnetorresistência gigante e transferência de spin.. , Situação: Concluído; Natureza: Pesquisa. , Alunos envolvidos: Graduação: (2) / Mestrado acadêmico: (2) / Doutorado: (3) . , Integrantes: Milena Cervo Sulzbach - Coordenador / Luis Gustavo Pereira - Integrante / João Edgar Schmidt - Integrante / Julian Penkov Geshev - Integrante / Pedro Luis Grande - Integrante / Julie Grollier - Integrante / Vincent Cros - Integrante / Frederic Petroff - Integrante / Cyrille Deranlot - Integrante / Artur Harres de Oliveira - Integrante / Deise Schafer - Integrante / Artur Difini Accioly - Integrante / Lauren Galves - Integrante / Rafael Cichelero - Integrante / Nathalia Mariath Cristimann - Integrante., Financiador(es): Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico - Auxílio financeiro.
Prêmios
2017
Beca INPhINIT, Fundación ?la Caixa?.
2017
Co-funding Marie Skodowska-Curie PhD grant, European Commission - Marie Skodowska-Curie Actions.
Histórico profissional
Endereço profissional
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Bergische Universität Wuppertal. , Campus Freudenberg - Lise-Meitner-Str. 13, Raum 2.12, Campus Freudenberg, Wuppertal, - Alemanha - Caixa-postal: 42119, Telefone: (49) 2024391538, URL da Homepage:
Experiência profissional
2015 - 2017
Universidade Federal do Rio Grande do SulVínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Bolsista de Mestrado, Regime: Dedicação exclusiva.
2013 - 2014
Universidade Federal do Rio Grande do SulVínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Bolsista de Iniciação Científica, Carga horária: 20
Outras informações:
Projeto: Propriedades magnéticas e de Transporte em sistemas nanoestruturados
Projeto universal 482755/2013-0
Orientador: Luis Gustavo Pereira
2012 - 2013
Universidade Federal do Rio Grande do SulVínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Bolsista de Iniciação Científica - BIC/UFRGS, Carga horária: 20
Outras informações:
Projeto: Sistemas magnéticos nanoestruturados
Orientador: Luis Gustavo Pereira
2011 - 2012
Universidade Federal do Rio Grande do SulVínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Bolsista de Iniciação Científica - BIC/UFRGS, Carga horária: 20
Outras informações:
Projeto: Materiais magnéticos nanoestruturados
Orientador: Luis Gustavo Pereira
2018 - 2021
Institut de Ciència de Materials de BarcelonaVínculo: Bolsista, Enquadramento Funcional: Investigador pré-doutor em formação, Carga horária: 38, Regime: Dedicação exclusiva.
Outras informações:
Bolsista - Doctoral fellowship programme INPhINIT ?la Caixa?
2021 - Atual
Bergische Universität WuppertalVínculo: Pesquisador, Enquadramento Funcional: Assistant Researcher, Regime: Dedicação exclusiva.
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